2.1 半导体的基本知识
2.3 半导体二极管
2.4 二极管基本电路及其分析方法
2.5 特殊二极管
2.2 PN结的形成及特性
2.1 半导体的基本知识
2.1.1 半导体材料
2.1.2 半导体的共价键结构
2.1.3 本征半导体
2.1.4 杂质半导体
2.1.1 半导体材料根据物体导电能力 (电阻率 )的不同，来划分导体、绝缘体和半导体。
典型的半导体有 硅 Si和 锗 Ge以及 砷化镓 GaAs等。
2.1.2 半导体的共价键结构硅晶体的空间排列
2.1.2 半导体的共价键结构硅和锗的原子结构简化模型及晶体结构
2.1.3 本征半导体本征半导体 —— 化学成分纯净的半导体 。 它在物理结构上呈单晶体形态 。
空穴 —— 共价键中的空位 。
电子空穴对 —— 由热激发而产生的自由电子和空穴对 。
空穴的移动 —— 空穴的运动是靠相邻共价键中的价电子依次充填空穴来实现的。
2.1.4 杂质半导体在本征半导体中掺入某些微量元素作为杂质，
可使半导体的导电性发生显著变化。掺入的杂质主要是三价或五价元素。掺入杂质的本征半导体称为 杂质半导体 。
N型半导体 —— 掺入五价杂质元素（如磷）
的半导体。
P型半导体 —— 掺入三价杂质元素（如硼）
的半导体。
1,N型半导体因五价杂质原子中只有四个价电子能与周围四个半导体原子中的价电子形成共价键，而多余的一个价电子因无共价键束缚而很容易形成自由电子。
在 N型半导体中 自由 电子是多数载流子,它主要由杂质原子提供 ； 空穴是少数载流子,由热激发形成。
提供自由电子的五价杂质原子因带正电荷而成为 正离子,
因此五价杂质原子也称为 施主杂质 。
2,P型半导体因三价杂质原子在与硅原子形成共价键时，缺少一个价电子而在共价键中留下一个空穴。
在 P型半导体中 空穴是多数载流子,它主要由掺杂形成 ； 自由 电子是少数载流子,由热激发形成。
空穴很容易俘获电子，使杂质原子成为 负离子 。
三价杂质 因而也称为 受主杂质 。
掺入杂 质对本征半导体的导电性有很大的影响，一些典型的数据如下,
T=300 K室温下,本征硅的电子和空穴浓度,
n = p =1.4× 1010/cm3
1
本征硅的原子浓度,4.96× 1022/cm33
以上三个浓度基本上依次相差 106/cm3 。
2 掺杂后 N 型半导体中的自由电子浓度,
n=5× 1016/cm3
3,杂 质对半导体导电性的影响
本征半导体、本征激发本节中的有关概念
end
自由电子空穴
N型半导体、施主杂质 (5价 )
P型半导体、受主杂质 (3价 )
多数载流子、少数载流子
杂质半导体复合
*半导体导电特点 1：其能力容易受温度、光照等环境因素影响温度 ↑→载流子浓度 ↑→导电能力 ↑
*半导体导电特点 2：掺杂可以显著提高导电能力
2.2 PN结的形成及特性
2.2.1 PN结的形成
2.2.2 PN结的单向导电性
2.2.3 PN结的反向击穿
2.2.4 PN结的电容效应
2.2.1 PN结的形成图 2.2.1 PN结的形成
1、浓度差?多子的 扩散 运动
2,扩散?空间电荷区?内电场
3、内电场?少子的 漂移 运动
4、扩散与漂移达到动态平衡在一块本征半导体在两侧通过扩散不同的杂质,分别形成 N型半导体和 P型半导体。此时将在
N型半导体和 P型半导体的结合面上形成如下物理过程,
因浓度差
空间电荷区形成内电场
内电场促使少子漂移
内电场阻止多子扩散最后,多子的 扩散 和少子的 漂移 达到 动态平衡 。
对于 P型半导体和 N型半导体结合面，离子薄层形成的 空间电荷区 称为 PN结 。
在空间电荷区，由于缺少多子，所以也称 耗尽层 。
多子的扩散运动? 由 杂质离子形成空间电荷区
2.2.2 PN结的单向导电性当外加电压使 PN结中 P区的电位高于 N区的电位，称为加 正向电压,简称 正偏 ；反之 称为加 反向电压,简称 反偏 。
(1) PN结加正向电压时
PN结加正向电压时的导电情况
低电阻
大的正向扩散电流
i D / mA
1,0
0,5
– 0,5– 1,0 0,50 1,0? D /V
PN结的伏安特性
i D / mA
1,0
0,5
– 0,5– 1,0 0,50 1,0? D /V
PN结的伏安特性
2.2.2 PN结的单向导电性当外加电压使 PN结中 P区的电位高于 N区的电位，称为加 正向电压,简称 正偏 ；反之 称为加 反向电压,简称 反偏 。
(2) PN结加反向电压时
PN结加反向电压时的导电情况
高电阻
很小的反向漂移电流在一定的温度条件下，由本征激发决定的少子浓度是一定的，故少子形成的漂移电流是恒定的，基本上与所加反向电压的大小无关，
这个电流也称为 反向饱和电流 。
i D = – I S
––
PN结加正向电压时，呈现低电阻，
具有较大的正向扩散电流；
PN结加反向电压时，呈现高电阻，
具有很小的反向漂移电流。
由此可以得出结论,PN结具有单向导电性。
2.2.2 PN结的单向导电性
(3) PN结 V- I 特性表达式其中
i D / mA
1,0
0,5
– 0,5– 1,0 0,50 1,0? D /V
PN结的伏安特性
i D = – I S
0
)1( /SD D TVveIi
IS —— 反向饱和电流
VT —— 温度的电压当量且在常温下（ T=300K）
V026.0 qkTV T
mV 26?
2.2.3 PN结的反向击穿当 PN结的反向电压增加到一定数值时，反向电流突然快速增加，
此现象称为 PN结的 反向击穿。
i
D
O
V
BR
D
热击穿 —— 不可逆雪崩击穿齐纳击穿 电击穿 —— 可逆
2.2.4 PN结的电容效应
(1) 势垒电容 CB
势垒电容示意图扩散电容示意图
(2) 扩散电容 CD
2.3 半导体二极管 实物图片
2.3.1 半导体二极管的结构
2.3.2 二极管的伏安特性
2.3.3 二极管的参数
2.3.1 半导体二极管的结构在 PN结上加上引线和封装，就成为一个二极管。二极管按结构分有 点接触型、面接触型和平面型 三大类。
(1) 点接触型二极管
PN结面积小，结电容小，用于检波和变频等高频电路。
(a)点接触型二极管的结构示意图
(3) 平面型二极管往往用于集成电路制造艺中。 PN 结面积可大可小，
用于高频整流和开关电路中。
(2) 面接触型二极管 PN结面积大，用于工频大电流整流电路。
(b)面接触型
(c)平面型阴极引线阳极引线
P
N
P 型支持衬底
(4) 二极管的代表符号
( d ) 代表符号
k 阴极阳极 a
2.3.2 二极管的伏安特性二极管的伏安特性曲线可用下式表示
)1( /SD D TVveIi
0?
D
/ V0,2 0,4 0,6 0,8? 10? 20? 3 0
4 0
5
10
1 5
20
10
20
3 0
40
i
D
/? A
i
D
/ mA
死区
V
thV
BR
硅二极管 2CP10的 V-I 特性
0
D
/ V0,2 0,4 0,6
2 0? 4 0? 60
5
10
1 5
20
10
20
3 0
40
i
D
/? A
i
D
/ mA
②
①
③
V
th
V
BR
锗二极管 2AP15的 V-I 特性
+
i D
v D
-
R
正向特性反向特性反向击穿特性
2.3.3 二极管的参数
(1) 最大整流电流 IF
(2) 反向击穿电压 VBR和最大反向工作电压 VRM
(3) 反向电流 IR
(4) 正向压降 VF
(5) 极间电容 CB
{end}
半导体二极管图片
{end}
2.4 二极管基本电路及其分析方法
2.4.1 二极管 V- I 特性的建模
2.4.2 应用举例
2.4.1 二极管 V- I 特性的建模
1,理想模型 3,折线模型2,恒压降模型
4,小信号模型二极管工作在正向特性的某一小范围内时，
其正向特性可以等效成一个微变电阻。
D
D
d i
vr
即 )1( /
SD D TVveIi
根据得 Q点处的微变电导
Qdv
dig
D
D
d? Q
Vv
T
Te
V
I /S D?
TV
ID?
d
d
1
gr?
则
DI
VT?
常温下（ T=300K）
)mA(
)mV(26
DD
d II
Vr T
2.4.1 二极管 V- I 特性的建模
2.4.2 应用举例
1,二极管的静态工作情况分析
V 0D?V mA 1/DDD RVI
理想模型
（ R=10k?）（ 1） VDD=10V 时
mA 93.0/)( DDDD RVVI
恒压模型
V 7.0D?V
（硅二极管典型值）
折线模型
V 5.0th?V
（硅二极管典型值）
mA 9 3 1.0
D
thDD
D
rR
VVI
k 2.0Dr设
V 69.0DDthD rIVV
+
D
iD
V DD
+
D
iD
V DD
V D
+
D
iD
V DD
rD
V th
（ 2） VDD=1V 时 （自看）
例 2.4.2 提示
2.4.2 应用举例
2,限幅电路时V 5.3)( )1( R E FthI VVv
时V 5.3)( )2( R E FthI VVv
O
+
V R E F
I
+
R
O
+
V th
V R E F
I
+
R
r D
O
+
D
( a) ( b )
V R EF
I
+
R
O
+
V th
V R EF
I
+
R
r D
O
/V
O
/V
t
t
斜率
斜率 0,17
r
D
r
D
+R
V
R EF
+ V
th
= 3,5 V
I
/ V
( c) ( d )
2.4.2 应用举例
3,开关电路
{end}
D
3k
( a )
V
V
A
O
电路如图所示，求 AO的电压值解,先断开 D，以 O为基准电位，既 O
点为 0V。
则接 D阳极的电位为 -6V，接阴极的电位为 -12V。 阳极电位高于阴极电位,D接入时正向导通。
导通后,D的压降等于零，即 A点的电位就是 D阳极的电位。
所以,AO的电压值为 -6V。
2.5 特殊二极管
2.5.1 稳压二极管（齐纳）
2.5.2 变容二极管
2.5.3 光电子器件
1,光电二极管
2,发光二极管
3,激光二极管
2.5.1 稳压二极管
1,符号及稳压特性
(a)符号
(b) 伏安特性利用二极管反向击穿特性实现稳压。稳压二极管稳压时工作在反向电击穿状态（齐纳击穿）。
(1) 稳定电压 VZ
(2) 动态电阻 rZ
在规定的稳压管反向工作电流 IZ下，所对应的反向工作电压。
rZ =?VZ /?IZ
(3)最大耗散功率 PZM
(4)最大稳定工作电流 IZmax 和最小稳定工作电流 IZmin
(5)稳定电压温度系数 ——?VZ
2,稳压二极管主要参数
2.5.1 稳压二极管
2.5.1 稳压二极管
3,稳压电路
+
R
-
I
R
+
-
R
L
I
O
V
OV I
I
Z
D
Z
正常稳压时 VO =VZ
# 稳压条件是什么？
IZmin ≤ IZ ≤ IZmax
# 不加 R可以吗？
# 上述电路 VI为正弦波，且幅值大于 VZ,VO的波形是怎样的？
{end}
2.3 半导体二极管
2.4 二极管基本电路及其分析方法
2.5 特殊二极管
2.2 PN结的形成及特性
2.1 半导体的基本知识
2.1.1 半导体材料
2.1.2 半导体的共价键结构
2.1.3 本征半导体
2.1.4 杂质半导体
2.1.1 半导体材料根据物体导电能力 (电阻率 )的不同，来划分导体、绝缘体和半导体。
典型的半导体有 硅 Si和 锗 Ge以及 砷化镓 GaAs等。
2.1.2 半导体的共价键结构硅晶体的空间排列
2.1.2 半导体的共价键结构硅和锗的原子结构简化模型及晶体结构
2.1.3 本征半导体本征半导体 —— 化学成分纯净的半导体 。 它在物理结构上呈单晶体形态 。
空穴 —— 共价键中的空位 。
电子空穴对 —— 由热激发而产生的自由电子和空穴对 。
空穴的移动 —— 空穴的运动是靠相邻共价键中的价电子依次充填空穴来实现的。
2.1.4 杂质半导体在本征半导体中掺入某些微量元素作为杂质，
可使半导体的导电性发生显著变化。掺入的杂质主要是三价或五价元素。掺入杂质的本征半导体称为 杂质半导体 。
N型半导体 —— 掺入五价杂质元素（如磷）
的半导体。
P型半导体 —— 掺入三价杂质元素（如硼）
的半导体。
1,N型半导体因五价杂质原子中只有四个价电子能与周围四个半导体原子中的价电子形成共价键，而多余的一个价电子因无共价键束缚而很容易形成自由电子。
在 N型半导体中 自由 电子是多数载流子,它主要由杂质原子提供 ； 空穴是少数载流子,由热激发形成。
提供自由电子的五价杂质原子因带正电荷而成为 正离子,
因此五价杂质原子也称为 施主杂质 。
2,P型半导体因三价杂质原子在与硅原子形成共价键时，缺少一个价电子而在共价键中留下一个空穴。
在 P型半导体中 空穴是多数载流子,它主要由掺杂形成 ； 自由 电子是少数载流子,由热激发形成。
空穴很容易俘获电子，使杂质原子成为 负离子 。
三价杂质 因而也称为 受主杂质 。
掺入杂 质对本征半导体的导电性有很大的影响，一些典型的数据如下,
T=300 K室温下,本征硅的电子和空穴浓度,
n = p =1.4× 1010/cm3
1
本征硅的原子浓度,4.96× 1022/cm33
以上三个浓度基本上依次相差 106/cm3 。
2 掺杂后 N 型半导体中的自由电子浓度,
n=5× 1016/cm3
3,杂 质对半导体导电性的影响
本征半导体、本征激发本节中的有关概念
end
自由电子空穴
N型半导体、施主杂质 (5价 )
P型半导体、受主杂质 (3价 )
多数载流子、少数载流子
杂质半导体复合
*半导体导电特点 1：其能力容易受温度、光照等环境因素影响温度 ↑→载流子浓度 ↑→导电能力 ↑
*半导体导电特点 2：掺杂可以显著提高导电能力
2.2 PN结的形成及特性
2.2.1 PN结的形成
2.2.2 PN结的单向导电性
2.2.3 PN结的反向击穿
2.2.4 PN结的电容效应
2.2.1 PN结的形成图 2.2.1 PN结的形成
1、浓度差?多子的 扩散 运动
2,扩散?空间电荷区?内电场
3、内电场?少子的 漂移 运动
4、扩散与漂移达到动态平衡在一块本征半导体在两侧通过扩散不同的杂质,分别形成 N型半导体和 P型半导体。此时将在
N型半导体和 P型半导体的结合面上形成如下物理过程,
因浓度差
空间电荷区形成内电场
内电场促使少子漂移
内电场阻止多子扩散最后,多子的 扩散 和少子的 漂移 达到 动态平衡 。
对于 P型半导体和 N型半导体结合面，离子薄层形成的 空间电荷区 称为 PN结 。
在空间电荷区，由于缺少多子，所以也称 耗尽层 。
多子的扩散运动? 由 杂质离子形成空间电荷区
2.2.2 PN结的单向导电性当外加电压使 PN结中 P区的电位高于 N区的电位，称为加 正向电压,简称 正偏 ；反之 称为加 反向电压,简称 反偏 。
(1) PN结加正向电压时
PN结加正向电压时的导电情况
低电阻
大的正向扩散电流
i D / mA
1,0
0,5
– 0,5– 1,0 0,50 1,0? D /V
PN结的伏安特性
i D / mA
1,0
0,5
– 0,5– 1,0 0,50 1,0? D /V
PN结的伏安特性
2.2.2 PN结的单向导电性当外加电压使 PN结中 P区的电位高于 N区的电位，称为加 正向电压,简称 正偏 ；反之 称为加 反向电压,简称 反偏 。
(2) PN结加反向电压时
PN结加反向电压时的导电情况
高电阻
很小的反向漂移电流在一定的温度条件下，由本征激发决定的少子浓度是一定的，故少子形成的漂移电流是恒定的，基本上与所加反向电压的大小无关，
这个电流也称为 反向饱和电流 。
i D = – I S
––
PN结加正向电压时，呈现低电阻，
具有较大的正向扩散电流；
PN结加反向电压时，呈现高电阻，
具有很小的反向漂移电流。
由此可以得出结论,PN结具有单向导电性。
2.2.2 PN结的单向导电性
(3) PN结 V- I 特性表达式其中
i D / mA
1,0
0,5
– 0,5– 1,0 0,50 1,0? D /V
PN结的伏安特性
i D = – I S
0
)1( /SD D TVveIi
IS —— 反向饱和电流
VT —— 温度的电压当量且在常温下（ T=300K）
V026.0 qkTV T
mV 26?
2.2.3 PN结的反向击穿当 PN结的反向电压增加到一定数值时，反向电流突然快速增加，
此现象称为 PN结的 反向击穿。
i
D
O
V
BR
D
热击穿 —— 不可逆雪崩击穿齐纳击穿 电击穿 —— 可逆
2.2.4 PN结的电容效应
(1) 势垒电容 CB
势垒电容示意图扩散电容示意图
(2) 扩散电容 CD
2.3 半导体二极管 实物图片
2.3.1 半导体二极管的结构
2.3.2 二极管的伏安特性
2.3.3 二极管的参数
2.3.1 半导体二极管的结构在 PN结上加上引线和封装，就成为一个二极管。二极管按结构分有 点接触型、面接触型和平面型 三大类。
(1) 点接触型二极管
PN结面积小，结电容小，用于检波和变频等高频电路。
(a)点接触型二极管的结构示意图
(3) 平面型二极管往往用于集成电路制造艺中。 PN 结面积可大可小，
用于高频整流和开关电路中。
(2) 面接触型二极管 PN结面积大，用于工频大电流整流电路。
(b)面接触型
(c)平面型阴极引线阳极引线
P
N
P 型支持衬底
(4) 二极管的代表符号
( d ) 代表符号
k 阴极阳极 a
2.3.2 二极管的伏安特性二极管的伏安特性曲线可用下式表示
)1( /SD D TVveIi
0?
D
/ V0,2 0,4 0,6 0,8? 10? 20? 3 0
4 0
5
10
1 5
20
10
20
3 0
40
i
D
/? A
i
D
/ mA
死区
V
thV
BR
硅二极管 2CP10的 V-I 特性
0
D
/ V0,2 0,4 0,6
2 0? 4 0? 60
5
10
1 5
20
10
20
3 0
40
i
D
/? A
i
D
/ mA
②
①
③
V
th
V
BR
锗二极管 2AP15的 V-I 特性
+
i D
v D
-
R
正向特性反向特性反向击穿特性
2.3.3 二极管的参数
(1) 最大整流电流 IF
(2) 反向击穿电压 VBR和最大反向工作电压 VRM
(3) 反向电流 IR
(4) 正向压降 VF
(5) 极间电容 CB
{end}
半导体二极管图片
{end}
2.4 二极管基本电路及其分析方法
2.4.1 二极管 V- I 特性的建模
2.4.2 应用举例
2.4.1 二极管 V- I 特性的建模
1,理想模型 3,折线模型2,恒压降模型
4,小信号模型二极管工作在正向特性的某一小范围内时，
其正向特性可以等效成一个微变电阻。
D
D
d i
vr
即 )1( /
SD D TVveIi
根据得 Q点处的微变电导
Qdv
dig
D
D
d? Q
Vv
T
Te
V
I /S D?
TV
ID?
d
d
1
gr?
则
DI
VT?
常温下（ T=300K）
)mA(
)mV(26
DD
d II
Vr T
2.4.1 二极管 V- I 特性的建模
2.4.2 应用举例
1,二极管的静态工作情况分析
V 0D?V mA 1/DDD RVI
理想模型
（ R=10k?）（ 1） VDD=10V 时
mA 93.0/)( DDDD RVVI
恒压模型
V 7.0D?V
（硅二极管典型值）
折线模型
V 5.0th?V
（硅二极管典型值）
mA 9 3 1.0
D
thDD
D
rR
VVI
k 2.0Dr设
V 69.0DDthD rIVV
+
D
iD
V DD
+
D
iD
V DD
V D
+
D
iD
V DD
rD
V th
（ 2） VDD=1V 时 （自看）
例 2.4.2 提示
2.4.2 应用举例
2,限幅电路时V 5.3)( )1( R E FthI VVv
时V 5.3)( )2( R E FthI VVv
O
+
V R E F
I
+
R
O
+
V th
V R E F
I
+
R
r D
O
+
D
( a) ( b )
V R EF
I
+
R
O
+
V th
V R EF
I
+
R
r D
O
/V
O
/V
t
t
斜率
斜率 0,17
r
D
r
D
+R
V
R EF
+ V
th
= 3,5 V
I
/ V
( c) ( d )
2.4.2 应用举例
3,开关电路
{end}
D
3k
( a )
V
V
A
O
电路如图所示，求 AO的电压值解,先断开 D，以 O为基准电位，既 O
点为 0V。
则接 D阳极的电位为 -6V，接阴极的电位为 -12V。 阳极电位高于阴极电位,D接入时正向导通。
导通后,D的压降等于零，即 A点的电位就是 D阳极的电位。
所以,AO的电压值为 -6V。
2.5 特殊二极管
2.5.1 稳压二极管（齐纳）
2.5.2 变容二极管
2.5.3 光电子器件
1,光电二极管
2,发光二极管
3,激光二极管
2.5.1 稳压二极管
1,符号及稳压特性
(a)符号
(b) 伏安特性利用二极管反向击穿特性实现稳压。稳压二极管稳压时工作在反向电击穿状态（齐纳击穿）。
(1) 稳定电压 VZ
(2) 动态电阻 rZ
在规定的稳压管反向工作电流 IZ下，所对应的反向工作电压。
rZ =?VZ /?IZ
(3)最大耗散功率 PZM
(4)最大稳定工作电流 IZmax 和最小稳定工作电流 IZmin
(5)稳定电压温度系数 ——?VZ
2,稳压二极管主要参数
2.5.1 稳压二极管
2.5.1 稳压二极管
3,稳压电路
+
R
-
I
R
+
-
R
L
I
O
V
OV I
I
Z
D
Z
正常稳压时 VO =VZ
# 稳压条件是什么？
IZmin ≤ IZ ≤ IZmax
# 不加 R可以吗？
# 上述电路 VI为正弦波，且幅值大于 VZ,VO的波形是怎样的？
{end}
