第二章 基本放大电路自 测 题
一、在括号内用“(”或“×”表明下列说法是否正确。
（1）只有电路既放大电流又放大电压，才称其有放大作用；（ ）
（2）可以说任何放大电路都有功率放大作用；（ ）
（3）放大电路中输出的电流和电压都是由有源元件提供的；（ ）
（4）电路中各电量的交流成份是交流信号源提供的；（ ）
（5）放大电路必须加上合适的直流电源才能正常工作；（ ）
（6）由于放大的对象是变化量，所以当输入信号为直流信号时，任何放大电路的输出都毫无变化；（ ）
（7）只要是共射放大电路，输出电压的底部失真都是饱和失真。（ ）
解：（1）× （2）√ （3）× （4）× （5）√ （6）×
（7）×
二、试分析图T2.2所示各电路是否能够放大正弦交流信号，简述理由。设图中所有电容对交流信号均可视为短路。
图T2.2
解：（a）不能。因为输入信号被VBB短路。
（b）可能。
（c）不能。因为输入信号作用于基极与地之间，不能驮载在静态电压之上，必然失真。
（d）不能。晶体管将因发射结电压过大而损坏。
（e）不能。因为输入信号被C2短路。
（f）不能。因为输出信号被VCC短路，恒为零。
（g）可能。
（h）可能。
（i）不能。因为T截止。
三、在图T2.3所示电路中,已知VCC＝12V，晶体管的(＝100，＝100kΩ。填空：要求先填文字表达式后填得数。
（1）当＝0V时，测得UBEQ＝0.7V，若要基极电流IBQ＝20μA,则 和RW之和Rb＝ ≈ kΩ；而若测得UCEQ＝6V，则Rc＝ ≈ kΩ。
（2）若测得输入电压有效值=5mV时，输出电压有效值＝0.6V,则电压放大倍数
＝ ≈ 。
若负载电阻RL值与RC相等,则带上负载
图T2.3 后输出电压有效值＝ ＝ V。
解：（1） 。
（2） 。
四、已知图T2.3所示电路中VCC＝12V，RC＝3kΩ，静态管压降UCEQ＝6V；并在输出端加负载电阻RL，其阻值为3kΩ。选择一个合适的答案填入空内。
（1）该电路的最大不失真输出电压有效值Uom≈ ；
A.2V B.3V C.6V
（2）当＝1mV时，若在不失真的条件下，减小RW，则输出电压的幅值将 ；
A.减小 B.不变 C.增大
（3）在＝1mV时，将Rw调到输出电压最大且刚好不失真，若此时增大输入电压，则输出电压波形将 ；
A.顶部失真 B.底部失真 C.为正弦波
（4）若发现电路出现饱和失真，则为消除失真，可将 。
A.RW减小 B.Rc减小 C.VCC减小解：（1）A （2）C （3）B （4）B
五、现有直接耦合基本放大电路如下：
A.共射电路 B.共集电路 C.共基电路
D.共源电路 E.共漏电路
它们的电路分别如图2.2.1、2.5.1(a)、2.5.4(a)、2.7.2和2.7.9(a)所示；设图中Re<Rb，且ICQ、IDQ均相等。
选择正确答案填入空内，只需填A、B、……
（1）输入电阻最小的电路是,最大的是 ；
（2）输出电阻最小的电路是 ；
（3）有电压放大作用的电路是 ；
（4）有电流放大作用的电路是 ；
（5）高频特性最好的电路是 ；
（6）输入电压与输出电压同相的电路是 ；反相的电路是 。
解：（1）C，D E （2）B （3）A C D
（4）A B D E （5）C （6）B C E,A D
六、未画完的场效应管放大电路如图T2.6所示，试将合适的场效应管接入电路，使之能够正常放大。要求给出两种方案。
解：根据电路接法，可分别采用耗尽型N沟道和P沟道MOS管，如解图T2.6所示。
图T2.6 解图T2.6
习 题
2.1按要求填写下表。
电路名称
连接方式（e、c、b）
性能比较（大、中、小）
公共极
输入极
输出极
R i
R o
其它
共射电路
共集电路
共基电路
解：答案如表所示。
电路名称
连接方式
性能比较（大、中、小）
公共端
输入端
输出端
R i
R o
其它
共射电路
e
b
c
大
大
小
大
共集电路
c
b
e
小
大
大
小
共基电路
b
e
c
大
小
小
大
频带宽
2.2分别改正图P2.2所示各电路中的错误，使它们有可能放大正弦波信号。要求保留电路原来的共射接法和耦合方式。
图P2.2
解：（a）将－VCC改为＋VCC 。
（b）在＋VCC 与基极之间加Rb。
（c）将VBB反接，且在输入端串联一个电阻。
（d）在VBB支路加Rb，在－VCC与集电极之间加Rc。
2.3 画出图P2.3所示各电路的直流通路和交流通路。设所有电容对交流信号均可视为短路。
图P2.3
解：将电容开路、变压器线圈短路即为直流通路，图略。
图P2.3所示各电路的交流通路如解图P2.3所示；
解图P2.3
2.4 电路如图P2.4（a）所示，图（b）是晶体管的输出特性，静态时UBEQ＝0.7V。利用图解法分别求出RL＝∞和RL＝3kΩ时的静态工作点和最大不失真输出电压Uom（有效值）。
图P2.4
解：空载时：IBQ＝20μA，ICQ＝2mA，UCEQ＝6V；最大不失真输出电压峰值约为5.3V，有效值约为3.75V。
带载时：IBQ＝20μA，ICQ＝2mA，UCEQ＝3V；最大不失真输出电压峰值约为2.3V，有效值约为1.63V。
如解图P2.4所示。
解图P2.4
2.5在图P2.5所示电路中，已知晶体管的(＝80，rbe＝1kΩ，＝20mV；静态时UBEQ＝0.7V，UCEQ＝4V，IBQ＝20μA。判断下列结论是否正确，凡对的在括号内打“(”，否则打“×”。
图P2.5
（1）（ ） （2）（ ）
（3）（ ） （4）（ ）
（5）（ ） （6） （ ）
（7）（ ） （8）（ ）
（9）（ ） （10）（ ）
（11）≈20mV ( ) （12）≈60mV ( )
解：（1）× （2）× （3）× （4）√ （5）× （6）×
（7）× （8）√ （9）√ （10）× （11）× （12）√
2.6 电路如图P2.6所示，已知晶体管(＝50，在下列情况下，用直流电压表测晶体管的集电极电位，应分别为多少？设VCC＝12V，晶体管饱和管压降UCES＝0.5V。
（1）正常情况 （2）Rb1短路 （3）Rb1开路
（4）Rb2开路 （5）RC短路
图P2.6
解：设UBE＝0.7V。则基极静态电流
（2）由于UBE＝0V，T截止，UC＝12V。
（3）临界饱和基极电流
实际基极电流
由于IB＞IBS，故T饱和，UC＝UCES＝0.5V。
（4）T截止，UC＝12V。
（5）由于集电极直接接直流电源，UC＝VCC＝12V
2.7电路如图P2.7所示，晶体管的(＝80，=100Ω。分别计算RL＝∞和RL＝3kΩ时的Q点、、Ri 和Ro。
图P2.7
解2.7 在空载和带负载情况下，电路的静态电流、rbe均相等，它们分别为
空载时，静态管压降、电压放大倍数、输入电阻和输出电阻分别为
RL＝5kΩ时，静态管压降、电压放大倍数分别为
在图P2.7所示电路中，由于电路参数不同，在信号源电压为正弦波时，测得输出波形如图P2.8（a）、（b）、（c）所示，试说明电路分别产生了什么失真，如何消除。
图P2.8
解：（a）饱和失真，增大Rb，减小Rc 。
（b）截止失真，减小Rb 。
（c）同时出现饱和失真和截止失真，应增大VCC。
2.9 若由PNP型管组成的共射电路中，输出电压波形如图P2.8（a）、（b）、（c）所示，则分别产生了什么失真？
解：（a）截止失真；（b）饱和失真；（c）同时出现饱和失真和截止失真。
2.10 已知图P2.10所示电路中晶体管的( ＝100，rbe=1kΩ。
（1）现已测得静态管压降UCEQ＝6V，估算Rb约为多少千欧；
（2）若测得和的有效值分别为1mV和100mV，则负载电阻RL为多少千欧？
图P2.10
解：（1）求解Rb
（2）求解RL：
2.11 在图P2.10所示电路中，设静态时ICQ＝2mA，晶体管饱和管压降UCES＝0.6V。试问：当负载电阻RL＝∞和RL＝3kΩ时电路的最大不失真输出电压各为多少伏？
解：由于ICQ＝2mA，所以UCEQ＝VCC－ICQRc＝6V。
空载时，输入信号增大到一定幅值，电路首先出现饱和失真。故
时，当输入信号增大到一定幅值，电路首先出现截止失真。故
2.12在图P2.10所示电路中，设某一参数变化时其余参数不变，在表中填入①增大②减小或③基本不变。
参数变化
IBQ
UCEQ
Ri
Ro
Rb增大
Rc增大
RL增大
解：答案如解表P2.12所示。
解表P2.12所示参数变化
IBQ
UCEQ
Ri
Ro
Rb增大
②
①
②
①
③
Rc增大
③
②
①
③
①
RL增大
③
③
①
③
③
2.13 电路如图P2.13所示，晶体管的(＝100，=100Ω。
（1）求电路的Q点、、Ri和Ro；
（2）若电容Ce开路，则将引起电路的哪些动态参数发生变化？如何变化？
图P2.13
解：（1）静态分析：
动态分析：
（2）Ri增大，Ri≈4.1kΩ；减小，≈－1.92。
2.14 试求出图P2.3（a）所示电路Q点、、Ri和Ro 的表达式。
解：Q点为
、Ri和Ro的表达式分别为
2.15 试求出图P2.3（b）所示电路Q点、、Ri和Ro的表达式。设静态时R2中的电流远大于T的基极电流。
解,Q点：
、Ri和Ro的表达式分别为
2.16 试求出图P2.3（c）所示电路Q点、、Ri和Ro的表达式。设静态时R2中的电流远大于T2管的基极电流且R3中的电流远大于T1管的基极电流。
解：两只晶体管的静态电流、管压降分析如下：
、Ri和Ro的表达式分析如下：
2.17 设图P2.17所示电路所加输入电压为正弦波。试问：
图P2.17
（1）=/≈? =/≈?
（2）画出输入电压和输出电压ui、uo1、uo2 的波形；
解：（1）因为通常β＞＞1，所以电压放大倍数分别应为
两个电压放大倍数说明 uo1≈－ui，uo2≈ui。波形如解图P1.17所示。
解图P1.17
2.18 电路如图P2.18所示，晶体管的(＝80，rbe=1kΩ。
（1）求出Q点；
（2）分别求出RL＝∞和RL＝3kΩ时电路的和Ri；
（3）求出Ro。
图P2.18
解：（1）求解Q点：
（2）求解输入电阻和电压放大倍数：
RL＝∞时
RL＝3kΩ时
（3）求解输出电阻,
2.19 电路如图P2.19所示，晶体管的(＝60，=100Ω。
（1）求解Q点、、Ri和Ro；
（2）设＝10mV（有效值），问＝？＝？若C3开路，则＝？＝？
图P2.19
解：（1）Q点：
、Ri和Ro的分析：
（2）设＝10mV（有效值），则
若C3开路，则
改正图P2.20所示各电路中的错误，使它们有可能放大正弦波电压。要求保留电路的共漏接法。
图P2.20
解：（a）源极加电阻RS。
（b）漏极加电阻RD。
（c）输入端加耦合电容。
（d）在Rg支路加－VGG，＋VDD改为－VDD
改正电路如解图P2.20所示。
解图P2.20
已知图P2.21(a)所示电路中场效应管的转移特性和输出特性分别如图（b）(c)所示。
（1）利用图解法求解Q点；
（2）利用等效电路法求解、Ri和Ro 。
图P2.21
解：（1）在转移特性中作直线uGS＝－iDRS，与转移特性的交点即为Q点；读出坐标值，得出IDQ＝1mA，UGSQ＝－2V。如解图P2.21（a）所示。
解图P2.21
在输出特性中作直流负载线uDS＝VDD－iD（RD＋RS），与UGSQ＝－2V的那条输出特性曲线的交点为Q点，UDSQ≈3V。如解图P2.21（b）所示。
（2）首先画出交流等效电路（图略），然后进行动态分析。
2.22 已知图P2.22（a）所示电路中场效应管的转移特性如图（b）所示。求解电路的Q点和。
图P2.22
解：（1）求Q点：
根据电路图可知,UGSQ＝VGG＝3V。
从转移特性查得，当UGSQ＝3V时的漏极电流
IDQ＝1mA
因此管压降 UDSQ＝VDD－IDQRD＝5V。
（2）求电压放大倍数：
2.23电路如图P.23所示，已知场效应管的低频跨导为gm，试写出、Ri和Ro的表达式。
解：、Ri和Ro的表达式分别为
图P2.23
2.24 图P2.24中的哪些接法可以构成复合管？标出它们等效管的类型（如NPN型、PNP型、N沟道结型……）及管脚（b、e、c、d、g、s）。
图P2.24
解：（a）不能。 （b）不能。
（c）构成NPN型管，上端为集电极，中端为基极，下端为发射极。
（d）不能。 （e）不能。
（f）PNP型管，上端为发射极，中端为基极，下端为集电极。
（g）构成NPN型管，上端为集电极，中端为基极，下端为 发射极。
一、在括号内用“(”或“×”表明下列说法是否正确。
（1）只有电路既放大电流又放大电压，才称其有放大作用；（ ）
（2）可以说任何放大电路都有功率放大作用；（ ）
（3）放大电路中输出的电流和电压都是由有源元件提供的；（ ）
（4）电路中各电量的交流成份是交流信号源提供的；（ ）
（5）放大电路必须加上合适的直流电源才能正常工作；（ ）
（6）由于放大的对象是变化量，所以当输入信号为直流信号时，任何放大电路的输出都毫无变化；（ ）
（7）只要是共射放大电路，输出电压的底部失真都是饱和失真。（ ）
解：（1）× （2）√ （3）× （4）× （5）√ （6）×
（7）×
二、试分析图T2.2所示各电路是否能够放大正弦交流信号，简述理由。设图中所有电容对交流信号均可视为短路。
图T2.2
解：（a）不能。因为输入信号被VBB短路。
（b）可能。
（c）不能。因为输入信号作用于基极与地之间，不能驮载在静态电压之上，必然失真。
（d）不能。晶体管将因发射结电压过大而损坏。
（e）不能。因为输入信号被C2短路。
（f）不能。因为输出信号被VCC短路，恒为零。
（g）可能。
（h）可能。
（i）不能。因为T截止。
三、在图T2.3所示电路中,已知VCC＝12V，晶体管的(＝100，＝100kΩ。填空：要求先填文字表达式后填得数。
（1）当＝0V时，测得UBEQ＝0.7V，若要基极电流IBQ＝20μA,则 和RW之和Rb＝ ≈ kΩ；而若测得UCEQ＝6V，则Rc＝ ≈ kΩ。
（2）若测得输入电压有效值=5mV时，输出电压有效值＝0.6V,则电压放大倍数
＝ ≈ 。
若负载电阻RL值与RC相等,则带上负载
图T2.3 后输出电压有效值＝ ＝ V。
解：（1） 。
（2） 。
四、已知图T2.3所示电路中VCC＝12V，RC＝3kΩ，静态管压降UCEQ＝6V；并在输出端加负载电阻RL，其阻值为3kΩ。选择一个合适的答案填入空内。
（1）该电路的最大不失真输出电压有效值Uom≈ ；
A.2V B.3V C.6V
（2）当＝1mV时，若在不失真的条件下，减小RW，则输出电压的幅值将 ；
A.减小 B.不变 C.增大
（3）在＝1mV时，将Rw调到输出电压最大且刚好不失真，若此时增大输入电压，则输出电压波形将 ；
A.顶部失真 B.底部失真 C.为正弦波
（4）若发现电路出现饱和失真，则为消除失真，可将 。
A.RW减小 B.Rc减小 C.VCC减小解：（1）A （2）C （3）B （4）B
五、现有直接耦合基本放大电路如下：
A.共射电路 B.共集电路 C.共基电路
D.共源电路 E.共漏电路
它们的电路分别如图2.2.1、2.5.1(a)、2.5.4(a)、2.7.2和2.7.9(a)所示；设图中Re<Rb，且ICQ、IDQ均相等。
选择正确答案填入空内，只需填A、B、……
（1）输入电阻最小的电路是,最大的是 ；
（2）输出电阻最小的电路是 ；
（3）有电压放大作用的电路是 ；
（4）有电流放大作用的电路是 ；
（5）高频特性最好的电路是 ；
（6）输入电压与输出电压同相的电路是 ；反相的电路是 。
解：（1）C，D E （2）B （3）A C D
（4）A B D E （5）C （6）B C E,A D
六、未画完的场效应管放大电路如图T2.6所示，试将合适的场效应管接入电路，使之能够正常放大。要求给出两种方案。
解：根据电路接法，可分别采用耗尽型N沟道和P沟道MOS管，如解图T2.6所示。
图T2.6 解图T2.6
习 题
2.1按要求填写下表。
电路名称
连接方式（e、c、b）
性能比较（大、中、小）
公共极
输入极
输出极
R i
R o
其它
共射电路
共集电路
共基电路
解：答案如表所示。
电路名称
连接方式
性能比较（大、中、小）
公共端
输入端
输出端
R i
R o
其它
共射电路
e
b
c
大
大
小
大
共集电路
c
b
e
小
大
大
小
共基电路
b
e
c
大
小
小
大
频带宽
2.2分别改正图P2.2所示各电路中的错误，使它们有可能放大正弦波信号。要求保留电路原来的共射接法和耦合方式。
图P2.2
解：（a）将－VCC改为＋VCC 。
（b）在＋VCC 与基极之间加Rb。
（c）将VBB反接，且在输入端串联一个电阻。
（d）在VBB支路加Rb，在－VCC与集电极之间加Rc。
2.3 画出图P2.3所示各电路的直流通路和交流通路。设所有电容对交流信号均可视为短路。
图P2.3
解：将电容开路、变压器线圈短路即为直流通路，图略。
图P2.3所示各电路的交流通路如解图P2.3所示；
解图P2.3
2.4 电路如图P2.4（a）所示，图（b）是晶体管的输出特性，静态时UBEQ＝0.7V。利用图解法分别求出RL＝∞和RL＝3kΩ时的静态工作点和最大不失真输出电压Uom（有效值）。
图P2.4
解：空载时：IBQ＝20μA，ICQ＝2mA，UCEQ＝6V；最大不失真输出电压峰值约为5.3V，有效值约为3.75V。
带载时：IBQ＝20μA，ICQ＝2mA，UCEQ＝3V；最大不失真输出电压峰值约为2.3V，有效值约为1.63V。
如解图P2.4所示。
解图P2.4
2.5在图P2.5所示电路中，已知晶体管的(＝80，rbe＝1kΩ，＝20mV；静态时UBEQ＝0.7V，UCEQ＝4V，IBQ＝20μA。判断下列结论是否正确，凡对的在括号内打“(”，否则打“×”。
图P2.5
（1）（ ） （2）（ ）
（3）（ ） （4）（ ）
（5）（ ） （6） （ ）
（7）（ ） （8）（ ）
（9）（ ） （10）（ ）
（11）≈20mV ( ) （12）≈60mV ( )
解：（1）× （2）× （3）× （4）√ （5）× （6）×
（7）× （8）√ （9）√ （10）× （11）× （12）√
2.6 电路如图P2.6所示，已知晶体管(＝50，在下列情况下，用直流电压表测晶体管的集电极电位，应分别为多少？设VCC＝12V，晶体管饱和管压降UCES＝0.5V。
（1）正常情况 （2）Rb1短路 （3）Rb1开路
（4）Rb2开路 （5）RC短路
图P2.6
解：设UBE＝0.7V。则基极静态电流
（2）由于UBE＝0V，T截止，UC＝12V。
（3）临界饱和基极电流
实际基极电流
由于IB＞IBS，故T饱和，UC＝UCES＝0.5V。
（4）T截止，UC＝12V。
（5）由于集电极直接接直流电源，UC＝VCC＝12V
2.7电路如图P2.7所示，晶体管的(＝80，=100Ω。分别计算RL＝∞和RL＝3kΩ时的Q点、、Ri 和Ro。
图P2.7
解2.7 在空载和带负载情况下，电路的静态电流、rbe均相等，它们分别为
空载时，静态管压降、电压放大倍数、输入电阻和输出电阻分别为
RL＝5kΩ时，静态管压降、电压放大倍数分别为
在图P2.7所示电路中，由于电路参数不同，在信号源电压为正弦波时，测得输出波形如图P2.8（a）、（b）、（c）所示，试说明电路分别产生了什么失真，如何消除。
图P2.8
解：（a）饱和失真，增大Rb，减小Rc 。
（b）截止失真，减小Rb 。
（c）同时出现饱和失真和截止失真，应增大VCC。
2.9 若由PNP型管组成的共射电路中，输出电压波形如图P2.8（a）、（b）、（c）所示，则分别产生了什么失真？
解：（a）截止失真；（b）饱和失真；（c）同时出现饱和失真和截止失真。
2.10 已知图P2.10所示电路中晶体管的( ＝100，rbe=1kΩ。
（1）现已测得静态管压降UCEQ＝6V，估算Rb约为多少千欧；
（2）若测得和的有效值分别为1mV和100mV，则负载电阻RL为多少千欧？
图P2.10
解：（1）求解Rb
（2）求解RL：
2.11 在图P2.10所示电路中，设静态时ICQ＝2mA，晶体管饱和管压降UCES＝0.6V。试问：当负载电阻RL＝∞和RL＝3kΩ时电路的最大不失真输出电压各为多少伏？
解：由于ICQ＝2mA，所以UCEQ＝VCC－ICQRc＝6V。
空载时，输入信号增大到一定幅值，电路首先出现饱和失真。故
时，当输入信号增大到一定幅值，电路首先出现截止失真。故
2.12在图P2.10所示电路中，设某一参数变化时其余参数不变，在表中填入①增大②减小或③基本不变。
参数变化
IBQ
UCEQ
Ri
Ro
Rb增大
Rc增大
RL增大
解：答案如解表P2.12所示。
解表P2.12所示参数变化
IBQ
UCEQ
Ri
Ro
Rb增大
②
①
②
①
③
Rc增大
③
②
①
③
①
RL增大
③
③
①
③
③
2.13 电路如图P2.13所示，晶体管的(＝100，=100Ω。
（1）求电路的Q点、、Ri和Ro；
（2）若电容Ce开路，则将引起电路的哪些动态参数发生变化？如何变化？
图P2.13
解：（1）静态分析：
动态分析：
（2）Ri增大，Ri≈4.1kΩ；减小，≈－1.92。
2.14 试求出图P2.3（a）所示电路Q点、、Ri和Ro 的表达式。
解：Q点为
、Ri和Ro的表达式分别为
2.15 试求出图P2.3（b）所示电路Q点、、Ri和Ro的表达式。设静态时R2中的电流远大于T的基极电流。
解,Q点：
、Ri和Ro的表达式分别为
2.16 试求出图P2.3（c）所示电路Q点、、Ri和Ro的表达式。设静态时R2中的电流远大于T2管的基极电流且R3中的电流远大于T1管的基极电流。
解：两只晶体管的静态电流、管压降分析如下：
、Ri和Ro的表达式分析如下：
2.17 设图P2.17所示电路所加输入电压为正弦波。试问：
图P2.17
（1）=/≈? =/≈?
（2）画出输入电压和输出电压ui、uo1、uo2 的波形；
解：（1）因为通常β＞＞1，所以电压放大倍数分别应为
两个电压放大倍数说明 uo1≈－ui，uo2≈ui。波形如解图P1.17所示。
解图P1.17
2.18 电路如图P2.18所示，晶体管的(＝80，rbe=1kΩ。
（1）求出Q点；
（2）分别求出RL＝∞和RL＝3kΩ时电路的和Ri；
（3）求出Ro。
图P2.18
解：（1）求解Q点：
（2）求解输入电阻和电压放大倍数：
RL＝∞时
RL＝3kΩ时
（3）求解输出电阻,
2.19 电路如图P2.19所示，晶体管的(＝60，=100Ω。
（1）求解Q点、、Ri和Ro；
（2）设＝10mV（有效值），问＝？＝？若C3开路，则＝？＝？
图P2.19
解：（1）Q点：
、Ri和Ro的分析：
（2）设＝10mV（有效值），则
若C3开路，则
改正图P2.20所示各电路中的错误，使它们有可能放大正弦波电压。要求保留电路的共漏接法。
图P2.20
解：（a）源极加电阻RS。
（b）漏极加电阻RD。
（c）输入端加耦合电容。
（d）在Rg支路加－VGG，＋VDD改为－VDD
改正电路如解图P2.20所示。
解图P2.20
已知图P2.21(a)所示电路中场效应管的转移特性和输出特性分别如图（b）(c)所示。
（1）利用图解法求解Q点；
（2）利用等效电路法求解、Ri和Ro 。
图P2.21
解：（1）在转移特性中作直线uGS＝－iDRS，与转移特性的交点即为Q点；读出坐标值，得出IDQ＝1mA，UGSQ＝－2V。如解图P2.21（a）所示。
解图P2.21
在输出特性中作直流负载线uDS＝VDD－iD（RD＋RS），与UGSQ＝－2V的那条输出特性曲线的交点为Q点，UDSQ≈3V。如解图P2.21（b）所示。
（2）首先画出交流等效电路（图略），然后进行动态分析。
2.22 已知图P2.22（a）所示电路中场效应管的转移特性如图（b）所示。求解电路的Q点和。
图P2.22
解：（1）求Q点：
根据电路图可知,UGSQ＝VGG＝3V。
从转移特性查得，当UGSQ＝3V时的漏极电流
IDQ＝1mA
因此管压降 UDSQ＝VDD－IDQRD＝5V。
（2）求电压放大倍数：
2.23电路如图P.23所示，已知场效应管的低频跨导为gm，试写出、Ri和Ro的表达式。
解：、Ri和Ro的表达式分别为
图P2.23
2.24 图P2.24中的哪些接法可以构成复合管？标出它们等效管的类型（如NPN型、PNP型、N沟道结型……）及管脚（b、e、c、d、g、s）。
图P2.24
解：（a）不能。 （b）不能。
（c）构成NPN型管，上端为集电极，中端为基极，下端为发射极。
（d）不能。 （e）不能。
（f）PNP型管，上端为发射极，中端为基极，下端为集电极。
（g）构成NPN型管，上端为集电极，中端为基极，下端为 发射极。
