2002年《模拟电子技术基础（1）》期末试题〔A〕
一、填空题（15分）
1．由PN结构成的半导体二极管具有的主要特性是 性。
2、双极性晶体三极管工作于放大模式的外部条件是 。
3．从信号的传输途径看，集成运放由 、 、
、 这几个部分组成。
4．某放大器的下限角频率，上限角频率，则带宽为 Hz。
5．共发射极电路中采用恒流源做有源负载是利用其
的特点以获得较高增益。
6．在RC桥式正弦波振荡电路中，当满足相位起振条件时，则其中电压放大电路的放大
倍数要略大于 才能起振。
7．电压比较器工作时，在输入电压从足够低逐渐增大到足够高的过程中，单限比较器的
输出状态发生 次跃变，迟滞比较器的输出状态发生 次跃变。
8．直流稳压电源的主要组成部分是 、 、
、 。
二、单项选择题（15分）
1．当温度升高时，二极管反向饱和电流将 。 [ ]
A 增大 B 减小 C 不变 D 等于零
2．场效应管起放大作用时应工作在漏极特性的 。 [ ]
A 非饱和区 B 饱和区 C 截止区 D 击穿区
3．直接耦合放大电路存在零点漂移的原因主要是 。 [ ]
A 电阻阻值有误差 B 晶体管参数的分散性
C 晶体管参数受温度影响 D 受输入信号变化的影响
4．差动放大电路的主要特点是 。 [ ]
A 有效放大差模信号，有力抑制共模信号；B 既放大差模信号，又放大共模信号
C有效放大共模信号，有力抑制差模信号；D 既抑制差模信号，又抑制共模信号。
5．互补输出级采用射极输出方式是为了使 。 [ ]
A 电压放大倍数高 B 输出电流小
C 输出电阻增大 D 带负载能力强
6．集成运放电路采用直接耦合方式是因为 。 [ ]
A 可获得较高增益 B 可使温漂变小
C 在集成工艺中难于制造大电容 D 可以增大输入电阻
7．放大电路在高频信号作用下放大倍数下降的原因是 。 [ ]
A 耦合电容和旁路电容的影响 B 晶体管极间电容和分布电容的影响
C 晶体管的非线性特性 D 放大电路的静态工作点设置不合适
8．当信号频率等于放大电路的和时，放大倍数的数值将下降到中频时的 。
A 0.5倍 B 0.7倍 C 0.9倍 D 1.2倍 [ ]
9．在输入量不变的情况下，若引入反馈后 ，则说明引入的是负反馈。[ ]
A输入电阻增大 B输出量增大 C 净输入量增大 D净输入量减小
10．带通滤波器所对应的幅频特性为 。 [ ]
A、 B、
C、 D、
三、判断以下电路能否放大交流信号，若不能，请改正其中的错误使其能起放大作用。（12分）
（A） （B）
（C）
四、请判断下列电路中的反馈的类型，并说明哪些元件起反馈作用。（8分）
（A） （B）
五、综合题（50分）
（6分）稳压管稳压电路如图所示。已知稳压管稳压值为VZ=6V，稳定电流范围为IZ=5～20mA，额定功率为200mW，限流电阻R=500。试求：
当
当
2、（14分）单级放大电路如图：在输入信号的中频段C1、C2、C3对交流短路， 已知：VCC=12V、R1=150KΩ 、R2=150KΩ、RC=5.1KΩ、Re=2KΩ、RL=10KΩ、β=100、C1=C2=C3=10μF、Cμ=5PF(即Cbc) 、 fT=100MHZ、VBE=0.7V 、 rbb’=200Ω，
试求：
（1）放大电路的Q点参数；
（2）画出交流小信号等效电路，
求的值；
（3）求电路上限频率；
（4）若C2断开，将对Q点，
产生何种影响？
（10分）OCL功率放大电路如图，其中A为理想运放。
已知，RL=8Ω。
（1）求电路最大输出功率
（2）求电路电压放大倍数 =？
（3）简述D1 、D2的作用
（10分）判断如图电路中A1、A2各是什么单元电路，简述整个电路的工作原理，并定性地作出VO1，VO2处的波形。DZ1，DZ2的稳压值均为VZ （注：各运放为理想运放，已加电）.
5、（10分）如图所示电路中,开关S可以任意闭合、断开，集成运放是理想的，设T1T2工作在放大区(忽略其直流偏置)，RC1=RC2=2KΩ，R1=2KΩ，R3=10KΩ，Rb1=Rb2=2KΩ，Re=5.1KΩ，Rf=10KΩ，β1=β2=100，rbe1=rbe2=1kΩ
试求：⑴ 当S断开时，电路的增益AV=VO/VI=？
⑵ 当S闭合时，电路在深度负反馈条件下的闭环增益AVF=？
