模拟电子技术基础本课程是入门性质的技术基础课一、电子技术的发展
47年 贝尔实验室制成第一只晶体管
58年 集成电路
69年 大规模集成电路
75年 超大规模集成电路
第一片集成电路只有 4个晶体管，而 97年一片集成电路上有 40亿个晶体管。科学家预测集成度按
10倍 /6年的速度还将继续到 2015或 2020年，将达到饱和。
二、模拟电路
数字量：离散性
模拟量：连续性，大多数物理量，如温度、
压力、流量、液面 …… 均为模拟量。
模拟电路：对模拟量进行处理的电路，最基本的处理是放大。
放大：输入为小信号，有源元件控制电源使负载获得大信号，并保持线性关系。
有源元件：能够控制能量的元件。
三、课程目的
掌握基本概念、基本电路、基本分析方法、
基本实验技能
具有能够继续深入学习和接收电子技术新发展的能力，将所学知识用于本专业的能力。
四、考察方法：
会看：定性分析
会算：定量计算,CAD
会选：电路形式、器件、参数
会调：测试方法、仪器选用,EDA
五、学习方法
在入门阶段要以听课为线索；
建立工程的观念、系统的观念、科学进步的观念、实践的观念；
特别注意电路原理在电子电路分析中的应用。
六、考试方法笔试开卷。
第一章 半导体器件一、二极管开启电压
)1e( TS U
U
II
端电压温度的电压当量反向饱和电流电流正向特性为指数曲线反向电流为常量
T（ ℃ ） ↑→在电流不变情况下管压降 u↓
→反向饱和电流 IS↑,U(BR) ↓
T（ ℃ ） ↑→正向特性左移,反向特性下移二极管的几个参数材料 开启电压 导通电压 反向饱和电流硅 Si 0.5V 0.5~0.8V 1μA 以下锗 Ge 0.1V 0.1~0.3V 几十 μA
最大整流电流 IF：平均电流最高反向工作电压 UR：瞬时值反向电流 IR,IS，是对温度很敏感的参数最高工作频率 fM：结电容作用的结果二、晶体管（三极管、双极型管）
常数
CEU
B
C
i
i?
三个工作区域：放大区、
截止区、饱和区开关特性数字电路模拟电路极限参数：最大集电极功耗 PCM＝ ICUCE最大集电极电流 I
CM,c-e间击穿电压 UCEO
晶体管的三个工作区域
状态 uBE iC uCE
截止 ＜ Uon ICEO VCC
放大 ≥ Uon βIB ≥ uBE
饱和 ≥ Uon ＜ βIB ＜ uBE
温度对晶体管特性的影响将增大。不变，
将减小。不变，
BBE
BEB
)(
iu
ui
CT
C E O
)(
I
CT?
第二章 放大电路基础
§ 2.1 放大的概念及放大电路的性能指标一、放大的概念
放大的对象：变化量
放大的本质：能量的控制
放大的特征：功率放大
放大的基本要求：不失真，放大的前提二、性能指标
1.放大倍数
i
o
U
UAA
uuu?
i
o
I
IAA
iii?
i
o
I
UA
ui?
i
o
U
IA
iu?
二、性能指标
2.输入电阻和输出电阻
i
i
i I
UR? L
o
'
o
L
o
o
'
o
o )1( RU
U
R
U
UUR
二、性能指标
3.通频带
衡量放大电路对不同频率信号的适应能力
LHbw fffL
f下限频率 Hf上限频率
4.最大不失真输出电压 Uom
5.最大输出功率 Pom和效率 η
47年 贝尔实验室制成第一只晶体管
58年 集成电路
69年 大规模集成电路
75年 超大规模集成电路
第一片集成电路只有 4个晶体管，而 97年一片集成电路上有 40亿个晶体管。科学家预测集成度按
10倍 /6年的速度还将继续到 2015或 2020年，将达到饱和。
二、模拟电路
数字量：离散性
模拟量：连续性，大多数物理量，如温度、
压力、流量、液面 …… 均为模拟量。
模拟电路：对模拟量进行处理的电路，最基本的处理是放大。
放大：输入为小信号，有源元件控制电源使负载获得大信号，并保持线性关系。
有源元件：能够控制能量的元件。
三、课程目的
掌握基本概念、基本电路、基本分析方法、
基本实验技能
具有能够继续深入学习和接收电子技术新发展的能力，将所学知识用于本专业的能力。
四、考察方法：
会看：定性分析
会算：定量计算,CAD
会选：电路形式、器件、参数
会调：测试方法、仪器选用,EDA
五、学习方法
在入门阶段要以听课为线索；
建立工程的观念、系统的观念、科学进步的观念、实践的观念；
特别注意电路原理在电子电路分析中的应用。
六、考试方法笔试开卷。
第一章 半导体器件一、二极管开启电压
)1e( TS U
U
II
端电压温度的电压当量反向饱和电流电流正向特性为指数曲线反向电流为常量
T（ ℃ ） ↑→在电流不变情况下管压降 u↓
→反向饱和电流 IS↑,U(BR) ↓
T（ ℃ ） ↑→正向特性左移,反向特性下移二极管的几个参数材料 开启电压 导通电压 反向饱和电流硅 Si 0.5V 0.5~0.8V 1μA 以下锗 Ge 0.1V 0.1~0.3V 几十 μA
最大整流电流 IF：平均电流最高反向工作电压 UR：瞬时值反向电流 IR,IS，是对温度很敏感的参数最高工作频率 fM：结电容作用的结果二、晶体管（三极管、双极型管）
常数
CEU
B
C
i
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三个工作区域：放大区、
截止区、饱和区开关特性数字电路模拟电路极限参数：最大集电极功耗 PCM＝ ICUCE最大集电极电流 I
CM,c-e间击穿电压 UCEO
晶体管的三个工作区域
状态 uBE iC uCE
截止 ＜ Uon ICEO VCC
放大 ≥ Uon βIB ≥ uBE
饱和 ≥ Uon ＜ βIB ＜ uBE
温度对晶体管特性的影响将增大。不变，
将减小。不变，
BBE
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CT
C E O
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I
CT?
第二章 放大电路基础
§ 2.1 放大的概念及放大电路的性能指标一、放大的概念
放大的对象：变化量
放大的本质：能量的控制
放大的特征：功率放大
放大的基本要求：不失真，放大的前提二、性能指标
1.放大倍数
i
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U
UAA
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iii?
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二、性能指标
2.输入电阻和输出电阻
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二、性能指标
3.通频带
衡量放大电路对不同频率信号的适应能力
LHbw fffL
f下限频率 Hf上限频率
4.最大不失真输出电压 Uom
5.最大输出功率 Pom和效率 η
