2002年《模拟电子技术基础(1)》期末试题〔A〕 一、填空题(15分) 1.由PN结构成的半导体二极管具有的主要特性是 性。 2、双极性晶体三极管工作于放大模式的外部条件是 。 3.从信号的传输途径看,集成运放由 、 、 、 这几个部分组成。 4.某放大器的下限角频率,上限角频率,则带宽为 Hz。 5.共发射极电路中采用恒流源做有源负载是利用其 的特点以获得较高增益。 6.在RC桥式正弦波振荡电路中,当满足相位起振条件时,则其中电压放大电路的放大 倍数要略大于 才能起振。 7.电压比较器工作时,在输入电压从足够低逐渐增大到足够高的过程中,单限比较器的 输出状态发生 次跃变,迟滞比较器的输出状态发生 次跃变。 8.直流稳压电源的主要组成部分是 、 、 、 。 二、单项选择题(15分) 1.当温度升高时,二极管反向饱和电流将 。 [ ] A 增大 B 减小 C 不变 D 等于零 2.场效应管起放大作用时应工作在漏极特性的 。 [ ] A 非饱和区 B 饱和区 C 截止区 D 击穿区 3.直接耦合放大电路存在零点漂移的原因主要是 。 [ ] A 电阻阻值有误差 B 晶体管参数的分散性 C 晶体管参数受温度影响 D 受输入信号变化的影响 4.差动放大电路的主要特点是 。 [ ] A 有效放大差模信号,有力抑制共模信号;B 既放大差模信号,又放大共模信号 C有效放大共模信号,有力抑制差模信号;D 既抑制差模信号,又抑制共模信号。 5.互补输出级采用射极输出方式是为了使 。 [ ] A 电压放大倍数高 B 输出电流小 C 输出电阻增大 D 带负载能力强 6.集成运放电路采用直接耦合方式是因为 。 [ ] A 可获得较高增益 B 可使温漂变小 C 在集成工艺中难于制造大电容 D 可以增大输入电阻 7.放大电路在高频信号作用下放大倍数下降的原因是 。 [ ] A 耦合电容和旁路电容的影响 B 晶体管极间电容和分布电容的影响 C 晶体管的非线性特性 D 放大电路的静态工作点设置不合适 8.当信号频率等于放大电路的和时,放大倍数的数值将下降到中频时的 。 A 0.5倍 B 0.7倍 C 0.9倍 D 1.2倍 [ ] 9.在输入量不变的情况下,若引入反馈后 ,则说明引入的是负反馈。[ ] A输入电阻增大 B输出量增大 C 净输入量增大 D净输入量减小 10.带通滤波器所对应的幅频特性为 。 [ ] A、 B、 C、 D、 三、判断以下电路能否放大交流信号,若不能,请改正其中的错误使其能起放大作用。(12分) (A) (B) (C) 四、请判断下列电路中的反馈的类型,并说明哪些元件起反馈作用。(8分) (A) (B) 五、综合题(50分) (6分)稳压管稳压电路如图所示。已知稳压管稳压值为VZ=6V,稳定电流范围为IZ=5~20mA,额定功率为200mW,限流电阻R=500。试求: 当 当 2、(14分)单级放大电路如图:在输入信号的中频段C1、C2、C3对交流短路, 已知:VCC=12V、R1=150KΩ 、R2=150KΩ、RC=5.1KΩ、Re=2KΩ、RL=10KΩ、β=100、C1=C2=C3=10μF、Cμ=5PF(即Cbc) 、 fT=100MHZ、VBE=0.7V 、 rbb’=200Ω, 试求: (1)放大电路的Q点参数; (2)画出交流小信号等效电路, 求的值; (3)求电路上限频率; (4)若C2断开,将对Q点, 产生何种影响? (10分)OCL功率放大电路如图,其中A为理想运放。 已知,RL=8Ω。 (1)求电路最大输出功率 (2)求电路电压放大倍数 =? (3)简述D1 、D2的作用 (10分)判断如图电路中A1、A2各是什么单元电路,简述整个电路的工作原理,并定性地作出VO1,VO2处的波形。DZ1,DZ2的稳压值均为VZ (注:各运放为理想运放,已加电). 5、(10分)如图所示电路中,开关S可以任意闭合、断开,集成运放是理想的,设T1T2工作在放大区(忽略其直流偏置),RC1=RC2=2KΩ,R1=2KΩ,R3=10KΩ,Rb1=Rb2=2KΩ,Re=5.1KΩ,Rf=10KΩ,β1=β2=100,rbe1=rbe2=1kΩ 试求:⑴ 当S断开时,电路的增益AV=VO/VI=? ⑵ 当S闭合时,电路在深度负反馈条件下的闭环增益AVF=?