N沟道
P沟道增强型耗尽型
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
（耗尽型）
FET
场效应管
JFET
结型
MOSFET
绝缘栅型
(IGFET)
分类：
4.1 结型场效应管
结构
工作原理
输出特性
转移特性
主要参数
4.1.1 JFET的结构和工作原理
4.1.2 JFET的特性曲线及参数
4.1.1 JFET的结构和工作原理
1,结构源极,用 S或 s表示
N型导电沟道漏极,用
D或 d表示
P型区型区栅极,用 G
或 g表示栅极,用或 表示符号
4.1.1 JFET的结构和工作原理4.1 结型场效应管
1,结构
# 符号中的箭头方向表示什么？
2,工作原理4.1 结型场效应管
① VGS对沟道的控制作用当 VGS＜ 0时
（以 N沟道 JFET为例）
当沟道夹断时，对应的栅源电压 VGS称为 夹断电压 VP （ 或 VGS(off) ）。
对于 N沟道的 JFET,VP <0。
PN结反偏 耗尽层加厚沟道变窄。
VGS继续减小，沟道继续变窄
② DS对沟道的控制作用当 GS=0时,VDS ID?
G,D间 PN结的反向电压增加，使靠近漏极处的耗尽层加宽，沟道变窄，
从上至下呈楔形分布。
当 VDS增加到使 VGD=VP
时，在紧靠漏极处出现预夹断。
此时 VDS? 夹断区延长?
沟道电阻 ID基本不变?
③ GS和 VDS同时作用时当 VP <VGS<0 时,导电沟道更容易夹断,对于同样的 VDS,ID的值比 VGS=0时的值要小。
在预夹断处
VGD=VGS-VDS =VP
综上分析可知
沟道中只有一种类型的多数载流子参与导电，
所以场效应管也称为单极型三极管 。
JFET是电压控制电流器件,iD受 vGS控制
预夹断前 iD与 vDS呈近似线性关系；预夹断后，
iD趋于饱和。
4.1 结型场效应管
# 为什么 JFET的输入电阻比 BJT高得多？
JFET栅极与沟道间的 PN结是反向偏置的，因此 iG?0，输入电阻很高。
4.1 结型场效应管
# JFET有正常放大作用时，沟道处于什么状态？
4.1.2 JFET的特性曲线及参数
c o ns t,DSD GS)( vvfi
2,转移特性
c o ns t,GSD DS)( vvfi
)0()1( GSP2
P
GS
D S SD vVV
vIi
VP
1,输出特性
① 夹断电压 VP (或 VGS(off))：
② 饱和漏极电流 IDSS：
③ 低频跨导 gm：
DS
GS
D
m Vv
ig

时）（当 0
)1(2
GSP
P
P
GS
D S S
m
vV
V
V
vI
g或
4.1 结型场效应管 3,主要参数漏极电流约为零时的 VGS值 。
VGS=0时对应的漏极电流。
低频跨导反映了 vGS对 iD的控制作用。 gm
可以在转移特性曲线上求得，单位是 mS(毫西门子 )。
④ 输出电阻 rd：
GS
D
DS
d Vi
vr

4.1 结型场效应管 3,主要参数
⑤ 直流输入电阻 RGS：
对于结型场效应三极管，反偏时 RGS约大于 107Ω。
⑧ 最大漏极功耗 PDM
⑥ 最大漏源电压 V(BR)DS
⑦ 最大栅源电压 V(BR)GS
{end}