第 10章 功率接口在 MCS-51单片机系统中有时需要单片机控制各种各样的外设，
如电动机、电磁铁，继电器、灯泡等，显然这些不能用单片机的 I/O线来直接驱动，而必须经过单片机的接口电路来驱动。
此外，为了隔离和抗干扰，有时进行电路隔离。本章将介绍常用的各种接口器件以及它们与 MCS-51单片机的接口电路。
掌握要点
1,MCS-51常用接口器件
2,MCS-51常用接口设计
MCS-51常用接口器件掌握要点常用接口器件晶闸管单向晶闸管 SCR
双向晶闸管 TRIAC
继电器电磁式继电器固态继电器功率管功率晶体管功率场效应管光电耦合器晶体管输出型晶闸管输出型
MCS-51常用接口设计掌握要点常用接口设计晶闸管双向晶闸管 TRIAC设计继电器电磁式继电器设计固态继电器设计功率管功率晶体管设计功率场效应管设计光电耦合器晶体管输出型设计晶闸管输出型设计单向晶闸管 SCR
单向晶闸客以称可控硅整流器，它有截止和导通两稳定状态，其 结构如图 所示。在使用中，满足其下工作条件：
导通条件：晶闸管阳极加下正电压，控制极加上一控制正电压关断条件：流过晶闸管的电流小于其维持电流。
单向晶闸管参数单向晶闸管的参数有极限参数、温度特性参数、电气参数三类。在应用中最重要的是极限参数。以下三个参数是特别重要的：
断态重复峰值电压 VDRM,在门极开路和晶闸管正向阻断的条件下，以重复率为 50次 /
秒，持续时间不大于 10ms,而重复加在阳阴极这间仍使晶闸管不至于导通的正向峰值电压。
反向重复峰值电压 VRRM,在门极开路的条件下，以重复率为 50次 /秒，持续时间不大于 10ms,而重复加在阳阴极这间仍使晶闸管不至于导通的反向峰值电压。
额定通态平均电流 IT(AV),在规定环境温度（＋ 50℃ ）、标准散热和全导通（导通角为 180。 的条件下晶闸管允许通过的工频电流的最大平均值。
在晶闸管的设计中，首先根据电路要求，计算元件参数，将参数乘以安全系数 K，然后查相关手册，选择合适的元件！
双向晶闸管 TRIAC
双向晶闸管又称三极管半导体开关元件（ Bidirectional Triode Thyristor），它正负信号都可以触发导通，触发后导通是双向的，其 结构如图 所示。在使用中，满足其下工作条件：
导通条件：在第一、三象限需正触发，在二、四象限需负触发。
关断条件：流过晶闸管的电流小于其维持电流。
双向晶闸管参数双向晶闸管的参数有极限参数、温度特性参数、电气参数三类。在应用中最重要的是极限参数。以下二个参数是特别重要的：
断态重复峰值电压 VDRM,在门极开路和晶闸管正向阻断的条件下，以重复率为 50次 /
秒，持续时间不大于 10ms,而重复加在阳阴极这间仍使晶闸管不至于导通的正向峰值电压。
额定通态平均电流 IT(AV),在规定环境温度（＋ 50℃ ）、标准散热和全导通（导通角为 180。 的条件下晶闸管允许通过的工频电流的最大平均值。
在晶闸管的设计中，首先根据电路要求，计算元件参数，将参数乘以安全系数 K，然后查相关手册，选择合适的元件！
继电器电磁式继电器：
电磁式继电器是一种较普通的开关隔离方式，其触点有常开和常闭，可有多组触点。其电路图符如图所示。
电磁式继电器常用参数如下：
额定电流：在正常工作中设计的最大流过的电流。一般标注在元件上如：
AC,10A DC,20A
额定驱动电压：使继电器常开触点闭合所加的驱动电压。一一般标注在元件上如,AC220V DC12V
固态继电器：
它是一种四端器件，其中两个接线端为输入端，另两个接线端为输出端，
中间采用隔离器件，以实现输入与输出之间的电隔离。常用的光电耦合式固态继电器内部原理如图所示：
固态继电器常用参数如下：
额定电压：在正常工作中设计的最大电压。一般标注在元件上如：
220VAC 50HZ± 10％
额定电流：在正常工作中设计的最大流过的电流。一般标注在元件上如：
AC,10A DC,20A
绝缘电阻：指输入与输出之间最小电阻。
击穿电压：指输入与输出之间加的极限最大电压功率晶体管功率晶体管的基本工作原理和一般晶体管是一样的，但它应用于大功率范围，一般有以下性能：
1,耐压高
2.工作电流大
3.开关时间短
4.饱和压降低
5.可靠性高从制造工艺上，一般采用三重扩散工艺结构，在逻辑上都采用达林顿结构，并附有加速二极管和续流二极管，其内部如图所示。
功率晶体管的特性主要有电压、电流及可靠性等性能。常用的主要电气性能有：
集电极 -发射极维持电压 VCEO（ SUS）,指基极开路、集电极电流达到规定值时的雪崩击穿电压。
最大极电流 ICM,指通过集电极的电流或正向脉冲电流平均值所允许的最大值。
直流电流放大系数 hFE:指在共发射极的条件下，集电极电流 IC和基极电流 IB之比。
在功率晶体管的设计中，首先根据电路要求，计算元件参数，将参数乘以安全系数 K，
然后查相关手册，选择合适的元件！
功率场效应管功率场效应晶体管，即是在大功率范围 的场效应晶体管。在应用中，功率场效应晶体管有比双极型晶体管更好的特性。
1。开关速度快
2。可并联使用
3。较高的可靠性
4。较强的过载能力
5。驱动电路要求较低从制造工艺上，较多采用 V沟槽工艺，这种工艺生产的管子称为 VMOS场效管，其电流容量大、耐压能力强、跨导性好、开关速度快等优良特性，帮在功率应用领域有广泛应用。其内部如图所示。
功率晶体管的特性主要有电压、电流及可靠性等性能。常用的主要电气性能有：
击穿电压 BVDS：在一定栅源电压条件下，漏极与源极之间所能承受的最高电压。
最大漏极耗散功率 PD：表示在环境温度为 25℃ 的条件下，最大允许耗散功率 。
在功率场效应晶体管的设计中，首先根据电路要求，计算元件参数，将参数乘以安全系数 K，然后查相关手册，选择合适的元件！
单向晶闸管内部结构图双向晶闸管内部结构图功率晶体管内部结构图场效应管驱动接口图光电开关计数脉冲输入接口图光电耦合式固态继电器内部原理图晶闸管光电耦合式输出接口图直流继电器接口设计图
如电动机、电磁铁，继电器、灯泡等，显然这些不能用单片机的 I/O线来直接驱动，而必须经过单片机的接口电路来驱动。
此外，为了隔离和抗干扰，有时进行电路隔离。本章将介绍常用的各种接口器件以及它们与 MCS-51单片机的接口电路。
掌握要点
1,MCS-51常用接口器件
2,MCS-51常用接口设计
MCS-51常用接口器件掌握要点常用接口器件晶闸管单向晶闸管 SCR
双向晶闸管 TRIAC
继电器电磁式继电器固态继电器功率管功率晶体管功率场效应管光电耦合器晶体管输出型晶闸管输出型
MCS-51常用接口设计掌握要点常用接口设计晶闸管双向晶闸管 TRIAC设计继电器电磁式继电器设计固态继电器设计功率管功率晶体管设计功率场效应管设计光电耦合器晶体管输出型设计晶闸管输出型设计单向晶闸管 SCR
单向晶闸客以称可控硅整流器，它有截止和导通两稳定状态，其 结构如图 所示。在使用中，满足其下工作条件：
导通条件：晶闸管阳极加下正电压，控制极加上一控制正电压关断条件：流过晶闸管的电流小于其维持电流。
单向晶闸管参数单向晶闸管的参数有极限参数、温度特性参数、电气参数三类。在应用中最重要的是极限参数。以下三个参数是特别重要的：
断态重复峰值电压 VDRM,在门极开路和晶闸管正向阻断的条件下，以重复率为 50次 /
秒，持续时间不大于 10ms,而重复加在阳阴极这间仍使晶闸管不至于导通的正向峰值电压。
反向重复峰值电压 VRRM,在门极开路的条件下，以重复率为 50次 /秒，持续时间不大于 10ms,而重复加在阳阴极这间仍使晶闸管不至于导通的反向峰值电压。
额定通态平均电流 IT(AV),在规定环境温度（＋ 50℃ ）、标准散热和全导通（导通角为 180。 的条件下晶闸管允许通过的工频电流的最大平均值。
在晶闸管的设计中，首先根据电路要求，计算元件参数，将参数乘以安全系数 K，然后查相关手册，选择合适的元件！
双向晶闸管 TRIAC
双向晶闸管又称三极管半导体开关元件（ Bidirectional Triode Thyristor），它正负信号都可以触发导通，触发后导通是双向的，其 结构如图 所示。在使用中，满足其下工作条件：
导通条件：在第一、三象限需正触发，在二、四象限需负触发。
关断条件：流过晶闸管的电流小于其维持电流。
双向晶闸管参数双向晶闸管的参数有极限参数、温度特性参数、电气参数三类。在应用中最重要的是极限参数。以下二个参数是特别重要的：
断态重复峰值电压 VDRM,在门极开路和晶闸管正向阻断的条件下，以重复率为 50次 /
秒，持续时间不大于 10ms,而重复加在阳阴极这间仍使晶闸管不至于导通的正向峰值电压。
额定通态平均电流 IT(AV),在规定环境温度（＋ 50℃ ）、标准散热和全导通（导通角为 180。 的条件下晶闸管允许通过的工频电流的最大平均值。
在晶闸管的设计中，首先根据电路要求，计算元件参数，将参数乘以安全系数 K，然后查相关手册，选择合适的元件！
继电器电磁式继电器：
电磁式继电器是一种较普通的开关隔离方式，其触点有常开和常闭，可有多组触点。其电路图符如图所示。
电磁式继电器常用参数如下：
额定电流：在正常工作中设计的最大流过的电流。一般标注在元件上如：
AC,10A DC,20A
额定驱动电压：使继电器常开触点闭合所加的驱动电压。一一般标注在元件上如,AC220V DC12V
固态继电器：
它是一种四端器件，其中两个接线端为输入端，另两个接线端为输出端，
中间采用隔离器件，以实现输入与输出之间的电隔离。常用的光电耦合式固态继电器内部原理如图所示：
固态继电器常用参数如下：
额定电压：在正常工作中设计的最大电压。一般标注在元件上如：
220VAC 50HZ± 10％
额定电流：在正常工作中设计的最大流过的电流。一般标注在元件上如：
AC,10A DC,20A
绝缘电阻：指输入与输出之间最小电阻。
击穿电压：指输入与输出之间加的极限最大电压功率晶体管功率晶体管的基本工作原理和一般晶体管是一样的，但它应用于大功率范围，一般有以下性能：
1,耐压高
2.工作电流大
3.开关时间短
4.饱和压降低
5.可靠性高从制造工艺上，一般采用三重扩散工艺结构，在逻辑上都采用达林顿结构，并附有加速二极管和续流二极管，其内部如图所示。
功率晶体管的特性主要有电压、电流及可靠性等性能。常用的主要电气性能有：
集电极 -发射极维持电压 VCEO（ SUS）,指基极开路、集电极电流达到规定值时的雪崩击穿电压。
最大极电流 ICM,指通过集电极的电流或正向脉冲电流平均值所允许的最大值。
直流电流放大系数 hFE:指在共发射极的条件下，集电极电流 IC和基极电流 IB之比。
在功率晶体管的设计中，首先根据电路要求，计算元件参数，将参数乘以安全系数 K，
然后查相关手册，选择合适的元件！
功率场效应管功率场效应晶体管，即是在大功率范围 的场效应晶体管。在应用中，功率场效应晶体管有比双极型晶体管更好的特性。
1。开关速度快
2。可并联使用
3。较高的可靠性
4。较强的过载能力
5。驱动电路要求较低从制造工艺上，较多采用 V沟槽工艺，这种工艺生产的管子称为 VMOS场效管，其电流容量大、耐压能力强、跨导性好、开关速度快等优良特性，帮在功率应用领域有广泛应用。其内部如图所示。
功率晶体管的特性主要有电压、电流及可靠性等性能。常用的主要电气性能有：
击穿电压 BVDS：在一定栅源电压条件下，漏极与源极之间所能承受的最高电压。
最大漏极耗散功率 PD：表示在环境温度为 25℃ 的条件下，最大允许耗散功率 。
在功率场效应晶体管的设计中，首先根据电路要求，计算元件参数，将参数乘以安全系数 K，然后查相关手册，选择合适的元件！
单向晶闸管内部结构图双向晶闸管内部结构图功率晶体管内部结构图场效应管驱动接口图光电开关计数脉冲输入接口图光电耦合式固态继电器内部原理图晶闸管光电耦合式输出接口图直流继电器接口设计图
