? 直流偏置电路
静态工作点
FET小信号模型
动态指标分析
三种基本放大电路的性能比较
4.4.1 FET的直流偏置及静态分析
4.4.2 FET放大电路的小信号模型分析法
4.4 场效应管放大电路场效应管偏置电路特点
4.4.1 FET的直流偏置电路及静态分析
① 栅极只需要偏压，不需要偏流
② 注意各类 FET的偏置极性区别：
N沟道器件加正漏源偏压；
P沟道器件加负漏源偏压；
耗尽型器件加反极性栅压；
增强型器件加同极性栅压；
③ 采用偏置稳定电路
（ 1）自 偏压电路 （ 2）分压式自 偏压电路
vGS
vGS = - iDR SVGSV GV
DD
g2g1
g2 V
RR
R

RID?
1,FET典型直流偏置电路
4.4.1 FET的直流偏置电路及静态分析
VGS =
VDS = VDD - ID (Rd + R )
- IDR
可解出 Q点的 VGS,ID,VDS
VP
2,静态工作点图解
4.4.1 FET的直流偏置电路及静态分析
Q点,VGS,ID,VDS
VGS =
2GS
D D S S
P
(1 )VII
V

VDS =
已知 VP,由
VDD - ID (Rd + R )
- IDR
可解出 Q点的 VGS,ID,VDS
3,静态工作点计算
4.4.1 FET的直流偏置电路及静态分析
1,FET小信号模型
（ 1）低频模型
4.4.2 FET放大电路的小信号模型分析法
4.4.2 FET放大电路的小信号模型分析法
（ 2）高频模型
（ 1）中频小信号模型
2,共源电路动态指标分析
4.4.2 FET放大电路的小信号模型分析法
（ 3）输入电阻
（ 4）输出电阻忽略 rd
iV? gsV? RVg gsm )1( mgs RgV
oV? dgsm RVg
mVA?
Rg
Rg
m
dm
1
//ii RR
由输入输出回路得则
g
i
i I
VR

)]//([ g2g1g3 RRR? )]//([)1( g2g1g3mgsgs RRRRgrr通常则 )//(
g2g1g3i RRRR
do RR?
Rgrr )1( mgsgs
gs
gs
gsm
gs
gs
gs )(
r
V
RVgr
V
V

4.4.2 FET放大电路的小信号模型分析法
（ 2）中频电压增益共漏极放大电路如图示
（ 2）分析中频电压增益
（ 3）输入电阻
iV? gsV? )//( Lgsm RRVg)//(1 Lmgs RRgV
oV? )//( Lgsm RRVg?
mVA?
)//(1
)//(
Lm
Lm
RRg
RRg

得
)//( g2g1g3i RRRR
解,（ 1）画中频小信号模型由
i
o
V
V
1?
3,共漏电路动态指标分析
4.4.2 FET放大电路的小信号模型分析法
TI? RI? gsmVg
R
VT
gsV? TV
oR
m
1
1
g
R
所以由图有
T
T
I
V
gsmVg
m
1//
gR?
（ 4）输出电阻
4.4.2 FET放大电路的小信号模型分析法组态对应关系：
CE
BJT FET
CS
CC CD
CB CG
BJT FET
电压增益：
be
Lc )//(
r
RR
)//)(1(
)//()1(
Lebe
Le
RRr
RR


be
Lc )//(
r
RR
CE：
CC：
CB：
)//( Ldm RRg?
)//(1
)//(
Lm
Lm
RRg
RRg
)//( Ldm RRg
CS：
CD：
CG：
4.5 各种放大器件电路性能比较
beb // rR
输出电阻：
cR
)//)(1(// Lebeb RRrR

1
)//(// bebs
e
rRRR
1//
be
e
rR
cR
3,三种基本放大电路的性能比较4.4 结型场效应管
BJT FET
输入电阻：
CE：
CC：
CB：
CS：
CD：
CG：
)//( g2g1g3 RRR?
m
1//
gR
)//( g2g1g3 RRR?
CE：
CC：
CB：
CS：
CD：
CG,dR
m
1//
gR
dR
解,画中频小信号等效电路
gsmVg?
iVgsV? 2gsm RVg?
bI? bI bI
oV? cgsmcb RVgRI
MVA?
2m
cm
1 Rg
Rg

6.128
gi RR?
co RR?
M 5
则电压增益为
sg RR
放大电路如图所示。已知
，ms 18m?g,100
试求电路的中频增益、输入电阻和输出电阻。
， k 1ber
根据电路有
i
o
V
V
由于 则
sMVA
s
o
V
V

i
o
s
i
V
V
V
V
k 20
M
is
i VA
RR
R? 6.128MVA? {end}
例题思考与习题
P.191-4.4.2,4.4.3,4.5.1(选 )
习 题思考题
{end}
P.184- 4.4.3,4.4.4