第二章 半导体二极管及其基本电路
半导体基本知识
PN结的形成及特性
半导体二极管
二极管基本电路及其分析方法
特殊二极管
2.1 半导体基础知识导体：容易导电的物体。如：铁、铜等绝缘体：几乎不导电的物体。如：橡胶等
2.1.1 半导体材料半导体：导电性能介于导体和半导体之间的物体。
半导体的特点：
1) 在外界能源的作用下，导电性能显著变化。
2) 在纯净半导体内掺入杂质，导电性能显著增加。
如,光敏元件、热敏元件。
如,二极管、三极管。
电子技术中用的最多的是 硅 和 锗硅,原子序数为 14;
锗,原子序数为 32; 外围电子 (价电子 )数为 4.
简化原子结构模型,
锗硅电子
2.1.2 半导体的结构晶体结构,
+4 +4
+4 +4
自由电子空穴 束缚电子共价键
+4 +4
+4 +4
自由电子空穴 束缚电子共价键在一定的能量（如温度、磁场等）激发下，会使一些价电子获得足够的能量挣脱束缚成为 自由电子,在共价键中就留下了一个空位 — 空穴。
在外加能量的激发下，邻近电子填补到 该空位，出现电荷迁移。
本征半导体,几乎不含任何杂质的半导体。
2.1.3 本征半导体掺杂的目的：提高半导体的导电性；
分类,电子半导体（ N型）和空穴半导体（ P型）
1,N型半导体晶体中掺入少量 5价元素，
如磷、锑等
+4 +5
+4 +4
自由电子多余的电子很容易挣脱原子核的束缚，成为自由电子。
2.1.4 杂质半导体
N型半导体可简化为下图：
磷原子核自由电子另外，硅晶体会产生少量的电子空穴对。
所以 N型半导体中的导电离子有两种：
自由电子空穴 —— 少数载流子
—— 多数载流子（由两部分组成）
2,P型半导体在 4价元素晶体中掺入少量 3价元素，如硼、铟等，
+4 +3
+4 +4
空穴主要载流子：空穴。
在 P型半导体中，杂质原子由于获得一个电子而成为一个带单位负电荷的负离子。而硅原子的共价键由于失去一个电子而形成空穴。所以 P型半导体可简化为下图：
P型半导体中的导电离子有两种：
硼原子核空穴自由电子空穴
—— 少数载流子
—— 多数载流子（由两部分组成）
P型和 N型半导体中，正负电荷数相等，呈电中性。
P型材料与一块 N型材料相结合，在两料材料的交界处将形成 PN结。
1,PN结的形成：
P区 N区空间电荷区（耗尽层） —— PN结内电场
2.2 PN结的形成及特性空间电荷区的作用：
（ 1）阻挡多数载流子扩散
（ 2）促进少数载流子漂移。
扩散和漂移运动达到平衡后：扩散电流与漂移电流相等,PN结总电流为 0。空间电荷区的宽度也达到稳定。
2,PN结的特性
1,外加正向电压
P区接电源 VF正极,N区接电源 VF负极,--PN结正偏内电场
P 区N 区
RV
I
F
F
VF较小时,PN结的电阻仍很大（ OA段 ）；
VF增大时,空间电场减小,越过耗尽层的多子增加，形成扩散电流
（ AB段 ）；
VF继续增大时,空间电场消失,形成扩散电流 IF 变化显著（ BC段 ）,
2,外加反向电压
P区接电源 VF负极,N区接电源 VF正极,--PN结反偏内电场
P 区N 区
RV
I
R
R
耗尽层变宽，扩散电流几乎为 0；
IR称为反向饱和电流。
少数载流子数目一定,VR增加,IR不会增加。
3,伏安特性
PN结的两端加上正向或反向电压 V后，通过 PN
结的电流 I 随 V变化的情况。
V
I
F
F
O
A
B
C
从图中看出：
PN结加正向电压时：
加反向电压时，
有较大的正向电流；
反向电流很小。
PN结的单向导电性。
根据理论分析,PN结两端的电压 V与流过 PN结的电流 I之间的关系为：
)(eII TV
V
S 1其中：
IS为 PN结的反向饱和电流；
VT称 为温度电压当量，在温度为 300K(27° C)
时,VT约为 26mV；
所以上式常写为,
)1( 26 mV
V
S eII
4,PN结方程
PN结正偏时，如果 V> VT 几倍以上，
上式可改写为：
即 I随 V按指数规律变化。
mV
V
S eII
26?
PN结反偏时，如果 V > VT几倍以上，
上式可改写为：
其中负号表示为反向 。
SII
5,PN结的击穿特性如图所示，当加在 PN结上的反向电压增加到一定数值时，反向电流突然急剧增大，
PN结产生 电击穿 — 这就是 PN结的击穿特性。
发生击穿时的反偏电压称为 PN结的反向击穿电压 VBR。
PN结被击穿后,PN结上的压降高，电流大，功率大。当 PN结上的功耗使 PN结发热，
并超过它的耗散功率时,PN结将发生 热击穿 。
这时 PN结的电流和温度之间出现恶性循环，
最终将导致 PN结烧毁。
PN结的电击穿是可逆击穿，及时把偏压调低,PN结即恢复原来特性。电击穿特点可加以利用（如稳压管）。
热击穿就是烧毁，是不可逆击穿。使用时尽量避免。
6,PN结的电容效应势垒电容、扩散电容
(1) 势垒电容势垒电容是由 耗尽 层引起的。
PN结在反偏时主要考虑 势垒电容。
(2) 扩散 电容
PN结正偏时,P区和 N区的多子大量地向对方扩散，分别成为对方的少数载流子，并在两区交界出形成浓度梯度，如图所示：
PN结在正偏时主要考虑扩散 电容。
2.3.1 二极管的结构按制造材料：硅管和锗管；
按作用：整流二极管、稳压二极管,发光二极管、
光敏二极管等。
PN结引出电极就成为二极管,
按制造工艺：点接触、面接触、平面型 ;
分类,
+
符号,
2.3 半导体二极管
V
I
D
D
O
A
B
C
VBR
I
S
D
E
2.3.2 二极管的伏安特性
OA段：正向电流很小，称为死区。
与 PN结伏安特性相同
1、正向特性,(OC段 )
硅管死区电压 (又称为门坎电压 )约为 0.5V，
锗管为 0.1V。
2、反向特性,(OD段 )
3、反向击穿特性,(DE段 )
2.3.3 二极管参数
(1)最大整流电流 IF：二极管长期使用时允许通过的最大正向平均电流。
(2)最大反向工作电压 VBR：反向击穿电压。 手册上给出的一般为二极管反向击穿电压的一半。
(3)反向电流 IR：指二极管未击穿时的反向电流值。此值与温度有关，越小越好。
(4)级间电容,与工作信号频率有关,频率越高,
级间电容的影响越大,
(5)最高工作频率 fM
1、理想模型,
2、恒压降模型,
认为导通后,硅二极管压降恒定为 0.5~0.7V
锗二极管压降恒定为 0.2~0.3V
1234
AB
CD4321
T i t l e
N u m b e rR e v i s i o nS i z e
B
D a t e,2 7 - F e b - 2 0 0 1S h e e t o f F i l e,E,\ 模 模 模 模 \ c i r c u i t \ 模 模 模,D d bD r a w n B y,
+ VD -
iD
1234
AB
CD4321
T i t l e
u m b e re v i s i o ni z e
D a t e,2 7 - F e b - 2 0 0 1S h e e t o f
F i l e,E,\ 模 模 模 模 \ c i r c u i t \ 模 模 模,D d bD r a w n B y,
+ VD -
iD
V
IF
F
O
A
B
C
V
IF
F
O
A
B
C
2.4 二极管电路及分析方法
2.4.1 二极管模型
V
IF
F
O
A
B
C
3、折线模型,
1234ABCD4321
T i t l e
N u m b e rR e v i s i o nS i z e
B
D a t e,2 8 - F e b - 2 0 0 1S h e e t o f F i l e,E,\ 模 模 模 模 \ c i r c u i t \ 模 模 模,D d bD r a w n B y,
+ VD -
iD rD
设电池电压为门坎电压 0.5V; iD=1mA 时,VD =0.7V
则,
2 0 01 5.07.0 mA VVr D
4、小信号模型,小范围工作时,将二极管的
V-A特性看成一条直线,
V
IF
F
O
A
B
C
DDD ivr
)1( TD vvsD eIi
二极管的 V-A 特性表达式,
D
vv
s
D
D
d dv
eId
dv
dig TD )]1([ TD vv
T
S e
v
I?
T
D
v
I
)(
)(261
mAI
mV
I
v
gr DD
T
D
D
1、二极管的静态工作情况分析,
1234A
B
C
D
4321T i t l e
N u m b e rR e v i s i o nS i z e
B
D a t e,2 8 - F e b - 2 0 0 1S h e e t o f
F i l e,E,\ 模 模 模 模 \ c i r c u i t \ 模 模 模,D d bD r a w n B y,
D
R
VDD
解：（ 1） VDD=10V,
例,设简单二极管基本电路如右图所示 R=10k?,.对于下列两种情况,求电路的 ID和 VD的值,(1)VDD=10V;(2) VDD=1V。
在每种情况下，应用理想模型、恒压降模型和折线模型求解。
1234
A
B
C
D
4321
T i t l e
N u m b e rR e v i s i o nS i z e
B
D a t e,2 8 - F e b - 2 0 0 1S h e e t o f
F i l e,E,\ 模电教案 \ c i r c u i t \ 二极管,D d bD r a w n B y,
R
D
VDD
ID
+
VD
-
a,理想模型：
VD=0V,ID= VDD/R =1mA
b,恒压降模型：
VD=0.7V，
R
VVI DDD
D
mA93.0
k10
7.010
分析方法一般有两种：图解法和模型法。
模型法：
2.4.2 模型分析法应用举例
c,折线模型：
d
thDD
D rR
VVI
mA931.0
k2.0k10
5.010?
DDthD RIVV V69.02.0931.05.0
（ 2） VDD=1V,
a,理想模型：
VD=0V,ID= VDD/R =0.1mA
b,恒压降模型：
VD=0.7V，
R
VVI DDD
D
mA03.0
k10
7.01
c,折线模型：
d
thDD
D rR
VVI
mA049.0
k2.0k10
5.01?
DDthD RIVV V51.02.0049.05.0
当电源电压大较时可用恒压降模型，电源电压较小时可用折线模型，二极管上信号在某个值附近小范围变化时，可以用小信号模型。
图解法：
A部分的电压与电流关系：
B部分的电压与电流关系就是二极管的伏安特性。
RIVV DDDD
1234
A
B
C
D
4321
T i t l e
N u m b e rR e v i s i o nS i z e
B
D a t e,2 8 - F e b - 2 0 0 1S h e e t o f
F i l e,E,\ 模电教案 \ c i r c u i t \ 二极管,D d bD r a w n B y,
R
D
VDD
ID
A B
+
VD
-
V
I
F
F
O
A
B
C
I
V
VDD
。
。VDD
R
两条曲线的交点即为回路电流和二极管上的电压。
例：
2,利用伏安特性稳压区构成稳压电路
V
I
0.7
1.4V
0
3,利用伏安特性的非线性构成限幅电路
|Vi |<0.7V时：
例如：
D1,D2截止 Vo=Vi
D1,D2中有一个导通 |Vo|=0.7V|Vi |>0.7V时：
4,利用单向导电性构成开关电路分析方法：将二极管观察阳极电压是否高于阴极电压。
VCC（ 5V）
Va,Vb有一个是低电平：
Vo为低电平
Va,Vb为高电平（ 5V）：
Vo为高电平所以 VO=Va?Vb
5,判定电路中二极管是导通还是截止
1 2 3 4A
B
C
D
4321
D
C
B
A
T i t l e
N u m b e r R e vi s i o nS i z e
B
D a t e,1 9- J u n- 2 00 0 S he e t o f
F i l e,E,\ 教案 \ 2 00 3 模电 \ c i r c u i t \ 第二章,d db D r a w n B y,
D
R5V
10V
A B
1 2 3 4
A
B
C
D
4321
D
C
B
A
T i t l e
N u m b e r R e v i s i o nS i z e
B
D a t e,1 9 - J u n - 2 0 0 0 S h e e t o f
F i l e,E,\ 教案 \ 2 0 0 3 模电 \ c i r c u i t \ 第二章,d d b D r a w n B y,
D2
R5V
10V
A2
B
D1
A1
2.5 特殊二极管
2.5.1 齐纳二极管 (稳压管 )
工作原理,二极管反向击穿时,电流变化很大,电压基本不变,
符号,
稳压管应用电路稳压管正常工作的条件：
a,必须工作在反向击穿状态（利用其正向特性除外）；
b,流过管子的电流必须介于稳定电流和最大电流之间。
VO IZ
RL或 Vi变化时,电路能自动调整 IZ的大小,
从而使输出电压达到稳定,
IR
VO
可见,
2.5.2 变容 二极管
2.5.3 光电二极管和发光二极管
HW,P97 3.4.3,3.4.5,3.4.10,3.5.1
半导体基本知识
PN结的形成及特性
半导体二极管
二极管基本电路及其分析方法
特殊二极管
2.1 半导体基础知识导体：容易导电的物体。如：铁、铜等绝缘体：几乎不导电的物体。如：橡胶等
2.1.1 半导体材料半导体：导电性能介于导体和半导体之间的物体。
半导体的特点：
1) 在外界能源的作用下，导电性能显著变化。
2) 在纯净半导体内掺入杂质，导电性能显著增加。
如,光敏元件、热敏元件。
如,二极管、三极管。
电子技术中用的最多的是 硅 和 锗硅,原子序数为 14;
锗,原子序数为 32; 外围电子 (价电子 )数为 4.
简化原子结构模型,
锗硅电子
2.1.2 半导体的结构晶体结构,
+4 +4
+4 +4
自由电子空穴 束缚电子共价键
+4 +4
+4 +4
自由电子空穴 束缚电子共价键在一定的能量（如温度、磁场等）激发下，会使一些价电子获得足够的能量挣脱束缚成为 自由电子,在共价键中就留下了一个空位 — 空穴。
在外加能量的激发下，邻近电子填补到 该空位，出现电荷迁移。
本征半导体,几乎不含任何杂质的半导体。
2.1.3 本征半导体掺杂的目的：提高半导体的导电性；
分类,电子半导体（ N型）和空穴半导体（ P型）
1,N型半导体晶体中掺入少量 5价元素，
如磷、锑等
+4 +5
+4 +4
自由电子多余的电子很容易挣脱原子核的束缚，成为自由电子。
2.1.4 杂质半导体
N型半导体可简化为下图：
磷原子核自由电子另外，硅晶体会产生少量的电子空穴对。
所以 N型半导体中的导电离子有两种：
自由电子空穴 —— 少数载流子
—— 多数载流子（由两部分组成）
2,P型半导体在 4价元素晶体中掺入少量 3价元素，如硼、铟等，
+4 +3
+4 +4
空穴主要载流子：空穴。
在 P型半导体中，杂质原子由于获得一个电子而成为一个带单位负电荷的负离子。而硅原子的共价键由于失去一个电子而形成空穴。所以 P型半导体可简化为下图：
P型半导体中的导电离子有两种：
硼原子核空穴自由电子空穴
—— 少数载流子
—— 多数载流子（由两部分组成）
P型和 N型半导体中，正负电荷数相等，呈电中性。
P型材料与一块 N型材料相结合，在两料材料的交界处将形成 PN结。
1,PN结的形成：
P区 N区空间电荷区（耗尽层） —— PN结内电场
2.2 PN结的形成及特性空间电荷区的作用：
（ 1）阻挡多数载流子扩散
（ 2）促进少数载流子漂移。
扩散和漂移运动达到平衡后：扩散电流与漂移电流相等,PN结总电流为 0。空间电荷区的宽度也达到稳定。
2,PN结的特性
1,外加正向电压
P区接电源 VF正极,N区接电源 VF负极,--PN结正偏内电场
P 区N 区
RV
I
F
F
VF较小时,PN结的电阻仍很大（ OA段 ）；
VF增大时,空间电场减小,越过耗尽层的多子增加，形成扩散电流
（ AB段 ）；
VF继续增大时,空间电场消失,形成扩散电流 IF 变化显著（ BC段 ）,
2,外加反向电压
P区接电源 VF负极,N区接电源 VF正极,--PN结反偏内电场
P 区N 区
RV
I
R
R
耗尽层变宽，扩散电流几乎为 0；
IR称为反向饱和电流。
少数载流子数目一定,VR增加,IR不会增加。
3,伏安特性
PN结的两端加上正向或反向电压 V后，通过 PN
结的电流 I 随 V变化的情况。
V
I
F
F
O
A
B
C
从图中看出：
PN结加正向电压时：
加反向电压时，
有较大的正向电流；
反向电流很小。
PN结的单向导电性。
根据理论分析,PN结两端的电压 V与流过 PN结的电流 I之间的关系为：
)(eII TV
V
S 1其中：
IS为 PN结的反向饱和电流；
VT称 为温度电压当量，在温度为 300K(27° C)
时,VT约为 26mV；
所以上式常写为,
)1( 26 mV
V
S eII
4,PN结方程
PN结正偏时，如果 V> VT 几倍以上，
上式可改写为：
即 I随 V按指数规律变化。
mV
V
S eII
26?
PN结反偏时，如果 V > VT几倍以上，
上式可改写为：
其中负号表示为反向 。
SII
5,PN结的击穿特性如图所示，当加在 PN结上的反向电压增加到一定数值时，反向电流突然急剧增大，
PN结产生 电击穿 — 这就是 PN结的击穿特性。
发生击穿时的反偏电压称为 PN结的反向击穿电压 VBR。
PN结被击穿后,PN结上的压降高，电流大，功率大。当 PN结上的功耗使 PN结发热，
并超过它的耗散功率时,PN结将发生 热击穿 。
这时 PN结的电流和温度之间出现恶性循环，
最终将导致 PN结烧毁。
PN结的电击穿是可逆击穿，及时把偏压调低,PN结即恢复原来特性。电击穿特点可加以利用（如稳压管）。
热击穿就是烧毁，是不可逆击穿。使用时尽量避免。
6,PN结的电容效应势垒电容、扩散电容
(1) 势垒电容势垒电容是由 耗尽 层引起的。
PN结在反偏时主要考虑 势垒电容。
(2) 扩散 电容
PN结正偏时,P区和 N区的多子大量地向对方扩散，分别成为对方的少数载流子，并在两区交界出形成浓度梯度，如图所示：
PN结在正偏时主要考虑扩散 电容。
2.3.1 二极管的结构按制造材料：硅管和锗管；
按作用：整流二极管、稳压二极管,发光二极管、
光敏二极管等。
PN结引出电极就成为二极管,
按制造工艺：点接触、面接触、平面型 ;
分类,
+
符号,
2.3 半导体二极管
V
I
D
D
O
A
B
C
VBR
I
S
D
E
2.3.2 二极管的伏安特性
OA段：正向电流很小，称为死区。
与 PN结伏安特性相同
1、正向特性,(OC段 )
硅管死区电压 (又称为门坎电压 )约为 0.5V，
锗管为 0.1V。
2、反向特性,(OD段 )
3、反向击穿特性,(DE段 )
2.3.3 二极管参数
(1)最大整流电流 IF：二极管长期使用时允许通过的最大正向平均电流。
(2)最大反向工作电压 VBR：反向击穿电压。 手册上给出的一般为二极管反向击穿电压的一半。
(3)反向电流 IR：指二极管未击穿时的反向电流值。此值与温度有关，越小越好。
(4)级间电容,与工作信号频率有关,频率越高,
级间电容的影响越大,
(5)最高工作频率 fM
1、理想模型,
2、恒压降模型,
认为导通后,硅二极管压降恒定为 0.5~0.7V
锗二极管压降恒定为 0.2~0.3V
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AB
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B
D a t e,2 7 - F e b - 2 0 0 1S h e e t o f F i l e,E,\ 模 模 模 模 \ c i r c u i t \ 模 模 模,D d bD r a w n B y,
+ VD -
iD
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D a t e,2 7 - F e b - 2 0 0 1S h e e t o f
F i l e,E,\ 模 模 模 模 \ c i r c u i t \ 模 模 模,D d bD r a w n B y,
+ VD -
iD
V
IF
F
O
A
B
C
V
IF
F
O
A
B
C
2.4 二极管电路及分析方法
2.4.1 二极管模型
V
IF
F
O
A
B
C
3、折线模型,
1234ABCD4321
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N u m b e rR e v i s i o nS i z e
B
D a t e,2 8 - F e b - 2 0 0 1S h e e t o f F i l e,E,\ 模 模 模 模 \ c i r c u i t \ 模 模 模,D d bD r a w n B y,
+ VD -
iD rD
设电池电压为门坎电压 0.5V; iD=1mA 时,VD =0.7V
则,
2 0 01 5.07.0 mA VVr D
4、小信号模型,小范围工作时,将二极管的
V-A特性看成一条直线,
V
IF
F
O
A
B
C
DDD ivr
)1( TD vvsD eIi
二极管的 V-A 特性表达式,
D
vv
s
D
D
d dv
eId
dv
dig TD )]1([ TD vv
T
S e
v
I?
T
D
v
I
)(
)(261
mAI
mV
I
v
gr DD
T
D
D
1、二极管的静态工作情况分析,
1234A
B
C
D
4321T i t l e
N u m b e rR e v i s i o nS i z e
B
D a t e,2 8 - F e b - 2 0 0 1S h e e t o f
F i l e,E,\ 模 模 模 模 \ c i r c u i t \ 模 模 模,D d bD r a w n B y,
D
R
VDD
解：（ 1） VDD=10V,
例,设简单二极管基本电路如右图所示 R=10k?,.对于下列两种情况,求电路的 ID和 VD的值,(1)VDD=10V;(2) VDD=1V。
在每种情况下，应用理想模型、恒压降模型和折线模型求解。
1234
A
B
C
D
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N u m b e rR e v i s i o nS i z e
B
D a t e,2 8 - F e b - 2 0 0 1S h e e t o f
F i l e,E,\ 模电教案 \ c i r c u i t \ 二极管,D d bD r a w n B y,
R
D
VDD
ID
+
VD
-
a,理想模型：
VD=0V,ID= VDD/R =1mA
b,恒压降模型：
VD=0.7V，
R
VVI DDD
D
mA93.0
k10
7.010
分析方法一般有两种：图解法和模型法。
模型法：
2.4.2 模型分析法应用举例
c,折线模型：
d
thDD
D rR
VVI
mA931.0
k2.0k10
5.010?
DDthD RIVV V69.02.0931.05.0
（ 2） VDD=1V,
a,理想模型：
VD=0V,ID= VDD/R =0.1mA
b,恒压降模型：
VD=0.7V，
R
VVI DDD
D
mA03.0
k10
7.01
c,折线模型：
d
thDD
D rR
VVI
mA049.0
k2.0k10
5.01?
DDthD RIVV V51.02.0049.05.0
当电源电压大较时可用恒压降模型，电源电压较小时可用折线模型，二极管上信号在某个值附近小范围变化时，可以用小信号模型。
图解法：
A部分的电压与电流关系：
B部分的电压与电流关系就是二极管的伏安特性。
RIVV DDDD
1234
A
B
C
D
4321
T i t l e
N u m b e rR e v i s i o nS i z e
B
D a t e,2 8 - F e b - 2 0 0 1S h e e t o f
F i l e,E,\ 模电教案 \ c i r c u i t \ 二极管,D d bD r a w n B y,
R
D
VDD
ID
A B
+
VD
-
V
I
F
F
O
A
B
C
I
V
VDD
。
。VDD
R
两条曲线的交点即为回路电流和二极管上的电压。
例：
2,利用伏安特性稳压区构成稳压电路
V
I
0.7
1.4V
0
3,利用伏安特性的非线性构成限幅电路
|Vi |<0.7V时：
例如：
D1,D2截止 Vo=Vi
D1,D2中有一个导通 |Vo|=0.7V|Vi |>0.7V时：
4,利用单向导电性构成开关电路分析方法：将二极管观察阳极电压是否高于阴极电压。
VCC（ 5V）
Va,Vb有一个是低电平：
Vo为低电平
Va,Vb为高电平（ 5V）：
Vo为高电平所以 VO=Va?Vb
5,判定电路中二极管是导通还是截止
1 2 3 4A
B
C
D
4321
D
C
B
A
T i t l e
N u m b e r R e vi s i o nS i z e
B
D a t e,1 9- J u n- 2 00 0 S he e t o f
F i l e,E,\ 教案 \ 2 00 3 模电 \ c i r c u i t \ 第二章,d db D r a w n B y,
D
R5V
10V
A B
1 2 3 4
A
B
C
D
4321
D
C
B
A
T i t l e
N u m b e r R e v i s i o nS i z e
B
D a t e,1 9 - J u n - 2 0 0 0 S h e e t o f
F i l e,E,\ 教案 \ 2 0 0 3 模电 \ c i r c u i t \ 第二章,d d b D r a w n B y,
D2
R5V
10V
A2
B
D1
A1
2.5 特殊二极管
2.5.1 齐纳二极管 (稳压管 )
工作原理,二极管反向击穿时,电流变化很大,电压基本不变,
符号,
稳压管应用电路稳压管正常工作的条件：
a,必须工作在反向击穿状态（利用其正向特性除外）；
b,流过管子的电流必须介于稳定电流和最大电流之间。
VO IZ
RL或 Vi变化时,电路能自动调整 IZ的大小,
从而使输出电压达到稳定,
IR
VO
可见,
2.5.2 变容 二极管
2.5.3 光电二极管和发光二极管
HW,P97 3.4.3,3.4.5,3.4.10,3.5.1
