第八章 半导体存储器和可编程逻辑器件 8-1．ROM由主要由哪几部分组成？ 8-2．试比较ROM、PROM和EPROM及E2PROM有哪些异同？ 8-3．PROM、EPROM和E2PROM在使用上有哪些优缺点？ 8-4．RAM由主要由哪几部分组成？各有什么作用？ 8-5．静态RAM和动态RAM有哪些区别？ 8-6．RAM和ROM有什么区别，它们各适用于什么场合？ 8-7．试用ROM实现下列组合逻辑函数。 8-8 比较GAL和PAL器件在电路结构形式上有什么不同？ 8-9 试分析由PAL编程的组合逻辑电路如图题8-9所示，写出Y1、Y2、Y3与A、B、C、D的逻辑关系表达式。  图题8-9 8-10试分析由PAL编程的时序逻辑电路电路如图题8-10所示，写出电路的驱动方程、状态方程、输出方程、画出电路的状态转换图。 8-11可编程逻辑器件有哪些种类？有什么共同特点？ 8-12在下列应用场合，选用哪类PLD最为适合。 （1）小批量定型的产品中的中小规模逻辑电路。 （2）产品研制过程中需要不断修改的中小规模逻辑电路。 （3）要求能以遥控方式改变其逻辑功能的逻辑电路。  图题8-10 8-13选择题 1．一个容量为1K×8的存储器有 个存储单元。 A.8 B.8K C.8000 D.8192 2．要构成容量为4K×8的RAM，需要 片容量为256×4的RAM。 A.2 B.4 C.8 D.32 3．寻址容量为16K×8的RAM需要 根地址线。 A.4 B.8 C.14 D.16 E.16K 4．若RAM的地址码有8位，行、列地址译码器的输入端都为4个，则它们的输出线（即字线加位线）共有 条。 A.8 B.16 C.32 D.256 5．某存储器具有8根地址线和8根双向数据线，则该存储器的容量为 。 A.8×3 B.8K×8 C.256×8 D. 256×256 6.采用对称双地址结构寻址的1024×1的存储矩阵有 。 A.10行10列 B.5行5列 C.32行32列 D.1024行1024列 7．随机存取存储器具有 功能。 A.读/写 B.无读/写 C.只读 D.只写 8．欲将容量为128×1的RAM扩展为1024×8，则需要控制各片选端的辅助译码器的输出端数为 。 A.1 B.2 C.3 D.8 9．欲将容量为256×1的RAM扩展为1024×8，则需要控制各片选端的辅助译码器的输入端数为 。 A.4 B.2 C.3 D.8 10．只读存储器ROM在运行时具有 功能。 A.读/无写 B.无读/写 C.读/写 D.无读/无写 11．只读存储器ROM中的内容，当电源断掉后又接通，存储器中的内容 。 A.全部改变 B.全部为0 C.不可预料 D.保持不变 12．随机存取存储器RAM中的内容，当电源断掉后又接通，存储器中的内容 。 A.全部改变 B.全部为1 C.不确定 D.保持不变 13．一个容量为512×1的静态RAM具有 。 A.地址线9根，数据线1根 B.地址线1根，数据线9根 C.地址线512根，数据线9根 D.地址线9根，数据线512根 14．用若干RAM实现位扩展时，其方法是将 相应地并联在一起。 A.地址线 B.数据线 C.片选信号线 D.读/写线 15．PROM的与陈列（地址译码器）是 。 A.全译码可编程阵列 B. 全译码不可编程阵列 C.非全译码可编程阵列 D.非全译码不可编程阵列