第二章 基本放大电路 习 题 2.1按要求填写下表。 电路名称 连接方式（e、c、b） 性能比较（大、中、小）   公共极 输入极 输出极   R i R o 其它  共射电路          共集电路          共基电路           解：答案如表所示。 电路名称 连接方式 性能比较（大、中、小）   公共端 输入端 输出端   R i R o 其它  共射电路 e b c 大 大 小 大   共集电路 c b e 小 大 大 小   共基电路 b e c 大 小 小 大 频带宽   2.2分别改正图P2.2所示各电路中的错误，使它们有可能放大正弦波信号。要求保留电路原来的共射接法和耦合方式。 图P2.2 解：（a）将－VCC改为＋VCC 。 （b）在＋VCC 与基极之间加Rb。 （c）将VBB反接，且在输入端串联一个电阻。 （d）在VBB支路加Rb，在－VCC与集电极之间加Rc。 2.3 画出图P2.3所示各电路的直流通路和交流通路。设所有电容对交流信号均可视为短路。 图P2.3 解：将电容开路、变压器线圈短路即为直流通路，图略。 图P2.3所示各电路的交流通路如解图P2.3所示； 解图P2.3 2.4 电路如图P2.4（a）所示，图（b）是晶体管的输出特性，静态时UBEQ＝0.7V。利用图解法分别求出RL＝∞和RL＝3kΩ时的静态工作点和最大不失真输出电压Uom（有效值）。 图P2.4 解：空载时：IBQ＝20μA，ICQ＝2mA，UCEQ＝6V；最大不失真输出电压峰值约为5.3V，有效值约为3.75V。 带载时：IBQ＝20μA，ICQ＝2mA，UCEQ＝3V；最大不失真输出电压峰值约为2.3V，有效值约为1.63V。 如解图P2.4所示。 解图P2.4 2.5在图P2.5所示电路中，已知晶体管的(＝80，rbe＝1kΩ，＝20mV；静态时UBEQ＝0.7V，UCEQ＝4V，IBQ＝20μA。判断下列结论是否正确，凡对的在括号内打“(”，否则打“×”。 图P2.5 （1）（ ） （2）（ ） （3）（ ） （4）（ ） （5）（ ） （6） （ ） （7）（ ） （8）（ ） （9）（ ） （10）（ ） （11）≈20mV ( ) （12）≈60mV ( ) 解：（1）× （2）× （3）× （4）√ （5）× （6）× （7）× （8）√ （9）√ （10）× （11）× （12）√ 2.6 电路如图P2.6所示，已知晶体管(＝50，在下列情况下，用直流电压表测晶体管的集电极电位，应分别为多少？设VCC＝12V，晶体管饱和管压降UCES＝0.5V。 （1）正常情况 （2）Rb1短路 （3）Rb1开路 （4）Rb2开路 （5）RC短路 图P2.6 解：设UBE＝0.7V。则 基极静态电流  （2）由于UBE＝0V，T截止，UC＝12V。 （3）临界饱和基极电流  实际基极电流  由于IB＞IBS，故T饱和，UC＝UCES＝0.5V。 （4）T截止，UC＝12V。 （5）由于集电极直接接直流电源，UC＝VCC＝12V 2.7电路如图P2.7所示，晶体管的(＝80，=100Ω。分别计算RL＝∞和RL＝3kΩ时的Q点、、Ri 和Ro。 图P2.7 解2.7 在空载和带负载情况下，电路的静态电流、rbe均相等，它们分别为  空载时，静态管压降、电压放大倍数、输入电阻和输出电阻分别为  RL＝5kΩ时，静态管压降、电压放大倍数分别为   在图P2.7所示电路中，由于电路参数不同，在信号源电压为正弦波时，测得输出波形如图P2.8（a）、（b）、（c）所示，试说明电路分别产生了什么失真，如何消除。 图P2.8 解：（a）饱和失真，增大Rb，减小Rc 。 （b）截止失真，减小Rb 。 （c）同时出现饱和失真和截止失真，应增大VCC。 2.9 若由PNP型管组成的共射电路中，输出电压波形如图P2.8（a）、（b）、（c）所示，则分别产生了什么失真？ 解：（a）截止失真；（b）饱和失真；（c）同时出现饱和失真和截止失真。 2.10 已知图P2.10所示电路中晶体管的( ＝100，rbe=1kΩ。 （1）现已测得静态管压降UCEQ＝6V，估算Rb约为多少千欧； （2）若测得和的有效值分别为1mV和100mV，则负载电阻RL为多少千欧？ 图P2.10 解：（1）求解Rb  （2）求解RL：  2.11 在图P2.10所示电路中，设静态时ICQ＝2mA，晶体管饱和管压降UCES＝0.6V。试问：当负载电阻RL＝∞和RL＝3kΩ时电路的最大不失真输出电压各为多少伏？ 解：由于ICQ＝2mA，所以UCEQ＝VCC－ICQRc＝6V。 空载时，输入信号增大到一定幅值，电路首先出现饱和失真。故  时，当输入信号增大到一定幅值，电路首先出现截止失真。故  2.12在图P2.10所示电路中，设某一参数变化时其余参数不变，在表中填入①增大②减小或③基本不变。 参数变化 IBQ UCEQ  Ri Ro  Rb增大       Rc增大       RL增大        解：答案如解表P2.12所示。 解表P2.12所示 参数变化 IBQ UCEQ  Ri Ro  Rb增大 ② ① ② ① ③  Rc增大 ③ ② ① ③ ①  RL增大 ③ ③ ① ③ ③   2.13 电路如图P2.13所示，晶体管的(＝100，=100Ω。 （1）求电路的Q点、、Ri和Ro； （2）若电容Ce开路，则将引起电路的哪些动态参数发生变化？如何变化？ 图P2.13 解：（1）静态分析：  动态分析：  （2）Ri增大，Ri≈4.1kΩ；减小，≈－1.92。 2.14 试求出图P2.3（a）所示电路Q点、、Ri和Ro 的表达式。 解：Q点为  、Ri和Ro的表达式分别为  2.15 试求出图P2.3（b）所示电路Q点、、Ri和Ro的表达式。设静态时R2中的电流远大于T的基极电流。 解: Q点：  、Ri和Ro的表达式分别为  2.16 试求出图P2.3（c）所示电路Q点、、Ri和Ro的表达式。设静态时R2中的电流远大于T2管的基极电流且R3中的电流远大于T1管的基极电流。 解：两只晶体管的静态电流、管压降分析如下：  、Ri和Ro的表达式分析如下：  2.17 设图P2.17所示电路所加输入电压为正弦波。试问： 图P2.17 （1）=/≈? =/≈? （2）画出输入电压和输出电压ui、uo1、uo2 的波形； 解：（1）因为通常β＞＞1，所以电压放大倍数分别应为  两个电压放大倍数说明 uo1≈－ui，uo2≈ui。波形如解图P1.17所示。 解图P1.17 2.18 电路如图P2.18所示，晶体管的(＝80，rbe=1kΩ。 （1）求出Q点； （2）分别求出RL＝∞和RL＝3kΩ时电路的和Ri； （3）求出Ro。 图P2.18 解：（1）求解Q点：  （2）求解输入电阻和电压放大倍数： RL＝∞时  RL＝3kΩ时  （3）求解输出电阻：  2.19 电路如图P2.19所示，晶体管的(＝60，=100Ω。 （1）求解Q点、、Ri和Ro； （2）设＝10mV（有效值），问＝？＝？若C3开路，则＝？＝？ 图P2.19 解：（1）Q点：  、Ri和Ro的分析：  （2）设＝10mV（有效值），则  若C3开路，则  改正图P2.20所示各电路中的错误，使它们有可能放大正弦波电压。要求保留电路的共漏接法。 图P2.20 解：（a）源极加电阻RS。 （b）漏极加电阻RD。 （c）输入端加耦合电容。 （d）在Rg支路加－VGG，＋VDD改为－VDD 改正电路如解图P2.20所示。 解图P2.20 已知图P2.21(a)所示电路中场效应管的转移特性和输出特性分别如图（b）(c)所示。 （1）利用图解法求解Q点； （2）利用等效电路法求解、Ri和Ro 。 图P2.21 解：（1）在转移特性中作直线uGS＝－iDRS，与转移特性的交点即为Q点；读出坐标值，得出IDQ＝1mA，UGSQ＝－2V。如解图P2.21（a）所示。 解图P2.21 在输出特性中作直流负载线uDS＝VDD－iD（RD＋RS），与UGSQ＝－2V的那条输出特性曲线的交点为Q点，UDSQ≈3V。如解图P2.21（b）所示。 （2）首先画出交流等效电路（图略），然后进行动态分析。   2.22 已知图P2.22（a）所示电路中场效应管的转移特性如图（b）所示。求解电路的Q点和。 图P2.22 解：（1）求Q点： 根据电路图可知， UGSQ＝VGG＝3V。 从转移特性查得，当UGSQ＝3V时的漏极电流 IDQ＝1mA 因此管压降 UDSQ＝VDD－IDQRD＝5V。 （2）求电压放大倍数：  2.23电路如图P.23所示，已知场效应管的低频跨导为gm，试写出、Ri和Ro的表达式。 解：、Ri和Ro的表达式分别为  图P2.23 2.24 图P2.24中的哪些接法可以构成复合管？标出它们等效管的类型（如NPN型、PNP型、N沟道结型……）及管脚（b、e、c、d、g、s）。 图P2.24 解：（a）不能。 （b）不能。 （c）构成NPN型管，上端为集电极，中端为基极，下端为发射极。 （d）不能。 （e）不能。 （f）PNP型管，上端为发射极，中端为基极，下端为集电极。 （g）构成NPN型管，上端为集电极，中端为基极，下端为 发射极。