小 结第 1 章一、两种半导体和两种载流子两种载流子的运动电子 — 自由电子空穴 — 价电子两 种半导体
N 型 (多电子 )
P 型 (多空穴 )
二,二极管
1,特性 — 单向 导电正向电阻小 (理想为 0),反向电阻大 (?)。
)1e(
D
SD T
U
u
Ii
)1e(,0
D
SDD
TU
u
Iiu
0,0 SD IIu
iD
O uD
U(BR)
IF
URM
2,主要参数正向 — 最大平均电流 IF
反向 — 最大反向工作电压 U(BR)(超过则击穿 )
反向饱和电流 IR (IS)(受温度影响 )
第 1 章 小 结
IS
3,二极管的等效模型理想模型 (大信号状态采用 )
uD
iD
正偏导通 电压降为零 相当于理想开关闭合反偏截止 电流为零 相当于理想开关断开恒压降模型
UD(on)
正偏电压? UD(on) 时导通 等效为恒压源 UD(on)
否则截止,相当于二极管支路断开
UD(on) = (0.6? 0.8) V 估算时取 0.7 V硅管:
锗管,(0.1? 0.3) V 0.2 V
折线近似模型相当于有内阻的恒压源 UD(on)
第 1 章 小 结
4,二极管的分析方法图解法微变等效电路法
5,特殊二极管工作条件 主要用途稳压二极管 反 偏 稳 压发光二极管 正 偏 发 光光敏二极管 反 偏 光电转换第 1 章 小 结
N 型 (多电子 )
P 型 (多空穴 )
二,二极管
1,特性 — 单向 导电正向电阻小 (理想为 0),反向电阻大 (?)。
)1e(
D
SD T
U
u
Ii
)1e(,0
D
SDD
TU
u
Iiu
0,0 SD IIu
iD
O uD
U(BR)
IF
URM
2,主要参数正向 — 最大平均电流 IF
反向 — 最大反向工作电压 U(BR)(超过则击穿 )
反向饱和电流 IR (IS)(受温度影响 )
第 1 章 小 结
IS
3,二极管的等效模型理想模型 (大信号状态采用 )
uD
iD
正偏导通 电压降为零 相当于理想开关闭合反偏截止 电流为零 相当于理想开关断开恒压降模型
UD(on)
正偏电压? UD(on) 时导通 等效为恒压源 UD(on)
否则截止,相当于二极管支路断开
UD(on) = (0.6? 0.8) V 估算时取 0.7 V硅管:
锗管,(0.1? 0.3) V 0.2 V
折线近似模型相当于有内阻的恒压源 UD(on)
第 1 章 小 结
4,二极管的分析方法图解法微变等效电路法
5,特殊二极管工作条件 主要用途稳压二极管 反 偏 稳 压发光二极管 正 偏 发 光光敏二极管 反 偏 光电转换第 1 章 小 结