2.1.5 半导体三极管的参数半导体三极管的参数分为三大类,
直流参数交流参数极限参数
(1)直流参数
①直流电流放大系数
1.共发射极直流电流放大系数
=（ IC－ ICEO） /IB≈IC / IB? vCE=const
在放大区基本不变。在共发射极输出特性曲线上，通过垂直于 X轴的直线 (vCE=const)来求取 IC / IB,如图 02.07所示。在 IC较小时和 IC较大时,会有所减小，这一关系见图 02.08。
图 02.08 值与 IC的关系图 02.07 在输出特性曲线上决定
2.共基极直流电流放大系数
=（ IC－ ICBO） /IE≈IC/IE
显然 与 之间有如下关系,
= IC/IE= IB/?1+?IB= /?1+?
②极间反向电流
1.集电极基极间反向饱和电流 ICBO
ICBO的下标 CB代表集电极和基极,O是
Open的字头，代表第三个电极 E开 路。它相当于集电结的反向饱和电流。
2.集电极发射极间的反向饱和电流 ICEO
ICEO和 ICBO有如下关系
ICEO=（ 1+ ） ICBO
相当基极开路时，集电极和发射极间的反向饱和电流，即输出特性曲线 IB=0那条曲线所对应的 Y坐标的数值。如图 02.09所示。
图 02.09 ICEO在输 出特性曲线上的位置
(2)交流参数
①交流电流放大系数
1.共发射极交流电流放大系数?
=?IC/?IB?vCE=const
在放大区? 值基本不变，可在共射接法输出特性曲线上，通过垂直于 X 轴的直线求取
IC/?IB。或在图 02.
08上通过求某一点的斜率得到?。 具体方法如图 02.10所示。
图 02.10 在输出特性曲线上求 β
2.共基极交流电流放大系数 α
α =?IC/?IE? VCB=const
当 ICBO和 ICEO很小时,≈?,≈?，可以不加区分。
②特征频率 fT
三极管的?值不仅与工作电流有关，而且与工作频率有关。由于结电容的影响，当信号频率增加时，三极管的?将会下降。 当?下降到 1时所对应的频率称为特征频率，用 fT表示。
(3)极限参数
①集电极最大允许电流 ICM
如图 02.08所示，当集电极电流增加时,? 就要下降，当?值 下降到线性放大区?值的 70～ 30％
时，所对应的集电极电流称为集电极最大允许电流 ICM。 至于?值 下降多少，不同型号的三极管，
不同的厂家的规定有所差别。可见，当
IC＞ ICM时，并不表示三极管 会损坏。
②集电极最大允许功率损耗 PCM
集电极电流通过集电结时所产生的功耗，
PCM= ICVCB≈ICVCE，
因发射结正偏，呈低阻，所以功耗主要集中在集电结上。在计算时往往用 VCE取代 VCB。
③反向击穿电压反向击穿电压表示三极管电极间承受反向电压的能力，其测试时的原理电路如图 02.11所示。
图 02.11 三极管击穿电压的测试电路
1.V(BR)CBO—— 发射极开路时的集电结击穿电压。
下标 BR代表击穿之意，是 Breakdown的字头,CB
代表集电极和基极,O代表第三个电极 E开路。
2.V(BR) EBO—— 集电极开路时发射结的击穿电压 。
3.V(BR)CEO—— 基极开路时集电极和发射极间的击穿电压。
对于 V(BR)CER表示 BE间接有电阻,V(BR)CES表示
BE间是短路的。几个击穿电压在大小上有如下关系
V(BR)CBO≈V(BR)CES＞ V(BR)CER＞ V(BR)CEO＞ V(BR) EBO
由 PCM,ICM和 V(BR)CEO在输出特性曲线上可以确定过损耗区、过电流区和击穿区，见图 02.12。
图 02.12 输出特性曲线上的过损耗区和击穿区
直流参数交流参数极限参数
(1)直流参数
①直流电流放大系数
1.共发射极直流电流放大系数
=（ IC－ ICEO） /IB≈IC / IB? vCE=const
在放大区基本不变。在共发射极输出特性曲线上，通过垂直于 X轴的直线 (vCE=const)来求取 IC / IB,如图 02.07所示。在 IC较小时和 IC较大时,会有所减小，这一关系见图 02.08。
图 02.08 值与 IC的关系图 02.07 在输出特性曲线上决定
2.共基极直流电流放大系数
=（ IC－ ICBO） /IE≈IC/IE
显然 与 之间有如下关系,
= IC/IE= IB/?1+?IB= /?1+?
②极间反向电流
1.集电极基极间反向饱和电流 ICBO
ICBO的下标 CB代表集电极和基极,O是
Open的字头，代表第三个电极 E开 路。它相当于集电结的反向饱和电流。
2.集电极发射极间的反向饱和电流 ICEO
ICEO和 ICBO有如下关系
ICEO=（ 1+ ） ICBO
相当基极开路时，集电极和发射极间的反向饱和电流，即输出特性曲线 IB=0那条曲线所对应的 Y坐标的数值。如图 02.09所示。
图 02.09 ICEO在输 出特性曲线上的位置
(2)交流参数
①交流电流放大系数
1.共发射极交流电流放大系数?
=?IC/?IB?vCE=const
在放大区? 值基本不变，可在共射接法输出特性曲线上，通过垂直于 X 轴的直线求取
IC/?IB。或在图 02.
08上通过求某一点的斜率得到?。 具体方法如图 02.10所示。
图 02.10 在输出特性曲线上求 β
2.共基极交流电流放大系数 α
α =?IC/?IE? VCB=const
当 ICBO和 ICEO很小时,≈?,≈?，可以不加区分。
②特征频率 fT
三极管的?值不仅与工作电流有关，而且与工作频率有关。由于结电容的影响，当信号频率增加时，三极管的?将会下降。 当?下降到 1时所对应的频率称为特征频率，用 fT表示。
(3)极限参数
①集电极最大允许电流 ICM
如图 02.08所示，当集电极电流增加时,? 就要下降，当?值 下降到线性放大区?值的 70～ 30％
时，所对应的集电极电流称为集电极最大允许电流 ICM。 至于?值 下降多少，不同型号的三极管，
不同的厂家的规定有所差别。可见，当
IC＞ ICM时，并不表示三极管 会损坏。
②集电极最大允许功率损耗 PCM
集电极电流通过集电结时所产生的功耗，
PCM= ICVCB≈ICVCE，
因发射结正偏，呈低阻，所以功耗主要集中在集电结上。在计算时往往用 VCE取代 VCB。
③反向击穿电压反向击穿电压表示三极管电极间承受反向电压的能力，其测试时的原理电路如图 02.11所示。
图 02.11 三极管击穿电压的测试电路
1.V(BR)CBO—— 发射极开路时的集电结击穿电压。
下标 BR代表击穿之意，是 Breakdown的字头,CB
代表集电极和基极,O代表第三个电极 E开路。
2.V(BR) EBO—— 集电极开路时发射结的击穿电压 。
3.V(BR)CEO—— 基极开路时集电极和发射极间的击穿电压。
对于 V(BR)CER表示 BE间接有电阻,V(BR)CES表示
BE间是短路的。几个击穿电压在大小上有如下关系
V(BR)CBO≈V(BR)CES＞ V(BR)CER＞ V(BR)CEO＞ V(BR) EBO
由 PCM,ICM和 V(BR)CEO在输出特性曲线上可以确定过损耗区、过电流区和击穿区，见图 02.12。
图 02.12 输出特性曲线上的过损耗区和击穿区
