2.4 高频集成放大器高频集成放大器有两类：
1、非选频的高频集成放大器，它用于某些不需有选频功能的设备中，如某些发射机和仪器设备中，通常以电阻或宽带高频变压器作负载。
2、集成选频放大器，用于需要有选频功能的场合，比如，接收机的中放就是它的典型应用。
集成选频放大器通常都采用前面讨论的集中滤波器作为选频电路，比如采用晶体滤波器、陶瓷滤波器或声表面波滤波器。
2.4
与高频调谐放大器比较，它的主要优点是：
（ 1）采用集中放大与集中滤波，使高频放大器的两个主要功能分别由集成放大器与集中滤波器担任，这就使线路简单、性能稳定可靠，调整方便。
（ 2）采用专门的选频滤波器，比调谐放大器有更好的频率特性，比如得到更小的矩形系数。还可以满足特殊频率特性的要求，如得到相对带宽为千分之几的窄带电路（晶体滤波器）和相对带宽大于百分之五十的宽带电路（声表面滤波器），或者有特殊选频要求的滤波器（如电视中频滤波器）。
（ 3）高频集成电路和集中选频滤波都是由专门单位设计生产的，对于线路和设备设计人员主要是选用和正确使用它。这就大大简化了放大器的设计和调整，从而缩短了线路和设备的设计和制作的周期。
2.4
图 2.4.1是集中选频放大器的组成示意图。图
2.4.1（ a）中，集中选频滤波器接于宽带集成放大器的后面，这是一种常用的接法。这种接法要注意的问题是，需要使集成放大器与集中滤波器之间实现阻抗匹配。
图 2.4.1(b)是另一种接法。集中滤波器放在宽带集成放大器的前面。
图 2.4.2是国产 FZ1集成放大电路，是属于利用负反馈展宽频带的放大器。它是两个晶体管组成的直接耦合放大器，电路中具有两级电流并联负反馈。从 T2的发射极 电阻 Re2上取 图 2.4.2 集成宽频带放大器 FZI内部电路和 典型外接电路得反馈信号经 Rf 反馈到输入端，而电容 Ce和
（ Re1+Re2）并联，是为了使高频工作时反馈最小，以改善高频特性。另外，改变外接元件还可以调节放大器的其他性能。例如，在引线 8和 6之间接入电阻与 Rf
并联，可以增强反馈；在 8和 9之间串入不同阻值的电阻可以减小反馈；在 2和 3或 3和 4之间连接电阻，可以改变放大器的电压增益。
2.4
图 2.4.3是国产 ER4803是共射 — 共基集成宽频带放大器。该电路是由 T1,T3（或 T4）与 T2,T6（或 T5）组成共射 — 共基放大器，输出电压的特性由外电路控制。若外电路使 Ib2=0，而 Ib1≠0 时,D2和 T4,T5截止。这时信号经 T1,T3与 T2,T6组成的共射 — 共基差分对放大后输出。若外电路使 Ib1=0，而 Ib2≠0 时,D1和 T3,T6截止。
这时信号经 T1,T4与 T2,T5组成的共射 — 共基差分对放大后输出。输出电压极性与上相反。 Ce是 MOS电容，用来补偿高频特性以展宽频带。这种集成电路常用于
350MHz以上的宽带示波器中实现高、中、视频放大。
2.4
图 2.4.4是集成宽带放大器 F733的内部电路，图中,T1,T2组成电流串联负反馈差分放大器,T3～ T6
组成电压并联负反馈差分放大器（ T5和 T6兼做输出级）,T7～ T11为恒流源电路。改变第一级差放的负反馈电阻，可以调节整个电路的电压增益。将引出端 9和 4短接，增益可达 400倍；将引出端 10和 3短接，
增益可达 100倍。各引出端均不短接，增益为 10倍。
以上三种情况的上限频率依次为 40MHz,90MHz、
120MHz。
2.4
图 2.4.5给出了 F733用作可调增益放大器时的典型接法。图中电位器 R是用于调节电压增益和带宽的。
当 R调到零时，④与⑨短接，片内 T1,T2发射极短接，
增益最大，上限截止频率最低；当 R调到最大时，片内 T1,T2发射极之间共并接了 5个电阻，即片内,,,和外接电位器 R，这时交流负反馈最强，增益最小，上限截止频率最高。可见，
这种接法使得电压增益和带宽连续可调。 图 2.4.5 F733外接电路图
2.4
3R 4R 5R 6R
1、非选频的高频集成放大器，它用于某些不需有选频功能的设备中，如某些发射机和仪器设备中，通常以电阻或宽带高频变压器作负载。
2、集成选频放大器，用于需要有选频功能的场合，比如，接收机的中放就是它的典型应用。
集成选频放大器通常都采用前面讨论的集中滤波器作为选频电路，比如采用晶体滤波器、陶瓷滤波器或声表面波滤波器。
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与高频调谐放大器比较，它的主要优点是：
（ 1）采用集中放大与集中滤波，使高频放大器的两个主要功能分别由集成放大器与集中滤波器担任，这就使线路简单、性能稳定可靠，调整方便。
（ 2）采用专门的选频滤波器，比调谐放大器有更好的频率特性，比如得到更小的矩形系数。还可以满足特殊频率特性的要求，如得到相对带宽为千分之几的窄带电路（晶体滤波器）和相对带宽大于百分之五十的宽带电路（声表面滤波器），或者有特殊选频要求的滤波器（如电视中频滤波器）。
（ 3）高频集成电路和集中选频滤波都是由专门单位设计生产的，对于线路和设备设计人员主要是选用和正确使用它。这就大大简化了放大器的设计和调整，从而缩短了线路和设备的设计和制作的周期。
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图 2.4.1是集中选频放大器的组成示意图。图
2.4.1（ a）中，集中选频滤波器接于宽带集成放大器的后面，这是一种常用的接法。这种接法要注意的问题是，需要使集成放大器与集中滤波器之间实现阻抗匹配。
图 2.4.1(b)是另一种接法。集中滤波器放在宽带集成放大器的前面。
图 2.4.2是国产 FZ1集成放大电路，是属于利用负反馈展宽频带的放大器。它是两个晶体管组成的直接耦合放大器，电路中具有两级电流并联负反馈。从 T2的发射极 电阻 Re2上取 图 2.4.2 集成宽频带放大器 FZI内部电路和 典型外接电路得反馈信号经 Rf 反馈到输入端，而电容 Ce和
（ Re1+Re2）并联，是为了使高频工作时反馈最小，以改善高频特性。另外，改变外接元件还可以调节放大器的其他性能。例如，在引线 8和 6之间接入电阻与 Rf
并联，可以增强反馈；在 8和 9之间串入不同阻值的电阻可以减小反馈；在 2和 3或 3和 4之间连接电阻，可以改变放大器的电压增益。
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图 2.4.3是国产 ER4803是共射 — 共基集成宽频带放大器。该电路是由 T1,T3（或 T4）与 T2,T6（或 T5）组成共射 — 共基放大器，输出电压的特性由外电路控制。若外电路使 Ib2=0，而 Ib1≠0 时,D2和 T4,T5截止。这时信号经 T1,T3与 T2,T6组成的共射 — 共基差分对放大后输出。若外电路使 Ib1=0，而 Ib2≠0 时,D1和 T3,T6截止。
这时信号经 T1,T4与 T2,T5组成的共射 — 共基差分对放大后输出。输出电压极性与上相反。 Ce是 MOS电容，用来补偿高频特性以展宽频带。这种集成电路常用于
350MHz以上的宽带示波器中实现高、中、视频放大。
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图 2.4.4是集成宽带放大器 F733的内部电路，图中,T1,T2组成电流串联负反馈差分放大器,T3～ T6
组成电压并联负反馈差分放大器（ T5和 T6兼做输出级）,T7～ T11为恒流源电路。改变第一级差放的负反馈电阻，可以调节整个电路的电压增益。将引出端 9和 4短接，增益可达 400倍；将引出端 10和 3短接，
增益可达 100倍。各引出端均不短接，增益为 10倍。
以上三种情况的上限频率依次为 40MHz,90MHz、
120MHz。
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图 2.4.5给出了 F733用作可调增益放大器时的典型接法。图中电位器 R是用于调节电压增益和带宽的。
当 R调到零时，④与⑨短接，片内 T1,T2发射极短接，
增益最大，上限截止频率最低；当 R调到最大时，片内 T1,T2发射极之间共并接了 5个电阻，即片内,,,和外接电位器 R，这时交流负反馈最强，增益最小，上限截止频率最高。可见，
这种接法使得电压增益和带宽连续可调。 图 2.4.5 F733外接电路图
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3R 4R 5R 6R
