第八章 半导体存储器和可编程逻辑器件 ROM主要由地址译码器、存储距阵、输出缓冲器 相同点：半导体存储器是由许多存储单元组成，每个存储单元可存储一位二进制数0 或1。 不同点：只读存储器ROM用于存放固定不变的数据，存储内容不能随便更改。 PROM是可编程只读存储器。EPROM是可擦除的可编程只读存储器 EEPROM是电擦除的可编程只读存储器。 8-3 PROM是可编程只读存储器。EPROM是可擦除的可编程只读存储器 EEPROM是电擦除的可编程只读存储器，使用最方便。 RAM通常由存储器距阵、地址译码器和读/写控制电路组成。存储距阵由许多个存储单 元排列而成。在给定地址码后，经地址译码，这些被选中的存储单元由读、写控制电路控制，实现对这些单元的读写操作。 静态RAM的存储单元为触发器，工作时不需刷新，但存储容量较小。动态RAM的存 储单元是利用MOS管具有极高的输入电阻，在栅极电容上可暂存电荷的特点来存储信息的，由于栅极电容存在漏电，因此，工作时需要周期性地对存储数据进行刷新 只读存储器ROM用于存放固定不变的数据，存储内容不能随意改写。随时读出数据或 改写存储的数据，并且读/写数据的速度很快，因此，RAM多用于需要经常更换数据的场合，最典型的应用就是计算机中的内存。但RAM在断电后，数据将全部丢失。 电路如图所示：  8-8 PAL有双极型熔丝工艺和E2CMOS两种工艺。前一种不能改写，后一种能改写。它们的 输出电路的结构类型由型号决定，在一些定型产品中仍在使用，一般不再用来开发新产品。GAL，采用E2CMOS工艺，改写方便。GAL器件采用了可编程的输出逻辑宏单元OLMC，通过编程设置成不同的输出方式，可以用同一种型号的GAL器件实现PAL器件所有的各种输出电路工作模式，从而增强了器件的通用性，它是目前应用最广泛的PLD。 Y1=AB+BC+CD+AD Y2= Y3= Y4= 驱动方程：D1= ；D2= 状态方程：Q1N+1= Q2n+1= 状态转换图：  目前适用最多的PLD产品主要有可编程阵列逻辑PAL（Programmabel Array Logic的缩写）、通用阵列逻辑GAL（Generic Array Logic的缩写）和在系统可编程器件ISP-PLD（In-System Programmabel PLD的简称）。PLD的突出特点是：可以通过编程的方法设置其逻辑功能。 （1） PAL （2）GAL （3）ISP 8-13选择题 BD D C C C C A D B A D C A ACD B