电力电子技术试题（第四章） 填空题 1、GTO的全称是 ，图形符号为 ；GTR的全称是 ，图形符号为 ；P-MOSFET的全称是 ，图形符号为 ；IGBT的全称是 ，图形符号为 。 33、门极可关断晶闸管、大功率晶体管、功率场效应管、绝缘门极晶体管。 2、GTO的关断是靠门极加 出现门极 来实现的。 33、负信号、反向电流。 3、大功率晶体管简称 ，通常指耗散功率 以上的晶体管。 34、GTR、1W。 4、功率场效应管是一种性能优良的电子器件，缺点是 和 。 35、电流不够大、耐压不够高。 二、判断题 对的用√表示、错的用×表示（每小题1分、共10分） 1、大功率晶体管的放大倍数β都比较低。 （√） 2、工作温度升高，会导致GTR的寿命减短。 （√） 3、使用大功率晶体管时，必须要注意“二次击穿”问题。 （√） 4、同一支可关断晶闸管的门极开通电流和关断电流是一样大的。 （×） 5、电力晶体管的外部电极也是：集电极、基极和发射极。 （√） 6、实际使用电力晶体管时，必须要有电压电流缓冲保护措施。 （√） 7、同一支可关断晶闸管的门极开通电流比关断电流大。 （×） 8、电力场效应晶体管属于电流型控制元件。 （×） 9、绝缘栅双极型晶体管具有电力场效应晶体管和电力晶体管的优点。（√） 三、单项选择题 把正确答案的番号填在括号内（每小题1分，共10分） 1、比较而言，下列半导体器件中性能最好的是（ ）。 GTR B、 MOSFET C、、IGBT 2、比较而言，下列半导体器件中输入阻抗最小的是（ ）。 A、GTR B、MOSFET C、IGBT 3、比较而言，下列半导体器件中输入阻抗最大的是（ ）。 A、GTR B、 MOSFET C、、IGBT 4、能采用快速熔断器作为过电流保护的半导体器件是（ ）。 A、GTO B、GTR C、IGBT。 5、比较而言，下列半导体器件中开关速度最快的是（ ）、最慢的是（ ）。 A、GTO B、GTR C、MOSFET 6、下列半导体器件中属于电流型控制器件的是。 （A ） A、GTR B、 MOSFET C、、IGBT。 7、下列电力电子器件中属于全控型器件的是（）。 A、KP50-7 B、3DD15C C、ZP100-10 四、问答题 （每小题6分，共计24分） 绝缘门极晶体管的特点有哪些？ 答：绝缘门极晶体管具有输入阻抗高、速度快、热稳定性好、驱动电路简单、通态电压低、耐压高和承受电流大等特点。 五、识图、作图题 （10分） 1、读出下列图形符号的名称并标出管脚符号。          2、画出下列半导体器件的图形符号并标明管脚代号。 ①普通晶闸管；②单结晶体管；③逆导晶闸管；④可关断晶闸管；⑤功率晶体管；⑥功率场效应晶体管；⑦绝缘门极晶体管；⑧双向二极管；⑨双向晶闸管；⑩程控单结晶体管。