浙江传媒学院《模拟电子技术》期中试卷
2005-2006 学年第一学期 任课教师 章化冰
系 班 姓名 学号 得分
一、填空题（每空1分，共19分）
1、二极管的主要特性是 ；三极管工作在放大区的条件是 发射结加 电压、集电结加 电压，半导体器件受 影响较大。
2、集成运放中采用两个三极管组成的复合管的目的是为了,采用差分放大电路的目的是为了 。
3、场效应管是 控制器件，它的工作原理就是利用栅源之间的 来控制漏极的 。
4、在放大电路的中频交流通路中，电容应 处理、电源VCC应 处理。
5、集成运放的内部电路通常包含四个基本组成部分，即 级,
级,级和 电路。
6、在共射、共集、共基三种基本放大电路的组态中，输入电压与输出电压反相的是
组态；频率响应最好的是 组态；输入电阻最大的是 组态。
二、选择题（每空2分，共18分）
1、某放大电路在负载开路时的输出电压为4V，接入12KΩ的负载电阻后，输出电压降为3V，这说明放大电路的输出电阻为（ ）。
A、10KΩ B、2KΩ C、4KΩ D、3KΩ
2、为了使高内阻信号源与低阻负载能很好地配合，可以在信号源与低阻负载间接入（ ）。
A、共射电路 B、共基电路 C、共集电路 D、都可以
3、有两个放大倍数相同，输入电阻和输出电阻不同的放大电路X和Y，对同一个具有内阻的信号源电压进行放大，在负载开路的条件下，测得X放大器的输出电压小，这说明X的（ ）
A、输入电阻大 B、输入电阻小 C、输出电阻大 D、输出电阻小
4、基本放大电路中，如果静态工作点过高，会引起（ ）。
A、饱和失真 B、截止失真 C、交越失真 D、线性失真
5、共模抑制比KCMR越大，表明电路（ ）
A、放大倍数越稳定 B、交流放大倍数越大
C、抑制温漂能力越强 D、输入信号中的差模成分越大
6、单级共射放大电路带负载时的电压放大倍数比空载时的电压放大倍数（ ）
A、小 B、大 C、不变 D、不一定
7、二极管电路如图所示，处于导通工作状态的二极管是（ ）；
A、D1导通 B、D1、D2均不导通
C、D2导通 D、D1、D2均导通考虑二极管的正向导通压降为0.7V，输出电压UO为（ ）。
A、-14.3V B、-0.7V C、-12V D、-15V
8、稳压二极管的稳压区是其工作在（ ）区。
A、正向导通 B、反向截止
C、反向击穿 D、正向恒流三、是非题（每空2分，共12分）
1、因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。 （ ）
2、可以说任何放大电路都有功率放大作用。 （ ）
3、UGS=0时，能够工作在恒流区的场效应管有增强型MOS管。 （ ）
4、阻容耦合多级放大电路各级的Q点互相独立，它只能放大交流信号。（ ）
5、有源负载可以增大放大电路的输出电流。 （ ）
6、集成运放电路的输出级采用互补对称结构是为了克服交越失真。 （ ）
四、分析题（共29分）
请分别画出P沟道耗尽型结型场效应管、N沟道增强型绝缘栅型场效应管、P沟道耗尽型绝缘栅型场效应管的符号图。（9分）
试说明如何用万用表判二极管的好坏以及二极管的P、N端。（10分）
分别测得两个放大电路中三极管的各极电位如下，试判断它们的管脚e、b、c，并判断是NPN型还是PNP型，硅管还是锗管。（10分）
（1）+12V、+12.7V、+15V （2）-11V、-6V、-6.3V
四、计算题（共22分）
1、已知差分放大电路如图，电路参数理想对称，，求：
估算静态工作点Q；
写出RW的滑动端在中点时Ad的表达式；
写出输入电阻、输出电阻的表达式。（10分）
2、两级放大电路如图，已知三极管的β1=β2=50，rbe1=1.6KΩ，rbe2=1.3KΩ，各电容的数值都足够大，在中频区可视为短路，试：
说明T1和T2各组成什么组态电路；
画出微变等效电路图；
求放大电路的输入电阻RI和输出电阻RO；
求电压放大倍数AUu （12分）
2005-2006 学年第一学期 任课教师 章化冰
系 班 姓名 学号 得分
一、填空题（每空1分，共19分）
1、二极管的主要特性是 ；三极管工作在放大区的条件是 发射结加 电压、集电结加 电压，半导体器件受 影响较大。
2、集成运放中采用两个三极管组成的复合管的目的是为了,采用差分放大电路的目的是为了 。
3、场效应管是 控制器件，它的工作原理就是利用栅源之间的 来控制漏极的 。
4、在放大电路的中频交流通路中，电容应 处理、电源VCC应 处理。
5、集成运放的内部电路通常包含四个基本组成部分，即 级,
级,级和 电路。
6、在共射、共集、共基三种基本放大电路的组态中，输入电压与输出电压反相的是
组态；频率响应最好的是 组态；输入电阻最大的是 组态。
二、选择题（每空2分，共18分）
1、某放大电路在负载开路时的输出电压为4V，接入12KΩ的负载电阻后，输出电压降为3V，这说明放大电路的输出电阻为（ ）。
A、10KΩ B、2KΩ C、4KΩ D、3KΩ
2、为了使高内阻信号源与低阻负载能很好地配合，可以在信号源与低阻负载间接入（ ）。
A、共射电路 B、共基电路 C、共集电路 D、都可以
3、有两个放大倍数相同，输入电阻和输出电阻不同的放大电路X和Y，对同一个具有内阻的信号源电压进行放大，在负载开路的条件下，测得X放大器的输出电压小，这说明X的（ ）
A、输入电阻大 B、输入电阻小 C、输出电阻大 D、输出电阻小
4、基本放大电路中，如果静态工作点过高，会引起（ ）。
A、饱和失真 B、截止失真 C、交越失真 D、线性失真
5、共模抑制比KCMR越大，表明电路（ ）
A、放大倍数越稳定 B、交流放大倍数越大
C、抑制温漂能力越强 D、输入信号中的差模成分越大
6、单级共射放大电路带负载时的电压放大倍数比空载时的电压放大倍数（ ）
A、小 B、大 C、不变 D、不一定
7、二极管电路如图所示，处于导通工作状态的二极管是（ ）；
A、D1导通 B、D1、D2均不导通
C、D2导通 D、D1、D2均导通考虑二极管的正向导通压降为0.7V，输出电压UO为（ ）。
A、-14.3V B、-0.7V C、-12V D、-15V
8、稳压二极管的稳压区是其工作在（ ）区。
A、正向导通 B、反向截止
C、反向击穿 D、正向恒流三、是非题（每空2分，共12分）
1、因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。 （ ）
2、可以说任何放大电路都有功率放大作用。 （ ）
3、UGS=0时，能够工作在恒流区的场效应管有增强型MOS管。 （ ）
4、阻容耦合多级放大电路各级的Q点互相独立，它只能放大交流信号。（ ）
5、有源负载可以增大放大电路的输出电流。 （ ）
6、集成运放电路的输出级采用互补对称结构是为了克服交越失真。 （ ）
四、分析题（共29分）
请分别画出P沟道耗尽型结型场效应管、N沟道增强型绝缘栅型场效应管、P沟道耗尽型绝缘栅型场效应管的符号图。（9分）
试说明如何用万用表判二极管的好坏以及二极管的P、N端。（10分）
分别测得两个放大电路中三极管的各极电位如下，试判断它们的管脚e、b、c，并判断是NPN型还是PNP型，硅管还是锗管。（10分）
（1）+12V、+12.7V、+15V （2）-11V、-6V、-6.3V
四、计算题（共22分）
1、已知差分放大电路如图，电路参数理想对称，，求：
估算静态工作点Q；
写出RW的滑动端在中点时Ad的表达式；
写出输入电阻、输出电阻的表达式。（10分）
2、两级放大电路如图，已知三极管的β1=β2=50，rbe1=1.6KΩ，rbe2=1.3KΩ，各电容的数值都足够大，在中频区可视为短路，试：
说明T1和T2各组成什么组态电路；
画出微变等效电路图；
求放大电路的输入电阻RI和输出电阻RO；
求电压放大倍数AUu （12分）
