? 结构
工作原理
输出特性
转移特性
主要参数
4.1.1 JFET的结构和工作原理
4.1.2 JFET的特性曲线及参数
4.1 结型场效应管
1,结构
g
d
s
g
d
s
N P
+
P
+
4.1.1 JFET的结构和工作原理源极 (Souce)用
S或 s表示
N型导电沟道漏极 (Drain)
用 D或 d表示
P型区型区栅极,用 G或
g表示栅极 (Grid)用
G或 g表示符号
4.1.1 JFET的结构和工作原理
# 符号中的箭头方向表示什么？
名词与符号
① VGS对沟道的控制作用当 VGS＜ 0时
（以 N沟道 JFET为例）
当沟道夹断时，对应的栅源电压 VGS称为 夹断电压 VP （ 或 VGS(off) ）。
对于 N沟道的 JFET,VP <0。
PN结反偏 耗尽层加厚沟道变窄。
VGS继续减小，沟道继续变窄
② DS对沟道的控制作用当 GS=0时,VDS ID?
G,D间 PN结的反向电压增加，使靠近漏极处的耗尽层加宽，沟道变窄，
从上至下呈楔形分布。
当 VDS增加到使 VGD=VP
时，在紧靠漏极处出现预夹断。
此时 VDS? 夹断区延长?
沟道电阻 ID基本不变?
③ GS和 VDS同时作用时当 VP <VGS<0 时,导电沟道更容易夹断,对于同样的 VDS,ID的值比 VGS=0时的值要小。
在预夹断处
VGD=VGS-VDS =VP
2,工作原理
4.1.1 JFET的结构和工作原理综上分析可知
沟道中只有一种类型的多数载流子参与导电，
所以场效应管也称为单极型三极管 。
JFET是电压控制电流器件,iD受 vGS控制
预夹断前 iD与 vDS呈近似线性关系；预夹断后，
iD趋于饱和。
JFET栅极与沟道间的 PN结是反向偏置的，因此 iG?0，输入电阻很高。
4.1.1 JFET的结构和工作原理
# JFET有正常放大作用时，沟道处于什么状态？
c o ns t,DSD GS)( vvfi
2,转移特性
c o ns t,GSD DS)( vvfi
)0()1( GSP2
P
GS
D S SD vVV
vIi
VP
1,输出特性
4.1.2 JFET的特性曲线及参数
① 夹断电压 VP (或 VGS(off))：
② 饱和漏极电流 IDSS：
③ 低频跨导 gm：
DS
GS
D
m Vv
ig

时）（当 0
)1(2
GSP
P
P
GS
D S S
m
vV
V
V
vI
g或漏极电流约为零时的 VGS值 。
VGS=0时对应的漏极电流。
低频跨导反映了 vGS对 iD的控制作用。 gm可以在转移特性曲线上求得，单位是 mS(毫西门子 )。
④ 输出电阻 rd：
GS
D
DS
d Vi
vr

3,主要参数
4.1.2 JFET的特性曲线及参数
⑤ 直流输入电阻 RGS：
对于结型场效应三极管，反偏时 RGS约大于 107Ω。
⑧ 最大漏极功耗 PDM
⑥ 最大漏源电压 V(BR)DS
⑦ 最大栅源电压 V(BR)GS
4.1.2 JFET的特性曲线及参数
3,主要参数（续）
思考与习题
P.165-4.1.4,P.190-4.1.3
习 题思考题
{end}