2.2.4 场效应三极管的参数和型号
(1) 场效应三极管的参数
① 开启电压 VGS(th) (或 VT)
开启电压是 MOS增强型管的参数，栅源电压小于开启电压的绝对值,场效应管不能导通。
② 夹断电压 VGS(off) (或 VP)
夹断电压是耗尽型 FET的参数，当 VGS=VGS(off) 时,
漏极电流为零。
③ 饱和漏极电流 IDSS
耗尽型场效应三极管,当 VGS=0时所对应的漏极电流。
④ 输入电阻 RGS
场效应三极管的栅源输入电阻的典型值,对于结型场效应三极管，反偏时 RGS约大于 107Ω,对于绝缘栅型场效应三极管,RGS约是 109～ 1015Ω。
⑤ 低频跨导 gm
低频跨导反映了栅压对漏极电流的控制作用，
这一点与电子管的控制作用相似。 gm可以在转 移特性曲线上求取，单位是 mS(毫西门子 )。
⑥ 最大漏极功耗 PDM
最大漏极功耗可由 PDM= VDS ID决定，与双极型三极管的 PCM相当。
(2) 场效应三极管的型号场效应三极管的型号,现行有两种命名方法。其一是与双极型三极管相同，第三位字母 J代表结型场效应管,O代表绝缘栅场效应管。第二位字母代表材料,D是 P型硅，反型层是 N沟道； C是 N型硅 P沟道。例如,3DJ6D是结型 N沟道场效应三极管,3DO6C
是绝缘栅型 N沟道场效应三极管。
第二种命名方法是 CS×× #,CS代表场效应管，
××以数字代表型号的序号,#用字母代表同一型号中的不同规格。例如 CS14A,CS45G等。
几种常用的场效应三极管的主要参数见下表。
表 02.02 场效应三极管的参数参 数型号
P
D M
m W
I
D S S
m A
VR
DS
V
VR
GS
V
V
P
V
g
m
m A/ V
f
M
M H z
3 D J 2 D 1 0 0 <0,3 5 >2 0 >2 0 - 4 ≥ 2 3 0 0
3 D J 7 E 1 0 0 <1,2 >2 0 >2 0 - 4 ≥ 3 9 0
3 D J 1 5 H 1 0 0 6 ～ 11 >2 0 >2 0 - 5,5 ≥ 8
3 DO2 E 1 0 0 0,3 5 ～ 1,2 >1 2 >2 5 1 0 0 0
C S 1 1 C 1 0 0 0,3 ～ 1 - 2 5 - 4 ≥ 2
半导体三极管图片半导体三极管图片
(1) 场效应三极管的参数
① 开启电压 VGS(th) (或 VT)
开启电压是 MOS增强型管的参数，栅源电压小于开启电压的绝对值,场效应管不能导通。
② 夹断电压 VGS(off) (或 VP)
夹断电压是耗尽型 FET的参数，当 VGS=VGS(off) 时,
漏极电流为零。
③ 饱和漏极电流 IDSS
耗尽型场效应三极管,当 VGS=0时所对应的漏极电流。
④ 输入电阻 RGS
场效应三极管的栅源输入电阻的典型值,对于结型场效应三极管，反偏时 RGS约大于 107Ω,对于绝缘栅型场效应三极管,RGS约是 109～ 1015Ω。
⑤ 低频跨导 gm
低频跨导反映了栅压对漏极电流的控制作用，
这一点与电子管的控制作用相似。 gm可以在转 移特性曲线上求取，单位是 mS(毫西门子 )。
⑥ 最大漏极功耗 PDM
最大漏极功耗可由 PDM= VDS ID决定，与双极型三极管的 PCM相当。
(2) 场效应三极管的型号场效应三极管的型号,现行有两种命名方法。其一是与双极型三极管相同，第三位字母 J代表结型场效应管,O代表绝缘栅场效应管。第二位字母代表材料,D是 P型硅，反型层是 N沟道； C是 N型硅 P沟道。例如,3DJ6D是结型 N沟道场效应三极管,3DO6C
是绝缘栅型 N沟道场效应三极管。
第二种命名方法是 CS×× #,CS代表场效应管，
××以数字代表型号的序号,#用字母代表同一型号中的不同规格。例如 CS14A,CS45G等。
几种常用的场效应三极管的主要参数见下表。
表 02.02 场效应三极管的参数参 数型号
P
D M
m W
I
D S S
m A
VR
DS
V
VR
GS
V
V
P
V
g
m
m A/ V
f
M
M H z
3 D J 2 D 1 0 0 <0,3 5 >2 0 >2 0 - 4 ≥ 2 3 0 0
3 D J 7 E 1 0 0 <1,2 >2 0 >2 0 - 4 ≥ 3 9 0
3 D J 1 5 H 1 0 0 6 ～ 11 >2 0 >2 0 - 5,5 ≥ 8
3 DO2 E 1 0 0 0,3 5 ～ 1,2 >1 2 >2 5 1 0 0 0
C S 1 1 C 1 0 0 0,3 ～ 1 - 2 5 - 4 ≥ 2
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