第1章电力电子器件主要内容：
?常用电力电子器件的基本结构、工作原理、
外特性、主要参数、开关特性、安全工作区。
?这些器件的驱动电路和缓冲电路。
1.1 功率二极管
1.1.1 功率二极管的结构和工作原理
1,功率二极管的结构
2,功率二极管的工作原理
?由于PN结具有单向导电性，所以二极管是一个正方向单向导电、反方向阻断的电力电子器件。
1.1.2 功率二极管的特性和主要参数
1,功率二极管的特性
(1) 功率二极管的伏安特性
?二极管具有单向导电能力，二极管正向导电时必须克服一定的门坎电压U
th
(又称死区电压)，当外加电压小于门坎电压时，正向电流几乎为零。硅二极管的门坎电压约为0.5V，当外加电压大于U
th
后，电流会迅速上升。当外加反向电压时，二极管的反向电流I
S
是很小的，但是当外加反向电压超过二极管反向击穿电压U
RO
后二极管被电击穿，
反向电流迅速增加。
?功率二极管的伏安特性
(2) 功率二极管的开关特性
?由于PN结电容的存在，二极管从导通到截止的过渡过程与反向恢复时间t
rr
、最大反向电流值I
RM
，与二极管PN结结电容的大小、
导通时正向电流I
FR
所对应的存储电荷Q、电路参数以及反向电流di/dt等都有关。普通二极管的trr=2～10μs，快速恢复二极管的t
rr
为几十至几百ns,超快恢复二极管的t
rr
仅几个
ns。
?功率二极管的开关特性
? 2,功率二极管的主要参数
(1) 反向重复峰值电压U
RRM
取反向不重复峰值电压U
RSM
的80％称为反向重复峰值电压U
RRM
，也被定义为二极管的额定电压U
RR
。显然，U
RRM
小于二极管的反向击穿电压U
RO
。
(2) 额定电流I
FR
二极管的额定电流I
FR
被定义为其额定发热所允许的正弦半波电流平均值。其正向导通流过额定电流时的电压降U
FR
一般为1～
2V。当二极管在规定的环境温度为+40℃和散热条件下工作时，通过正弦半波电流平均值I
FR
时，其管芯PN结温升不超过允许值。
若正弦电流的最大值为I
m
，则额定电流为
(1-1)
m
Ittd
I
I ×=
∫
=
π
ωω
π
π
1
)(sin
2
1
0
m
FR
(3) 最大允许的全周期均方根正向电流I
Frms
?二极管流过半波正弦电流的平均值为I
FR
时，
与其发热等效的全周期均方根正向电流I
Frms
为
(1-2)
由式(1-1)和(1-2)可得
(1-3)
m
0
2
mFrms
2
1
)()sin(
2
1
ItdtII =
∫
=
π
ωω
π
FRFRFrms
57.1
2
III =×=
π
(4) 最大允许非重复浪涌电流I
FSM
?这是二极管所允许的半周期峰值浪涌电流。
该值比二极管的额定电流要大得多。实际上它体现了二极管抗短路冲击电流的能力。
功率二极管属于功率最大的半导体器件，
现在其最大额定电压、电流在6kV、6kA以上。二极管的参数是正确选用二极管的依据。
1.2 晶闸管
?晶闸管(Thyristor)就是硅晶体闸流管，普通晶闸管也称为可控硅SCR,普通晶闸管是一种具有开关作用的大功率半导体器件。目前，晶闸管的容量水平已达8kV／6kA。
1.2.1 晶闸管的结构和工作原理
1,晶闸管的结构
?晶闸管是具有四层PNPN结构、三端引出线
(A、K、G)的器件。常见晶闸管的外形有两种：螺栓型和平板型。
?晶闸管的结构和等效电路如图1-4 所示，晶闸管的管芯是P1N1P2N2四层半导体，形成3个PN结J1、J2和J3。
2,晶闸管的工作原理
? I
G
↑→I
b2
↑→
IC2(Ib1)
↑→I
C1
↑
R
NPN
PNP
A
G
S
K
E
G
I
G
E
A
I
K
I
c2
I
c1
I
A
V
1
V
2
P
1
A
G
K
N
1
P
2
P
2
N
1
N
2
a) b)
(1)欲使晶闸管导通需具备两个条件：
①应在晶闸管的阳极与阴极之间加上正向电压。
②应在晶闸管的门极与阴极之间也加上正向电压和电流。
(2) 晶闸管一旦导通，门极即失去控制作用，
故晶闸管为半控型器件。
(3) 为使晶闸管关断，必须使其阳极电流减小到一定数值以下，这只有用使阳极电压减小到零或反向的方法来实现。
1.2.2 晶闸管的特性和主要参数
1,晶闸管的特性
(1) 晶闸管的伏安特性
?晶闸管的伏安特性是晶闸管阳极与阴极间电压U
AK
和晶闸管阳极电流I
A
之间的关系特性。
?晶闸管的伏安特性
(2) 晶闸管的门极伏安特性
?由于实际产品的门极伏安特性分散性很大，
常以一条典型的极限高阻门极伏安特性和一条极限低阻门极伏安特性之间的区域来代表所有器件的伏安特性，由门极正向峰值电流I
FGM
﹑允许的瞬时最大功率P
GM
和正向峰值电压U
FGM
划定的区域称为门极伏安特性区域。P
G
为门极允许的最大平均功率。
其中,0ABC0为不可靠触发区,ADEFGCBA
为可靠触发区,
?晶闸管的门极伏安特性
(3) 晶闸管的开关特性
?第一段延迟时间t
d
，阳极电流上升到10％所需时间，也对应着从(α
1
+α
2
)<1到等于1的过程，此时J2结仍为反偏，晶闸管的电流不大。
?第二段上升时间t
r
，阳极电流由0.1上升到0.9所需时间，这时靠近门极的局部区域已经导通，相应的J2结已由反偏转为正偏，电流迅速增加。
?通常定义器件的开通时间t
on
为延迟时间t
d
与上升时间t
r
之和。即
t
on
=t
d
+t
r
(1-4)
?电源电压反向后，从正向电流降为零起到能重新施加正向电压为止定义为器件的电路换向关断时间t
off
。反向阻断恢复时间t
rr
与正向阻断恢复时间t
gr
之和。
t
off
=t
rr
+t
gr
?晶闸管的开关特性
2,晶闸管的主要参数
(1) 额定电压
?断态重复峰值电压U
DRM
和反向重复峰值电压U
RRM
中较小的那个数值标作器件型号上的额定电压。
通常选用晶闸管时，电压选择应取(2～3)倍的安全裕量。
(2) 额定电流I
T(AV)
?在环境温度为+40℃和规定冷却条件下，器件在电阻性负载的单相工频正弦半波电路中,管子全导通(导通角> 170°)，在稳定的额定结温时所允许的最大通态平均电流。
?晶闸管流过正弦半波电流波形如图所示它的通态平均电流I
T(AV)
和正弦电流最大值I
m
之间的关系表示为：
(1-6)
正弦半波电流的有效值为：
(1-7)
(1-8)
式中K
f
―为波形系数
m
0
m
T(AV)
1
)(sin
2
1
Ittd
I
I ×=
∫
=
π
ωω
π
π
m
0
2
mT
2
1
)()sin(
2
1
ItdtII ==
∫
π
ωω
π
57.1
)T(AV
T
f
==
I
I
K
?流过晶闸管的电流波形不同，其波形系数也不同，实际应用中，应根据电流有效值相同的原则进行换算，通常选用晶闸管时，
电流选择应取(1.5～2)倍的安全裕量。
(3) 维持电流I
H
?在室温和门极断路时，晶闸管已经处于通态后，从较大的通态电流降至维持通态所必须的最小阳极电流。
(4) 擎住电流I
L
?晶闸管从断态转换到通态时移去触发信号之后，要器件维持通态所需要的最小阳极电流。对于同一个晶闸管来说，通常擎住电流I
L
约为维持电流I
H
的(2～4)倍。
(5) 门极触发电流I
GT
?在室温且阳极电压为6V直流电压时，使晶闸管从阻断到完全开通所必需的最小门极直流电流。
(6) 门极触发电压U
GT
?对应于门极触发电流时的门极触发电压。
触发电路给门极的电压和电流应适当地大于所规定的U
GT
和I
GT
上限，但不应超过其峰值I
GFM
和U
GFM
。
(7) 断态电压临界上升率du/ dt
?在额定结温和门极断路条件下，不导致器件从断态转入通态的最大电压上升率。过大的断态电压上升率会使晶闸管误导通。
(8) 通态电流临界上升率di / dt
?在规定条件下，由门极触发晶闸管使其导通时，
晶闸管能够承受而不导致损坏的通态电流的最大上升率。在晶闸管开通时，如果电流上升过快，
会使门极电流密度过大，从而造成局部过热而使晶闸管损坏。
〖例1-1〗两个不同的电流波形(阴影斜线部分)如图所示，分别流经晶闸管，若各波形的最大值
I
m
=100A,试计算各波形下晶闸管的电流平均值
I
T(AV)1
、I
T(AV)2
，电流有效值I
1
、I
2
?解：如图所示的平均值和有效值可计算如下：
A2.27272.0)(sin
2
1
m
4/
m
d1
==
∫
= Itdt
I
I ωω
π
π
π
A3.33
3
1
md2
=×= II
A4.47477.0)()sin(
2
1
m
4
2
m1
=×=
∫
= ItdtII
π
π
ωω
π
A7.55
3
1
m
2
=
×
=
I
I
1.2.3 晶闸管的门极驱动电路和缓冲电路
1,晶闸管的门极驱动电路
(1) 晶闸管对触发电路的基本要求
?晶闸管对触发电路的基本要求是：
①触发信号可以是交流、直流或脉冲，为了减小门极的损耗，触发信号常采用脉冲形式。
②触发脉冲应有足够的功率。触发电压和触发电流应大于晶闸管的门极触发电压和门极触发电流。
③触发脉冲应有足够的宽度和陡度。触发脉冲的宽度一般应保证晶闸管阳极电流在脉冲消失前能达到擎住电流，使晶闸管导通，
这是最小的允许宽度。一般触发脉冲前沿陡度大于10V/μs或800mA/μs。
④触发脉冲的移相范围应能满足变换器的要求。例如，三相半波整流电路，在电阻性负载时，要求移相范围为150°；而三相桥式全控整流电路，电阻负载时移相范围为
120°。
(2) 触发电路的型式
?触发电路可分为模拟式和数字式两种，阻容移相桥、单结晶体管触发电路、锯齿波移相电路和正弦波移相电路均属于模拟式触发电路；而用数字逻辑电路乃至于微处理器控制的移相电路则属于数字式触发电路。
(1)晶闸管的缓冲电路
?常采用在晶闸管的阴阳极并联RC缓冲器，用来防止晶闸管两端过大的
du/dt造成晶闸管的误触发，其中电阻R也能减小晶闸管开通时电容C的放电电流。
(2) 晶闸管的保护
?晶闸管在使用时，因电路中电感的存在而导致换相过程产生Ldi/dt,又因容性的存在或设备自身运行中出现短路、过载等故障，
所以其过电压、过电流保护显得尤为重要。
1.2.4 晶闸管的派生器件
1,快速晶闸管
?快速晶闸管的关断时间≤50μs，常在较高频率(400HZ)的整流、逆变和变频等电路中使用，它的基本结构和伏安特性与普通晶闸管相同。目前国内已能提供最大平均电流1200A、最高断态电压1500 V的快速晶闸管系列，关断时间与电压有关，约为
25μs～50μs 。
2,双向晶闸管
?双向晶闸管不论从结构还是从特性方面来说，都可以看成是一对反向并联的普通晶闸管。在主电极的正、反两个方向均可用交流或直流电流触发导通。
?双向晶闸管在第Ⅰ和第Ⅲ象限有对称的伏安特性。
3,逆导晶闸管
?逆导晶闸管是将晶闸管和整流管制作在同一管芯上的集成元件。
?由于逆导晶闸管等效于反并联的普通晶闸管和整流管，因此在使用时，使器件的数目减少、装置体积缩小、重量减轻、价格降低和配线简单，特别是消除了整流管的配线电感，使晶闸管承受的反向偏置时间增加。
4,光控晶闸管
?光控晶闸管(Light Activated Thyristor)是利用一定波长的光照信号控制的开关器件。
其结构也是由P1N1P2N2四层构成。
?光控晶闸管的伏安特性光控晶闸管的参数与普通晶闸管类同，只是触发参数特殊，与光功率和光谱范围有关。
1.3 可关断晶闸管
?可关断晶闸管GTO(Gate Turn-Off
Thyristor)，可用门极信号控制其关断。
?目前，GTO的容量水平达6000A/6000V，
频率为1kHZ。
1.3.1 可关断晶闸管的结构和工作原理
1,可关断晶闸管的结构
? GTO的内部包含着数百个共阳极的小GTO
元，它们的门极和阴极分别并联在一起，
这是为了便于实现门极控制关断所采取的特殊设计。
?可关断晶闸管的结构、等效电路和符号
2,可关断晶闸管的工作原理
(1) 开通过程
? GTO也可等效成两个晶体管P
1
N
1
P
2
和
N
1
P
2
N
2
互连，GTO与晶闸管最大区别就是导通后回路增益α
1
+α
2
数值不同。晶闸管的回路增益α
1
+α
2
常为1.15左右，而GTO
的α
1
+α
2
非常接近1。因而GTO处于临界饱和状态。这为门极负脉冲关断阳极电流提供有利条件。
(2) 关断过程
?当GTO已处于导通状态时，对门极加负的关断脉冲，形成－I
G
，相当于将I
C1
的电流抽出，使晶体管N
1
P
2
N
2
的基极电流减小，使
I
C2
和I
K
随之减小，I
C2
减小又使I
A
和I
C1
减小，
这是一个正反馈过程。当I
C2
和I
C1
的减小使
α
1
+α
2
<1时，等效晶体管N
1
P
2
N
2
和P
1
N
1
P
2
退出饱和，GTO不满足维持导通条件，阳极电流下降到零而关断。
? GTO关断时，随着阳极电流的下降，阳极电压逐步上升，因而关断时的瞬时功耗较大，在电感负载条件下，阳极电流与阳极电压有可能同时出现最大值，此时的瞬时关断功耗尤为突出。
?由于GTO处于临界饱和状态，用抽走阳极电流的方法破坏临界饱和状态，能使器件关断。而晶闸管导通之后，处于深度饱和状态，用抽走阳极电流的方法不能使其关断。
1.3.2 可关断晶闸管的特性和主要参数
(1) GTO的阳极伏安特性
? (2) GTO的开通特性
?开通时间t
on
由延迟时间t
d
和上升时间t
r
组成,
(3) GTO的关断特性
? GTO的关断过程有三个不同的时间，即存储时间
t
s
、下降时间t
f
及尾部时间t
t
。
?存储时间t
s
：对应着从关断过程开始，到阳极电流开始下降到90%I
A
为止的一段时间间隔。
?下降时间t
f
：对应着阳极电流迅速下降，阳极电压不断上升和门极反电压开始建立的过程。
?尾部时间t
t
：则是指从阳极电流降到极小值时开始，
直到最终达到维持电流为止的时间。
? GTO的关断特性
? GTO关断时间的大部分功率损耗出现在尾部时间，在相同的关断条件下，不同型号
GTO相应的尾部电流起始值和尾部电流的持续时间均不同。在存储时间内，过大的门极反向关断电流上升率会使尾部时间加长。此外，过高的du/dt会使GTO因瞬时功耗过大而在尾部时间内损坏管子。因此必须设计适当的缓冲电路。
2,可关断晶闸管的主要参数
? GTO有许多参数与晶闸管相同，这里只介绍一些与晶闸管不同的参数。
(1) 最大可关断阳极电流I
ATO
?电流过大时α
1
+α
2
稍大于1的条件可能被破坏，使器件饱和程度加深，导致门极关断失败。。
(2) 关断增益β
off
? GTO的关断增益β
off
为最大可关断阳极电流
I
ATO
与门极负电流最大值I
gM
之比β
off
通常只有5左右。
1.3.3 可关断晶闸管的安全工作区
? GTO安全工作区是指在门极加负脉冲关断信号时，GTO能够可靠关断的阳极电流与阳极电压的轨迹。既然是在一定条件下确定的安全运行范围，如条件改变，比如门极驱动电路或缓冲电路参数改变之后，安全工作区也随之改变，实际实用中应加以注意。
? GTO的安全工作区
1.3.4 门极驱动电路和缓冲电路
1,可关断晶闸管的门极驱动电路
?影响GTO导通的主要因素有：阳极电压、
阳极电流、温度和门极触发信号等。阳极电压高，GTO导通容易，阳极电流较大时易于维持大面积饱和导通，温度低时，要加大门极驱动信号才能得到与室温时相同的导通效果。
(1) 对门极触发信号的要求
?因为GTO工作在临界饱和状态，所以门极触发信号要足够大，
?脉冲前沿(正、负脉冲)越陡越有利，而后沿平缓些好。正脉冲后沿太陡会产生负尖峰脉冲；负脉冲后沿太陡会产生正尖峰脉冲，
会使刚刚关断的GTO的耐压和阳极承受的
du/dt降低。
?为了实现强触发，门极正脉冲电流一般为额定触发电流(直流)的(3～5)倍。
(2) 门极触发方式
? GTO门极触发方式通常有下面三种：
①直流触发
?在GTO被触发导通期间，门极一直加有直流触发信号。
②连续脉冲触发
?在GTO被触发导通期间，门极上仍加有连续触发脉冲，所以也称脉冲列触发。
③单脉冲触发
?即常用的脉冲触发，GTO导通之后，门极触发脉冲即结束。
?采用直流触发或脉冲列触发方式GTO
的正向管压降较小。采用单脉冲触发时，如果阳极电流较小，则管压降较大，用单脉冲触发，应提高脉冲的前沿陡度，增大脉冲幅度和宽度，才能使GTO的大部分或全部达饱和导通状态。
(3) 门极关断控制
①恒压源关断控制
?恒压源关断控制电路如图1-23所示，晶体管V
1
控制GTO触发导通；V
2
控制GTO关断。
关断电源E
2
须小于
GTO的门极反向电压
U
GRM
之值，否则会引起GTO产生雪崩电流。
②变压源关断控制
?变压源关断控制如图
1-24所示，晶体管V
通过电容C供给GTO
触发脉冲信号，GTO
导通时，电容C充电。
当关断信号加到可控硅SCR使其导通，电容C经SCR放电，为
GTO门阴极提供一个负脉冲电压，从而关断GTO。
③脉冲变压器关断控制电路
?当需要把门极控制电路与主回路隔离时，
可采用脉冲变压器提供控制信号。脉冲变压器关断控制电路如图1-25所示。
2,可关断晶闸管的缓冲电路
?电力电子器件开通时流过很大的电流，阻断时承受很高的电压；尤其在开关转换的瞬间，电路中各种储能元件的能量释放会导致器件经受很大的冲击，有可能超过器件的安全工作区而导致损坏。附加各种缓冲电路，目的不仅是降低浪涌电压、du/dt
和di/dt,还希望能减少器件的开关损耗、避免器件损坏和抑制电磁干扰，提高电路的可靠性。
(1) 缓冲电路
?吸收过电压的有效方法是在器件两端并联一个吸收过电压的阻容电路。
?如果吸收电路元器件的参数选择不当，或连线过长造成分布电感L
S
过大等，也可能产生严重的过电压。
(2) 缓冲电路元件的选择
?应选取较小的R
S
，R
S
的阻值一般应选取
10Ω～20Ω。R
S
不应选用线绕式的，而应是涂膜工艺制作的无感电阻。
?要求二极管V
DS
能快速开通、反向恢复时间
t
rr
短和反向恢复电荷Q
r
尽量小。
?吸收电路中的C
S
也应当是无感元件，以尽可能减小吸收电路的杂散分布电感L
S
。
1.4 双极型功率晶体管
?双极型功率晶体管BJT的容量水平已达
1.8kV／lkA，频率为20kHz。
1.4.1 双极型功率晶体管的结构和工作原理
? 1,双极型功率晶体管的结构
? 2,双极型功率晶体管的工作原理
?以NPN型双极型功率晶体管为例，若外电路电源使U
BC
<0,则集电结的PN结处于反偏状态；U
BE
>0,则发射结的PN结处于正偏状态。此时晶体管内部的电流分布为：
? (1) 由于U
BC
<0,集电结处于反偏状态，形成反向饱和电流I
CBO
从N区流向P区。
? (2) 由于U
BE
>0,发射结处于正偏状态，P区的多数载流子空穴不断地向N区扩散形成空穴电流I
PE
,N区的多数载流子电子不断地向P
区扩散形成电子电流I
NE
。
?单个BJT电流增益较低，驱动时需要较大的驱动电流，由于单级高压晶体管的电流增益仅为10左右，为了提高电流增益，常采用达林顿结构，如每级有10倍的增益，则3
级达林顿结构的电流增益可达1000左右。
1.4.2 双极型功率晶体管的特性和主要参数
1.双极型功率晶体管的特性
(1) BJT的输出特性
? BJT的输出特性是指在一定的基极电流I
B
下，管子的集射极之间的电压U
CE
同集电极电流I
C
的关系特性。晶体管有放大、饱和与截止三种工作状态。
? BJT的输出特性
(2) BJT的开关特性
?晶体管有线性和开关两种工作方式。当只需要导通和关断作用时采用开关工作方式。
BJT主要应用于开关工作方式。
①开关响应特性
?在开关工作方式下，用一定的正向基极电流I
B1
去驱动BJT导通，而用另一反向基极电流I
B2
迫使BJT关断，由于BJT不是理想开关，
故在开关过程中总存在着一定的延时和存储时间。
? BJT的开关响应特性
?延迟时间t
d
：加入I
B1
以后一段时间里，i
C
仍保持为截止状态时的很小电流直到i
C
上升到
0.1I
CS
。
?上升时间tr：i
C
不断上升，直到i
C
=I
CS
，BJT
进入饱和状态。t
r
指i
C
从0.1I
CS
上升到0.9I
CS
所需要的时间。
? BJT的开通时间t
on
：延迟时间t
d
和上升时间t
r
之和。即
t
on
=t
d
+t
r
(1-9)
?当基极电流突然从正向I
B1
变为反向I
B2
时，BJT的集电极电流i
C
并不立即减小，仍保持I
CS
，而要经过一段时间才下降。
?存储时间t
s
：把基极电流从正向I
B1
变为反向I
B2
时到i
C
下降到0.9I
CS
所需的时间。
?下降时间t
f
：i
C
继续下降，i
C
从0.9I
CS
下降到0.1I
CS
所需的时间。
?此后，i
C
继续下降，一直到接近反向饱和电流为止，这时BJT完全恢复到截止状态。
? BJT的关断时间t
off
：存储时间t
s
和下降时间t
f
之和，
即
t
off
=t
s
+t
f
(1-10)
t
d
存在原因
?基极驱动信号到来之前，发射结和集电结都处于反偏状态，它们的空间电荷区较宽。
当U
i
到来时，虽然基极电流立即上升到I
B1
，
但发射结仍然处于反偏状态。I
B1
提供空穴，
填充发射结空间电荷区，抵消部分静电荷，
使空间电荷区变窄，发射结反偏变小。只有发射结接近正向偏置时，i
C
才开始上升，
在这段时间内有I
B1
而几乎无i
C
，由于发射结和集电结势垒电容效应，只有势垒电容充电到一定程度，BJT才开始导通，所以存在延迟时间t
d
。
t
r
存在原因
?发射结进入正偏，此后，正偏不断增大，
i
C
不断上升，BJT接近或进入饱和区。I
B1
一方面继续给发射结和集电结势垒电容充电，另一方面使基区的电荷积累增加，并且还补充基区复合所消耗的载流子，这就存在着上升时间t
r
。
t
f
存在原因
?当U
i
变为负值，基极电流变为I
B2
，但i
C
不立即变小，而是当基区的电荷减少一定程度，I
C
才开始下降，所以存在存储时间t
s
。
当发射结由正偏变为反偏，集电结和发射结电荷区变宽，i
C
下降较快，这就有下降时间t
f
。
? BJT的开关时间对它的应用有较大的影响，
选用BJT时，应注意其开关频率。应使输入脉冲持续时间大于BJT开关时间。
?改善措施为了使BJT快速导通，缩短开通时间t
on
，驱动电流必须具有一定幅值，前沿较陡的正向驱动电流，可加速BJT的导通；为加速
BJT关断，缩短关断时间t
off
，驱动电流必须具有一定幅值的反向驱动电流，过冲的负向驱动电流，可缩短关断时间。
?驱动电流的理想波形
2,双极型功率晶体管的主要参数
(1) BJT的电流放大倍数β值：β定义为晶体管的集电极电流变化率和基极电流变化率之比。
(2) BJT的反向电流：BJT的反向电流会消耗一部分电源能量，会影响管子的稳定性。常希望反向电流尽可能小。有I
CBO
、I
CEO
和I
EBO
。
(3) BJT的反向击穿电压：BJT的反向击穿电压决定管子承受外加电压的上限。有U
(BR)EBO
、U
(BR)CBO
、
U
(BR)CEO
(4) BJT的极限参数：集电极允许流过的最大电流I
CM
，
集电极最大允许耗散功率P
CM
,最大允许结温T
JM
和击穿电压。
1.4.3 双极型功率晶体管的安全工作区
1.正向偏置安全工作区
? BJT的正向偏置安全工作区是由最大集电极电流I
CM
、集电极最大允许耗散功率P
CM
、二次击穿耐量有关的P
SB
和集射极最大电压
U
(BR)CEO
所组成的区域。
2,反向偏置安全工作区
?为了使晶体管截止而不被击穿，电压与电流的工作点必须选在反向安全工作区之内。
反向偏置基极电流不同时，反向安全工作区宽窄也不同，若反向偏置基极电流增加时，反向安全工作区变窄。
3,双极型功率晶体管的二次击穿
(1) PN结的反向击穿
? PN结的反向击穿，可分为三种类型：热电击穿、
隧道击穿和雪崩击穿。
①热电击穿
?当外加反向电压升高时，较大的反向电流引起热损耗，导致器件的结温升高，促使本征载流子浓度明显增加，使反向电流增长更快。形成强烈的正反馈，最后导致PN结击穿。
②隧道击穿(齐纳击穿)
?如果PN结势垒区的电场很强，穿过禁带的电子很多，反向电流增长很快，从而引起了PN结击穿。
③雪崩击穿
?在反向高电压下，PN结势垒区的电场很强，载流子在强电场中得到大的动能，从而成为“热”载流子，“热”载流子与晶格原子相碰撞，使晶格原子价带内的电子被激发到导带，形成电子-空穴对。不断地发生碰撞，不断地产生第二、三、四…代电子-空穴对，使载流子成倍增加，从而引起了PN结击穿。大功率电力电子器件中，
雪崩击穿是常见击穿现象。
(2) 二次击穿的过程和特点
?晶体管二次击穿特性如图所示，分别代表BJT发射极为正偏压、零偏压和负偏压时的二次击穿特性，现在以零偏压为例分析二次击穿现象的发生过程，当电压U
CE
增大到达D点时，集电极发生雪崩效应，晶体管的电流上升到B点，经过一短暂的时间后，电压将会突然减小到E点。同时电流急骤增大。如果没有适当的保护措施，电流将继续增大到F点，从而会造成晶体管永久性损坏。
这种从高电压小电流向低电压大电流跃变并伴随着电流急骤增大的现象，称为晶体管的二次击穿。
?晶体管二次击穿特性
?晶体管二次击穿的特点：
①在二次击穿点停留的时间τ称为二次击穿的延迟时间，对于不同类型的二次击穿，
这一时间的长短相差很大。
②从B点到E 点的过渡几乎是瞬时的，晶体管的状态不可能稳定在B～E这一区域内，
而且到E点是不可逆的。即使使晶体管回到触发前的状态，但重复几次仍然会使晶体管变成永久性失效。
③在E点的电压称为二次击穿的维持电压。
维持电压都在10V～15V左右。
(3) 产生二次击穿的原因
?二次击穿主要是由于器件芯片局部过热引起。
?在正向偏置时，温度升高是由热不均衡性引起的。由于晶体管的结面上有缺陷和参数分布不均匀，导致电流分布不均匀，从而引起温度分布不均匀。温度高的局部区域载流子浓度将增加，使电流更加密集，
这种恶性循环形成热不稳定性。如果局部区域所产生的热量不能及时散发，将使电流上升失去控制。一旦温度达到材料熔点，
便造成永久性破坏。
?反向偏置时，温度升高是由雪崩击穿引起的。由于发生一次雪崩击穿之后，在某些点上因电流密度过大，改变了结电场分布，
产生负阻效应，从而使局部温度过高的一种现象。
?二次击穿最终是由于局部过热而引起，而热点的形成需要能量的积累，即需要一定的电压、电流和一定的时间。因此，集电极电压、电流、负载性质、导通脉冲宽度、
基极电路的配置以及材料、工艺等因素都对二次击穿有一定的影响。
1.4.4 驱动电路和缓冲电路
1,双极型功率晶体管的驱动电路
(1) BJT的驱动电路的重要性
?驱动电路性能不好，轻则使BJT不能正常工作，重则导致BJT损坏。其特性是决定电流上升率和动态饱和压降大小的重要因素之一。
?增加基极驱动电流使电流上升率增大，使BJT饱和压降降低，从而减小开通损耗。
?过大的驱动电流，使BJT饱和过深，退出饱和时间越长，对开关过程和减小关断损耗越不利。
?驱动电路是否具有快速保护功能，是决定BJT在过电压或过电流后是否损坏的关键因素之一。
? BJT对基极驱动电路的基本要求：
①BJT导通时，基极电流值在最大负载下应维护BJT饱和导通，电流的上升率应充分大，
以减小开通时间。
②BJT关断时，反向注入的基极电流峰值及下降率应充分大，以缩短关断时间。
③为防止关断时的尾部效应而导致BJT的损坏，驱动电路应提供给基射结合适的反偏电压，促使BJT快速关断，防止二次击穿。
④BJT瞬时过载时，驱动电路应能相应地提供足够大的驱动电流，保证BJT不因退出饱和区而损坏。
⑤BJT导通过程中，如果BJT集射结承受电压或流过它的电流超过了设定的极限值，
应能自动切除BJT的基极驱动信号。
?为了提高工作速度，降低开关损耗，多采用抗饱和措施；为了确保器件使用安全，
尽可能采用多种保护措施，为了使电路简化，功能齐全，应尽可能采用集成器件。
(2) BJT驱动电路的设计方法
①开通与通态
?基极电流应尽可能大，以便开通或关断大的集电极电流。但基极电流过大会造成电路过饱和，增大了关断时间，反而降低了承受破坏的能力。因此，基极电流按下式取值：
I
B1
=(1.5～2) I
Cmax
/ (1-11)
β
②关断与断态
?反向基极电流I
B2
较大，BJT的关断时间缩短，
但是I
B2
增大，浪涌电压增大，反向偏置安全工作区变窄，确定I
B2
必须考滤到使用频率、反向偏置安全工作区、存储时间和下降时间。所以在实际应用中，I
B2
最大峰值为I
B1
的(2～3)倍。
(3) 基极驱动电路的基本型式
①恒流驱动电路
?,恒流驱动”是指BJT的基极电流保持恒定，不随集电极电流变化而变化。为了保证BJT在任何负载情况下都能处于饱和导通，所需的基极电流I
B
应按BJT最大可能通过的集电极电流I
Cmax
来设计，
即
I
B
＞I
Cmax
/β(1-12)
?恒流驱动使空载时饱和深度加剧，存储时间大。
为了克服上述弊端常需采用其他辅助措施。抗饱和贝克箝位电路如图所示，将多余的基极电流从集电极引出，使BJT在不同集电极电流情况下都处于饱和状态。
?箝位二极管VD
2
必须是快速恢复二极管且其耐压必须和BJT的耐压相当。由于电路工作于准饱和状态，其正向压降增加，增大了导通损耗。
②截止反偏驱动电路
?当u
i
为高电平时，晶体管V
1
及V
2
导通，正电源+V
CC
经过电阻R
3
及V
2
向BJT提供正向基极电流，使BJT导通。当u
i
为低电平时，
V
1
及V
2
截止而V
3
导通，负电源-V
CC
加于
BJT的发射结上，BJT基区中的过剩载流子被迅速抽出，BJT迅速关断。
?固定反偏互补驱动电路
2,双极型功率晶体管的缓冲电路
? BJT的缓冲器常采用阻容二极管RCD的吸收网络
?此处电阻R应选用电感量较小的电阻，电容
C应选用低串联电阻、电感小且频率特性好的电容。
?未加缓冲电路时，在开通和关断过程中的某一时刻，会出现集电极电压u
C
和集电极电流i
C
同时达到最大值的情况。这时瞬时开关损耗也最大。
?采用开通和关断缓冲电路，其负载线轨迹如图(c)
的实线所示。
?缓冲电路所以能够减小开关器件的开关损耗，是因为把开关损耗由器件本身转移至缓冲电路内，根据这些被转移的能量如何处理，引出了两类缓冲电路：
?一类是耗能式缓冲电路，即转移至缓冲器的开关损耗能量消耗在电阻上，这种电路简单，但效率低；
?另一类是馈能式缓冲电路，即将转移至缓冲器的开关损耗能量以适当的方式再提供给负载或回馈给供电电源，这种电路效率高但电路复杂。
1)耗能式缓冲电路
①关断缓冲电路
?电容越大du/dt
越小。BJT集电极电压被电容电压牵制，
所以不再会出现瞬时尖峰功耗。
②开通缓冲电路
?如果缓冲电感L
S
采用饱和电抗器则效果会更好。
因为只要设计得当，使得缓冲电感在集电极电压下降到零后处于饱和状态，而在饱和之前呈现高阻抗，因而开通损耗亦较小。
③复合缓冲电路
(2) 馈能式缓冲电路
?将储能元件中的储能通过适当的方式回馈给负载或电源，可以提高装置的效率。在馈能过程中，由于采用的元件不同，又可分为无源和有源两种方式。
①馈能式关断缓冲电路
②馈能式开通缓冲电路
③馈能式复合缓冲电路
3,BJT的保护电路
(1) 过电流、短路保护
?由于BJT存在二次击穿等问题，由于二次击穿很快，远远小于快速熔断器的熔断时间，
因此诸如快速熔断器之类的过电流保护方法对BJT类电力电子设备来说是无用的。
? BJT的过电流保护要依赖于驱动和特殊的保护电路。
①电压状态识别保护
?当BJT处于过载或短路故障状态时,随着集电极电流的急剧增加,其基射极电压和集射极电压均发生相应变化,可利用这一特点对BJT进行过载和短路保护。
②桥臂互锁保护
?逆变器运行时，可能发生桥臂短路故障，
造成器件损坏。只有确认同一桥臂的一个
BJT关断后，另一个BJT才能导通。这样能防止两管同时导通，避免桥臂短路。
? BJT的热容量极小，过电流能力很低，要求故障检测、信号传送及保护动作能瞬间完成，要在微秒级的时间内将电流限制在过载能力的限度以内。
(2) 欠饱和及过饱和保护
? BJT的二次击穿多由于BJT工作于过饱和状态引起的，而过基极驱动引起的过饱和又使BJT的存储时间不必要地加长，直接影响着BJT的开关频率，所以BJT的过饱和及欠饱和保护对它的安全可靠工作有着极其重要的作用。通常欠饱和保护可根据被驱动
BJT的基射极电压降的高低来自动调节基极驱动电流的大小，构成准饱和基极驱动器来完成。
(3) 基极驱动电路电源电压监控保护
? BJT是电流控制器件，基极驱动电路自身电源影响着被驱动BJT的可靠工作，这就要求一个较理想的基极驱动电路，应有自身工作电源电压监控保护。当电源电压低于一定值时，则通过自动电路保证BJT不能被驱动，以免BJT在关断时损坏BJT。
4,BJT应用时应注意事项
(1) BJT的工作点是随所选电压和电流的不同而变化的，特性表中的参数是在特定条件下的参数值，
而且是指环境温度为+25℃下的数值。
(2) 当环境温度高于+25℃时，BJT功率应适当降低，
一般可按下述公式计算
P
CM
=(T
1
-T
0
) /R
T
(1-13)
?提高BJT可靠性的具体措施是：增大电压和电流裕量，同时改善散热条件。
(3) BJT电流、功率增益随工作频率而改变。当BJT
工作于开关状态时，只工作于饱和状态和截止状态，放大区参数是没有意义的。
(4) BJT应尽量避免靠近发热元件，以保证管壳散热良好。当BJT的耗散功率≥5W时，应加散热器。
(5) 焊接BJT时，应采用熔点不超过150℃的低熔点焊锡；电烙铁以60W以下为宜，时间不超过5s。
(6) 为了减少β值对温度的依赖性，应尽可能采用与
β值变化关系不大的电路设计方案。
(7) 对于功放管，为避免其过热，最有效的方法是采用热敏电阻器保护。
(8) 为防止BJT二次击穿，尽量避免采用电抗成分过大的负载，并合理选择工作点及工作状态，使之不超过功率管的安全工作区。
1.5 功率场效应晶体管
?根据其结构不同分为结型场效应晶体管，
金属-氧化物-半导体场效应晶体管。
?根据导电沟道的类型可分为N沟道和P沟道两大类；
?根据零栅压时器件的导电状态又可分为耗尽型和增强型两类，
?目前功率MOSFET的容量水平为50A／500
V，频率为100kHz。
1.5.1 结构和工作原理
1,功率场效应晶体管的结构
? VDMOS结构采用垂直导电的双扩散MOS结构，
利用两次扩散形成的P型和N
+
型区，在硅片表面处的结深之差形成沟道，电流在沟道内沿表面流动，然后垂直被漏极接收。
? VDMOS管的衬底是重掺杂(超低阻) N
+
单晶硅片，
其上延生长一高阻N
－
层(最终成为漂移区，该层电阻率及外延厚度决定器件的耐压水平),在N
－
上经过P型和N型的两次扩散，形成N
+
N
－
PN
+
结构。
?栅极为零偏压时，i
D
被P型体区阻隔，漏源之间的电压U
DS
加在反向PN
－
结上，整个器件处于阻断状态。当栅极正偏压超过阈值电压U
T
时沟通道由P型变成N
+
型，这个反型的沟道成为i
D
电流的通道，整个器件又处于导通状态。它靠N
+
型沟道来导电故称之为N沟道VDMOS管。在MOSFET中只有一种载流子(N沟道时是电子，P沟道时是空穴) 。由于电子的迁移率比空穴高3倍左右，
从减小导通电阻增大导通电流计，一般常用N沟道器件。
?功率MOSFET在特性上的优越之处在于没有热电反馈引起的二次击穿、输入阻抗高、跨导的线性度好和工作频率高。
? 2,功率场效应晶体管的工作原理
?当栅源极电压U
GS
＝0时，漏极下的P型区表面不出现反型层，无法沟通漏源。此时即使在漏源之间施加电压也不会形成P区内载流子的移动，即VMOS管保持关断状态。
?当栅源极电压U
GS
＞0且不够充分时，栅极下面的P型区表面呈现耗尽状态，还是无法沟通漏源，此时VMOS管仍保持关断状态。
?当栅源极电压U
GS
或超过强反型条件时，栅极下面的硅的表面从P型反型成N型，形成
N型表面层并把源区和漏区联系起来,从而把漏源沟通，使VMOS管进入导通状态。
1.5.2 特性和主要参数
1.功率场效应晶体管的特性
(1) 功率MOSFET的转移特性
?转移特性表示功率MOSFET的输入栅源电压U
GS
与输出漏极电流I
D
之间的关系。转移特性表示功率MOSFET的放大能力，与
BJT中的电流增益相仿，由于功率
MOSFET是电压控制器件，因此用跨导这一参数来表示。
?（a）功率MOSFET的转移特性
(2) 功率MOSFET的输出特性
?当栅源电压U
GS
一定时，漏极电流I
D
与漏源电压U
DS
间关系曲线称为VMOSFET的输出特性。只有当栅源电压U
GS
达到或超过强反型条件时，使MOSFET进入导通状态。栅源电压U
GS
越大，漏极电流越大，可见漏极电流I
D
受栅源电压U
GS
的控制。输出特性分为三个区域，可调电阻区、饱和区和雪崩区。
?在可调电阻区Ⅰ内，器件的电阻值是变化的。当栅源电压U
GS
一定时，器件内的沟道已经形成，若漏源电压U
DS
很小时，对沟道的影响可忽略，此时沟道的宽度和电子的迁移率几乎不变，所以I
D
与U
DS
几乎呈线性关系。
?在饱和区Ⅱ中，当U
GS
不变时，I
D
趋于不变。
当U
DS
增大至使漏极PN结反偏电压过高，
发生雪崩击穿，I
D
突然增加，此时进入雪崩区Ⅲ，直至器件损坏。使用时应避免出现这种情况。
(3) 功率MOSFET的开关特性
?因为MOSFET存在输入电容C
i
，C
i
有充电过程，栅极电压U
GS
呈指数曲线上升,当U
GS
上升到开启电压U
T
时，开始出现漏极电流i
D
，
从脉冲电压的前沿到i
D
出现，这段时间称为开通延迟时间t
d
。
?随着U
GS
增加，i
D
上升，从有i
D
到i
D
达到稳态值所用时间称为上升时间t
r
。开通时间t
on
可表示为
t
on
＝t
d
＋t
r
(1-14)
?当脉冲电压下降到零时，栅极输入电容C
i
通过信号源内阻R
S
和栅极电阻R
G
开始放电，栅极电压
U
GS
按指数曲线下降，当下降到U
GSP
时，漏极电流才开始减小，这段时间称为关断延迟时间t
s
。
?之后，C
i
继续放电，从i
D
减小，到U
GS
＜U
T
沟道关断，i
D
下降到零。这段时间称为下降时间t
f
。关断时间t
off
可表示为
t
off
＝t
s
＋t
f
(1-15)
?由上分析可知，改变信号源内阻R
S
，可改变C
i
充、
放电时间常数，影响开关速度。
?功率MOSFET开关特性
(4) 安全工作区(SOA)
?功率MOSFET没有二次击穿问题，具有非常宽的安全工作区，特别是在高电压范围内，但是功率MOSFET的通态电阻比较大，所以在低压部分不仅受最大电流的限制，
还要受到自身功耗的限制。
正向偏置安全工作区
①正向偏置安全工作区(FBSOA)
?正向偏置安全工作区由四条边界极限所包围的区域。漏源通态电阻线，最大漏极电流线，最大功耗限制线和最大漏源电压线，
②开关安全工作区(SSOA)
?开关安全工作区(SSOA)表示器件工作的极限范围。
在功率MOSFET换流过程中，当器件体内反并联二级管从导通状态进入反向恢复期时，如果漏极电压上升过大，则很容易造成器件损坏。二极管反向恢复期内漏源极的电压上升率称为二极管恢复耐量，二极管恢复耐量是功率MOSFET可靠性的一个重要参数。
2,功率场效应晶体管的主要参数
(1) 漏源击穿电压BU
DS
：该电压决定了功率
MOSFET的最高工作电压。
(2) 栅源击穿电压BU
GS
：该电压表征了功率
MOSFET栅源之间能承受的最高电压。
(3) 漏极最大电流I
D
：表征功率MOSFET的电流容量。
(4) 开启电压U
T
：又称阈值电压，它是指功率
MOSFET流过一定量的漏极电流时的最小栅源电压。
(5) 通态电阻R
on
：通态电阻R
on
是指在确定的栅源电压U
GS
下，功率MOSFET处于恒流区时的直流电阻，是影响最大输出功率的重要参数。
(6) 极间电容：功率MOSFET的极间电容是影响其开关速度的主要因素。其极间电容分为两类；一类为C
GS
和C
GD
，它们由MOS结构的绝缘层形成的，其电容量的大小由栅极的几何形状和绝缘层的厚度决定；另一类是C
DS
，它由PN结构成，其数值大小由沟道面积和有关结的反偏程度决定。
?一般生产厂家提供的是漏源短路时的输入电容C
i
、共源极输出电容C
out
及反馈电容C
f
，
它们与各极间电容关系表达式为
C
i
＝C
GS
＋C
GD
(1-16)
C
out
＝C
DS
＋C
GD
(1-17)
C
f
＝C
GD
(1-18)
?显然，C
i
﹑C
out
和C
f
均与漏源电容C
GD
有关。
1.5.3 门极驱动电路和缓冲电路
1,功率场效应晶体管的门极驱动电路
(1) 功率MOSFET驱动电路的共性问题
①驱动电路应简单、可靠。也需要考虑保护、
隔离等问题。
②驱动电路的负载为容性负载。
③按驱动电路与栅极的连接方式可分为直接驱动与隔离驱动。
(2) 功率MOSFET对栅极驱动电路的要求
①保证功率MOSFET可靠开通和关断，触发脉冲前、后沿要求陡峭。
②减小驱动电路的输出电阻，提高功率
MOSFET的开关速度。
③触发脉冲电压应高于管子的开启电压，为了防止误导通，在功率MOSFET截止时，
能提供负的栅源电压。
④功率MOSFET开关时所需的驱动电流为栅极电容的充、放电电流。
?⑤驱动电路应实现主电路与控制电路之间的隔离，避免功率电路对控制信号造成干扰。
?⑥驱动电路应能提供适当的保护功能，使得功率管可靠工作，如低压锁存保护、过电流保护、过热保护及驱动电压箝位保护等。
?⑦驱动电源必须并联旁路电容，它不仅滤除噪声，也用于给负载提供瞬时电流，加快功率MOSFET的开关速度。
(3) 功率MOSFET驱动电路
①直接驱动
TTL驱动电路
②隔离驱动电路
?对于VDMOS，其驱动电路非常简单，但在高速开关驱动时或在并联运行时，可在其驱动电路的输出级上接入射极跟随器，并尽可能地减小输出电阻，以缩短它的开通和关断时间。如果在驱动信号上做到阻断时栅源电压小于零，就能进一步缩短关断时间。
2.电压驱动型器件的驱动电路电力MOSFET和IGBT
是电压驱动型器件。
1) 电力MOSFET的一种驱动电路：电气隔离和晶体管放大电路两部分无输入信号时高速放大器A输出负电平,V3导通输出负驱动电压。
当有输入信号时A输出正电平，V2导通输出正驱动电压。专为驱动电力MOSFET而设计的混合集成电路有三菱公司的M57918L，其输入信号电流幅值为16mA，输出最大脉冲电流为+2A和-3A，输出驱动电压+15V和-10V。
过电压保护措施
过电压抑制措施及配置位置F?避雷器 D?变压器静电屏蔽层 C?静电感应过电压抑制电容
RC1?阀侧浪涌过电压抑制用RC电路 RC2?阀侧浪涌过电压抑制用反向阻断式RC电路RV?压敏电阻过电压抑制器 RC3?阀器件换相过电压抑制用RC电路RC4?直流侧RC抑制电路
RCD?阀器件关断过电压抑制用RCD电路过电流——过载和短路两种情况常用措施快速熔断器、直流快速断路器和过电流继电器。
同时采用几种过电流保护措施，提高可靠性和合理性。
电子电路作为第一保护措施，快熔仅作为短路时的部分区段的保护，直流快速断路器整定在电子电路动作之后实现保护，过电流继电器整定在过载时动作。
2,功率场效应晶体管的缓冲电路
?功率MOSFET的缓冲电路甚至可以不加。另外，
如果电路中需要流过一个较大的反向续流，可以在VDMOS管外侧反并联一个高速恢复二极管，
使电流由此旁路而不流入内部，为吸收反并联二极管的换向过电压，在VDMOS源极与漏极之间也并联RC吸收电路，其连接线应尽量短。
3 功率MOSFET的保护
(1) 静电保护
?在静电较强的场合，容易静电击穿，造成栅源短路。
?①应存放在防静电包装袋、导电材料包装袋或金属容器中。取用器件时，应拿器件管壳，而不要拿引线。
?②工作台和烙铁都必须良好接地，焊接时电烙铁功率应不超过25W，最好使用12V～24V的低电压烙铁，且前端作为接地点，先焊栅极，后焊漏极与源极。
?③在测试MOSFET时，测量仪器和工作台都必须良好接地，MOSFET的三个电极未全部接入测试仪器或电路前，不要施加电压，改换测试范围时，电压和电流都必须先恢复到零
(2) 栅源间的过电压保护
?适当降低驱动电路的阻抗，在栅源间并接阻尼电阻。
(3) 短路、过电流保护
?功率MOSFET的过电流和短路保护与BJT基本类似，仅是快速性要求更高，在故障信号取样和布线上要考虑抗干扰，并尽可能减小分布参数的影响。
(4) 漏源间的过电压保护
?在感性负载两端并接箝位二极管，在器件漏源两端采用二极管VD及RC箝位电路或采用RC缓冲电路。
?漏源间的过电压保护电路
1.6 绝缘栅双极型晶体管
?绝缘栅双极型晶体管IGBT是80年代中期问世的一种新型复合电力电子器件，由于它兼有MOSFET的快速响应、高输入阻抗和
BJT的低通态压降、高电流密度的特性，这几年发展十分迅速。目前，IGBT的容量水平达(1200～1600A)/(1800～3330V),工作频率达40kHz以上。
1.6.1 结构和工作原理
1,绝缘栅双极型晶体管的结构
? IGBT相当于一个由MOSFET驱动的厚基区
BJT。从图中我们还可以看到在集电极和发射极之间存在着一个寄生晶闸管，寄生晶闸管有擎住作用。采用空穴旁路结构并使发射区宽度微细化后可基本上克服寄生晶闸管的擎住作用。IGBT的低掺杂N漂移区较宽，因此可以阻断很高的反向电压。
? IGBT的结构、符号及等效电路
2,绝缘栅双极型晶体管的工作原理
?当U
DS
＜0时，J
3
PN结处于反偏状态，IGBT
呈反向阻断状态。
?当U
DS
＞0时，分两种情况：
①若门极电压U
G
＜开启电压U
T
，IGBT呈正向阻断状态。
②若门极电压U
G
＞开启电压U
T
，IGBT正向导通。
1.6.2 特性和主要参数
(1) IGBT的伏安特性
?以栅射电压U
GE
为参变量时，集电极电流I
C
和集射电压U
CE
之间的关系曲线。IGBT的伏安特性也可分为饱和区、放大区和击穿区三个部分。在正向导通的大部分区域内，I
C
与U
CE
呈线性关系，此时
IGBT工作于放大区内。对应着伏安特性明显弯曲部分，这时I
C
与U
CE
呈非线性关系，此时IGBT工作于饱和区。开关器件IGBT常工作于饱和状态和阻断状态，若IGBT工作于放大状态将会增大IGBT
的损耗。
? IGBT的伏安特性和转移特性
(2) IGBT的转移特性
?是指输出集电极电流I
C
与栅射控制电压U
GE
之间的关系曲线。当栅射电压U
GE
＜U
GEth
时，
IGBT处于关断状态。当U
GE
＞U
GEth
时，
IGBT导通。IGBT导通后的大部分集电极电流范围内，I
C
与U
GE
呈线性关系。
(3) 开关特性
(4) 擎住效应
? IGBT为四层结构，存在一个寄生晶闸管，
在NPN晶体管的基极与发射极之间存在一个体区短路电阻，P型体区的横向空穴流过此电阻会产生一定压降，对J
3
结相当于一个正偏置电压。在规定的集电极电流范围内，
这个正偏置电压不会使NPN晶体管导通；
当I
C
大到一定程度时，该偏置电压使NPN晶体管开通，进而使NPN和PNP晶体管处于饱和状态。于是栅极失去控制作用，这就是所谓的擎住效应。
(5) 安全工作区
? IGBT开通时的正向偏置安全工作区由电流、
电压和功耗三条边界极限包围而成。最大集电极电流I
CM
是根据避免动态擎住而确定的，最大集射极电压U
CEM
是由IGBT中PNP
晶体管的击穿电压所确定；最大功耗则由最高允许结温所决定。
? IGBT关断时的反向偏置安全工作区与IGBT
关断时的du/dt有关，du/dt越高，RBSOA越窄。
? IGBT的安全工作区
2,绝缘栅双极型晶体管的主要参数
(1) 集射极额定电压U
CES
?栅射极短路时的IGBT最大耐压值。
(2) 栅射极额定电压U
GES
? U
GES
是栅极的电压控制信号额定值。只有栅射极电压小于额定电压值，才能使IGBT
导通而不致损坏。
(3) 栅射极开启电压U
GEth
?使IGBT导通所需的最小栅-射极电压,通常
IGBT的开启电压U
GEth
在3V～5.5V之间。
(4) 集电极额定电流IC
?在额定的测试温度(壳温为25℃)条件下，
IGBT所允许的集电极最大直流电流。
(5) 集射极饱和电压U
CEO
? IGBT在饱和导通时，通过额定电流的集射极电压。通常IGBT的集射极饱和电压在
1.5V～3V之间。
1.6.3 驱动电路
1,IGBT的栅极驱动
(1) 栅极驱动电路对IGBT的影响
①正向驱动电压+V增加时，IGBT输出级晶体管的导通压降和开通损耗值将下降，但并不是说+V值越高越好。
②IGBT在关断过程中，栅射极施加的反偏压有利于
IGBT的快速关断。
③栅极驱动电路最好有对IGBT的完整保护能力。
④为防止造成同一个系统多个IGBT中某个的误导通，
要求栅极配线走向应与主电流线尽可能远，且不要将多个IGBT的栅极驱动线捆扎在一起。
(2) IGBT栅极驱动电路应满足的条件
①栅极驱动电压脉冲的上升率和下降率要充分大。
②在IGBT导通后，栅极驱动电路提供给
IGBT的驱动电压和电流要具有足够的幅度。
③栅极驱动电路的输出阻抗应尽可能地低。
?栅极驱动条件与IGBT的特性密切相关。设计栅极驱动电路时，应特别注意开通特性、
负载短路能力和引起的误触发等问题。
2,IGBT驱动电路
(1) 阻尼滤波门极驱动电路：为了消除可能的振荡现象，IGBT的栅射极间接上RC网络组成阻尼滤波器且连线采用双绞线
(2) 光耦合器门极驱动电路：驱动电路的输出级采用互补电路的型式以降低驱动源的内阻，同时加速IGBT的关断过程。
(3) 脉冲变压器直接驱动IGBT的电路
?由于是电磁隔离方式，驱动级不需要专门直流电源，简化了电源结构。
3,IGBT的保护
(1) 静电保护
? IGBT的输入级为MOSFET，所以IGBT也存在静电击穿的问题。防静电保护极为必要。
可采用MOSFET防静电保护方法。
(2) 过电流保护
?与BJT一样，IGBT过电流可采用集射极电压状态识别保护方法。
(3) 短路保护缓冲电路
?缓冲电路（吸收电路）：抑制器件的内因过电压、du/dt、过电流和di/dt，减小器件的开关损耗。
缓冲电路作用分析无缓冲电路：
V开通时电流迅速上升，di/dt很大。关断时du/dt很大，并出现很高的过电压。有缓冲电路：
V开通时：Cs通过Rs向V放电，
使i
C
先上一个台阶，以后因有Li，
i
C
上升速度减慢。V关断时：负载电流通过V
Ds
向Cs分流，减轻了
V的负担，抑制了du/dt和过电压。
1.8 电力电子器件的串并联技术
?尽管电力电子器件的电流容量和电压等级在不断提高，但仍然不能满足大容量整机应用的要求，需要串联使用以提高它们的电压等级或并联使用以提高它们的电流容量。
1.8.1 晶闸管的串并联
1,晶闸管的串联连接
（1）静态均压由于串联各器件的正向(或反向)阻断特性不同，但在电路中却流过相等的漏电流，
因而各器件所承受的电压是不同的。
?选用特性比较一致的器件进行串联
?给每个晶闸管并联均压电阻R
j
。如果均压电阻R
j
大大小于晶闸管的漏电阻，则电压分配主要决定于R
j
，但如R
j
过小，则会造成R
j
上损耗增大，因此要综合考虑。
（2）动态均压
?晶闸管在开通和关断的过程中，由于各器件的开通时间和关断时间等参数不一致，
而造成的动态不均压问题。
?晶闸管在开关过程中瞬时电压的分配决定于各晶闸管的结电容﹑导通时间和关断时间等差别，为了使开关过程中的电压分配均匀，减小电容C对晶闸管放电造成过大的di/dt，还应在电容C支路中串联电阻R。
晶闸管串联连接时
?应尽可能选择参数比较接近的晶闸管串联，
串联的各晶闸管开通时间之差要小；
?要求门极触发脉冲的前沿要陡，触发脉冲的电流要大，使晶闸管的开通时间短，趋于一致。
?晶闸管串联均压电路
?由于晶闸管制造工艺的改进，器件的电压等级不断提高，因此要求晶闸管串联连接的情况会逐步减少。
?器件串联后，必须降低电压的额定值使用，
串联后选择晶闸管的额定电压为
(1-19)
式中U
m
—作用于串联器件上的峰值电压
n
s
—串联器件个数
s
m
TN
)8.3~2.2(
n
U
U =
? 2,晶闸管的并联连接
①串联电阻法
?由于串联电阻增大损耗，对电力电子器件而言无实用价值。
②串联电抗法
?用一个均流电抗器(铁心上带有两个相同的线圈)
接在两个并联的晶闸管电路中。
但因铁心笨重，
线圈绕制不便，
在并联支路数很多时，线路的配置就较复杂了。
?采用两个耦合较好的空心电感，也可起到一定的均流效果。空心电抗器均流是目前普遍采用的均流方法。它的优点是接线简单，还有限制di/dt和
du/dt的作用。由于空心电抗器的线圈都有电阻，
因此实际上它是电阻串电感均流。
?器件并联后，必须降低电流的额定值使用，并联后选择晶闸管的额定电流为
(1-20)
式中I—允许过载时流过的总电流平均值
n
p
—并联器件个数
p
TN
)5.2~7.1(
n
I
I =
?晶闸管并联连接时
1．应尽可能选择参数比较接近的晶闸管进行并联；
2．触发脉冲的前沿要陡，触发脉冲的电流要大，使并联的各晶闸管开通时间之差要小。
3．适当增大电感，可以减少各并联支路中动态电流的偏差。
4．在安装时使各并联支路铜线长短相同，使各支路的分布电感和导线电阻相近。
?在晶闸管装置需要同时采取串联和并联晶闸管时，
通常采用先串后并的方法。
1.8.2 GTO的串并联
1,GTO的串联连接
? GTO串联时，采用与晶闸管相似的方法解决均压问题。GTO的动态不均压的过电压产生于器件开通瞬间电压的后沿和关断瞬间电压的前沿，精心设计门极控制电路，
采用强触发脉冲驱动，以消除动态不均压的影响。
? GTO串联均压电路
2,GTO的并联连接
?一个GTO内部就是由几百个小GTO单元并联工作的，从某种意义上说，这就给多个
GTO之间的并联工作创造了先天性的有利条件。也可以采用串联电阻或电抗器等均流措施。
? GTO并联均流电路
? GTO并联要解决的是在开通和关断过程中产生的动态不均流问题。随结温的上升，
开通时间将缩短，而关断时间却有延长的趋势，这就更加大了并联工作的GTO
1
与
GTO
2
之间的开关时间差异，从而导致GTO
的开关损耗进一步增大，温度再增高，这样继续下去，恶性循环的结果就会烧坏器件。
?除了严格挑选并联工作的GTO通态电压相等外，精心设计门极控制电路，采用强触发脉冲驱动，力争做到并联的GTO同时开通和同时关断。
1.8.3 BJT的串并联
1,BJT的串联连接
?由于BJT对过电压敏感，通常BJT是不进行串联运行的，
2,BJT的并联连接
?大电流BJT管芯中采用了若干小电流的BJT
并联，因此用并联来增大BJT电流容量是比较常用的方法。
?当负载电流比较小时，并联的两个管子的集电极电流分配是极不均匀的，但是随着负载电流的增大，电流分配将大为改善。
使用同一个厂家同一型号的管子，多管并联时可以不采用负载均衡措施。开关过程中，BJT的负载分配是不均匀的，必须设计一种合适的电路，使它能够在动态下自动保持并联的管子的均衡负载能力。
?自适应驱动电路
?通过二极管VD
AS
的自适应作用，BJT总是能使基极电流自动和集电极电流相适应。
1.8.4 功率MOSFET的串并联
1.功率MOSFET的串联连接
?一般来说，因功率MOSFET经常工作在高频开关电路中，常用的电阻与电容串并联在解决动态均压时，由于分布参数的影响，
难以做到十分满意，所以除非必要，通常不将它们串联工作。
2,功率MOSFET的并联连接
?由于功率MOSFET的导通电阻是单极载流子承载的，具有正的电阻温度系数。当电流意外增大时，附加发热使导通电阻自行增大，对电流的正增量有抑制作用，所以功率MOSFET对电流有一定的自限流能力，
比较适合于并联使用而不必采用并联均流措施。
1.8.5 IGBT的串并联
1,IGBT的串联连接
?与MOSFET一样，通常IGBT不串联使用。
2,IGBT的并联连接
(1) 并联时的注意事项
①当并联使用时，使用同一等级U
CES
的模块。
②并联时，各IGBT之间的I
C
不平衡率≤18%。
③并联时，各IGBT的开启电压应一致，如开启电压不同，则会产生严重的电流分配不均匀。
(2) 并联时的接线方法
?在各模块的栅极上分别接上各模块推荐值的R
G
。栅极到各模块驱动级的配线长短及引线电感要相等，否则会引起各模块电流的分配不均匀，并会造成工作过程中开关损耗的不均匀。
?控制回路的接线应使用双芯线或屏蔽线。
?主电路需采用低电感接线。使接线尽量靠近各模块的引出端，使用铜排或扁条线，
以尽可能降低接线的电感量。
小结
1.根据开关器件是否可控分类
(1) 不可控器件二极管VD是不可控器件。
(2) 半控器件普通晶闸管SCR是半控器件。
(3) 全控器件
GTO、BJT、功率MOSFET、IGBT等。
2,根据门极(栅极)驱动信号的不同
(1) 电流控制器件驱动功率大，驱动电路复杂，工作频率低。
该类器件有SCR、GTO、BJT。
(2) 电压控制器件驱动功率小，驱动电路简单可靠，工作频率高。该类器件有功率MOSEET、IGBT。
3,根据载流子参与导电情况之不同，开关器件又可分为单极型器件、双极型器件和复合型器件。
(1) 单极型器件功率MOSFET 。
(2) 双极型器件二极管、SCR、GTO、BJT。
(3) 复合型器件
IGBT，是电力电子器件发展方向。
?电力电子器件中电压，电流额定值从高往低的器件是SCR、GTO、IGBT、BJT和功率MOSFET。
?工作频率从高往低的器件是功率MOSFET、
IGBT、BJT、GTO和SCR。
?常用电力电子器件的基本结构、工作原理、
外特性、主要参数、开关特性、安全工作区。
?这些器件的驱动电路和缓冲电路。
1.1 功率二极管
1.1.1 功率二极管的结构和工作原理
1,功率二极管的结构
2,功率二极管的工作原理
?由于PN结具有单向导电性，所以二极管是一个正方向单向导电、反方向阻断的电力电子器件。
1.1.2 功率二极管的特性和主要参数
1,功率二极管的特性
(1) 功率二极管的伏安特性
?二极管具有单向导电能力，二极管正向导电时必须克服一定的门坎电压U
th
(又称死区电压)，当外加电压小于门坎电压时，正向电流几乎为零。硅二极管的门坎电压约为0.5V，当外加电压大于U
th
后，电流会迅速上升。当外加反向电压时，二极管的反向电流I
S
是很小的，但是当外加反向电压超过二极管反向击穿电压U
RO
后二极管被电击穿，
反向电流迅速增加。
?功率二极管的伏安特性
(2) 功率二极管的开关特性
?由于PN结电容的存在，二极管从导通到截止的过渡过程与反向恢复时间t
rr
、最大反向电流值I
RM
，与二极管PN结结电容的大小、
导通时正向电流I
FR
所对应的存储电荷Q、电路参数以及反向电流di/dt等都有关。普通二极管的trr=2～10μs，快速恢复二极管的t
rr
为几十至几百ns,超快恢复二极管的t
rr
仅几个
ns。
?功率二极管的开关特性
? 2,功率二极管的主要参数
(1) 反向重复峰值电压U
RRM
取反向不重复峰值电压U
RSM
的80％称为反向重复峰值电压U
RRM
，也被定义为二极管的额定电压U
RR
。显然，U
RRM
小于二极管的反向击穿电压U
RO
。
(2) 额定电流I
FR
二极管的额定电流I
FR
被定义为其额定发热所允许的正弦半波电流平均值。其正向导通流过额定电流时的电压降U
FR
一般为1～
2V。当二极管在规定的环境温度为+40℃和散热条件下工作时，通过正弦半波电流平均值I
FR
时，其管芯PN结温升不超过允许值。
若正弦电流的最大值为I
m
，则额定电流为
(1-1)
m
Ittd
I
I ×=
∫
=
π
ωω
π
π
1
)(sin
2
1
0
m
FR
(3) 最大允许的全周期均方根正向电流I
Frms
?二极管流过半波正弦电流的平均值为I
FR
时，
与其发热等效的全周期均方根正向电流I
Frms
为
(1-2)
由式(1-1)和(1-2)可得
(1-3)
m
0
2
mFrms
2
1
)()sin(
2
1
ItdtII =
∫
=
π
ωω
π
FRFRFrms
57.1
2
III =×=
π
(4) 最大允许非重复浪涌电流I
FSM
?这是二极管所允许的半周期峰值浪涌电流。
该值比二极管的额定电流要大得多。实际上它体现了二极管抗短路冲击电流的能力。
功率二极管属于功率最大的半导体器件，
现在其最大额定电压、电流在6kV、6kA以上。二极管的参数是正确选用二极管的依据。
1.2 晶闸管
?晶闸管(Thyristor)就是硅晶体闸流管，普通晶闸管也称为可控硅SCR,普通晶闸管是一种具有开关作用的大功率半导体器件。目前，晶闸管的容量水平已达8kV／6kA。
1.2.1 晶闸管的结构和工作原理
1,晶闸管的结构
?晶闸管是具有四层PNPN结构、三端引出线
(A、K、G)的器件。常见晶闸管的外形有两种：螺栓型和平板型。
?晶闸管的结构和等效电路如图1-4 所示，晶闸管的管芯是P1N1P2N2四层半导体，形成3个PN结J1、J2和J3。
2,晶闸管的工作原理
? I
G
↑→I
b2
↑→
IC2(Ib1)
↑→I
C1
↑
R
NPN
PNP
A
G
S
K
E
G
I
G
E
A
I
K
I
c2
I
c1
I
A
V
1
V
2
P
1
A
G
K
N
1
P
2
P
2
N
1
N
2
a) b)
(1)欲使晶闸管导通需具备两个条件：
①应在晶闸管的阳极与阴极之间加上正向电压。
②应在晶闸管的门极与阴极之间也加上正向电压和电流。
(2) 晶闸管一旦导通，门极即失去控制作用，
故晶闸管为半控型器件。
(3) 为使晶闸管关断，必须使其阳极电流减小到一定数值以下，这只有用使阳极电压减小到零或反向的方法来实现。
1.2.2 晶闸管的特性和主要参数
1,晶闸管的特性
(1) 晶闸管的伏安特性
?晶闸管的伏安特性是晶闸管阳极与阴极间电压U
AK
和晶闸管阳极电流I
A
之间的关系特性。
?晶闸管的伏安特性
(2) 晶闸管的门极伏安特性
?由于实际产品的门极伏安特性分散性很大，
常以一条典型的极限高阻门极伏安特性和一条极限低阻门极伏安特性之间的区域来代表所有器件的伏安特性，由门极正向峰值电流I
FGM
﹑允许的瞬时最大功率P
GM
和正向峰值电压U
FGM
划定的区域称为门极伏安特性区域。P
G
为门极允许的最大平均功率。
其中,0ABC0为不可靠触发区,ADEFGCBA
为可靠触发区,
?晶闸管的门极伏安特性
(3) 晶闸管的开关特性
?第一段延迟时间t
d
，阳极电流上升到10％所需时间，也对应着从(α
1
+α
2
)<1到等于1的过程，此时J2结仍为反偏，晶闸管的电流不大。
?第二段上升时间t
r
，阳极电流由0.1上升到0.9所需时间，这时靠近门极的局部区域已经导通，相应的J2结已由反偏转为正偏，电流迅速增加。
?通常定义器件的开通时间t
on
为延迟时间t
d
与上升时间t
r
之和。即
t
on
=t
d
+t
r
(1-4)
?电源电压反向后，从正向电流降为零起到能重新施加正向电压为止定义为器件的电路换向关断时间t
off
。反向阻断恢复时间t
rr
与正向阻断恢复时间t
gr
之和。
t
off
=t
rr
+t
gr
?晶闸管的开关特性
2,晶闸管的主要参数
(1) 额定电压
?断态重复峰值电压U
DRM
和反向重复峰值电压U
RRM
中较小的那个数值标作器件型号上的额定电压。
通常选用晶闸管时，电压选择应取(2～3)倍的安全裕量。
(2) 额定电流I
T(AV)
?在环境温度为+40℃和规定冷却条件下，器件在电阻性负载的单相工频正弦半波电路中,管子全导通(导通角> 170°)，在稳定的额定结温时所允许的最大通态平均电流。
?晶闸管流过正弦半波电流波形如图所示它的通态平均电流I
T(AV)
和正弦电流最大值I
m
之间的关系表示为：
(1-6)
正弦半波电流的有效值为：
(1-7)
(1-8)
式中K
f
―为波形系数
m
0
m
T(AV)
1
)(sin
2
1
Ittd
I
I ×=
∫
=
π
ωω
π
π
m
0
2
mT
2
1
)()sin(
2
1
ItdtII ==
∫
π
ωω
π
57.1
)T(AV
T
f
==
I
I
K
?流过晶闸管的电流波形不同，其波形系数也不同，实际应用中，应根据电流有效值相同的原则进行换算，通常选用晶闸管时，
电流选择应取(1.5～2)倍的安全裕量。
(3) 维持电流I
H
?在室温和门极断路时，晶闸管已经处于通态后，从较大的通态电流降至维持通态所必须的最小阳极电流。
(4) 擎住电流I
L
?晶闸管从断态转换到通态时移去触发信号之后，要器件维持通态所需要的最小阳极电流。对于同一个晶闸管来说，通常擎住电流I
L
约为维持电流I
H
的(2～4)倍。
(5) 门极触发电流I
GT
?在室温且阳极电压为6V直流电压时，使晶闸管从阻断到完全开通所必需的最小门极直流电流。
(6) 门极触发电压U
GT
?对应于门极触发电流时的门极触发电压。
触发电路给门极的电压和电流应适当地大于所规定的U
GT
和I
GT
上限，但不应超过其峰值I
GFM
和U
GFM
。
(7) 断态电压临界上升率du/ dt
?在额定结温和门极断路条件下，不导致器件从断态转入通态的最大电压上升率。过大的断态电压上升率会使晶闸管误导通。
(8) 通态电流临界上升率di / dt
?在规定条件下，由门极触发晶闸管使其导通时，
晶闸管能够承受而不导致损坏的通态电流的最大上升率。在晶闸管开通时，如果电流上升过快，
会使门极电流密度过大，从而造成局部过热而使晶闸管损坏。
〖例1-1〗两个不同的电流波形(阴影斜线部分)如图所示，分别流经晶闸管，若各波形的最大值
I
m
=100A,试计算各波形下晶闸管的电流平均值
I
T(AV)1
、I
T(AV)2
，电流有效值I
1
、I
2
?解：如图所示的平均值和有效值可计算如下：
A2.27272.0)(sin
2
1
m
4/
m
d1
==
∫
= Itdt
I
I ωω
π
π
π
A3.33
3
1
md2
=×= II
A4.47477.0)()sin(
2
1
m
4
2
m1
=×=
∫
= ItdtII
π
π
ωω
π
A7.55
3
1
m
2
=
×
=
I
I
1.2.3 晶闸管的门极驱动电路和缓冲电路
1,晶闸管的门极驱动电路
(1) 晶闸管对触发电路的基本要求
?晶闸管对触发电路的基本要求是：
①触发信号可以是交流、直流或脉冲，为了减小门极的损耗，触发信号常采用脉冲形式。
②触发脉冲应有足够的功率。触发电压和触发电流应大于晶闸管的门极触发电压和门极触发电流。
③触发脉冲应有足够的宽度和陡度。触发脉冲的宽度一般应保证晶闸管阳极电流在脉冲消失前能达到擎住电流，使晶闸管导通，
这是最小的允许宽度。一般触发脉冲前沿陡度大于10V/μs或800mA/μs。
④触发脉冲的移相范围应能满足变换器的要求。例如，三相半波整流电路，在电阻性负载时，要求移相范围为150°；而三相桥式全控整流电路，电阻负载时移相范围为
120°。
(2) 触发电路的型式
?触发电路可分为模拟式和数字式两种，阻容移相桥、单结晶体管触发电路、锯齿波移相电路和正弦波移相电路均属于模拟式触发电路；而用数字逻辑电路乃至于微处理器控制的移相电路则属于数字式触发电路。
(1)晶闸管的缓冲电路
?常采用在晶闸管的阴阳极并联RC缓冲器，用来防止晶闸管两端过大的
du/dt造成晶闸管的误触发，其中电阻R也能减小晶闸管开通时电容C的放电电流。
(2) 晶闸管的保护
?晶闸管在使用时，因电路中电感的存在而导致换相过程产生Ldi/dt,又因容性的存在或设备自身运行中出现短路、过载等故障，
所以其过电压、过电流保护显得尤为重要。
1.2.4 晶闸管的派生器件
1,快速晶闸管
?快速晶闸管的关断时间≤50μs，常在较高频率(400HZ)的整流、逆变和变频等电路中使用，它的基本结构和伏安特性与普通晶闸管相同。目前国内已能提供最大平均电流1200A、最高断态电压1500 V的快速晶闸管系列，关断时间与电压有关，约为
25μs～50μs 。
2,双向晶闸管
?双向晶闸管不论从结构还是从特性方面来说，都可以看成是一对反向并联的普通晶闸管。在主电极的正、反两个方向均可用交流或直流电流触发导通。
?双向晶闸管在第Ⅰ和第Ⅲ象限有对称的伏安特性。
3,逆导晶闸管
?逆导晶闸管是将晶闸管和整流管制作在同一管芯上的集成元件。
?由于逆导晶闸管等效于反并联的普通晶闸管和整流管，因此在使用时，使器件的数目减少、装置体积缩小、重量减轻、价格降低和配线简单，特别是消除了整流管的配线电感，使晶闸管承受的反向偏置时间增加。
4,光控晶闸管
?光控晶闸管(Light Activated Thyristor)是利用一定波长的光照信号控制的开关器件。
其结构也是由P1N1P2N2四层构成。
?光控晶闸管的伏安特性光控晶闸管的参数与普通晶闸管类同，只是触发参数特殊，与光功率和光谱范围有关。
1.3 可关断晶闸管
?可关断晶闸管GTO(Gate Turn-Off
Thyristor)，可用门极信号控制其关断。
?目前，GTO的容量水平达6000A/6000V，
频率为1kHZ。
1.3.1 可关断晶闸管的结构和工作原理
1,可关断晶闸管的结构
? GTO的内部包含着数百个共阳极的小GTO
元，它们的门极和阴极分别并联在一起，
这是为了便于实现门极控制关断所采取的特殊设计。
?可关断晶闸管的结构、等效电路和符号
2,可关断晶闸管的工作原理
(1) 开通过程
? GTO也可等效成两个晶体管P
1
N
1
P
2
和
N
1
P
2
N
2
互连，GTO与晶闸管最大区别就是导通后回路增益α
1
+α
2
数值不同。晶闸管的回路增益α
1
+α
2
常为1.15左右，而GTO
的α
1
+α
2
非常接近1。因而GTO处于临界饱和状态。这为门极负脉冲关断阳极电流提供有利条件。
(2) 关断过程
?当GTO已处于导通状态时，对门极加负的关断脉冲，形成－I
G
，相当于将I
C1
的电流抽出，使晶体管N
1
P
2
N
2
的基极电流减小，使
I
C2
和I
K
随之减小，I
C2
减小又使I
A
和I
C1
减小，
这是一个正反馈过程。当I
C2
和I
C1
的减小使
α
1
+α
2
<1时，等效晶体管N
1
P
2
N
2
和P
1
N
1
P
2
退出饱和，GTO不满足维持导通条件，阳极电流下降到零而关断。
? GTO关断时，随着阳极电流的下降，阳极电压逐步上升，因而关断时的瞬时功耗较大，在电感负载条件下，阳极电流与阳极电压有可能同时出现最大值，此时的瞬时关断功耗尤为突出。
?由于GTO处于临界饱和状态，用抽走阳极电流的方法破坏临界饱和状态，能使器件关断。而晶闸管导通之后，处于深度饱和状态，用抽走阳极电流的方法不能使其关断。
1.3.2 可关断晶闸管的特性和主要参数
(1) GTO的阳极伏安特性
? (2) GTO的开通特性
?开通时间t
on
由延迟时间t
d
和上升时间t
r
组成,
(3) GTO的关断特性
? GTO的关断过程有三个不同的时间，即存储时间
t
s
、下降时间t
f
及尾部时间t
t
。
?存储时间t
s
：对应着从关断过程开始，到阳极电流开始下降到90%I
A
为止的一段时间间隔。
?下降时间t
f
：对应着阳极电流迅速下降，阳极电压不断上升和门极反电压开始建立的过程。
?尾部时间t
t
：则是指从阳极电流降到极小值时开始，
直到最终达到维持电流为止的时间。
? GTO的关断特性
? GTO关断时间的大部分功率损耗出现在尾部时间，在相同的关断条件下，不同型号
GTO相应的尾部电流起始值和尾部电流的持续时间均不同。在存储时间内，过大的门极反向关断电流上升率会使尾部时间加长。此外，过高的du/dt会使GTO因瞬时功耗过大而在尾部时间内损坏管子。因此必须设计适当的缓冲电路。
2,可关断晶闸管的主要参数
? GTO有许多参数与晶闸管相同，这里只介绍一些与晶闸管不同的参数。
(1) 最大可关断阳极电流I
ATO
?电流过大时α
1
+α
2
稍大于1的条件可能被破坏，使器件饱和程度加深，导致门极关断失败。。
(2) 关断增益β
off
? GTO的关断增益β
off
为最大可关断阳极电流
I
ATO
与门极负电流最大值I
gM
之比β
off
通常只有5左右。
1.3.3 可关断晶闸管的安全工作区
? GTO安全工作区是指在门极加负脉冲关断信号时，GTO能够可靠关断的阳极电流与阳极电压的轨迹。既然是在一定条件下确定的安全运行范围，如条件改变，比如门极驱动电路或缓冲电路参数改变之后，安全工作区也随之改变，实际实用中应加以注意。
? GTO的安全工作区
1.3.4 门极驱动电路和缓冲电路
1,可关断晶闸管的门极驱动电路
?影响GTO导通的主要因素有：阳极电压、
阳极电流、温度和门极触发信号等。阳极电压高，GTO导通容易，阳极电流较大时易于维持大面积饱和导通，温度低时，要加大门极驱动信号才能得到与室温时相同的导通效果。
(1) 对门极触发信号的要求
?因为GTO工作在临界饱和状态，所以门极触发信号要足够大，
?脉冲前沿(正、负脉冲)越陡越有利，而后沿平缓些好。正脉冲后沿太陡会产生负尖峰脉冲；负脉冲后沿太陡会产生正尖峰脉冲，
会使刚刚关断的GTO的耐压和阳极承受的
du/dt降低。
?为了实现强触发，门极正脉冲电流一般为额定触发电流(直流)的(3～5)倍。
(2) 门极触发方式
? GTO门极触发方式通常有下面三种：
①直流触发
?在GTO被触发导通期间，门极一直加有直流触发信号。
②连续脉冲触发
?在GTO被触发导通期间，门极上仍加有连续触发脉冲，所以也称脉冲列触发。
③单脉冲触发
?即常用的脉冲触发，GTO导通之后，门极触发脉冲即结束。
?采用直流触发或脉冲列触发方式GTO
的正向管压降较小。采用单脉冲触发时，如果阳极电流较小，则管压降较大，用单脉冲触发，应提高脉冲的前沿陡度，增大脉冲幅度和宽度，才能使GTO的大部分或全部达饱和导通状态。
(3) 门极关断控制
①恒压源关断控制
?恒压源关断控制电路如图1-23所示，晶体管V
1
控制GTO触发导通；V
2
控制GTO关断。
关断电源E
2
须小于
GTO的门极反向电压
U
GRM
之值，否则会引起GTO产生雪崩电流。
②变压源关断控制
?变压源关断控制如图
1-24所示，晶体管V
通过电容C供给GTO
触发脉冲信号，GTO
导通时，电容C充电。
当关断信号加到可控硅SCR使其导通，电容C经SCR放电，为
GTO门阴极提供一个负脉冲电压，从而关断GTO。
③脉冲变压器关断控制电路
?当需要把门极控制电路与主回路隔离时，
可采用脉冲变压器提供控制信号。脉冲变压器关断控制电路如图1-25所示。
2,可关断晶闸管的缓冲电路
?电力电子器件开通时流过很大的电流，阻断时承受很高的电压；尤其在开关转换的瞬间，电路中各种储能元件的能量释放会导致器件经受很大的冲击，有可能超过器件的安全工作区而导致损坏。附加各种缓冲电路，目的不仅是降低浪涌电压、du/dt
和di/dt,还希望能减少器件的开关损耗、避免器件损坏和抑制电磁干扰，提高电路的可靠性。
(1) 缓冲电路
?吸收过电压的有效方法是在器件两端并联一个吸收过电压的阻容电路。
?如果吸收电路元器件的参数选择不当，或连线过长造成分布电感L
S
过大等，也可能产生严重的过电压。
(2) 缓冲电路元件的选择
?应选取较小的R
S
，R
S
的阻值一般应选取
10Ω～20Ω。R
S
不应选用线绕式的，而应是涂膜工艺制作的无感电阻。
?要求二极管V
DS
能快速开通、反向恢复时间
t
rr
短和反向恢复电荷Q
r
尽量小。
?吸收电路中的C
S
也应当是无感元件，以尽可能减小吸收电路的杂散分布电感L
S
。
1.4 双极型功率晶体管
?双极型功率晶体管BJT的容量水平已达
1.8kV／lkA，频率为20kHz。
1.4.1 双极型功率晶体管的结构和工作原理
? 1,双极型功率晶体管的结构
? 2,双极型功率晶体管的工作原理
?以NPN型双极型功率晶体管为例，若外电路电源使U
BC
<0,则集电结的PN结处于反偏状态；U
BE
>0,则发射结的PN结处于正偏状态。此时晶体管内部的电流分布为：
? (1) 由于U
BC
<0,集电结处于反偏状态，形成反向饱和电流I
CBO
从N区流向P区。
? (2) 由于U
BE
>0,发射结处于正偏状态，P区的多数载流子空穴不断地向N区扩散形成空穴电流I
PE
,N区的多数载流子电子不断地向P
区扩散形成电子电流I
NE
。
?单个BJT电流增益较低，驱动时需要较大的驱动电流，由于单级高压晶体管的电流增益仅为10左右，为了提高电流增益，常采用达林顿结构，如每级有10倍的增益，则3
级达林顿结构的电流增益可达1000左右。
1.4.2 双极型功率晶体管的特性和主要参数
1.双极型功率晶体管的特性
(1) BJT的输出特性
? BJT的输出特性是指在一定的基极电流I
B
下，管子的集射极之间的电压U
CE
同集电极电流I
C
的关系特性。晶体管有放大、饱和与截止三种工作状态。
? BJT的输出特性
(2) BJT的开关特性
?晶体管有线性和开关两种工作方式。当只需要导通和关断作用时采用开关工作方式。
BJT主要应用于开关工作方式。
①开关响应特性
?在开关工作方式下，用一定的正向基极电流I
B1
去驱动BJT导通，而用另一反向基极电流I
B2
迫使BJT关断，由于BJT不是理想开关，
故在开关过程中总存在着一定的延时和存储时间。
? BJT的开关响应特性
?延迟时间t
d
：加入I
B1
以后一段时间里，i
C
仍保持为截止状态时的很小电流直到i
C
上升到
0.1I
CS
。
?上升时间tr：i
C
不断上升，直到i
C
=I
CS
，BJT
进入饱和状态。t
r
指i
C
从0.1I
CS
上升到0.9I
CS
所需要的时间。
? BJT的开通时间t
on
：延迟时间t
d
和上升时间t
r
之和。即
t
on
=t
d
+t
r
(1-9)
?当基极电流突然从正向I
B1
变为反向I
B2
时，BJT的集电极电流i
C
并不立即减小，仍保持I
CS
，而要经过一段时间才下降。
?存储时间t
s
：把基极电流从正向I
B1
变为反向I
B2
时到i
C
下降到0.9I
CS
所需的时间。
?下降时间t
f
：i
C
继续下降，i
C
从0.9I
CS
下降到0.1I
CS
所需的时间。
?此后，i
C
继续下降，一直到接近反向饱和电流为止，这时BJT完全恢复到截止状态。
? BJT的关断时间t
off
：存储时间t
s
和下降时间t
f
之和，
即
t
off
=t
s
+t
f
(1-10)
t
d
存在原因
?基极驱动信号到来之前，发射结和集电结都处于反偏状态，它们的空间电荷区较宽。
当U
i
到来时，虽然基极电流立即上升到I
B1
，
但发射结仍然处于反偏状态。I
B1
提供空穴，
填充发射结空间电荷区，抵消部分静电荷，
使空间电荷区变窄，发射结反偏变小。只有发射结接近正向偏置时，i
C
才开始上升，
在这段时间内有I
B1
而几乎无i
C
，由于发射结和集电结势垒电容效应，只有势垒电容充电到一定程度，BJT才开始导通，所以存在延迟时间t
d
。
t
r
存在原因
?发射结进入正偏，此后，正偏不断增大，
i
C
不断上升，BJT接近或进入饱和区。I
B1
一方面继续给发射结和集电结势垒电容充电，另一方面使基区的电荷积累增加，并且还补充基区复合所消耗的载流子，这就存在着上升时间t
r
。
t
f
存在原因
?当U
i
变为负值，基极电流变为I
B2
，但i
C
不立即变小，而是当基区的电荷减少一定程度，I
C
才开始下降，所以存在存储时间t
s
。
当发射结由正偏变为反偏，集电结和发射结电荷区变宽，i
C
下降较快，这就有下降时间t
f
。
? BJT的开关时间对它的应用有较大的影响，
选用BJT时，应注意其开关频率。应使输入脉冲持续时间大于BJT开关时间。
?改善措施为了使BJT快速导通，缩短开通时间t
on
，驱动电流必须具有一定幅值，前沿较陡的正向驱动电流，可加速BJT的导通；为加速
BJT关断，缩短关断时间t
off
，驱动电流必须具有一定幅值的反向驱动电流，过冲的负向驱动电流，可缩短关断时间。
?驱动电流的理想波形
2,双极型功率晶体管的主要参数
(1) BJT的电流放大倍数β值：β定义为晶体管的集电极电流变化率和基极电流变化率之比。
(2) BJT的反向电流：BJT的反向电流会消耗一部分电源能量，会影响管子的稳定性。常希望反向电流尽可能小。有I
CBO
、I
CEO
和I
EBO
。
(3) BJT的反向击穿电压：BJT的反向击穿电压决定管子承受外加电压的上限。有U
(BR)EBO
、U
(BR)CBO
、
U
(BR)CEO
(4) BJT的极限参数：集电极允许流过的最大电流I
CM
，
集电极最大允许耗散功率P
CM
,最大允许结温T
JM
和击穿电压。
1.4.3 双极型功率晶体管的安全工作区
1.正向偏置安全工作区
? BJT的正向偏置安全工作区是由最大集电极电流I
CM
、集电极最大允许耗散功率P
CM
、二次击穿耐量有关的P
SB
和集射极最大电压
U
(BR)CEO
所组成的区域。
2,反向偏置安全工作区
?为了使晶体管截止而不被击穿，电压与电流的工作点必须选在反向安全工作区之内。
反向偏置基极电流不同时，反向安全工作区宽窄也不同，若反向偏置基极电流增加时，反向安全工作区变窄。
3,双极型功率晶体管的二次击穿
(1) PN结的反向击穿
? PN结的反向击穿，可分为三种类型：热电击穿、
隧道击穿和雪崩击穿。
①热电击穿
?当外加反向电压升高时，较大的反向电流引起热损耗，导致器件的结温升高，促使本征载流子浓度明显增加，使反向电流增长更快。形成强烈的正反馈，最后导致PN结击穿。
②隧道击穿(齐纳击穿)
?如果PN结势垒区的电场很强，穿过禁带的电子很多，反向电流增长很快，从而引起了PN结击穿。
③雪崩击穿
?在反向高电压下，PN结势垒区的电场很强，载流子在强电场中得到大的动能，从而成为“热”载流子，“热”载流子与晶格原子相碰撞，使晶格原子价带内的电子被激发到导带，形成电子-空穴对。不断地发生碰撞，不断地产生第二、三、四…代电子-空穴对，使载流子成倍增加，从而引起了PN结击穿。大功率电力电子器件中，
雪崩击穿是常见击穿现象。
(2) 二次击穿的过程和特点
?晶体管二次击穿特性如图所示，分别代表BJT发射极为正偏压、零偏压和负偏压时的二次击穿特性，现在以零偏压为例分析二次击穿现象的发生过程，当电压U
CE
增大到达D点时，集电极发生雪崩效应，晶体管的电流上升到B点，经过一短暂的时间后，电压将会突然减小到E点。同时电流急骤增大。如果没有适当的保护措施，电流将继续增大到F点，从而会造成晶体管永久性损坏。
这种从高电压小电流向低电压大电流跃变并伴随着电流急骤增大的现象，称为晶体管的二次击穿。
?晶体管二次击穿特性
?晶体管二次击穿的特点：
①在二次击穿点停留的时间τ称为二次击穿的延迟时间，对于不同类型的二次击穿，
这一时间的长短相差很大。
②从B点到E 点的过渡几乎是瞬时的，晶体管的状态不可能稳定在B～E这一区域内，
而且到E点是不可逆的。即使使晶体管回到触发前的状态，但重复几次仍然会使晶体管变成永久性失效。
③在E点的电压称为二次击穿的维持电压。
维持电压都在10V～15V左右。
(3) 产生二次击穿的原因
?二次击穿主要是由于器件芯片局部过热引起。
?在正向偏置时，温度升高是由热不均衡性引起的。由于晶体管的结面上有缺陷和参数分布不均匀，导致电流分布不均匀，从而引起温度分布不均匀。温度高的局部区域载流子浓度将增加，使电流更加密集，
这种恶性循环形成热不稳定性。如果局部区域所产生的热量不能及时散发，将使电流上升失去控制。一旦温度达到材料熔点，
便造成永久性破坏。
?反向偏置时，温度升高是由雪崩击穿引起的。由于发生一次雪崩击穿之后，在某些点上因电流密度过大，改变了结电场分布，
产生负阻效应，从而使局部温度过高的一种现象。
?二次击穿最终是由于局部过热而引起，而热点的形成需要能量的积累，即需要一定的电压、电流和一定的时间。因此，集电极电压、电流、负载性质、导通脉冲宽度、
基极电路的配置以及材料、工艺等因素都对二次击穿有一定的影响。
1.4.4 驱动电路和缓冲电路
1,双极型功率晶体管的驱动电路
(1) BJT的驱动电路的重要性
?驱动电路性能不好，轻则使BJT不能正常工作，重则导致BJT损坏。其特性是决定电流上升率和动态饱和压降大小的重要因素之一。
?增加基极驱动电流使电流上升率增大，使BJT饱和压降降低，从而减小开通损耗。
?过大的驱动电流，使BJT饱和过深，退出饱和时间越长，对开关过程和减小关断损耗越不利。
?驱动电路是否具有快速保护功能，是决定BJT在过电压或过电流后是否损坏的关键因素之一。
? BJT对基极驱动电路的基本要求：
①BJT导通时，基极电流值在最大负载下应维护BJT饱和导通，电流的上升率应充分大，
以减小开通时间。
②BJT关断时，反向注入的基极电流峰值及下降率应充分大，以缩短关断时间。
③为防止关断时的尾部效应而导致BJT的损坏，驱动电路应提供给基射结合适的反偏电压，促使BJT快速关断，防止二次击穿。
④BJT瞬时过载时，驱动电路应能相应地提供足够大的驱动电流，保证BJT不因退出饱和区而损坏。
⑤BJT导通过程中，如果BJT集射结承受电压或流过它的电流超过了设定的极限值，
应能自动切除BJT的基极驱动信号。
?为了提高工作速度，降低开关损耗，多采用抗饱和措施；为了确保器件使用安全，
尽可能采用多种保护措施，为了使电路简化，功能齐全，应尽可能采用集成器件。
(2) BJT驱动电路的设计方法
①开通与通态
?基极电流应尽可能大，以便开通或关断大的集电极电流。但基极电流过大会造成电路过饱和，增大了关断时间，反而降低了承受破坏的能力。因此，基极电流按下式取值：
I
B1
=(1.5～2) I
Cmax
/ (1-11)
β
②关断与断态
?反向基极电流I
B2
较大，BJT的关断时间缩短，
但是I
B2
增大，浪涌电压增大，反向偏置安全工作区变窄，确定I
B2
必须考滤到使用频率、反向偏置安全工作区、存储时间和下降时间。所以在实际应用中，I
B2
最大峰值为I
B1
的(2～3)倍。
(3) 基极驱动电路的基本型式
①恒流驱动电路
?,恒流驱动”是指BJT的基极电流保持恒定，不随集电极电流变化而变化。为了保证BJT在任何负载情况下都能处于饱和导通，所需的基极电流I
B
应按BJT最大可能通过的集电极电流I
Cmax
来设计，
即
I
B
＞I
Cmax
/β(1-12)
?恒流驱动使空载时饱和深度加剧，存储时间大。
为了克服上述弊端常需采用其他辅助措施。抗饱和贝克箝位电路如图所示，将多余的基极电流从集电极引出，使BJT在不同集电极电流情况下都处于饱和状态。
?箝位二极管VD
2
必须是快速恢复二极管且其耐压必须和BJT的耐压相当。由于电路工作于准饱和状态，其正向压降增加，增大了导通损耗。
②截止反偏驱动电路
?当u
i
为高电平时，晶体管V
1
及V
2
导通，正电源+V
CC
经过电阻R
3
及V
2
向BJT提供正向基极电流，使BJT导通。当u
i
为低电平时，
V
1
及V
2
截止而V
3
导通，负电源-V
CC
加于
BJT的发射结上，BJT基区中的过剩载流子被迅速抽出，BJT迅速关断。
?固定反偏互补驱动电路
2,双极型功率晶体管的缓冲电路
? BJT的缓冲器常采用阻容二极管RCD的吸收网络
?此处电阻R应选用电感量较小的电阻，电容
C应选用低串联电阻、电感小且频率特性好的电容。
?未加缓冲电路时，在开通和关断过程中的某一时刻，会出现集电极电压u
C
和集电极电流i
C
同时达到最大值的情况。这时瞬时开关损耗也最大。
?采用开通和关断缓冲电路，其负载线轨迹如图(c)
的实线所示。
?缓冲电路所以能够减小开关器件的开关损耗，是因为把开关损耗由器件本身转移至缓冲电路内，根据这些被转移的能量如何处理，引出了两类缓冲电路：
?一类是耗能式缓冲电路，即转移至缓冲器的开关损耗能量消耗在电阻上，这种电路简单，但效率低；
?另一类是馈能式缓冲电路，即将转移至缓冲器的开关损耗能量以适当的方式再提供给负载或回馈给供电电源，这种电路效率高但电路复杂。
1)耗能式缓冲电路
①关断缓冲电路
?电容越大du/dt
越小。BJT集电极电压被电容电压牵制，
所以不再会出现瞬时尖峰功耗。
②开通缓冲电路
?如果缓冲电感L
S
采用饱和电抗器则效果会更好。
因为只要设计得当，使得缓冲电感在集电极电压下降到零后处于饱和状态，而在饱和之前呈现高阻抗，因而开通损耗亦较小。
③复合缓冲电路
(2) 馈能式缓冲电路
?将储能元件中的储能通过适当的方式回馈给负载或电源，可以提高装置的效率。在馈能过程中，由于采用的元件不同，又可分为无源和有源两种方式。
①馈能式关断缓冲电路
②馈能式开通缓冲电路
③馈能式复合缓冲电路
3,BJT的保护电路
(1) 过电流、短路保护
?由于BJT存在二次击穿等问题，由于二次击穿很快，远远小于快速熔断器的熔断时间，
因此诸如快速熔断器之类的过电流保护方法对BJT类电力电子设备来说是无用的。
? BJT的过电流保护要依赖于驱动和特殊的保护电路。
①电压状态识别保护
?当BJT处于过载或短路故障状态时,随着集电极电流的急剧增加,其基射极电压和集射极电压均发生相应变化,可利用这一特点对BJT进行过载和短路保护。
②桥臂互锁保护
?逆变器运行时，可能发生桥臂短路故障，
造成器件损坏。只有确认同一桥臂的一个
BJT关断后，另一个BJT才能导通。这样能防止两管同时导通，避免桥臂短路。
? BJT的热容量极小，过电流能力很低，要求故障检测、信号传送及保护动作能瞬间完成，要在微秒级的时间内将电流限制在过载能力的限度以内。
(2) 欠饱和及过饱和保护
? BJT的二次击穿多由于BJT工作于过饱和状态引起的，而过基极驱动引起的过饱和又使BJT的存储时间不必要地加长，直接影响着BJT的开关频率，所以BJT的过饱和及欠饱和保护对它的安全可靠工作有着极其重要的作用。通常欠饱和保护可根据被驱动
BJT的基射极电压降的高低来自动调节基极驱动电流的大小，构成准饱和基极驱动器来完成。
(3) 基极驱动电路电源电压监控保护
? BJT是电流控制器件，基极驱动电路自身电源影响着被驱动BJT的可靠工作，这就要求一个较理想的基极驱动电路，应有自身工作电源电压监控保护。当电源电压低于一定值时，则通过自动电路保证BJT不能被驱动，以免BJT在关断时损坏BJT。
4,BJT应用时应注意事项
(1) BJT的工作点是随所选电压和电流的不同而变化的，特性表中的参数是在特定条件下的参数值，
而且是指环境温度为+25℃下的数值。
(2) 当环境温度高于+25℃时，BJT功率应适当降低，
一般可按下述公式计算
P
CM
=(T
1
-T
0
) /R
T
(1-13)
?提高BJT可靠性的具体措施是：增大电压和电流裕量，同时改善散热条件。
(3) BJT电流、功率增益随工作频率而改变。当BJT
工作于开关状态时，只工作于饱和状态和截止状态，放大区参数是没有意义的。
(4) BJT应尽量避免靠近发热元件，以保证管壳散热良好。当BJT的耗散功率≥5W时，应加散热器。
(5) 焊接BJT时，应采用熔点不超过150℃的低熔点焊锡；电烙铁以60W以下为宜，时间不超过5s。
(6) 为了减少β值对温度的依赖性，应尽可能采用与
β值变化关系不大的电路设计方案。
(7) 对于功放管，为避免其过热，最有效的方法是采用热敏电阻器保护。
(8) 为防止BJT二次击穿，尽量避免采用电抗成分过大的负载，并合理选择工作点及工作状态，使之不超过功率管的安全工作区。
1.5 功率场效应晶体管
?根据其结构不同分为结型场效应晶体管，
金属-氧化物-半导体场效应晶体管。
?根据导电沟道的类型可分为N沟道和P沟道两大类；
?根据零栅压时器件的导电状态又可分为耗尽型和增强型两类，
?目前功率MOSFET的容量水平为50A／500
V，频率为100kHz。
1.5.1 结构和工作原理
1,功率场效应晶体管的结构
? VDMOS结构采用垂直导电的双扩散MOS结构，
利用两次扩散形成的P型和N
+
型区，在硅片表面处的结深之差形成沟道，电流在沟道内沿表面流动，然后垂直被漏极接收。
? VDMOS管的衬底是重掺杂(超低阻) N
+
单晶硅片，
其上延生长一高阻N
－
层(最终成为漂移区，该层电阻率及外延厚度决定器件的耐压水平),在N
－
上经过P型和N型的两次扩散，形成N
+
N
－
PN
+
结构。
?栅极为零偏压时，i
D
被P型体区阻隔，漏源之间的电压U
DS
加在反向PN
－
结上，整个器件处于阻断状态。当栅极正偏压超过阈值电压U
T
时沟通道由P型变成N
+
型，这个反型的沟道成为i
D
电流的通道，整个器件又处于导通状态。它靠N
+
型沟道来导电故称之为N沟道VDMOS管。在MOSFET中只有一种载流子(N沟道时是电子，P沟道时是空穴) 。由于电子的迁移率比空穴高3倍左右，
从减小导通电阻增大导通电流计，一般常用N沟道器件。
?功率MOSFET在特性上的优越之处在于没有热电反馈引起的二次击穿、输入阻抗高、跨导的线性度好和工作频率高。
? 2,功率场效应晶体管的工作原理
?当栅源极电压U
GS
＝0时，漏极下的P型区表面不出现反型层，无法沟通漏源。此时即使在漏源之间施加电压也不会形成P区内载流子的移动，即VMOS管保持关断状态。
?当栅源极电压U
GS
＞0且不够充分时，栅极下面的P型区表面呈现耗尽状态，还是无法沟通漏源，此时VMOS管仍保持关断状态。
?当栅源极电压U
GS
或超过强反型条件时，栅极下面的硅的表面从P型反型成N型，形成
N型表面层并把源区和漏区联系起来,从而把漏源沟通，使VMOS管进入导通状态。
1.5.2 特性和主要参数
1.功率场效应晶体管的特性
(1) 功率MOSFET的转移特性
?转移特性表示功率MOSFET的输入栅源电压U
GS
与输出漏极电流I
D
之间的关系。转移特性表示功率MOSFET的放大能力，与
BJT中的电流增益相仿，由于功率
MOSFET是电压控制器件，因此用跨导这一参数来表示。
?（a）功率MOSFET的转移特性
(2) 功率MOSFET的输出特性
?当栅源电压U
GS
一定时，漏极电流I
D
与漏源电压U
DS
间关系曲线称为VMOSFET的输出特性。只有当栅源电压U
GS
达到或超过强反型条件时，使MOSFET进入导通状态。栅源电压U
GS
越大，漏极电流越大，可见漏极电流I
D
受栅源电压U
GS
的控制。输出特性分为三个区域，可调电阻区、饱和区和雪崩区。
?在可调电阻区Ⅰ内，器件的电阻值是变化的。当栅源电压U
GS
一定时，器件内的沟道已经形成，若漏源电压U
DS
很小时，对沟道的影响可忽略，此时沟道的宽度和电子的迁移率几乎不变，所以I
D
与U
DS
几乎呈线性关系。
?在饱和区Ⅱ中，当U
GS
不变时，I
D
趋于不变。
当U
DS
增大至使漏极PN结反偏电压过高，
发生雪崩击穿，I
D
突然增加，此时进入雪崩区Ⅲ，直至器件损坏。使用时应避免出现这种情况。
(3) 功率MOSFET的开关特性
?因为MOSFET存在输入电容C
i
，C
i
有充电过程，栅极电压U
GS
呈指数曲线上升,当U
GS
上升到开启电压U
T
时，开始出现漏极电流i
D
，
从脉冲电压的前沿到i
D
出现，这段时间称为开通延迟时间t
d
。
?随着U
GS
增加，i
D
上升，从有i
D
到i
D
达到稳态值所用时间称为上升时间t
r
。开通时间t
on
可表示为
t
on
＝t
d
＋t
r
(1-14)
?当脉冲电压下降到零时，栅极输入电容C
i
通过信号源内阻R
S
和栅极电阻R
G
开始放电，栅极电压
U
GS
按指数曲线下降，当下降到U
GSP
时，漏极电流才开始减小，这段时间称为关断延迟时间t
s
。
?之后，C
i
继续放电，从i
D
减小，到U
GS
＜U
T
沟道关断，i
D
下降到零。这段时间称为下降时间t
f
。关断时间t
off
可表示为
t
off
＝t
s
＋t
f
(1-15)
?由上分析可知，改变信号源内阻R
S
，可改变C
i
充、
放电时间常数，影响开关速度。
?功率MOSFET开关特性
(4) 安全工作区(SOA)
?功率MOSFET没有二次击穿问题，具有非常宽的安全工作区，特别是在高电压范围内，但是功率MOSFET的通态电阻比较大，所以在低压部分不仅受最大电流的限制，
还要受到自身功耗的限制。
正向偏置安全工作区
①正向偏置安全工作区(FBSOA)
?正向偏置安全工作区由四条边界极限所包围的区域。漏源通态电阻线，最大漏极电流线，最大功耗限制线和最大漏源电压线，
②开关安全工作区(SSOA)
?开关安全工作区(SSOA)表示器件工作的极限范围。
在功率MOSFET换流过程中，当器件体内反并联二级管从导通状态进入反向恢复期时，如果漏极电压上升过大，则很容易造成器件损坏。二极管反向恢复期内漏源极的电压上升率称为二极管恢复耐量，二极管恢复耐量是功率MOSFET可靠性的一个重要参数。
2,功率场效应晶体管的主要参数
(1) 漏源击穿电压BU
DS
：该电压决定了功率
MOSFET的最高工作电压。
(2) 栅源击穿电压BU
GS
：该电压表征了功率
MOSFET栅源之间能承受的最高电压。
(3) 漏极最大电流I
D
：表征功率MOSFET的电流容量。
(4) 开启电压U
T
：又称阈值电压，它是指功率
MOSFET流过一定量的漏极电流时的最小栅源电压。
(5) 通态电阻R
on
：通态电阻R
on
是指在确定的栅源电压U
GS
下，功率MOSFET处于恒流区时的直流电阻，是影响最大输出功率的重要参数。
(6) 极间电容：功率MOSFET的极间电容是影响其开关速度的主要因素。其极间电容分为两类；一类为C
GS
和C
GD
，它们由MOS结构的绝缘层形成的，其电容量的大小由栅极的几何形状和绝缘层的厚度决定；另一类是C
DS
，它由PN结构成，其数值大小由沟道面积和有关结的反偏程度决定。
?一般生产厂家提供的是漏源短路时的输入电容C
i
、共源极输出电容C
out
及反馈电容C
f
，
它们与各极间电容关系表达式为
C
i
＝C
GS
＋C
GD
(1-16)
C
out
＝C
DS
＋C
GD
(1-17)
C
f
＝C
GD
(1-18)
?显然，C
i
﹑C
out
和C
f
均与漏源电容C
GD
有关。
1.5.3 门极驱动电路和缓冲电路
1,功率场效应晶体管的门极驱动电路
(1) 功率MOSFET驱动电路的共性问题
①驱动电路应简单、可靠。也需要考虑保护、
隔离等问题。
②驱动电路的负载为容性负载。
③按驱动电路与栅极的连接方式可分为直接驱动与隔离驱动。
(2) 功率MOSFET对栅极驱动电路的要求
①保证功率MOSFET可靠开通和关断，触发脉冲前、后沿要求陡峭。
②减小驱动电路的输出电阻，提高功率
MOSFET的开关速度。
③触发脉冲电压应高于管子的开启电压，为了防止误导通，在功率MOSFET截止时，
能提供负的栅源电压。
④功率MOSFET开关时所需的驱动电流为栅极电容的充、放电电流。
?⑤驱动电路应实现主电路与控制电路之间的隔离，避免功率电路对控制信号造成干扰。
?⑥驱动电路应能提供适当的保护功能，使得功率管可靠工作，如低压锁存保护、过电流保护、过热保护及驱动电压箝位保护等。
?⑦驱动电源必须并联旁路电容，它不仅滤除噪声，也用于给负载提供瞬时电流，加快功率MOSFET的开关速度。
(3) 功率MOSFET驱动电路
①直接驱动
TTL驱动电路
②隔离驱动电路
?对于VDMOS，其驱动电路非常简单，但在高速开关驱动时或在并联运行时，可在其驱动电路的输出级上接入射极跟随器，并尽可能地减小输出电阻，以缩短它的开通和关断时间。如果在驱动信号上做到阻断时栅源电压小于零，就能进一步缩短关断时间。
2.电压驱动型器件的驱动电路电力MOSFET和IGBT
是电压驱动型器件。
1) 电力MOSFET的一种驱动电路：电气隔离和晶体管放大电路两部分无输入信号时高速放大器A输出负电平,V3导通输出负驱动电压。
当有输入信号时A输出正电平，V2导通输出正驱动电压。专为驱动电力MOSFET而设计的混合集成电路有三菱公司的M57918L，其输入信号电流幅值为16mA，输出最大脉冲电流为+2A和-3A，输出驱动电压+15V和-10V。
过电压保护措施
过电压抑制措施及配置位置F?避雷器 D?变压器静电屏蔽层 C?静电感应过电压抑制电容
RC1?阀侧浪涌过电压抑制用RC电路 RC2?阀侧浪涌过电压抑制用反向阻断式RC电路RV?压敏电阻过电压抑制器 RC3?阀器件换相过电压抑制用RC电路RC4?直流侧RC抑制电路
RCD?阀器件关断过电压抑制用RCD电路过电流——过载和短路两种情况常用措施快速熔断器、直流快速断路器和过电流继电器。
同时采用几种过电流保护措施，提高可靠性和合理性。
电子电路作为第一保护措施，快熔仅作为短路时的部分区段的保护，直流快速断路器整定在电子电路动作之后实现保护，过电流继电器整定在过载时动作。
2,功率场效应晶体管的缓冲电路
?功率MOSFET的缓冲电路甚至可以不加。另外，
如果电路中需要流过一个较大的反向续流，可以在VDMOS管外侧反并联一个高速恢复二极管，
使电流由此旁路而不流入内部，为吸收反并联二极管的换向过电压，在VDMOS源极与漏极之间也并联RC吸收电路，其连接线应尽量短。
3 功率MOSFET的保护
(1) 静电保护
?在静电较强的场合，容易静电击穿，造成栅源短路。
?①应存放在防静电包装袋、导电材料包装袋或金属容器中。取用器件时，应拿器件管壳，而不要拿引线。
?②工作台和烙铁都必须良好接地，焊接时电烙铁功率应不超过25W，最好使用12V～24V的低电压烙铁，且前端作为接地点，先焊栅极，后焊漏极与源极。
?③在测试MOSFET时，测量仪器和工作台都必须良好接地，MOSFET的三个电极未全部接入测试仪器或电路前，不要施加电压，改换测试范围时，电压和电流都必须先恢复到零
(2) 栅源间的过电压保护
?适当降低驱动电路的阻抗，在栅源间并接阻尼电阻。
(3) 短路、过电流保护
?功率MOSFET的过电流和短路保护与BJT基本类似，仅是快速性要求更高，在故障信号取样和布线上要考虑抗干扰，并尽可能减小分布参数的影响。
(4) 漏源间的过电压保护
?在感性负载两端并接箝位二极管，在器件漏源两端采用二极管VD及RC箝位电路或采用RC缓冲电路。
?漏源间的过电压保护电路
1.6 绝缘栅双极型晶体管
?绝缘栅双极型晶体管IGBT是80年代中期问世的一种新型复合电力电子器件，由于它兼有MOSFET的快速响应、高输入阻抗和
BJT的低通态压降、高电流密度的特性，这几年发展十分迅速。目前，IGBT的容量水平达(1200～1600A)/(1800～3330V),工作频率达40kHz以上。
1.6.1 结构和工作原理
1,绝缘栅双极型晶体管的结构
? IGBT相当于一个由MOSFET驱动的厚基区
BJT。从图中我们还可以看到在集电极和发射极之间存在着一个寄生晶闸管，寄生晶闸管有擎住作用。采用空穴旁路结构并使发射区宽度微细化后可基本上克服寄生晶闸管的擎住作用。IGBT的低掺杂N漂移区较宽，因此可以阻断很高的反向电压。
? IGBT的结构、符号及等效电路
2,绝缘栅双极型晶体管的工作原理
?当U
DS
＜0时，J
3
PN结处于反偏状态，IGBT
呈反向阻断状态。
?当U
DS
＞0时，分两种情况：
①若门极电压U
G
＜开启电压U
T
，IGBT呈正向阻断状态。
②若门极电压U
G
＞开启电压U
T
，IGBT正向导通。
1.6.2 特性和主要参数
(1) IGBT的伏安特性
?以栅射电压U
GE
为参变量时，集电极电流I
C
和集射电压U
CE
之间的关系曲线。IGBT的伏安特性也可分为饱和区、放大区和击穿区三个部分。在正向导通的大部分区域内，I
C
与U
CE
呈线性关系，此时
IGBT工作于放大区内。对应着伏安特性明显弯曲部分，这时I
C
与U
CE
呈非线性关系，此时IGBT工作于饱和区。开关器件IGBT常工作于饱和状态和阻断状态，若IGBT工作于放大状态将会增大IGBT
的损耗。
? IGBT的伏安特性和转移特性
(2) IGBT的转移特性
?是指输出集电极电流I
C
与栅射控制电压U
GE
之间的关系曲线。当栅射电压U
GE
＜U
GEth
时，
IGBT处于关断状态。当U
GE
＞U
GEth
时，
IGBT导通。IGBT导通后的大部分集电极电流范围内，I
C
与U
GE
呈线性关系。
(3) 开关特性
(4) 擎住效应
? IGBT为四层结构，存在一个寄生晶闸管，
在NPN晶体管的基极与发射极之间存在一个体区短路电阻，P型体区的横向空穴流过此电阻会产生一定压降，对J
3
结相当于一个正偏置电压。在规定的集电极电流范围内，
这个正偏置电压不会使NPN晶体管导通；
当I
C
大到一定程度时，该偏置电压使NPN晶体管开通，进而使NPN和PNP晶体管处于饱和状态。于是栅极失去控制作用，这就是所谓的擎住效应。
(5) 安全工作区
? IGBT开通时的正向偏置安全工作区由电流、
电压和功耗三条边界极限包围而成。最大集电极电流I
CM
是根据避免动态擎住而确定的，最大集射极电压U
CEM
是由IGBT中PNP
晶体管的击穿电压所确定；最大功耗则由最高允许结温所决定。
? IGBT关断时的反向偏置安全工作区与IGBT
关断时的du/dt有关，du/dt越高，RBSOA越窄。
? IGBT的安全工作区
2,绝缘栅双极型晶体管的主要参数
(1) 集射极额定电压U
CES
?栅射极短路时的IGBT最大耐压值。
(2) 栅射极额定电压U
GES
? U
GES
是栅极的电压控制信号额定值。只有栅射极电压小于额定电压值，才能使IGBT
导通而不致损坏。
(3) 栅射极开启电压U
GEth
?使IGBT导通所需的最小栅-射极电压,通常
IGBT的开启电压U
GEth
在3V～5.5V之间。
(4) 集电极额定电流IC
?在额定的测试温度(壳温为25℃)条件下，
IGBT所允许的集电极最大直流电流。
(5) 集射极饱和电压U
CEO
? IGBT在饱和导通时，通过额定电流的集射极电压。通常IGBT的集射极饱和电压在
1.5V～3V之间。
1.6.3 驱动电路
1,IGBT的栅极驱动
(1) 栅极驱动电路对IGBT的影响
①正向驱动电压+V增加时，IGBT输出级晶体管的导通压降和开通损耗值将下降，但并不是说+V值越高越好。
②IGBT在关断过程中，栅射极施加的反偏压有利于
IGBT的快速关断。
③栅极驱动电路最好有对IGBT的完整保护能力。
④为防止造成同一个系统多个IGBT中某个的误导通，
要求栅极配线走向应与主电流线尽可能远，且不要将多个IGBT的栅极驱动线捆扎在一起。
(2) IGBT栅极驱动电路应满足的条件
①栅极驱动电压脉冲的上升率和下降率要充分大。
②在IGBT导通后，栅极驱动电路提供给
IGBT的驱动电压和电流要具有足够的幅度。
③栅极驱动电路的输出阻抗应尽可能地低。
?栅极驱动条件与IGBT的特性密切相关。设计栅极驱动电路时，应特别注意开通特性、
负载短路能力和引起的误触发等问题。
2,IGBT驱动电路
(1) 阻尼滤波门极驱动电路：为了消除可能的振荡现象，IGBT的栅射极间接上RC网络组成阻尼滤波器且连线采用双绞线
(2) 光耦合器门极驱动电路：驱动电路的输出级采用互补电路的型式以降低驱动源的内阻，同时加速IGBT的关断过程。
(3) 脉冲变压器直接驱动IGBT的电路
?由于是电磁隔离方式，驱动级不需要专门直流电源，简化了电源结构。
3,IGBT的保护
(1) 静电保护
? IGBT的输入级为MOSFET，所以IGBT也存在静电击穿的问题。防静电保护极为必要。
可采用MOSFET防静电保护方法。
(2) 过电流保护
?与BJT一样，IGBT过电流可采用集射极电压状态识别保护方法。
(3) 短路保护缓冲电路
?缓冲电路（吸收电路）：抑制器件的内因过电压、du/dt、过电流和di/dt，减小器件的开关损耗。
缓冲电路作用分析无缓冲电路：
V开通时电流迅速上升，di/dt很大。关断时du/dt很大，并出现很高的过电压。有缓冲电路：
V开通时：Cs通过Rs向V放电，
使i
C
先上一个台阶，以后因有Li，
i
C
上升速度减慢。V关断时：负载电流通过V
Ds
向Cs分流，减轻了
V的负担，抑制了du/dt和过电压。
1.8 电力电子器件的串并联技术
?尽管电力电子器件的电流容量和电压等级在不断提高，但仍然不能满足大容量整机应用的要求，需要串联使用以提高它们的电压等级或并联使用以提高它们的电流容量。
1.8.1 晶闸管的串并联
1,晶闸管的串联连接
（1）静态均压由于串联各器件的正向(或反向)阻断特性不同，但在电路中却流过相等的漏电流，
因而各器件所承受的电压是不同的。
?选用特性比较一致的器件进行串联
?给每个晶闸管并联均压电阻R
j
。如果均压电阻R
j
大大小于晶闸管的漏电阻，则电压分配主要决定于R
j
，但如R
j
过小，则会造成R
j
上损耗增大，因此要综合考虑。
（2）动态均压
?晶闸管在开通和关断的过程中，由于各器件的开通时间和关断时间等参数不一致，
而造成的动态不均压问题。
?晶闸管在开关过程中瞬时电压的分配决定于各晶闸管的结电容﹑导通时间和关断时间等差别，为了使开关过程中的电压分配均匀，减小电容C对晶闸管放电造成过大的di/dt，还应在电容C支路中串联电阻R。
晶闸管串联连接时
?应尽可能选择参数比较接近的晶闸管串联，
串联的各晶闸管开通时间之差要小；
?要求门极触发脉冲的前沿要陡，触发脉冲的电流要大，使晶闸管的开通时间短，趋于一致。
?晶闸管串联均压电路
?由于晶闸管制造工艺的改进，器件的电压等级不断提高，因此要求晶闸管串联连接的情况会逐步减少。
?器件串联后，必须降低电压的额定值使用，
串联后选择晶闸管的额定电压为
(1-19)
式中U
m
—作用于串联器件上的峰值电压
n
s
—串联器件个数
s
m
TN
)8.3~2.2(
n
U
U =
? 2,晶闸管的并联连接
①串联电阻法
?由于串联电阻增大损耗，对电力电子器件而言无实用价值。
②串联电抗法
?用一个均流电抗器(铁心上带有两个相同的线圈)
接在两个并联的晶闸管电路中。
但因铁心笨重，
线圈绕制不便，
在并联支路数很多时，线路的配置就较复杂了。
?采用两个耦合较好的空心电感，也可起到一定的均流效果。空心电抗器均流是目前普遍采用的均流方法。它的优点是接线简单，还有限制di/dt和
du/dt的作用。由于空心电抗器的线圈都有电阻，
因此实际上它是电阻串电感均流。
?器件并联后，必须降低电流的额定值使用，并联后选择晶闸管的额定电流为
(1-20)
式中I—允许过载时流过的总电流平均值
n
p
—并联器件个数
p
TN
)5.2~7.1(
n
I
I =
?晶闸管并联连接时
1．应尽可能选择参数比较接近的晶闸管进行并联；
2．触发脉冲的前沿要陡，触发脉冲的电流要大，使并联的各晶闸管开通时间之差要小。
3．适当增大电感，可以减少各并联支路中动态电流的偏差。
4．在安装时使各并联支路铜线长短相同，使各支路的分布电感和导线电阻相近。
?在晶闸管装置需要同时采取串联和并联晶闸管时，
通常采用先串后并的方法。
1.8.2 GTO的串并联
1,GTO的串联连接
? GTO串联时，采用与晶闸管相似的方法解决均压问题。GTO的动态不均压的过电压产生于器件开通瞬间电压的后沿和关断瞬间电压的前沿，精心设计门极控制电路，
采用强触发脉冲驱动，以消除动态不均压的影响。
? GTO串联均压电路
2,GTO的并联连接
?一个GTO内部就是由几百个小GTO单元并联工作的，从某种意义上说，这就给多个
GTO之间的并联工作创造了先天性的有利条件。也可以采用串联电阻或电抗器等均流措施。
? GTO并联均流电路
? GTO并联要解决的是在开通和关断过程中产生的动态不均流问题。随结温的上升，
开通时间将缩短，而关断时间却有延长的趋势，这就更加大了并联工作的GTO
1
与
GTO
2
之间的开关时间差异，从而导致GTO
的开关损耗进一步增大，温度再增高，这样继续下去，恶性循环的结果就会烧坏器件。
?除了严格挑选并联工作的GTO通态电压相等外，精心设计门极控制电路，采用强触发脉冲驱动，力争做到并联的GTO同时开通和同时关断。
1.8.3 BJT的串并联
1,BJT的串联连接
?由于BJT对过电压敏感，通常BJT是不进行串联运行的，
2,BJT的并联连接
?大电流BJT管芯中采用了若干小电流的BJT
并联，因此用并联来增大BJT电流容量是比较常用的方法。
?当负载电流比较小时，并联的两个管子的集电极电流分配是极不均匀的，但是随着负载电流的增大，电流分配将大为改善。
使用同一个厂家同一型号的管子，多管并联时可以不采用负载均衡措施。开关过程中，BJT的负载分配是不均匀的，必须设计一种合适的电路，使它能够在动态下自动保持并联的管子的均衡负载能力。
?自适应驱动电路
?通过二极管VD
AS
的自适应作用，BJT总是能使基极电流自动和集电极电流相适应。
1.8.4 功率MOSFET的串并联
1.功率MOSFET的串联连接
?一般来说，因功率MOSFET经常工作在高频开关电路中，常用的电阻与电容串并联在解决动态均压时，由于分布参数的影响，
难以做到十分满意，所以除非必要，通常不将它们串联工作。
2,功率MOSFET的并联连接
?由于功率MOSFET的导通电阻是单极载流子承载的，具有正的电阻温度系数。当电流意外增大时，附加发热使导通电阻自行增大，对电流的正增量有抑制作用，所以功率MOSFET对电流有一定的自限流能力，
比较适合于并联使用而不必采用并联均流措施。
1.8.5 IGBT的串并联
1,IGBT的串联连接
?与MOSFET一样，通常IGBT不串联使用。
2,IGBT的并联连接
(1) 并联时的注意事项
①当并联使用时，使用同一等级U
CES
的模块。
②并联时，各IGBT之间的I
C
不平衡率≤18%。
③并联时，各IGBT的开启电压应一致，如开启电压不同，则会产生严重的电流分配不均匀。
(2) 并联时的接线方法
?在各模块的栅极上分别接上各模块推荐值的R
G
。栅极到各模块驱动级的配线长短及引线电感要相等，否则会引起各模块电流的分配不均匀，并会造成工作过程中开关损耗的不均匀。
?控制回路的接线应使用双芯线或屏蔽线。
?主电路需采用低电感接线。使接线尽量靠近各模块的引出端，使用铜排或扁条线，
以尽可能降低接线的电感量。
小结
1.根据开关器件是否可控分类
(1) 不可控器件二极管VD是不可控器件。
(2) 半控器件普通晶闸管SCR是半控器件。
(3) 全控器件
GTO、BJT、功率MOSFET、IGBT等。
2,根据门极(栅极)驱动信号的不同
(1) 电流控制器件驱动功率大，驱动电路复杂，工作频率低。
该类器件有SCR、GTO、BJT。
(2) 电压控制器件驱动功率小，驱动电路简单可靠，工作频率高。该类器件有功率MOSEET、IGBT。
3,根据载流子参与导电情况之不同，开关器件又可分为单极型器件、双极型器件和复合型器件。
(1) 单极型器件功率MOSFET 。
(2) 双极型器件二极管、SCR、GTO、BJT。
(3) 复合型器件
IGBT，是电力电子器件发展方向。
?电力电子器件中电压，电流额定值从高往低的器件是SCR、GTO、IGBT、BJT和功率MOSFET。
?工作频率从高往低的器件是功率MOSFET、
IGBT、BJT、GTO和SCR。
