第 3 章 通信用光器
3.1 光源
3.2
3.3 光无源器件返回主目录第 3 章 通信用光器件通信用光器件可以分为有源器件和无源器件两种类型 。
有源器件包括光源,光检测器和光放大器,这些器件是光发射机,光接收机和光中继器的关键器件,和光纤一起决定着基本光纤传输系统的水平 。 光无源器件主要有连接器,耦合器,波分复用器,调制器,光开关和隔离器等,这些器件对光纤通信系统的构成,功能的扩展和性能的提高都是不可缺少的 。
本章介绍通信用光器件的工作原理和主要特性,为系统的设计提供选择依据。
3.1光源光源是光发射机的关键器件,其功能是把电信号转换为光信号 。 目前光纤通信广泛使用的光源主要有半导体激光二极管或称激光器 (LD)和发光二极管或称发光管 (LED)，
有些场合也使用固体激光器,例如掺钕钇铝石榴石 (Nd:YAG)
激光器 。
本节首先介绍半导体激光器 (LD)的工作原理,基本结构和主要特性,然后进一步介绍性能更优良的分布反馈激光器 (DFB - LD),最后介绍可靠性高,寿命长和价格便宜的发光管 (LED)。
3.1.1半导体激光器工作原理和基本结构半导体激光器是向半导体 PN结注入电流,实现粒子数反转分布,产生受激辐射,再利用谐振腔的正反馈,实现光放大而 产 生 激 光 振 荡 的 。 激光,其 英 文 LASER 就是 Light
Amplification by Stimulated Emission of Radiation(受激辐射的光放大 )的缩写 。 所以讨论激光器工作原理要从受激辐射开始 。
1.
有源器件的物理基础是光和物质相互作用的效应 。 在物质的原子中,存在许多能级,最低能级 E1称为基态,能量比基态大的能级 Ei(i=2,3,4 …)称为激发态 。 电子在低能级 E1的基态和高能级 E2的激发态之间的跃迁有三种基本方式 (见图 3.1)：
图 3.1
(a) 受激吸收； (b) 自发辐射； (c) 受激辐射
hf
12
初态E
2
E
1
终态E
2
E
1
( a ) ( b )
hf
12
( c )
hf
12
hf
12
(1) 在正常状态下,电子处于低能级 E1,在入射光作用下,
它会吸收光子的能量跃迁到高能级 E2上,这种跃迁称为受激吸收 。 电子跃迁后,在低能级留下相同数目的空穴,
3.1(a)。
(2) 在高能级 E2的电子是不稳定的,即使没有外界的作用,
也会自动地跃迁到低能级 E1上与空穴复合,释放的能量转换为光子辐射出去,这种跃迁称为自发辐射,见图 3.1(b)。
(3) 在高能级 E2的电子,受到入射光的作用,被迫跃迁到低能级 E1上与空穴复合,释放的能量产生光辐射,这种跃迁称为受激辐射,见图 3.1(c)。
受激辐射是受激吸收的逆过程 。 电子在 E1和 E2两个能级之间跃迁,吸收的光子能量或辐射的光子能量都要满足波尔条件,即
E2-E1=hf12 (3.1)
式中,h=6.628× 10-34J·s,为普朗克常数,f12为吸收或辐射的光子频率 。
受激辐射和自发辐射产生的光的特点很不相同 。 受激辐射光的频率,相位,偏振态和传播方向与入射光相同,这种光称为相干光 。 自发辐射光是由大量不同激发态的电子自发跃迁产生的,其频率和方向分布在一定范围内,相位和偏振态是混乱的,这种光称为非相干光 。
产生受激辐射和产生受激吸收的物质是不同的 。 设在单位物质中,处于低能级 E1和处于高能级 E2(E2>E1)的原子数分别为 N1和 N2。 当系统处于热平衡状态时,
,k=1.381× 10-23J/K,为波尔兹曼常数,T为热力学温度 。 由于 (E2-E1)>0,T>0,所以在这种状态下,总是 N1>N2。
这是因为电子总是首先占据低能量的轨道 。 受激吸收和受激辐射的速率分别比例于 N1和 N2,且比例系数 (吸收和辐射的概率 )
相等 。 如果 N1>N2,即受激吸收大于受激辐射 。 当光通过这种物质时,光强按指数衰减,这种物质称为吸收物质 。
如果 N2>N1,即受激辐射大于受激吸收,当光通过这种物质时,会产生放大作用,这种物质称为激活物质 。 N2>N1
的分布,和正常状态 (N1>N2)的分布相反,所以称为粒子 (电子 )数反转分布 。 问题是如何得到粒子数反转分布的状态呢?
这个问题将在下面加以叙述 。
2,PN
半导体是由大量原子周期性有序排列构成的共价晶体 。
在这种晶体中,由于邻近原子的作用,电子所处的能态扩展成能级连续分布的能带,如图 3.2。 能量低的能带称为价带,
能量高的能带称为导带,导带底的能量 Ec和价带顶的能量 Ev
之间的能量差 Ec-Ev=Eg称为禁带宽度或带隙 。 电子不可能占据禁带 。
图 3.2
(a) 本征半导体； (b) N型半导体； (c) P型半导体
E
g
/2
E
g
/2
E
f
E
c
E
v
E
g
导带价带能量
E
c
E
f
E
g
E
v
E
g
E
c
E
f
E
v
( a ) ( b ) ( c )
图 3.2示出不同半导体的能带和电子分布图 。 根据量子统计理论,在热平衡状态下,能量为 E的能级被电子占据的概率为费米分布
)e x p (1
1)(
kT
EEEp f?
式中,k为波兹曼常数,T为热力学温度 。 当 T→ 0时,
P(E)→ 0,这时导带上几乎没有电子,价带上填满电子 。 E
f称为费米能级,用来描述半导体中各能级被电子占据的状态 。
在费米能级,被电子占据和空穴占据的概率相同 。
图 3.3 PN
(a) P - N结内载流子运动； (b)零偏压时 P - N结的能带图；
(c) 正向偏压下 P - N结能带图
h f
h f
E
p
c
E
p
f
E
p
v
E
n
c
E
n
f
E
n
v
内部电场外加电场电子,空穴
( c )
势垒能量
E
p
c
P 区
E
n
c
E
f
E
p
v
N 区
E
n
v
( b )
P 区
PN
结空间电荷区
N 区内部电场扩散漂移
( a )
一般状态下,本征半导体的电子和空穴是成对出现的,
用 Ef位于禁带中央来表示,见图 3.2(a)。 在本征半导体中掺入施主杂质,称为 N型半导体 。 在 N型半导体中,Ef增大,
导带的电子增多,价带的空穴相对减少,见图 3.2(b)。 在本征半导体中,掺入受主杂质,称为 P型半导体 。 在 P型半导体中,Ef减小,导带的电子减少,价带的空穴相对增多,见图
3.3(c) 。
在 P型和 N型半导体组成的 PN结界面上,由于存在多数载流子 (电子或空穴 )的梯度,因而产生扩散运动,形成内部电场,见图 3.3(a)。 内部电场产生与扩散相反方向的漂移运动,直到 P区和 N区的 Ef相同,两种运动处于平衡状态为止,
结果能带发生倾斜,见图 3.3(b)。 这时在 PN结上施加正向电压,产生与内部电场相反方向的外加电场,结果能带倾斜减小,扩散增强 。
电子运动方向与电场方向相反,便使 N区的电子向 P区运动,P区的空穴向 N区运动,最后在 PN结形成一个特殊的增益区 。 增益区的导带主要是电子,价带主要是空穴,结果获得粒子数反转分布,见图 3.3(c)。 在电子和空穴扩散过程中,导带的电子可以跃迁到价带和空穴复合,产生自发辐射光 。
3,激光振荡和光学谐振腔粒子数反转分布是产生受激辐射的必要条件,但还不能产生激光 。 只有把激活物质置于光学谐振腔中,对光的频率和方向进行选择,才能获得连续的光放大和激光振荡输出 。
基本的光学谐振腔由两个反射率分别为 R1和 R2的平行反
(如图 3.4所示 ),并被称为法布里 - 珀罗 (Fabry
Perot,FP)谐振腔 。 由于谐振腔内的激活物质具有粒子数反转分布,可以用它产生的自发辐射光作为入射光 。 入射光经反射镜反射,沿轴线方向传播的光被放大,沿非轴线方向的光被减弱 。
反射光经多次反馈,不断得到放大,方向性得到不断改善,结果增益大幅度得到提高 。
另一方面,由于谐振腔内激活物质存在吸收,反射镜存在透射和散射,因此光受到一定损耗 。 当增益和损耗相当时,
在谐振腔内开始建立稳定的激光振荡,其阈值条件为图 3.4
(a) 激光振荡； (b) 光反馈
2 n
反射镜光的振幅反射镜
L
( a )
初始位置光光强输出
O X L
( b )
γth=α+
21
1ln
2
1
RRL
式中,γth为阈值增益系数,α为谐振腔内激活物质的损耗系数,L为谐振腔的长度,R1,R2<1为两个反射镜的反射率激光振荡的相位条件为
L=q
q
nL
n
2
2
或式中,λ为激光波长,n为激活物质的折射率,q=1,2,3 …
称为纵模模数 。
4.
半导体激光器的结构多种多样,基本结构是图 3.5示出的双异质结 (DH)平面条形结构 。 这种结构由三层不同类型半导体材料构成,不同材料发射不同的光波长 。 图中标出所用材料和近似尺寸 。 结构中间有一层厚 0.1~0.3 μm的窄带隙 P型半导体,称为有源层；两侧分别为宽带隙的 P型和 N型半导体,
称为限制层 。 三层半导体置于基片 (衬底 )上,前后两个晶体解理面作为反射镜构成法布里 - 珀罗 (FP)谐振腔 。
图 3.6示出 DH激光器工作原理 。 由于限制层的带隙比有源层宽,施加正向偏压后,P层的空穴和 N层的电子注入有源层 。
P层带隙宽,导带的能态比有源层高,对注入电子形成了势垒,
注入到有源层的电子不可能扩散到 P层 。 同理,注入到有源层的空穴也不可能扩散到 N层 。
图 3.6DH
(a) 短波长； (b) 长波长 (a) 双异质结构； (b) 能带； (c) 折射率分布；
(d) 光功率分布
P
G a
1 － x
Al
x
A s
P
G a A s
N
Ga
1 － y
Al
y
A s
复合空穴异质势垒
E
能量
( a )
( b )
( c )
n
折射率
～ 5%
( d )
P
光
＋ －
电子
P层带隙宽,导带的能态比有源层高,对注入电子形成了势垒,注入到有源层的电子不可能扩散到 P层 。 同理,注入到有源层的空穴也不可能扩散到 N层 。 这样,注入到有源层的电子和空穴被限制在厚 0.1~0.3 μm的有源层内形成粒子数反转分布,这时只要很小的外加电流,就可以使电子和空穴浓度增大而提高效益 。 另一方面,有源层的折射率比限制层高,产生的激光被限制在有源区内,因而电 /光转换效率很高,输出激光的阈值电流很低,很小的散热体就可以在室温连续工作 。
3.1.2半导体激光器的主要特性
1,发射波长和光谱特性半导体激光器的发射波长取决于导带的电子跃迁到价带时所释放的能量,这个能量近似等于禁带宽度 Eg(eV),由式
(3.1)得到
hf=Eg
式中,f=c/λ,f(Hz)和 λ(μm)分别为发射光的频率和波长,
c=3× 108 m/s为光速,h=6.628× 10-34J·S为普朗克常数,1
eV=1.6× 10-19 J,代入上式得到
gg EE
hc 24.1
Eg,因而有不同的发射波长 λ。 镓铝砷 -镓砷 (GaAlAs GaAs)材料适用于 0.85 μm波段,铟镓砷磷 - 铟磷 (InGaAsP InP)材料适用于 1.3~1.55 μm波段 。 参看图 3.5(b)。
图 3.7是 GaAlAs DH激光器的光谱特性 。 在直流驱动下,
发射光波长有一定分布,谱线具有明显的模式结构 。 这种结构的产生是因为导带和价带都是由许多连续能级组成的有一定宽度的能带,两个能带中不同能级之间电子的跃迁会产生连续波长的辐射光 。
其中只有符合激光振荡的相位条件式 (3.5)的波长存在 。
这些波长取决于激光器纵向长度 L,并称为激光器的纵模 。
由图 3.7(a)可见,随着驱动电流的增加,纵模模数逐渐减少,
谱线宽度变窄 。 这种变化是由于谐振腔对光波频率和方向的选择,使边模消失,主模增益增加而产生的 。 当驱动电流足够大时,多纵模变为单纵模,这种激光器称为静态单纵模激光器 。
图 3.7(b)是 300 Mb/s数字调制的光谱特性,由图可见,随着调制电流增大,纵模模数增多,谱线宽度变宽 。 用 FP谐振腔可以得到的是直流驱动的静态单纵模激光器,要得到高速数字调制的动态单纵模激光器,必须改变激光器的结构,例如采用分布反馈激光器就可达到目的 。
图 3.7GaAlAs DH
(a) 直流驱动 ; (b) 300 Mb/s数字调制
2.
激光束的空间分布用近场和远场来描述 。 近场是指激光器输出反射镜面上的光强分布,远场是指离反射镜面一定距离处的光强分布 。 图 3.8是 GaAlAs DH激光器的近场图和远场图,
近场和远场是由谐振腔 (有源区 )的横向尺寸,即平行于 PN结平面的宽度 w和垂直于结平面的厚度 t所决定,并称为激光器的横模 。 由图 3.8可以看出,平行于结平面的谐振腔宽度 w由宽变窄,
场图呈现出由多横模变为单横模；垂直于结平面的谐振腔厚度 t
很薄,这个方向的场图总是单横模 。
图 3.8 GaAlAs DH条形激光器的近场图
W ＝ 1 0? m
2 0? m
2 0? m
3 0? m
3 0? m
5 0? m
1 0? m
近场图样
0,1 r a d
远场图样图 3.9为典型半导体激光器的远场辐射特性,图中 θ‖ 和
θ⊥ 分别为平行于结平面和垂直于结平面的辐射角,整个光束的横截面呈椭圆形 。
3,转换效率和输出光功率特性激光器的电 /光转换效率用外微分量子效率 ηd表示,其定义是在阈值电流以上,每对复合载流子产生的光子数
)(ed h f thth IIpp
hf
e
I
p
eII
hfppp
th
th
/)(
/)(
由此得到
3.-9典型半导体激光器的远场辐射特性和远场图样
(a) 光强的角分布； (b) 辐射光束
⊥
∥
1,0
0,8
0,6
0,4
0,2
0
80 60 40 20 0 20 40 60 80
T ＝ 3 0 0 K
辐射 角? ( 度 )
相对光强
( a )
⊥
∥
( b )
式中,P和 I分别为激光器的输出光功率和驱动电流,P
th和 Ith分别为相应的阈值,hf和 e分别为光子能量和电子电荷 。
激光器的光功率特性通常用 P -I曲线表示,图 3.10是典型激光器的光功率特性曲线 。 当 I<Ith时激光器发出的是自发辐射光；
当 I>Ith时,发出的是受激辐射光,光功率随驱动电流的增加而增加 。
4.
在直接光强调制下,激光器输出光功率 P和调制频率 f的关系为
P(f)=
2222 )/(4])/(1[
)0(
ffff
p
图 3.10
(a) 短波长 AlGaAs/GaAs; (b) 长波长 InGaAsP/InP
10
9
8
7
6
5
4
3
2
1
0
0 20 40 60 80
工作 电流 I / m A
单面输出功率
P
/
m
W
3,5
3,0
2,5
2,0
1,5
1,0
0,5
0
0 50 1 0 0 1 5 0I
th
工作 电流 I / m A
输出功率
P
/
m
W
( a ) ( b )
)1(1
2
1 0?
II
IIf
thhpsp
式中,fr和 ξ分别称为弛豫频率和阻尼因子,Ith和 I0分别为阈值电流和偏置电流； I′是零增益电流,高掺杂浓度的 LD，
I′=0,LD,I′=(0.7~0.8)Ith； τsp为有源区内的电子寿命,τph为谐振腔内的光子寿命 。
图 3.11示出半导体激光器的直接调制频率特性 。 弛豫频率
fr是调制频率的上限,一般激光器的 fr为 1~2 GHz。 在接近 fr
处,数字调制要产生弛豫振荡,模拟调制要产生非线性失真 。
图 3.11 半导体激光器的直接调制频率特性
0,0 1 0,1 1 10
0,1
1
10
1 0 0
fr
调制频率 f / G H z
相对光功率
5.
对于线性良好的激光器,输出光功率特性如式 (3.7b)和图
3.10所示 。 激光器输出光功率随温度而变化有两个原因,一是激光器的阈值电流 Ith随温度升高而增大,二是外微分量子效率 ηd随温度升高而减小 。 温度升高时,Ith增大,ηd减小,输出光功率明显下降,达到一定温度时,激光器就不激射了当以直流电流驱动激光器时,阈值电流随温度的变化更加严重 。
当对激光器进行脉冲调制时,阈值电流随温度呈指数变化,
在一定温度范围内,可以表示为
Ith=I0 exp
)(
0T
T
式中,I0为常数,T为结区的热力学温度,T0为激光器材料的特征温度 。 GaAlAsGaAs激光器 T0=100~150 K,InGaAsP
InP激光器 T0=40~70 K,所以长波长 InGaAsP InP激光器输出光功率对温度的变化更加敏感 。
外微分量子效率随温度的变化不十分敏感,例如,
GaAlAs GaAs激光器在 77 K时 ηd≈50%,在 300 K时,ηd
≈30%。
图 3.12示出脉冲调制的激光器,由于温度升高引起阈值电流增加和外微分量子效率减小,造成的输出光功率特性 P - I
曲线的变化 。
图 3.12 P I曲线随温度的变化
22
℃
30
℃
40
℃
50
℃
60
℃
70
℃
80
℃
P / m W
5
4
3
2
1
0
50 1 0 0
I / m A
不激 射
3.1.3
随着技术的进步,高速率光纤通信系统的发展和新型光纤通信系统例如波分复用系统的出现,都对激光器提出更高的要求 。 和由 FP谐振腔构成的 DH激光器相比,要求新型半导体激光器的谱线宽度更窄,并在高速率脉冲调制下保持动态单纵模特性；发射光波长更加稳定,并能实现调谐；阈值电流更低,
而输出光功率更大 。 具有这些特性的动态单纵模激光器有多种类型,其中性能优良并得到广泛应用的是分布反馈 (Distributed
Feed Back,DFB)激光器 。
普通激光器用 FP谐振腔两端的反射镜,对激活物质发出的辐射光进行反馈,DFB激光器用靠近有源层沿长度方向制作的周期性结构 (波纹状 )衍射光栅实现光反馈 。 这种衍射光栅的折射率周期性变化,使光沿有源层分布式反馈,所以称为分布反馈激光器 。
如图 3.13所示,由有源层发射的光,从一个方向向另一个方向传播时,一部分在光栅波纹峰反射 (如光线 a),另一部分继续向前传播,在邻近的光栅波纹峰反射 (如光线 b)。 如果光线 a
和 b匹配,相互叠加,则产生更强的反馈,而其他波长的光将相互抵消 。 虽然每个波纹峰反射的光不大,但整个光栅有成百上千个波纹峰,反馈光的总量足以产生激光振荡 。
光栅周期 Λ由下式确定
Λ=m
e
B
n2
式中,ne为材料有效折射率,λB为布喇格波长,m为衍射级数 。 在普通光栅的 DFB激光器中,发生激光振荡的有两个阈值最低,增益相同的纵模,其波长为图 3.13分布反馈 (DFB)
(a) 结构； (b) 光反馈衍射 光栅有源 层
N 层
P 层输出 光光栅有源 层
b a
∧
( a ) ( b )
式中 L为光栅长度,其他符号和式 (3.10) 意义相同 。 在普通均匀光栅中,引入一个 λ/4相移变换,使原来的波峰变波谷,波谷变波峰,可以有效地提高模式选择性和稳定性,实现动态单纵模激光器的要求 。
DFB激光器与 F P激光器相比,具有以下优点：
① 单纵模激光器 。
FP激光器的发射光谱是由增益谱和激光器纵模特性共同决定的,由于谐振腔的长度较长,导致纵模间隔小,相邻纵模间的增益差别小,因此要得到单纵模振荡非常困难 。 DFB激光器的发射光谱主要由光栅周期 Λ决定 。 Λ相当于 F P激光器的腔长 L,每一个 Λ形成一个微型谐振腔 。 由于 Λ的长度很小,所以
m阶和 (m+1)阶模之间的波长间隔比 FP腔大得多,加之多个微型腔的选模作用,很容易设计成只有一个模式就能获得足够的增益 。 于是 DFB激光器容易设计成单纵模振荡 。
② 谱线窄,波长稳定性好 。
由于 DFB激光器的每一个栅距 Λ相当于一个 FP腔,所以布喇格反射可以看作多级调谐,使得谐振波长的选择性大大提高,
谱线明显变窄,可以窄到几个 GHz。
由于光栅的作用有助于使发射波长锁定在谐振波长上,因而波长的稳定性得以改善 。
③ 动态谱线好 。
DFB激光器在高速调制时也能保持单模特性,这是 FP激光器无法比拟的 。 尽管 DFB激光器在高速调制时存在啁啾,谱线有一定展宽,但比 F P激光器的动态谱线的展宽要改善一个数量级左右 。
④ 线性好 。
DFB激光器的线性非常好,因此广泛用于模拟调制的有线电视光纤传输系统中 。
3.1.4发光二极管发光二极管 (LED)的工作原理与激光器 (LD)有所不同,
LD发射的是受激辐射光,LED发射的是自发辐射光 。 LED的结构和 LD相似,大多是采用双异质结 (DH)芯片,把有源层夹在 P型和 N型限制层中间,不同的是 LED不需要光学谐振腔,
没有阈值 。 发光二极管有两种类型：一类是正面发光型 LED，
另一类是侧面发光型 LED,其结构示于图 3.14。 和正面发光型
LED相比,侧面发光型 LED驱动电流较大,输出光功率较小,
但由于光束辐射角较小,与光纤的耦合效率较高,因而入纤光功率比正面发光型 LED大 。
图 3.14两类发光二极管 (LED)
(a) 正面发光型； (b) 侧面发光型球透镜环氧树脂
P 层
n 层有源层发光区微透镜
P 型限制层
n 型限制层有源层波导层和激光器相比,发光二极管输出光功率较小,谱线宽度较宽,调制频率较低 。 但发光二极管性能稳定,寿命长,输出光功率线性范围宽,而且制造工艺简单,价格低廉 。 因此,
这种器件在小容量短距离系统中发挥了重要作用 。
发光二极管具有如下工作特性：
(1) 光谱特性 。
发光二极管发射的是自发辐射光,没有谐振腔对波长的选择,谱线较宽,如图 3.15。 一般短波长 GaAlAs GaAs LED
谱线宽度为 30~50 nm,长波 InGaAsP InP LED谱线宽度为
60~120 nm。 随着温度升高或驱动电流增大,谱线加宽,且峰值波长向长波长方向移动,短波长和长波长 LED的移动分别
0.2~0.3 nm/℃ 和 0.3~0.5 nm/℃ 。
图 3.15 LED光谱特性
1 3 0 0 波长 / n m
△? ＝ 7 0 n m
相对光强
(2) 光束的空间分布 。
在垂直于发光平面上,正面发光型 LED辐射图呈朗伯分布,即 P(θ)=P0 cosθ,半功率点辐射角 θ≈120° 。 侧面发光型
LED,θ‖ ≈120°,θ⊥ ≈25° ~35° 。 由于 θ大,LED 与光纤的耦合效率一般小于 10 % 。
(3) 输出光功率特性 。
发光二极管实际输出的光子数远远小于有源区产生的光子数,一般外微分量子效率 ηd小于 10%。 两种类型发光二极管的输出光功率特性示于图 3.16。 驱动电流 I较小时,P - I曲线的线性较好； I过大时,由于 PN结发热产生饱和现象,使 P -I 曲线的斜率减小 。 在通常工作条件下,LED工作电流为 50~100mA,
输出光功率为几 mW,由于光束辐射角大,入纤光功率只有几百 μW。
图 3.16 发光二极管 (LED)的 P - I特性
0 1 0 0 2 0 0 3 0 0 4 0 0 5 0 0
0
5
10
15
正面 发光侧面 发光电流 I / m A
发射功率
P
/
m
W
(3) 输出光功率特性 。
发光二极管实际输出的光子数远远小于有源区产生的光子数,一般外微分量子效率 ηd小于 10%。 两种类型发光二极管的输出光功率特性示于图 3.16。 驱动电流 I较小时,P - I曲线的线性较好； I过大时,由于 PN结发热产生饱和现象,使 P -
I 曲线的斜率减小 。 在通常工作条件下,LED工作电流为
50~100 mA,输出光功率为几 mW,由于光束辐射角大,入纤光功率只有几百 μW。
(4) 频率特性 。
发光二极管的频率响应可以表示为
|H(f)|=
2)2(1
1
)0(
)(
efP
fp
式中,f为调制频率,P(f)为对应于调制频率 f的输出光功率,τe为少数载流子 (电子 )的寿命 。 定义 fc为发光二极管的截止频率,当 f=fc=1/(2πτe)时,|H(fc)|=,最高调制频率应低于截止频率 。
图 3.17示出发光二极管的频率响应,图中显示出少数载流子的寿命 τe和截止频率 fc的关系 。 对有源区为低掺杂浓度的
LED,适当增加工作电流可以缩短载流子寿命,提高截止频率 。 在一般工作条件下,正面发光型 LED截止频率为 20~30
MHz,侧面发光型 LED截止频率为 100~150 MHz。
21
图 3.17 发光二极管 (LED)的频率响应
e
＝ 1,1 n s
e
＝ 2,1 n s
e
＝ 6,4 n s
1 0 0 1 0 0 010
0,1
10
调制 频率 f / M H z
频率响应
H
(
f
)
3.1.5半导体光源一般性能和应用 〖 ST〗
表 3.1和表 3.2列出半导体激光器 (LD)和发光二极管 (LED)的一般性能 。
LED通常和多模光纤耦合,用于 1.3 μm(或 0.85 μm)波长的小容量短距离系统 。 因为 LED发光面积和光束辐射角较大,
而多模 SIF光纤或 G651规范的多模 GIF光纤具有较大的芯径和数值孔径,有利于提高耦合效率,增加入纤功率 。 LD通常和
G.652或 G.653规范的单模光纤耦合,用于 1.3 μm或 1.55 μm大容量长距离系统,这种系统在国内外都得到最广泛的应用 。 分布反馈激光器 (DFB - LD)主要和 G.653或 G.654规范的单模光纤或特殊设计的单模光纤耦合,用于超大容量的新型光纤系统,
这是目前光纤通信发展的主要趋势 。
表 3.2分布反馈激光器 (DFB - LD)一般性能在实际应用中,通常把光源做成组件,图 3.18示出 LD组件构成的实例 。 偏置电流和信号电流经驱动电路作用于 LD，
LD正向发射的光经隔离器和透镜耦合进入光纤,反向发射的光经 PIN光电二极管转换进入光功率监控器,同时利用热敏电阻和冷却元件进行温度监测和自动温度控制 (ATC)。
3.2光 -检测器
3.2.1光电二极管工作原理光电二极管 (PD)把光信号转换为电信号的功能,是由半导体 PN结的光电效应实现的 。
如 3.1节所述,在 PN结界面上,由于电子和空穴的扩散运动,形成内部电场 。 内部电场使电子和空穴产生与扩散运动方向相反的漂移运动,最终使能带发生倾斜,在 PN结界面附近形成耗尽层如图 3.19(a)。 当入射光作用在 PN结时,如果光子的能量大于或等于带隙 (hf≥Eg),便发生受激吸收,即价带的电子吸收光子的能量跃迁到导带形成光生电子 - 空穴对 。 在耗尽层,由于内部电场的作用,电子向 N区运动,空穴向 P区运动,
形成漂移电流 。
在耗尽层两侧是没有电场的中性区,由于热运动,部分光生电子和空穴通过扩散运动可能进入耗尽层,然后在电场作用下,形成和漂移电流相同方向的扩散电流 。 漂移电流分量和扩散电流分量的总和即为光生电流 。 当与 P层和 N层连接的电路开路时,便在两端产生电动势,这种效应称为光电效应 。 当连接的电路闭合时,N区过剩的电子通过外部电路流向 P区 。 同样,P区的空穴流向 N区,便形成了光生电流 。 当入射光变化时,光生电流随之作线性变化,从而把光信号转换成电信号 。 这种由 PN结构成,在入射光作用下,由于受激吸收过程产生的电子 - 空穴对的运动,在闭合电路中形成光生电流的器件,就是简单的光电二极管 (PD)。
如图 3.19(b)所示,光电二极管通常要施加适当的反向偏压,目的是增加耗尽层的宽度,缩小耗尽层两侧中性区的宽度,从而减小光生电流中的扩散分量 。 由于载流子扩散运动比漂移运动慢得多,所以减小扩散分量的比例便可显著提高响应速度 。 但是提高反向偏压,加宽耗尽层,又会增加载流子漂移的渡越时间,使响应速度减慢 。 为了解决这一矛盾,
就需要改进 PN结光电二极管的结构 。
3.2.2PIN光电二极管由于 PN结耗尽层只有几微米,大部分入射光被中性区吸收,
因而光电转换效率低,响应速度慢 。 为改善器件的特性,在
PN结中间设置一层掺杂浓度很低的本征半导体 (称为 I),这种结构便是常用的 PIN光电二极管 。
PIN光电二极管的工作原理和结构见图 3.20和图 3.21。 中间的 I层是 N型掺杂浓度很低的本征半导体,用 Π(N)表示；两侧是掺杂浓度很高的 P型和 N型半导体,用 P+和 N+表示 。 I层很厚,
吸收系数很小,入射光很容易进入材料内部被充分吸收而产生大量电子 - 空穴对,因而大幅度提高了光电转换效率 。 两侧 P+
层和 N+层很薄,吸收入射光的比例很小,I层几乎占据整个耗尽层,因而光生电流中漂移分量占支配地位,从而大大提高了响应速度 。 另外,可通过控制耗尽层的宽度 w,来改变器件的响应速度 。
图 3,21 PIN光电二极管结构抗反射膜光电极
( n )
P
＋
N
＋
E
电极
PIN光电二极管具有如下主要特性：
(1) 量子效率和光谱特性 。
光电转换效率用量子效率 η或响应度 ρ表示 。 量子效率 η的定义为一次光生电子 -空穴对和入射光子数的比值响应度的定义为一次光生电流 IP和入射光功率 P0的比值
ρ=
式中,hf为光子能量,e为电子电荷 。 量子效率和响应度取决于材料的特性和器件的结构 。 假设器件表面反射率为零,P层和 N层对量子效率的贡献可以忽略,在工作电压下,
I层全部耗尽,那么 PIN光电二极管的量子效率可以近似表示为图 3.22光电二极管响应度 ρ,量子效率 与波长 λ的关系式中,α(λ)和 w分别为 I层的吸收系数和厚度 。 由式 (3.15)可以看到,当 α(λ)w1时,η→ 1,所以为提高量子效率 η,I
层的厚度 w要足够大 。 量子效率的光谱特性取决于半导体材料的吸收光谱 α(λ),对长波长的限制由式 (3.6)确定,即
λc=hc/Eg。 图 3.22示出量子效率 η和响应度 ρ的光谱特性,由图可见,Si 适用于 0.8~0.9μm波段,Ge和 InGaAs适用于
1.3~1.6 μm波段 。 响应度一般为 0.5~0.6 (A/W)。
图 3-22 PIN光电二极管相硬度,量子效应率 与波长 的关系
10 ％
30 ％
50 ％
70 ％
＝ 90 ％
Ge
I n G a A s
0,7 0,9 1,1 1,3 1,5 1,7
0
0,2
0,4
0,6
0,8
1,0
m
(
·W
－
1
)
Si
(2) 响应时间和频率特性 。
光电二极管对高速调制光信号的响应能力用脉冲响应时间
τ或截止频率 fc(带宽 B)表示 。 对于数字脉冲调制信号,把光生电流脉冲前沿由最大幅度的 10%上升到 90%,或后沿由 90%下降到 10%的时间,分别定义为脉冲上升时间 τr和脉冲下降时间
τf。 当光电二极管具有单一时间常数 τ0时,其脉冲前沿和脉冲后沿相同,且接近指数函数 exp(t/τ0)和 exp(-t/τ0),由此得到脉冲响应时间
τ=τr=τf=2.2τ0 (3.16)
对于幅度一定,频率为 ω=2πf的正弦调制信号,用光生电流 I(ω)下降 3dB的频率定义为截止频率 fc。 当光电二极管具有单一时间常数 τ0时,
fc= (3.17)
PIN光电二极管响应时间或频率特性主要由光生载流子在耗尽层的渡越时间 τd和包括光电二极管在内的检测电路 RC常数所确定 。 当调制频率 ω与渡越时间 τd的倒数可以相比时,耗尽层 (I层 )对量子效率 η(ω)的贡献可以表示为
η(ω)= (3.18)
由 η(ω)/η(0)= 得到由渡越时间 τd限制的截止频率
r
35.0
2
1
0
2/
)2/s in ()0(
d
d
w
w
21
fc=
w
v s42.042.0
0
式中,渡越时间 τd=w/vs,w为耗尽层宽度,vs为载流子渡越速度,比例于电场强度 。 由式 (3.19)和式 (3.18)可以看出,
减小耗尽层宽度 w,可以减小渡越时间 τd,从而提高截止频率
fc,但是同时要降低量子效率 η。 图 3.23示出 Si-PIN光电二极管的量子效率 η与由渡越时间限制的截止频率 fc(带宽 )和耗尽层宽度 w的关系 。
由电路 RC时间常数限制的截止频率
fc=
dtcR?2
1
式中,Rt为光电二极管的串联电阻和负载电阻的总和,Cd
为结电容 Cj和管壳分布电容的总和 。
10 1 0 0
1 0 0 0 1 0 0 0 0
1 0 0 0 6 0 0 2 0 0
1 0 0 60 40 20 10 6 4
2
0
0,1
0,2
0,3
0,4
0,5
0,6
0,7
0,8
0,9
1,0
＝ 1,0 6? m
S i - P I N
0
.
9
5
0
.
9
0
0
.
8
5
0
.
8
0
0
.
6
3
2
8
带宽 / M H z
内量子效率耗尽区宽度 /? m
4 0 0
图 3.23 内量子效率和带宽的关系
W
Ac
j
式中,ε为材料介电常数,A为结面积,w为耗尽层宽度 。
(3) 噪声 。
噪声是反映光电二极管特性的一个重要参数,它直接影响光接收机的灵敏度 。 光电二极管的噪声包括由信号电流和暗电流产生的散粒噪声 (Shot Noise)和由负载电阻和后继放大器输入电阻产生的热噪声 。 噪声通常用均方噪声电流 (在 1Ω负载上消耗的噪声功率 )来描述 。
均方散粒噪声电流
〈 i2sh〉 =2e(IP+Id)B
式中,e为电子电荷,B为放大器带宽,IP和 Id分别为信号电流和暗电流 。
式 (3.21)第一项 2eIPB称为量子噪声,是由于入射光子和所形成的电子 - 空穴对都具有离散性和随机性而产生的 。 只要有光信号输入就有量子噪声 。 这是一种不可克服的本征噪声,
它决定光接收机灵敏度的极限 。
式 (3.22)第二项 2eIdB是暗电流产生的噪声 。 暗电流是器件在反偏压条件下,没有入射光时产生的反向直流电流,它包括晶体材料表面缺陷形成的泄漏电流和载流子热扩散形成的本征暗电流 。 暗电流与光电二极管的材料和结构有关,例如 SiPIN，
Id<1nA,GePIN,Id>100nA。
均方热噪声电流
〈 i2T〉 = (3.23)
式中,k=1.38× 10-23J/K为波尔兹曼常数,T为等效噪声温度,R为等效电阻,是负载电阻和放大器输入电阻并联的结果 。
因此,光电二极管的总均方噪声电流为
R
KTB4
〈 i2〉 =2e(IP+Id)B+
R
KTB4
3.2.3雪崩光电二极管 (APD)
I和反偏压 U的关系示于图 3.24 。
随着反向偏压的增加,开始光电流基本保持不变 。 当反向偏压增加到一定数值时,光电流急剧增加,最后器件被击穿,这个电压称为击穿电压 UB。 APD就是根据这种特性设计的器件 。
根据光电效应,当光入射到 PN结时,光子被吸收而产生电子 - 空穴对 。 如果电压增加到使电场达到 200 kV/cm以上,初始电子 (一次电子 )在高电场区获得足够能量而加速运动 。 高速运动的电子和晶格原子相碰撞,使晶格原子电离,
产生新的电子 - 空穴对 。 新产生的二次电子再次和原子碰撞 。
如此多次碰撞,产生连锁反应,致使载流子雪崩式倍增,
见图 3.25。 所以这种器件就称为雪崩光电二极管 (APD)。
图 3.24 光电二极管输出电流 I和 反向偏压 U的关系反向偏压 U
光电流暗电流输出光电流
I
0
0 U
B
图 3.25 APD
＋－
I
0
NP P ( N )
光
APD的结构有多种类型,如图 3.26示出的 N+PΠP+结构被称为拉通型 APD。 在这种类型的结构中,当偏压加大到一定值后,耗尽层拉通到 Π(P)层,一直抵达 P+接触层,是一种全耗尽型结构 。 拉通型雪崩光电二极管 (RAPD)具有光电转换效率高,
响应速度快和附加噪声低等优点 。
1.
由于雪崩倍增效应是一个复杂的随机过程,所以用这种效应对一次光生电流产生的平均增益的倍数来描述它的放大作用,
并把倍增因子 g定义为 APD输出光电流 Io和一次光生电流 I
P的比值 。
图 3.26 APD结构图电极电极光抗反 射膜
N
＋
P
P
＋
( P )
E
PI
Ig 0?
显然,APD的响应度比 PIN增加了 g倍 。 根据经验,并考虑到器件体电阻的影响,g可以表示为
n
B
n
B URIUUU
Ig
]/)[(1
1
)/(1 0
0
式中,U为反向偏压,UB为击穿电压,n为与材料特性和入射光波长有关的常数,R为体电阻 。 当 U≈UB时,
RIo/UB<<1,上式可简化为
21
0
)(
P
BB
n r I
U
n R I
Ug
2.
雪崩倍增效应不仅对信号电流而且对噪声电流同样起放大作用,所以如果不考虑别的因素,APD的均方量子噪声电流为
〈 i2q〉 =2eIPBg2 (3.26a)
这是对噪声电流直接放大产生的,并未引入新的噪声成分 。 事实上,雪崩效应产生的载流子也是随机的,所以引入新的噪声成分,并表示为附加噪声因子 F。 F(>1)是雪崩效应的随机性引起噪声增加的倍数,设 F=gx,APD的均方量子噪声电流应为
〈 i2q〉 =2eIPBg2+x (3.26b)
式中,x为附加噪声指数 。
〈 i2d〉 =2eIdBg2+x (3.27)
附加噪声指数 x与器件所用材料和制造工艺有关,
SiAPD的 x=0.3~0.5,GeAPD的 x=0.8~1.0,InGaAs APD的
x=0.5~0.7。 当式 (3.26)和式 (3.27)的 g=1时,
PIN相同 。
3.2.4光电二极管一般性能和应用表 3.3和表 3.4列出半导体光电二极管 (PIN和 APD)的一般性能 。
APD是有增益的光电二极管,在光接收机灵敏度要求较高的场合,采用 APD有利于延长系统的传输距离 。 但是采用 APD
要求有较高的偏置电压和复杂的温度补偿电路,结果增加了成本 。 因此在灵敏度要求不高的场合,一般采用 PINPD。
SiPIN和 APD用于短波长 (0.85μm)光纤通信系统 。 InGaAs
PIN用于长波长 (1.31 μm和 1.55 μm)系统,性能非常稳定,
通常把它和使用场效应管 (FET)的前置放大器集成在同一基片上,构成 FET PIN接收组件,以进一步提高灵敏度,改善器件的性能 。
这种组件已经得到广泛应用 。 新近研究的 InGaAs APD
的特点是响应速度快,传输速率可达几到十几 Gb/s,适用于超高速光纤通信系统 。 由于 GeAPD的暗电流和附加噪声指数较大,很少用于实际通信系统 。
3.3光 无 源 器一个完整的光纤通信系统,除光纤,光源和光检测器外,
还需要许多其它光器件,特别是无源器件 。 这些器件对光纤通信系统的构成,功能的扩展或性能的提高,都是不可缺少的 。 虽然对各种器件的特性有不同的要求,但是普遍要求插入损耗小,反射损耗大,工作温度范围宽,性能稳定,寿命长,体积小,价格便宜,许多器件还要求便于集成 。 本节主要介绍无源光器件的类型,原理和主要性能 。
3.3.1
连接器是实现光纤与光纤之间可拆卸 (活动 )连接的器件,
主要用于光纤线路与光发射机输出或光接收机输入之间,或光纤线路与其他光无源器件之间的连接 。 表 3.5给出光纤连接器的一般性能 。 接头是实现光纤与光纤之间的永久性 (固定 )
连接,主要用于光纤线路的构成,通常在工程现场实施 。 连接器件是光纤通信领域最基本,应用最广泛的无源器件 。
连接器有单纤 (芯 )连接器和多纤 (芯 )连接器,其特性主要取决于结构设计,加工精度和所用材料 。 单纤连接器结构有许多种类型,其中精密套管结构设计合理,效果良好,适宜大规模生产,因而得到很广泛的应用 。
表 3.5 光纤连接器一般性能图 3.27示出精密套管结构的连接器简图,包括用于对中的套管,带有微孔的插针和端面的形状 (图中画出平面的端面 )。
光纤固定在插针的微孔内,两支带光纤的插针用套管对中实现连接 。 要求光纤与微孔,插针与套管精密配合 。 对低插入损耗的连接器,要求两根光纤之间的横向偏移在 1 μm以内,
轴线倾角小于 0.5° 。 普通的 FC型连接器,光纤端面为平面 。
对于高反射损耗的连接器,要求光纤端面为球面或斜面,实现物理接触 (PC)型 。 套管和插针的材料一般可以用铜或不锈钢,
但插针材料用 ZrO2陶瓷最理想 。 ZrO2陶瓷机械性能好,耐磨,
热膨胀系数和光纤相近,使连接器的寿命 (插拔次数 )和工作温度范围 (插入损耗变化 ± 0.1 dB)大大改善 。
图 3.27 套管结构连接器简图光纤 套管 插针 粘结剂一种常用的多纤连接器是用压模塑料形成的高精度套管和矩形外壳,配合陶瓷插针构成的,这种方法可以做成 2纤或 4纤连接器 。 另一种多纤连接器是把光纤固定在用硅晶片制成的精密 V形槽内,然后多片叠加并配合适当外壳 。 这种多纤连接器配合高密度带状光缆,适用于接入网或局域网的连接 。
对于实现固定连接的接头,国内外大多借助专用自动熔接机在现场进行热熔接,也可以用 V形槽连接 。 热熔接的接头平均损耗达 0.05 dB/个 。
3.3.2
耦合器的功能是把一个输入的光信号分配给多个输出,
或把多个输入的光信号组合成一个输出 。 这种器件对光纤线路的影响主要是附加插入损耗,还有一定的反射和串扰噪声耦合器大多与波长无关,与波长相关的耦合器专称为波分复用器 /解复用器 。
1,耦合器类型图 3.28示出常用耦合器的类型,它们各具不同的功能和用途。
T形耦合器这是一种 2× 2的 3端耦合器,见图 3.28(a),其功能是把一根光纤输入的光信号按一定比例分配给两根光纤,
或把两根光纤输入的光信号组合在一起,输入一根光纤 。
图 3.28 常用耦合器的类型
T 形
( a )
… …
星 形
( b )
定向
( c )
2
3
1
4
…
1
2
N
1
＋?
2
＋?
N
( d )
波分这种耦合器主要用作不同分路比的功率分配器或功率组
n× m耦合器，见图 3.28(b)，其功能是把 n根光纤输入的光功率组合在一起，均匀地分配给 m
根光纤,m和 n不一定相等。这种耦合器通常用作多端功率分配器。
定向耦合器这是一种 2× 2的 3端或 4端耦合器,其功能是分别取出光纤中向不同方向传输的光信号 。 见图 3.28(c),光信号从端 1传输到端 2,一部分由端 3输出,端 4无输出；光信号从端 2传输到端 1,一部分由端 4输出,端 3无输出 。 定向耦合器可用作分路器,不能用作合路器 。
波分复用器 /解复用器 (也称合波器 /分波器 )这是一种与波长有关的耦合器,见图 3.28(d)。 波分复用器的功能是把多个不同波长的发射机输出的光信号组合在一起,输入到一根光纤；解复用器是把一根光纤输出的多个不同波长的光信号,
分配给不同的接收机 。 波分复用器 /解复用器将在 7.2节详细介绍 。
2.
耦合器的结构有许多种类型,其中比较实用和有发展前途的有光纤型,微器件型和波导型,图 3.29~图 3.32示出这三种类型的有代表性器件的基本结构 。
图 3.29
(a)定向耦合器； (b) 8× 8星形耦合器； (c) 由 12个 2× 2耦合器组成的
8× 8星形耦合器输入 光光强 度光纤 a
光纤 b
输出 光
2
34
1
( a )
( b )
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
( c )
光纤型把两根或多根光纤排列,用熔拉双锥技术制作各种器件 。 这种方法可以构成 T型耦合器,定向耦合器,星型耦合器和波分解复用器 。 图 3.29(a)和 (b)分别示出单模 2× 2定向耦合器和多模 n× n星形耦合器的结构 。 单模星形耦合器的端数受到一定限制,通常可以用 2× 2耦合器组成,图 3.29(c)示出由 12个单模 2× 2耦合器组成的 8× 8星形耦合器 。
图 3.29(a)所示定向耦合器可以制成波分复用 /解复用器 。
如图 3.30,光纤 a(直通臂 )传输的输出光功率为 Pa,光纤 b(耦合臂 )的输出光功率为 Pb，
Pa=cos2(CλL) (3.28a)
Pb=sin2(CλL)
图 3.30 光纤型波分解复用器原理
1
,?
2
1
2
1
2
耦合长度光功率
a
b
a
b
b
a
式中,L为耦合器有效作用长度,Cλ为取决于光纤参数和光波长的耦合系数 。
设特定波长为 λ1和 λ2,选择光纤参数,调整有效作用长度,
使得当光纤 a的输出 Pa(λ1)最大时,光纤 b的输出 Pb(λ1)=0；当
Pa(λ2)=0时,Pb(λ2)最大 。 对于 λ1和 λ2分别为 1.3μm和 1.55 μm
的光纤型解复用器,可以做到附加损耗为 0.5 dB,波长隔离度大于 20 dB。
微器件型 用自聚焦透镜和分光片 (光部分透射,部分反射 ),滤光片 (一个波长的光透射,另一个波长的光反射 )或光栅 (不同波长的光有不同反射方向 )等微光学器件可以构成 T型耦合器,定向耦合器和波分解复用器,如图 3.31所示 。
图 3.31
(a) T形耦合器； (b) 定向耦合器； (c) 滤光式解复用器； (d) 光栅式解复光纤自聚 焦透镜自聚 焦透镜光纤滤光 片
1
,?
2
1
2
1
2
3
1
＋?
2
＋?
3
光纤自聚 焦透镜硅光 栅光纤自聚 焦透镜 分光 片
1
3
4
2
( b )( a )
( c )
( d)
波导型在一片平板衬底上制作所需形状的光波导,衬底作支撑体,又作波导包层 。 波导的材料根据器件的功能来选择,一般是 SiO2,横截面为矩形或半圆形 。 图 3.32示出波导型 T型耦合器,定向耦合器和用滤光片作为波长选择元件的波分解复用器 。
3.
说明耦合器参数的模型如图 3.33所示,主要参数定义如下。
N
n
on
oc
Ot
OC
p
p
P
P
CR
1
图 3.32 波导型藕合器光波 导开角
( a )
( b )
( c )
多模 波导多层 膜滤光 片单模 波导
1,5 5? m
1,5 5? m
1,3? m
1
,3
m
由此可定义功率分路损耗 Ls：
Ls=10lg
)1(CR
附加损耗 Le由散射,吸收和器件缺陷产生的损耗,是全部输入端的光功率总和 Pit和全部输出端的光功率总和 Pot
的比值,
Le=10 lg
N
n
N
n
ot
it
P in
P in
p
P
1
1lg10
插入损耗 Lt是一个指定输入端的光功率 Pic和一个指定输出端的光功率 Poc的比值,用分贝表示
Lt=10lg
oc
ic
p
p
方向性 DIR(隔离度 )是一个输入端的光功率 Pic和由耦合器反射到其它端的光功率 Pr的比值,用分贝表示
DIR=10lg
oc
ic
p
p
一致性 U是不同输入端得到的耦合比的均匀性,或者不同输出端耦合比的等同性 。
表 3.6,表 3.7列出波长为 1.31 μm或 (和 )1.55 μm单模光纤型耦合器和波分复用器 /解复用器的一般性能 。
3.3.3光隔离器与光环行器耦合器和其他大多数光无源器件的输入端和输出端是可以互换的,称之为互易器件 。 然而在许多实际光通信系统中通常也需要非互易器件 。 隔离器就是一种非互易器件,其主要作用是只允许光波往一个方向上传输,阻止光波往其他方向特别是反方向传输 。 隔离器主要用在激光器或光放大器的后面,以避免反射光返回到该器件致使器件性能变坏 。 插入损耗和隔离度是隔离器的两个主要参数,对正向入射光的插入损耗其值越小越好,对反向反射光的隔离度其值越大越好,
目前插入损耗的典型值约为 1 dB,隔离度的典型值的大致范围为 40~50 dB。
首先介绍一下光偏振 (极化 )的概念 。 单模光纤中传输的光的偏振态 (SOP,State of Polarization) 是在垂直于光传输方向的平面上电场矢量的振动方向 。 在任何时刻,电场矢量都可以分解为两个正交分量,这两个正交分量分别称为水平模和垂直模 。
隔离器工作原理如图 3.34所示 。 这里假设入射光只是垂直偏振光,第一个偏振器的透振方向也在垂直方向,因此输入光能够通过第一个偏振器 。 紧接第一个偏振器的是法拉弟旋转器,法拉弟旋转器由旋光材料制成,能使光的偏振态旋转一定角度,例如 45°,并且其旋转方向与光传播方向无关 。
图 3.34 隔离器的工作原理法拉弟旋转器偏振器反射光阻塞入射光偏振器
S O P
法拉弟旋转器后面跟着的是第二个偏振器,这个偏振器的透振方向在 45° 方向上,因此经过法拉弟旋转器旋转
45° 后的光能够顺利地通过第二个偏振器,也就是说光信号从左到右通过这些器件 (即正方向传输 )是没有损耗的 (插入损耗除外 )。 另一方面,假定在右边存在某种反射 (比如接头的反射 ),反射光的偏振态也在 45° 方向上,当反射光通过法拉弟旋转器时再继续旋转 45°,此时就变成了水平偏振光 。
水平偏振光不能通过左面偏振器 (第一个偏振器 ),于是就达到隔离效果 。
然而在实际应用中,入射光的偏振态 (偏振方向 )是任意的,并且随时间变化,因此必须要求隔离器的工作与入射光的偏振态无关,于是隔离器的结构就变复杂了 。 一种小型的与入射光的偏振态无关的隔离器结构如图 3.35所示 。
图 3.35 一种与输入光的偏振态无关的隔离器光纤输出
SWP半波片法拉弟旋转器SWP
S O P
光纤输入
( a )
光纤输出
SWP半波片法拉弟旋转器SWP
光纤输入
( b )
具有任意偏振态的入射光首先通过一个空间分离偏振器
(SWP,Spatial Walk off Polarizer)。 这个 SWP的作用是将入射光分解为两个正交偏振分量,让垂直分量直线通过,水平分量偏折通过 。 两个分量都要通过法拉弟旋转器,其偏振态都要旋转 45° 。 法拉弟旋转器后面跟随的是一块半波片
plate或 half wave plate。 这个半波片的作用是将从左向右传播的光的偏振态顺时针旋转 45°,将从右向左传播的光的偏振态逆时针旋转 45° 。 因而法拉弟旋转器与半波片的组合可以使垂直偏振光变为水平偏振光,反之亦然 。 最后两个分量的光在输出端由另一个 SWP合在一起输出,如图 3.35(a)所示 。
另一方面,如果存在反射光在反方向上传输,半波片和法拉弟旋转器的旋转方向正好相反,当两个分量的光通过这两个器件时,其旋转效果相互抵消,偏振态维持不变,在输入端不能被 SWP再组合在一起,如图 3.35(b)所示,于是就起到隔离作用 。
环行器除了有多个端口外,其工作原理与隔离器类似 。
如图 3.36所示,典型的环行器一般有三个或四个端口 。 在三端口环行器中,端口 1输入的光信号在端口 2输出,端口 2输入的光信号在端口 3输出,端口 3输入的光信号由端口 1输出 。 光环行器主要用于光分插复用器中 。
图 3.36
(a) 三端口； (b) 四端口
1
3
2
( a ) ( b )
1 3
2
4
3.3.4光调制器为提高光纤通信系统的质量,避免直接调制激光器时产生线性调频的限制,要采用外调制方式,把激光的产生和调制分开 。 所以在高速率系统,波分复用系统和相干光系统中都要用调制器 。 调制器可以用电光效应,磁光效应或声光效应来实现 。 最有用的调制器是利用具有强电光效应的铌酸锂
(LiNbO3)晶体制成的 。 这种晶体的折射率 n和外加电场 E的关
n=n0+αE+βE2
式中,n0为 E=0时晶体的折射率 。 α和 β是张量,称为电光系数,其值和偏振面与晶体轴线的取向有关 。
根据不同取向,当 β=0时,n随 E按比例变化,称为线性电光效应或普克尔 (Pockel)效应 。 当 α=0时,n随 E2按比例变化,
称为二次电光效应或克尔 (Kerr)效应 。 调制器是利用线性电光效应实现的,因为折射率 n随外加电场 E(电压 U)而变化,改变了入射光的相位和输出光功率 。 图 3.37是马赫 - 曾德尔
(MZ)干涉型调制器的简图 。 在 LiNbO3晶体衬底上,制作两条光程相同的单模光波导,其中一条波导的两侧施加可变电压 。
设输入调制信号按余弦变化,则输出信号的光功率
P=1+cos
U UU bS
图 3.37 马赫 - 曾德尔干涉仪型调制器信号电压电极输出光电光晶体光波导输入光式中 Us和 Ub分别为信号电压和偏置电压,Uπ为光功率变化半个周期 (相位为 0~π)所需的外加电压,并称为半波电压 。
由式 (3.35) 可 以 看 到,当 Us+Ub=0 时,P=2 为 最 大 ； 当
Us+Ub=Uπ时,P=0。 图 3.38给出这种调制器的工作原理 。
用于幅度调制 (AM)的 MZ型调制器可以达到如下性能：外加电压 11 V,带宽为 3 GHz时插入损耗约 6 dB,消光比 (最小输出和最大输出的比值 )为 0.006。
图 3.38 马赫 - 曾德尔干涉仪型调制器特性
2
1
0
2
π
输出 波形输入 波形相位 差?
输出光功率 P
3.3.5光开关光开关的功能是转换光路,实现光交换,它是光网络的重要器件 。
光开关可分为两大类,一类是机械光开关,利用电磁铁或步进电机驱动光纤,棱镜或反射镜等光学元件实现光路转换； 另一类是固体光开关,利用磁光效应,电光效应或声光效应实现光路转换 。 机械光开关的优点是插入损耗小,串扰,
适合各种光纤,技术成熟； 缺点是开关速度慢 。 固体光开关正相反,优点是开关速度快；缺点是插入损耗大,串扰大,
只适合单模光纤 。 两类光开关的一般性能如表 3.8所示 。
3.1 光源
3.2
3.3 光无源器件返回主目录第 3 章 通信用光器件通信用光器件可以分为有源器件和无源器件两种类型 。
有源器件包括光源,光检测器和光放大器,这些器件是光发射机,光接收机和光中继器的关键器件,和光纤一起决定着基本光纤传输系统的水平 。 光无源器件主要有连接器,耦合器,波分复用器,调制器,光开关和隔离器等,这些器件对光纤通信系统的构成,功能的扩展和性能的提高都是不可缺少的 。
本章介绍通信用光器件的工作原理和主要特性,为系统的设计提供选择依据。
3.1光源光源是光发射机的关键器件,其功能是把电信号转换为光信号 。 目前光纤通信广泛使用的光源主要有半导体激光二极管或称激光器 (LD)和发光二极管或称发光管 (LED)，
有些场合也使用固体激光器,例如掺钕钇铝石榴石 (Nd:YAG)
激光器 。
本节首先介绍半导体激光器 (LD)的工作原理,基本结构和主要特性,然后进一步介绍性能更优良的分布反馈激光器 (DFB - LD),最后介绍可靠性高,寿命长和价格便宜的发光管 (LED)。
3.1.1半导体激光器工作原理和基本结构半导体激光器是向半导体 PN结注入电流,实现粒子数反转分布,产生受激辐射,再利用谐振腔的正反馈,实现光放大而 产 生 激 光 振 荡 的 。 激光,其 英 文 LASER 就是 Light
Amplification by Stimulated Emission of Radiation(受激辐射的光放大 )的缩写 。 所以讨论激光器工作原理要从受激辐射开始 。
1.
有源器件的物理基础是光和物质相互作用的效应 。 在物质的原子中,存在许多能级,最低能级 E1称为基态,能量比基态大的能级 Ei(i=2,3,4 …)称为激发态 。 电子在低能级 E1的基态和高能级 E2的激发态之间的跃迁有三种基本方式 (见图 3.1)：
图 3.1
(a) 受激吸收； (b) 自发辐射； (c) 受激辐射
hf
12
初态E
2
E
1
终态E
2
E
1
( a ) ( b )
hf
12
( c )
hf
12
hf
12
(1) 在正常状态下,电子处于低能级 E1,在入射光作用下,
它会吸收光子的能量跃迁到高能级 E2上,这种跃迁称为受激吸收 。 电子跃迁后,在低能级留下相同数目的空穴,
3.1(a)。
(2) 在高能级 E2的电子是不稳定的,即使没有外界的作用,
也会自动地跃迁到低能级 E1上与空穴复合,释放的能量转换为光子辐射出去,这种跃迁称为自发辐射,见图 3.1(b)。
(3) 在高能级 E2的电子,受到入射光的作用,被迫跃迁到低能级 E1上与空穴复合,释放的能量产生光辐射,这种跃迁称为受激辐射,见图 3.1(c)。
受激辐射是受激吸收的逆过程 。 电子在 E1和 E2两个能级之间跃迁,吸收的光子能量或辐射的光子能量都要满足波尔条件,即
E2-E1=hf12 (3.1)
式中,h=6.628× 10-34J·s,为普朗克常数,f12为吸收或辐射的光子频率 。
受激辐射和自发辐射产生的光的特点很不相同 。 受激辐射光的频率,相位,偏振态和传播方向与入射光相同,这种光称为相干光 。 自发辐射光是由大量不同激发态的电子自发跃迁产生的,其频率和方向分布在一定范围内,相位和偏振态是混乱的,这种光称为非相干光 。
产生受激辐射和产生受激吸收的物质是不同的 。 设在单位物质中,处于低能级 E1和处于高能级 E2(E2>E1)的原子数分别为 N1和 N2。 当系统处于热平衡状态时,
,k=1.381× 10-23J/K,为波尔兹曼常数,T为热力学温度 。 由于 (E2-E1)>0,T>0,所以在这种状态下,总是 N1>N2。
这是因为电子总是首先占据低能量的轨道 。 受激吸收和受激辐射的速率分别比例于 N1和 N2,且比例系数 (吸收和辐射的概率 )
相等 。 如果 N1>N2,即受激吸收大于受激辐射 。 当光通过这种物质时,光强按指数衰减,这种物质称为吸收物质 。
如果 N2>N1,即受激辐射大于受激吸收,当光通过这种物质时,会产生放大作用,这种物质称为激活物质 。 N2>N1
的分布,和正常状态 (N1>N2)的分布相反,所以称为粒子 (电子 )数反转分布 。 问题是如何得到粒子数反转分布的状态呢?
这个问题将在下面加以叙述 。
2,PN
半导体是由大量原子周期性有序排列构成的共价晶体 。
在这种晶体中,由于邻近原子的作用,电子所处的能态扩展成能级连续分布的能带,如图 3.2。 能量低的能带称为价带,
能量高的能带称为导带,导带底的能量 Ec和价带顶的能量 Ev
之间的能量差 Ec-Ev=Eg称为禁带宽度或带隙 。 电子不可能占据禁带 。
图 3.2
(a) 本征半导体； (b) N型半导体； (c) P型半导体
E
g
/2
E
g
/2
E
f
E
c
E
v
E
g
导带价带能量
E
c
E
f
E
g
E
v
E
g
E
c
E
f
E
v
( a ) ( b ) ( c )
图 3.2示出不同半导体的能带和电子分布图 。 根据量子统计理论,在热平衡状态下,能量为 E的能级被电子占据的概率为费米分布
)e x p (1
1)(
kT
EEEp f?
式中,k为波兹曼常数,T为热力学温度 。 当 T→ 0时,
P(E)→ 0,这时导带上几乎没有电子,价带上填满电子 。 E
f称为费米能级,用来描述半导体中各能级被电子占据的状态 。
在费米能级,被电子占据和空穴占据的概率相同 。
图 3.3 PN
(a) P - N结内载流子运动； (b)零偏压时 P - N结的能带图；
(c) 正向偏压下 P - N结能带图
h f
h f
E
p
c
E
p
f
E
p
v
E
n
c
E
n
f
E
n
v
内部电场外加电场电子,空穴
( c )
势垒能量
E
p
c
P 区
E
n
c
E
f
E
p
v
N 区
E
n
v
( b )
P 区
PN
结空间电荷区
N 区内部电场扩散漂移
( a )
一般状态下,本征半导体的电子和空穴是成对出现的,
用 Ef位于禁带中央来表示,见图 3.2(a)。 在本征半导体中掺入施主杂质,称为 N型半导体 。 在 N型半导体中,Ef增大,
导带的电子增多,价带的空穴相对减少,见图 3.2(b)。 在本征半导体中,掺入受主杂质,称为 P型半导体 。 在 P型半导体中,Ef减小,导带的电子减少,价带的空穴相对增多,见图
3.3(c) 。
在 P型和 N型半导体组成的 PN结界面上,由于存在多数载流子 (电子或空穴 )的梯度,因而产生扩散运动,形成内部电场,见图 3.3(a)。 内部电场产生与扩散相反方向的漂移运动,直到 P区和 N区的 Ef相同,两种运动处于平衡状态为止,
结果能带发生倾斜,见图 3.3(b)。 这时在 PN结上施加正向电压,产生与内部电场相反方向的外加电场,结果能带倾斜减小,扩散增强 。
电子运动方向与电场方向相反,便使 N区的电子向 P区运动,P区的空穴向 N区运动,最后在 PN结形成一个特殊的增益区 。 增益区的导带主要是电子,价带主要是空穴,结果获得粒子数反转分布,见图 3.3(c)。 在电子和空穴扩散过程中,导带的电子可以跃迁到价带和空穴复合,产生自发辐射光 。
3,激光振荡和光学谐振腔粒子数反转分布是产生受激辐射的必要条件,但还不能产生激光 。 只有把激活物质置于光学谐振腔中,对光的频率和方向进行选择,才能获得连续的光放大和激光振荡输出 。
基本的光学谐振腔由两个反射率分别为 R1和 R2的平行反
(如图 3.4所示 ),并被称为法布里 - 珀罗 (Fabry
Perot,FP)谐振腔 。 由于谐振腔内的激活物质具有粒子数反转分布,可以用它产生的自发辐射光作为入射光 。 入射光经反射镜反射,沿轴线方向传播的光被放大,沿非轴线方向的光被减弱 。
反射光经多次反馈,不断得到放大,方向性得到不断改善,结果增益大幅度得到提高 。
另一方面,由于谐振腔内激活物质存在吸收,反射镜存在透射和散射,因此光受到一定损耗 。 当增益和损耗相当时,
在谐振腔内开始建立稳定的激光振荡,其阈值条件为图 3.4
(a) 激光振荡； (b) 光反馈
2 n
反射镜光的振幅反射镜
L
( a )
初始位置光光强输出
O X L
( b )
γth=α+
21
1ln
2
1
RRL
式中,γth为阈值增益系数,α为谐振腔内激活物质的损耗系数,L为谐振腔的长度,R1,R2<1为两个反射镜的反射率激光振荡的相位条件为
L=q
q
nL
n
2
2
或式中,λ为激光波长,n为激活物质的折射率,q=1,2,3 …
称为纵模模数 。
4.
半导体激光器的结构多种多样,基本结构是图 3.5示出的双异质结 (DH)平面条形结构 。 这种结构由三层不同类型半导体材料构成,不同材料发射不同的光波长 。 图中标出所用材料和近似尺寸 。 结构中间有一层厚 0.1~0.3 μm的窄带隙 P型半导体,称为有源层；两侧分别为宽带隙的 P型和 N型半导体,
称为限制层 。 三层半导体置于基片 (衬底 )上,前后两个晶体解理面作为反射镜构成法布里 - 珀罗 (FP)谐振腔 。
图 3.6示出 DH激光器工作原理 。 由于限制层的带隙比有源层宽,施加正向偏压后,P层的空穴和 N层的电子注入有源层 。
P层带隙宽,导带的能态比有源层高,对注入电子形成了势垒,
注入到有源层的电子不可能扩散到 P层 。 同理,注入到有源层的空穴也不可能扩散到 N层 。
图 3.6DH
(a) 短波长； (b) 长波长 (a) 双异质结构； (b) 能带； (c) 折射率分布；
(d) 光功率分布
P
G a
1 － x
Al
x
A s
P
G a A s
N
Ga
1 － y
Al
y
A s
复合空穴异质势垒
E
能量
( a )
( b )
( c )
n
折射率
～ 5%
( d )
P
光
＋ －
电子
P层带隙宽,导带的能态比有源层高,对注入电子形成了势垒,注入到有源层的电子不可能扩散到 P层 。 同理,注入到有源层的空穴也不可能扩散到 N层 。 这样,注入到有源层的电子和空穴被限制在厚 0.1~0.3 μm的有源层内形成粒子数反转分布,这时只要很小的外加电流,就可以使电子和空穴浓度增大而提高效益 。 另一方面,有源层的折射率比限制层高,产生的激光被限制在有源区内,因而电 /光转换效率很高,输出激光的阈值电流很低,很小的散热体就可以在室温连续工作 。
3.1.2半导体激光器的主要特性
1,发射波长和光谱特性半导体激光器的发射波长取决于导带的电子跃迁到价带时所释放的能量,这个能量近似等于禁带宽度 Eg(eV),由式
(3.1)得到
hf=Eg
式中,f=c/λ,f(Hz)和 λ(μm)分别为发射光的频率和波长,
c=3× 108 m/s为光速,h=6.628× 10-34J·S为普朗克常数,1
eV=1.6× 10-19 J,代入上式得到
gg EE
hc 24.1
Eg,因而有不同的发射波长 λ。 镓铝砷 -镓砷 (GaAlAs GaAs)材料适用于 0.85 μm波段,铟镓砷磷 - 铟磷 (InGaAsP InP)材料适用于 1.3~1.55 μm波段 。 参看图 3.5(b)。
图 3.7是 GaAlAs DH激光器的光谱特性 。 在直流驱动下,
发射光波长有一定分布,谱线具有明显的模式结构 。 这种结构的产生是因为导带和价带都是由许多连续能级组成的有一定宽度的能带,两个能带中不同能级之间电子的跃迁会产生连续波长的辐射光 。
其中只有符合激光振荡的相位条件式 (3.5)的波长存在 。
这些波长取决于激光器纵向长度 L,并称为激光器的纵模 。
由图 3.7(a)可见,随着驱动电流的增加,纵模模数逐渐减少,
谱线宽度变窄 。 这种变化是由于谐振腔对光波频率和方向的选择,使边模消失,主模增益增加而产生的 。 当驱动电流足够大时,多纵模变为单纵模,这种激光器称为静态单纵模激光器 。
图 3.7(b)是 300 Mb/s数字调制的光谱特性,由图可见,随着调制电流增大,纵模模数增多,谱线宽度变宽 。 用 FP谐振腔可以得到的是直流驱动的静态单纵模激光器,要得到高速数字调制的动态单纵模激光器,必须改变激光器的结构,例如采用分布反馈激光器就可达到目的 。
图 3.7GaAlAs DH
(a) 直流驱动 ; (b) 300 Mb/s数字调制
2.
激光束的空间分布用近场和远场来描述 。 近场是指激光器输出反射镜面上的光强分布,远场是指离反射镜面一定距离处的光强分布 。 图 3.8是 GaAlAs DH激光器的近场图和远场图,
近场和远场是由谐振腔 (有源区 )的横向尺寸,即平行于 PN结平面的宽度 w和垂直于结平面的厚度 t所决定,并称为激光器的横模 。 由图 3.8可以看出,平行于结平面的谐振腔宽度 w由宽变窄,
场图呈现出由多横模变为单横模；垂直于结平面的谐振腔厚度 t
很薄,这个方向的场图总是单横模 。
图 3.8 GaAlAs DH条形激光器的近场图
W ＝ 1 0? m
2 0? m
2 0? m
3 0? m
3 0? m
5 0? m
1 0? m
近场图样
0,1 r a d
远场图样图 3.9为典型半导体激光器的远场辐射特性,图中 θ‖ 和
θ⊥ 分别为平行于结平面和垂直于结平面的辐射角,整个光束的横截面呈椭圆形 。
3,转换效率和输出光功率特性激光器的电 /光转换效率用外微分量子效率 ηd表示,其定义是在阈值电流以上,每对复合载流子产生的光子数
)(ed h f thth IIpp
hf
e
I
p
eII
hfppp
th
th
/)(
/)(
由此得到
3.-9典型半导体激光器的远场辐射特性和远场图样
(a) 光强的角分布； (b) 辐射光束
⊥
∥
1,0
0,8
0,6
0,4
0,2
0
80 60 40 20 0 20 40 60 80
T ＝ 3 0 0 K
辐射 角? ( 度 )
相对光强
( a )
⊥
∥
( b )
式中,P和 I分别为激光器的输出光功率和驱动电流,P
th和 Ith分别为相应的阈值,hf和 e分别为光子能量和电子电荷 。
激光器的光功率特性通常用 P -I曲线表示,图 3.10是典型激光器的光功率特性曲线 。 当 I<Ith时激光器发出的是自发辐射光；
当 I>Ith时,发出的是受激辐射光,光功率随驱动电流的增加而增加 。
4.
在直接光强调制下,激光器输出光功率 P和调制频率 f的关系为
P(f)=
2222 )/(4])/(1[
)0(
ffff
p
图 3.10
(a) 短波长 AlGaAs/GaAs; (b) 长波长 InGaAsP/InP
10
9
8
7
6
5
4
3
2
1
0
0 20 40 60 80
工作 电流 I / m A
单面输出功率
P
/
m
W
3,5
3,0
2,5
2,0
1,5
1,0
0,5
0
0 50 1 0 0 1 5 0I
th
工作 电流 I / m A
输出功率
P
/
m
W
( a ) ( b )
)1(1
2
1 0?
II
IIf
thhpsp
式中,fr和 ξ分别称为弛豫频率和阻尼因子,Ith和 I0分别为阈值电流和偏置电流； I′是零增益电流,高掺杂浓度的 LD，
I′=0,LD,I′=(0.7~0.8)Ith； τsp为有源区内的电子寿命,τph为谐振腔内的光子寿命 。
图 3.11示出半导体激光器的直接调制频率特性 。 弛豫频率
fr是调制频率的上限,一般激光器的 fr为 1~2 GHz。 在接近 fr
处,数字调制要产生弛豫振荡,模拟调制要产生非线性失真 。
图 3.11 半导体激光器的直接调制频率特性
0,0 1 0,1 1 10
0,1
1
10
1 0 0
fr
调制频率 f / G H z
相对光功率
5.
对于线性良好的激光器,输出光功率特性如式 (3.7b)和图
3.10所示 。 激光器输出光功率随温度而变化有两个原因,一是激光器的阈值电流 Ith随温度升高而增大,二是外微分量子效率 ηd随温度升高而减小 。 温度升高时,Ith增大,ηd减小,输出光功率明显下降,达到一定温度时,激光器就不激射了当以直流电流驱动激光器时,阈值电流随温度的变化更加严重 。
当对激光器进行脉冲调制时,阈值电流随温度呈指数变化,
在一定温度范围内,可以表示为
Ith=I0 exp
)(
0T
T
式中,I0为常数,T为结区的热力学温度,T0为激光器材料的特征温度 。 GaAlAsGaAs激光器 T0=100~150 K,InGaAsP
InP激光器 T0=40~70 K,所以长波长 InGaAsP InP激光器输出光功率对温度的变化更加敏感 。
外微分量子效率随温度的变化不十分敏感,例如,
GaAlAs GaAs激光器在 77 K时 ηd≈50%,在 300 K时,ηd
≈30%。
图 3.12示出脉冲调制的激光器,由于温度升高引起阈值电流增加和外微分量子效率减小,造成的输出光功率特性 P - I
曲线的变化 。
图 3.12 P I曲线随温度的变化
22
℃
30
℃
40
℃
50
℃
60
℃
70
℃
80
℃
P / m W
5
4
3
2
1
0
50 1 0 0
I / m A
不激 射
3.1.3
随着技术的进步,高速率光纤通信系统的发展和新型光纤通信系统例如波分复用系统的出现,都对激光器提出更高的要求 。 和由 FP谐振腔构成的 DH激光器相比,要求新型半导体激光器的谱线宽度更窄,并在高速率脉冲调制下保持动态单纵模特性；发射光波长更加稳定,并能实现调谐；阈值电流更低,
而输出光功率更大 。 具有这些特性的动态单纵模激光器有多种类型,其中性能优良并得到广泛应用的是分布反馈 (Distributed
Feed Back,DFB)激光器 。
普通激光器用 FP谐振腔两端的反射镜,对激活物质发出的辐射光进行反馈,DFB激光器用靠近有源层沿长度方向制作的周期性结构 (波纹状 )衍射光栅实现光反馈 。 这种衍射光栅的折射率周期性变化,使光沿有源层分布式反馈,所以称为分布反馈激光器 。
如图 3.13所示,由有源层发射的光,从一个方向向另一个方向传播时,一部分在光栅波纹峰反射 (如光线 a),另一部分继续向前传播,在邻近的光栅波纹峰反射 (如光线 b)。 如果光线 a
和 b匹配,相互叠加,则产生更强的反馈,而其他波长的光将相互抵消 。 虽然每个波纹峰反射的光不大,但整个光栅有成百上千个波纹峰,反馈光的总量足以产生激光振荡 。
光栅周期 Λ由下式确定
Λ=m
e
B
n2
式中,ne为材料有效折射率,λB为布喇格波长,m为衍射级数 。 在普通光栅的 DFB激光器中,发生激光振荡的有两个阈值最低,增益相同的纵模,其波长为图 3.13分布反馈 (DFB)
(a) 结构； (b) 光反馈衍射 光栅有源 层
N 层
P 层输出 光光栅有源 层
b a
∧
( a ) ( b )
式中 L为光栅长度,其他符号和式 (3.10) 意义相同 。 在普通均匀光栅中,引入一个 λ/4相移变换,使原来的波峰变波谷,波谷变波峰,可以有效地提高模式选择性和稳定性,实现动态单纵模激光器的要求 。
DFB激光器与 F P激光器相比,具有以下优点：
① 单纵模激光器 。
FP激光器的发射光谱是由增益谱和激光器纵模特性共同决定的,由于谐振腔的长度较长,导致纵模间隔小,相邻纵模间的增益差别小,因此要得到单纵模振荡非常困难 。 DFB激光器的发射光谱主要由光栅周期 Λ决定 。 Λ相当于 F P激光器的腔长 L,每一个 Λ形成一个微型谐振腔 。 由于 Λ的长度很小,所以
m阶和 (m+1)阶模之间的波长间隔比 FP腔大得多,加之多个微型腔的选模作用,很容易设计成只有一个模式就能获得足够的增益 。 于是 DFB激光器容易设计成单纵模振荡 。
② 谱线窄,波长稳定性好 。
由于 DFB激光器的每一个栅距 Λ相当于一个 FP腔,所以布喇格反射可以看作多级调谐,使得谐振波长的选择性大大提高,
谱线明显变窄,可以窄到几个 GHz。
由于光栅的作用有助于使发射波长锁定在谐振波长上,因而波长的稳定性得以改善 。
③ 动态谱线好 。
DFB激光器在高速调制时也能保持单模特性,这是 FP激光器无法比拟的 。 尽管 DFB激光器在高速调制时存在啁啾,谱线有一定展宽,但比 F P激光器的动态谱线的展宽要改善一个数量级左右 。
④ 线性好 。
DFB激光器的线性非常好,因此广泛用于模拟调制的有线电视光纤传输系统中 。
3.1.4发光二极管发光二极管 (LED)的工作原理与激光器 (LD)有所不同,
LD发射的是受激辐射光,LED发射的是自发辐射光 。 LED的结构和 LD相似,大多是采用双异质结 (DH)芯片,把有源层夹在 P型和 N型限制层中间,不同的是 LED不需要光学谐振腔,
没有阈值 。 发光二极管有两种类型：一类是正面发光型 LED，
另一类是侧面发光型 LED,其结构示于图 3.14。 和正面发光型
LED相比,侧面发光型 LED驱动电流较大,输出光功率较小,
但由于光束辐射角较小,与光纤的耦合效率较高,因而入纤光功率比正面发光型 LED大 。
图 3.14两类发光二极管 (LED)
(a) 正面发光型； (b) 侧面发光型球透镜环氧树脂
P 层
n 层有源层发光区微透镜
P 型限制层
n 型限制层有源层波导层和激光器相比,发光二极管输出光功率较小,谱线宽度较宽,调制频率较低 。 但发光二极管性能稳定,寿命长,输出光功率线性范围宽,而且制造工艺简单,价格低廉 。 因此,
这种器件在小容量短距离系统中发挥了重要作用 。
发光二极管具有如下工作特性：
(1) 光谱特性 。
发光二极管发射的是自发辐射光,没有谐振腔对波长的选择,谱线较宽,如图 3.15。 一般短波长 GaAlAs GaAs LED
谱线宽度为 30~50 nm,长波 InGaAsP InP LED谱线宽度为
60~120 nm。 随着温度升高或驱动电流增大,谱线加宽,且峰值波长向长波长方向移动,短波长和长波长 LED的移动分别
0.2~0.3 nm/℃ 和 0.3~0.5 nm/℃ 。
图 3.15 LED光谱特性
1 3 0 0 波长 / n m
△? ＝ 7 0 n m
相对光强
(2) 光束的空间分布 。
在垂直于发光平面上,正面发光型 LED辐射图呈朗伯分布,即 P(θ)=P0 cosθ,半功率点辐射角 θ≈120° 。 侧面发光型
LED,θ‖ ≈120°,θ⊥ ≈25° ~35° 。 由于 θ大,LED 与光纤的耦合效率一般小于 10 % 。
(3) 输出光功率特性 。
发光二极管实际输出的光子数远远小于有源区产生的光子数,一般外微分量子效率 ηd小于 10%。 两种类型发光二极管的输出光功率特性示于图 3.16。 驱动电流 I较小时,P - I曲线的线性较好； I过大时,由于 PN结发热产生饱和现象,使 P -I 曲线的斜率减小 。 在通常工作条件下,LED工作电流为 50~100mA,
输出光功率为几 mW,由于光束辐射角大,入纤光功率只有几百 μW。
图 3.16 发光二极管 (LED)的 P - I特性
0 1 0 0 2 0 0 3 0 0 4 0 0 5 0 0
0
5
10
15
正面 发光侧面 发光电流 I / m A
发射功率
P
/
m
W
(3) 输出光功率特性 。
发光二极管实际输出的光子数远远小于有源区产生的光子数,一般外微分量子效率 ηd小于 10%。 两种类型发光二极管的输出光功率特性示于图 3.16。 驱动电流 I较小时,P - I曲线的线性较好； I过大时,由于 PN结发热产生饱和现象,使 P -
I 曲线的斜率减小 。 在通常工作条件下,LED工作电流为
50~100 mA,输出光功率为几 mW,由于光束辐射角大,入纤光功率只有几百 μW。
(4) 频率特性 。
发光二极管的频率响应可以表示为
|H(f)|=
2)2(1
1
)0(
)(
efP
fp
式中,f为调制频率,P(f)为对应于调制频率 f的输出光功率,τe为少数载流子 (电子 )的寿命 。 定义 fc为发光二极管的截止频率,当 f=fc=1/(2πτe)时,|H(fc)|=,最高调制频率应低于截止频率 。
图 3.17示出发光二极管的频率响应,图中显示出少数载流子的寿命 τe和截止频率 fc的关系 。 对有源区为低掺杂浓度的
LED,适当增加工作电流可以缩短载流子寿命,提高截止频率 。 在一般工作条件下,正面发光型 LED截止频率为 20~30
MHz,侧面发光型 LED截止频率为 100~150 MHz。
21
图 3.17 发光二极管 (LED)的频率响应
e
＝ 1,1 n s
e
＝ 2,1 n s
e
＝ 6,4 n s
1 0 0 1 0 0 010
0,1
10
调制 频率 f / M H z
频率响应
H
(
f
)
3.1.5半导体光源一般性能和应用 〖 ST〗
表 3.1和表 3.2列出半导体激光器 (LD)和发光二极管 (LED)的一般性能 。
LED通常和多模光纤耦合,用于 1.3 μm(或 0.85 μm)波长的小容量短距离系统 。 因为 LED发光面积和光束辐射角较大,
而多模 SIF光纤或 G651规范的多模 GIF光纤具有较大的芯径和数值孔径,有利于提高耦合效率,增加入纤功率 。 LD通常和
G.652或 G.653规范的单模光纤耦合,用于 1.3 μm或 1.55 μm大容量长距离系统,这种系统在国内外都得到最广泛的应用 。 分布反馈激光器 (DFB - LD)主要和 G.653或 G.654规范的单模光纤或特殊设计的单模光纤耦合,用于超大容量的新型光纤系统,
这是目前光纤通信发展的主要趋势 。
表 3.2分布反馈激光器 (DFB - LD)一般性能在实际应用中,通常把光源做成组件,图 3.18示出 LD组件构成的实例 。 偏置电流和信号电流经驱动电路作用于 LD，
LD正向发射的光经隔离器和透镜耦合进入光纤,反向发射的光经 PIN光电二极管转换进入光功率监控器,同时利用热敏电阻和冷却元件进行温度监测和自动温度控制 (ATC)。
3.2光 -检测器
3.2.1光电二极管工作原理光电二极管 (PD)把光信号转换为电信号的功能,是由半导体 PN结的光电效应实现的 。
如 3.1节所述,在 PN结界面上,由于电子和空穴的扩散运动,形成内部电场 。 内部电场使电子和空穴产生与扩散运动方向相反的漂移运动,最终使能带发生倾斜,在 PN结界面附近形成耗尽层如图 3.19(a)。 当入射光作用在 PN结时,如果光子的能量大于或等于带隙 (hf≥Eg),便发生受激吸收,即价带的电子吸收光子的能量跃迁到导带形成光生电子 - 空穴对 。 在耗尽层,由于内部电场的作用,电子向 N区运动,空穴向 P区运动,
形成漂移电流 。
在耗尽层两侧是没有电场的中性区,由于热运动,部分光生电子和空穴通过扩散运动可能进入耗尽层,然后在电场作用下,形成和漂移电流相同方向的扩散电流 。 漂移电流分量和扩散电流分量的总和即为光生电流 。 当与 P层和 N层连接的电路开路时,便在两端产生电动势,这种效应称为光电效应 。 当连接的电路闭合时,N区过剩的电子通过外部电路流向 P区 。 同样,P区的空穴流向 N区,便形成了光生电流 。 当入射光变化时,光生电流随之作线性变化,从而把光信号转换成电信号 。 这种由 PN结构成,在入射光作用下,由于受激吸收过程产生的电子 - 空穴对的运动,在闭合电路中形成光生电流的器件,就是简单的光电二极管 (PD)。
如图 3.19(b)所示,光电二极管通常要施加适当的反向偏压,目的是增加耗尽层的宽度,缩小耗尽层两侧中性区的宽度,从而减小光生电流中的扩散分量 。 由于载流子扩散运动比漂移运动慢得多,所以减小扩散分量的比例便可显著提高响应速度 。 但是提高反向偏压,加宽耗尽层,又会增加载流子漂移的渡越时间,使响应速度减慢 。 为了解决这一矛盾,
就需要改进 PN结光电二极管的结构 。
3.2.2PIN光电二极管由于 PN结耗尽层只有几微米,大部分入射光被中性区吸收,
因而光电转换效率低,响应速度慢 。 为改善器件的特性,在
PN结中间设置一层掺杂浓度很低的本征半导体 (称为 I),这种结构便是常用的 PIN光电二极管 。
PIN光电二极管的工作原理和结构见图 3.20和图 3.21。 中间的 I层是 N型掺杂浓度很低的本征半导体,用 Π(N)表示；两侧是掺杂浓度很高的 P型和 N型半导体,用 P+和 N+表示 。 I层很厚,
吸收系数很小,入射光很容易进入材料内部被充分吸收而产生大量电子 - 空穴对,因而大幅度提高了光电转换效率 。 两侧 P+
层和 N+层很薄,吸收入射光的比例很小,I层几乎占据整个耗尽层,因而光生电流中漂移分量占支配地位,从而大大提高了响应速度 。 另外,可通过控制耗尽层的宽度 w,来改变器件的响应速度 。
图 3,21 PIN光电二极管结构抗反射膜光电极
( n )
P
＋
N
＋
E
电极
PIN光电二极管具有如下主要特性：
(1) 量子效率和光谱特性 。
光电转换效率用量子效率 η或响应度 ρ表示 。 量子效率 η的定义为一次光生电子 -空穴对和入射光子数的比值响应度的定义为一次光生电流 IP和入射光功率 P0的比值
ρ=
式中,hf为光子能量,e为电子电荷 。 量子效率和响应度取决于材料的特性和器件的结构 。 假设器件表面反射率为零,P层和 N层对量子效率的贡献可以忽略,在工作电压下,
I层全部耗尽,那么 PIN光电二极管的量子效率可以近似表示为图 3.22光电二极管响应度 ρ,量子效率 与波长 λ的关系式中,α(λ)和 w分别为 I层的吸收系数和厚度 。 由式 (3.15)可以看到,当 α(λ)w1时,η→ 1,所以为提高量子效率 η,I
层的厚度 w要足够大 。 量子效率的光谱特性取决于半导体材料的吸收光谱 α(λ),对长波长的限制由式 (3.6)确定,即
λc=hc/Eg。 图 3.22示出量子效率 η和响应度 ρ的光谱特性,由图可见,Si 适用于 0.8~0.9μm波段,Ge和 InGaAs适用于
1.3~1.6 μm波段 。 响应度一般为 0.5~0.6 (A/W)。
图 3-22 PIN光电二极管相硬度,量子效应率 与波长 的关系
10 ％
30 ％
50 ％
70 ％
＝ 90 ％
Ge
I n G a A s
0,7 0,9 1,1 1,3 1,5 1,7
0
0,2
0,4
0,6
0,8
1,0
m
(
·W
－
1
)
Si
(2) 响应时间和频率特性 。
光电二极管对高速调制光信号的响应能力用脉冲响应时间
τ或截止频率 fc(带宽 B)表示 。 对于数字脉冲调制信号,把光生电流脉冲前沿由最大幅度的 10%上升到 90%,或后沿由 90%下降到 10%的时间,分别定义为脉冲上升时间 τr和脉冲下降时间
τf。 当光电二极管具有单一时间常数 τ0时,其脉冲前沿和脉冲后沿相同,且接近指数函数 exp(t/τ0)和 exp(-t/τ0),由此得到脉冲响应时间
τ=τr=τf=2.2τ0 (3.16)
对于幅度一定,频率为 ω=2πf的正弦调制信号,用光生电流 I(ω)下降 3dB的频率定义为截止频率 fc。 当光电二极管具有单一时间常数 τ0时,
fc= (3.17)
PIN光电二极管响应时间或频率特性主要由光生载流子在耗尽层的渡越时间 τd和包括光电二极管在内的检测电路 RC常数所确定 。 当调制频率 ω与渡越时间 τd的倒数可以相比时,耗尽层 (I层 )对量子效率 η(ω)的贡献可以表示为
η(ω)= (3.18)
由 η(ω)/η(0)= 得到由渡越时间 τd限制的截止频率
r
35.0
2
1
0
2/
)2/s in ()0(
d
d
w
w
21
fc=
w
v s42.042.0
0
式中,渡越时间 τd=w/vs,w为耗尽层宽度,vs为载流子渡越速度,比例于电场强度 。 由式 (3.19)和式 (3.18)可以看出,
减小耗尽层宽度 w,可以减小渡越时间 τd,从而提高截止频率
fc,但是同时要降低量子效率 η。 图 3.23示出 Si-PIN光电二极管的量子效率 η与由渡越时间限制的截止频率 fc(带宽 )和耗尽层宽度 w的关系 。
由电路 RC时间常数限制的截止频率
fc=
dtcR?2
1
式中,Rt为光电二极管的串联电阻和负载电阻的总和,Cd
为结电容 Cj和管壳分布电容的总和 。
10 1 0 0
1 0 0 0 1 0 0 0 0
1 0 0 0 6 0 0 2 0 0
1 0 0 60 40 20 10 6 4
2
0
0,1
0,2
0,3
0,4
0,5
0,6
0,7
0,8
0,9
1,0
＝ 1,0 6? m
S i - P I N
0
.
9
5
0
.
9
0
0
.
8
5
0
.
8
0
0
.
6
3
2
8
带宽 / M H z
内量子效率耗尽区宽度 /? m
4 0 0
图 3.23 内量子效率和带宽的关系
W
Ac
j
式中,ε为材料介电常数,A为结面积,w为耗尽层宽度 。
(3) 噪声 。
噪声是反映光电二极管特性的一个重要参数,它直接影响光接收机的灵敏度 。 光电二极管的噪声包括由信号电流和暗电流产生的散粒噪声 (Shot Noise)和由负载电阻和后继放大器输入电阻产生的热噪声 。 噪声通常用均方噪声电流 (在 1Ω负载上消耗的噪声功率 )来描述 。
均方散粒噪声电流
〈 i2sh〉 =2e(IP+Id)B
式中,e为电子电荷,B为放大器带宽,IP和 Id分别为信号电流和暗电流 。
式 (3.21)第一项 2eIPB称为量子噪声,是由于入射光子和所形成的电子 - 空穴对都具有离散性和随机性而产生的 。 只要有光信号输入就有量子噪声 。 这是一种不可克服的本征噪声,
它决定光接收机灵敏度的极限 。
式 (3.22)第二项 2eIdB是暗电流产生的噪声 。 暗电流是器件在反偏压条件下,没有入射光时产生的反向直流电流,它包括晶体材料表面缺陷形成的泄漏电流和载流子热扩散形成的本征暗电流 。 暗电流与光电二极管的材料和结构有关,例如 SiPIN，
Id<1nA,GePIN,Id>100nA。
均方热噪声电流
〈 i2T〉 = (3.23)
式中,k=1.38× 10-23J/K为波尔兹曼常数,T为等效噪声温度,R为等效电阻,是负载电阻和放大器输入电阻并联的结果 。
因此,光电二极管的总均方噪声电流为
R
KTB4
〈 i2〉 =2e(IP+Id)B+
R
KTB4
3.2.3雪崩光电二极管 (APD)
I和反偏压 U的关系示于图 3.24 。
随着反向偏压的增加,开始光电流基本保持不变 。 当反向偏压增加到一定数值时,光电流急剧增加,最后器件被击穿,这个电压称为击穿电压 UB。 APD就是根据这种特性设计的器件 。
根据光电效应,当光入射到 PN结时,光子被吸收而产生电子 - 空穴对 。 如果电压增加到使电场达到 200 kV/cm以上,初始电子 (一次电子 )在高电场区获得足够能量而加速运动 。 高速运动的电子和晶格原子相碰撞,使晶格原子电离,
产生新的电子 - 空穴对 。 新产生的二次电子再次和原子碰撞 。
如此多次碰撞,产生连锁反应,致使载流子雪崩式倍增,
见图 3.25。 所以这种器件就称为雪崩光电二极管 (APD)。
图 3.24 光电二极管输出电流 I和 反向偏压 U的关系反向偏压 U
光电流暗电流输出光电流
I
0
0 U
B
图 3.25 APD
＋－
I
0
NP P ( N )
光
APD的结构有多种类型,如图 3.26示出的 N+PΠP+结构被称为拉通型 APD。 在这种类型的结构中,当偏压加大到一定值后,耗尽层拉通到 Π(P)层,一直抵达 P+接触层,是一种全耗尽型结构 。 拉通型雪崩光电二极管 (RAPD)具有光电转换效率高,
响应速度快和附加噪声低等优点 。
1.
由于雪崩倍增效应是一个复杂的随机过程,所以用这种效应对一次光生电流产生的平均增益的倍数来描述它的放大作用,
并把倍增因子 g定义为 APD输出光电流 Io和一次光生电流 I
P的比值 。
图 3.26 APD结构图电极电极光抗反 射膜
N
＋
P
P
＋
( P )
E
PI
Ig 0?
显然,APD的响应度比 PIN增加了 g倍 。 根据经验,并考虑到器件体电阻的影响,g可以表示为
n
B
n
B URIUUU
Ig
]/)[(1
1
)/(1 0
0
式中,U为反向偏压,UB为击穿电压,n为与材料特性和入射光波长有关的常数,R为体电阻 。 当 U≈UB时,
RIo/UB<<1,上式可简化为
21
0
)(
P
BB
n r I
U
n R I
Ug
2.
雪崩倍增效应不仅对信号电流而且对噪声电流同样起放大作用,所以如果不考虑别的因素,APD的均方量子噪声电流为
〈 i2q〉 =2eIPBg2 (3.26a)
这是对噪声电流直接放大产生的,并未引入新的噪声成分 。 事实上,雪崩效应产生的载流子也是随机的,所以引入新的噪声成分,并表示为附加噪声因子 F。 F(>1)是雪崩效应的随机性引起噪声增加的倍数,设 F=gx,APD的均方量子噪声电流应为
〈 i2q〉 =2eIPBg2+x (3.26b)
式中,x为附加噪声指数 。
〈 i2d〉 =2eIdBg2+x (3.27)
附加噪声指数 x与器件所用材料和制造工艺有关,
SiAPD的 x=0.3~0.5,GeAPD的 x=0.8~1.0,InGaAs APD的
x=0.5~0.7。 当式 (3.26)和式 (3.27)的 g=1时,
PIN相同 。
3.2.4光电二极管一般性能和应用表 3.3和表 3.4列出半导体光电二极管 (PIN和 APD)的一般性能 。
APD是有增益的光电二极管,在光接收机灵敏度要求较高的场合,采用 APD有利于延长系统的传输距离 。 但是采用 APD
要求有较高的偏置电压和复杂的温度补偿电路,结果增加了成本 。 因此在灵敏度要求不高的场合,一般采用 PINPD。
SiPIN和 APD用于短波长 (0.85μm)光纤通信系统 。 InGaAs
PIN用于长波长 (1.31 μm和 1.55 μm)系统,性能非常稳定,
通常把它和使用场效应管 (FET)的前置放大器集成在同一基片上,构成 FET PIN接收组件,以进一步提高灵敏度,改善器件的性能 。
这种组件已经得到广泛应用 。 新近研究的 InGaAs APD
的特点是响应速度快,传输速率可达几到十几 Gb/s,适用于超高速光纤通信系统 。 由于 GeAPD的暗电流和附加噪声指数较大,很少用于实际通信系统 。
3.3光 无 源 器一个完整的光纤通信系统,除光纤,光源和光检测器外,
还需要许多其它光器件,特别是无源器件 。 这些器件对光纤通信系统的构成,功能的扩展或性能的提高,都是不可缺少的 。 虽然对各种器件的特性有不同的要求,但是普遍要求插入损耗小,反射损耗大,工作温度范围宽,性能稳定,寿命长,体积小,价格便宜,许多器件还要求便于集成 。 本节主要介绍无源光器件的类型,原理和主要性能 。
3.3.1
连接器是实现光纤与光纤之间可拆卸 (活动 )连接的器件,
主要用于光纤线路与光发射机输出或光接收机输入之间,或光纤线路与其他光无源器件之间的连接 。 表 3.5给出光纤连接器的一般性能 。 接头是实现光纤与光纤之间的永久性 (固定 )
连接,主要用于光纤线路的构成,通常在工程现场实施 。 连接器件是光纤通信领域最基本,应用最广泛的无源器件 。
连接器有单纤 (芯 )连接器和多纤 (芯 )连接器,其特性主要取决于结构设计,加工精度和所用材料 。 单纤连接器结构有许多种类型,其中精密套管结构设计合理,效果良好,适宜大规模生产,因而得到很广泛的应用 。
表 3.5 光纤连接器一般性能图 3.27示出精密套管结构的连接器简图,包括用于对中的套管,带有微孔的插针和端面的形状 (图中画出平面的端面 )。
光纤固定在插针的微孔内,两支带光纤的插针用套管对中实现连接 。 要求光纤与微孔,插针与套管精密配合 。 对低插入损耗的连接器,要求两根光纤之间的横向偏移在 1 μm以内,
轴线倾角小于 0.5° 。 普通的 FC型连接器,光纤端面为平面 。
对于高反射损耗的连接器,要求光纤端面为球面或斜面,实现物理接触 (PC)型 。 套管和插针的材料一般可以用铜或不锈钢,
但插针材料用 ZrO2陶瓷最理想 。 ZrO2陶瓷机械性能好,耐磨,
热膨胀系数和光纤相近,使连接器的寿命 (插拔次数 )和工作温度范围 (插入损耗变化 ± 0.1 dB)大大改善 。
图 3.27 套管结构连接器简图光纤 套管 插针 粘结剂一种常用的多纤连接器是用压模塑料形成的高精度套管和矩形外壳,配合陶瓷插针构成的,这种方法可以做成 2纤或 4纤连接器 。 另一种多纤连接器是把光纤固定在用硅晶片制成的精密 V形槽内,然后多片叠加并配合适当外壳 。 这种多纤连接器配合高密度带状光缆,适用于接入网或局域网的连接 。
对于实现固定连接的接头,国内外大多借助专用自动熔接机在现场进行热熔接,也可以用 V形槽连接 。 热熔接的接头平均损耗达 0.05 dB/个 。
3.3.2
耦合器的功能是把一个输入的光信号分配给多个输出,
或把多个输入的光信号组合成一个输出 。 这种器件对光纤线路的影响主要是附加插入损耗,还有一定的反射和串扰噪声耦合器大多与波长无关,与波长相关的耦合器专称为波分复用器 /解复用器 。
1,耦合器类型图 3.28示出常用耦合器的类型,它们各具不同的功能和用途。
T形耦合器这是一种 2× 2的 3端耦合器,见图 3.28(a),其功能是把一根光纤输入的光信号按一定比例分配给两根光纤,
或把两根光纤输入的光信号组合在一起,输入一根光纤 。
图 3.28 常用耦合器的类型
T 形
( a )
… …
星 形
( b )
定向
( c )
2
3
1
4
…
1
2
N
1
＋?
2
＋?
N
( d )
波分这种耦合器主要用作不同分路比的功率分配器或功率组
n× m耦合器，见图 3.28(b)，其功能是把 n根光纤输入的光功率组合在一起，均匀地分配给 m
根光纤,m和 n不一定相等。这种耦合器通常用作多端功率分配器。
定向耦合器这是一种 2× 2的 3端或 4端耦合器,其功能是分别取出光纤中向不同方向传输的光信号 。 见图 3.28(c),光信号从端 1传输到端 2,一部分由端 3输出,端 4无输出；光信号从端 2传输到端 1,一部分由端 4输出,端 3无输出 。 定向耦合器可用作分路器,不能用作合路器 。
波分复用器 /解复用器 (也称合波器 /分波器 )这是一种与波长有关的耦合器,见图 3.28(d)。 波分复用器的功能是把多个不同波长的发射机输出的光信号组合在一起,输入到一根光纤；解复用器是把一根光纤输出的多个不同波长的光信号,
分配给不同的接收机 。 波分复用器 /解复用器将在 7.2节详细介绍 。
2.
耦合器的结构有许多种类型,其中比较实用和有发展前途的有光纤型,微器件型和波导型,图 3.29~图 3.32示出这三种类型的有代表性器件的基本结构 。
图 3.29
(a)定向耦合器； (b) 8× 8星形耦合器； (c) 由 12个 2× 2耦合器组成的
8× 8星形耦合器输入 光光强 度光纤 a
光纤 b
输出 光
2
34
1
( a )
( b )
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
( c )
光纤型把两根或多根光纤排列,用熔拉双锥技术制作各种器件 。 这种方法可以构成 T型耦合器,定向耦合器,星型耦合器和波分解复用器 。 图 3.29(a)和 (b)分别示出单模 2× 2定向耦合器和多模 n× n星形耦合器的结构 。 单模星形耦合器的端数受到一定限制,通常可以用 2× 2耦合器组成,图 3.29(c)示出由 12个单模 2× 2耦合器组成的 8× 8星形耦合器 。
图 3.29(a)所示定向耦合器可以制成波分复用 /解复用器 。
如图 3.30,光纤 a(直通臂 )传输的输出光功率为 Pa,光纤 b(耦合臂 )的输出光功率为 Pb，
Pa=cos2(CλL) (3.28a)
Pb=sin2(CλL)
图 3.30 光纤型波分解复用器原理
1
,?
2
1
2
1
2
耦合长度光功率
a
b
a
b
b
a
式中,L为耦合器有效作用长度,Cλ为取决于光纤参数和光波长的耦合系数 。
设特定波长为 λ1和 λ2,选择光纤参数,调整有效作用长度,
使得当光纤 a的输出 Pa(λ1)最大时,光纤 b的输出 Pb(λ1)=0；当
Pa(λ2)=0时,Pb(λ2)最大 。 对于 λ1和 λ2分别为 1.3μm和 1.55 μm
的光纤型解复用器,可以做到附加损耗为 0.5 dB,波长隔离度大于 20 dB。
微器件型 用自聚焦透镜和分光片 (光部分透射,部分反射 ),滤光片 (一个波长的光透射,另一个波长的光反射 )或光栅 (不同波长的光有不同反射方向 )等微光学器件可以构成 T型耦合器,定向耦合器和波分解复用器,如图 3.31所示 。
图 3.31
(a) T形耦合器； (b) 定向耦合器； (c) 滤光式解复用器； (d) 光栅式解复光纤自聚 焦透镜自聚 焦透镜光纤滤光 片
1
,?
2
1
2
1
2
3
1
＋?
2
＋?
3
光纤自聚 焦透镜硅光 栅光纤自聚 焦透镜 分光 片
1
3
4
2
( b )( a )
( c )
( d)
波导型在一片平板衬底上制作所需形状的光波导,衬底作支撑体,又作波导包层 。 波导的材料根据器件的功能来选择,一般是 SiO2,横截面为矩形或半圆形 。 图 3.32示出波导型 T型耦合器,定向耦合器和用滤光片作为波长选择元件的波分解复用器 。
3.
说明耦合器参数的模型如图 3.33所示,主要参数定义如下。
N
n
on
oc
Ot
OC
p
p
P
P
CR
1
图 3.32 波导型藕合器光波 导开角
( a )
( b )
( c )
多模 波导多层 膜滤光 片单模 波导
1,5 5? m
1,5 5? m
1,3? m
1
,3
m
由此可定义功率分路损耗 Ls：
Ls=10lg
)1(CR
附加损耗 Le由散射,吸收和器件缺陷产生的损耗,是全部输入端的光功率总和 Pit和全部输出端的光功率总和 Pot
的比值,
Le=10 lg
N
n
N
n
ot
it
P in
P in
p
P
1
1lg10
插入损耗 Lt是一个指定输入端的光功率 Pic和一个指定输出端的光功率 Poc的比值,用分贝表示
Lt=10lg
oc
ic
p
p
方向性 DIR(隔离度 )是一个输入端的光功率 Pic和由耦合器反射到其它端的光功率 Pr的比值,用分贝表示
DIR=10lg
oc
ic
p
p
一致性 U是不同输入端得到的耦合比的均匀性,或者不同输出端耦合比的等同性 。
表 3.6,表 3.7列出波长为 1.31 μm或 (和 )1.55 μm单模光纤型耦合器和波分复用器 /解复用器的一般性能 。
3.3.3光隔离器与光环行器耦合器和其他大多数光无源器件的输入端和输出端是可以互换的,称之为互易器件 。 然而在许多实际光通信系统中通常也需要非互易器件 。 隔离器就是一种非互易器件,其主要作用是只允许光波往一个方向上传输,阻止光波往其他方向特别是反方向传输 。 隔离器主要用在激光器或光放大器的后面,以避免反射光返回到该器件致使器件性能变坏 。 插入损耗和隔离度是隔离器的两个主要参数,对正向入射光的插入损耗其值越小越好,对反向反射光的隔离度其值越大越好,
目前插入损耗的典型值约为 1 dB,隔离度的典型值的大致范围为 40~50 dB。
首先介绍一下光偏振 (极化 )的概念 。 单模光纤中传输的光的偏振态 (SOP,State of Polarization) 是在垂直于光传输方向的平面上电场矢量的振动方向 。 在任何时刻,电场矢量都可以分解为两个正交分量,这两个正交分量分别称为水平模和垂直模 。
隔离器工作原理如图 3.34所示 。 这里假设入射光只是垂直偏振光,第一个偏振器的透振方向也在垂直方向,因此输入光能够通过第一个偏振器 。 紧接第一个偏振器的是法拉弟旋转器,法拉弟旋转器由旋光材料制成,能使光的偏振态旋转一定角度,例如 45°,并且其旋转方向与光传播方向无关 。
图 3.34 隔离器的工作原理法拉弟旋转器偏振器反射光阻塞入射光偏振器
S O P
法拉弟旋转器后面跟着的是第二个偏振器,这个偏振器的透振方向在 45° 方向上,因此经过法拉弟旋转器旋转
45° 后的光能够顺利地通过第二个偏振器,也就是说光信号从左到右通过这些器件 (即正方向传输 )是没有损耗的 (插入损耗除外 )。 另一方面,假定在右边存在某种反射 (比如接头的反射 ),反射光的偏振态也在 45° 方向上,当反射光通过法拉弟旋转器时再继续旋转 45°,此时就变成了水平偏振光 。
水平偏振光不能通过左面偏振器 (第一个偏振器 ),于是就达到隔离效果 。
然而在实际应用中,入射光的偏振态 (偏振方向 )是任意的,并且随时间变化,因此必须要求隔离器的工作与入射光的偏振态无关,于是隔离器的结构就变复杂了 。 一种小型的与入射光的偏振态无关的隔离器结构如图 3.35所示 。
图 3.35 一种与输入光的偏振态无关的隔离器光纤输出
SWP半波片法拉弟旋转器SWP
S O P
光纤输入
( a )
光纤输出
SWP半波片法拉弟旋转器SWP
光纤输入
( b )
具有任意偏振态的入射光首先通过一个空间分离偏振器
(SWP,Spatial Walk off Polarizer)。 这个 SWP的作用是将入射光分解为两个正交偏振分量,让垂直分量直线通过,水平分量偏折通过 。 两个分量都要通过法拉弟旋转器,其偏振态都要旋转 45° 。 法拉弟旋转器后面跟随的是一块半波片
plate或 half wave plate。 这个半波片的作用是将从左向右传播的光的偏振态顺时针旋转 45°,将从右向左传播的光的偏振态逆时针旋转 45° 。 因而法拉弟旋转器与半波片的组合可以使垂直偏振光变为水平偏振光,反之亦然 。 最后两个分量的光在输出端由另一个 SWP合在一起输出,如图 3.35(a)所示 。
另一方面,如果存在反射光在反方向上传输,半波片和法拉弟旋转器的旋转方向正好相反,当两个分量的光通过这两个器件时,其旋转效果相互抵消,偏振态维持不变,在输入端不能被 SWP再组合在一起,如图 3.35(b)所示,于是就起到隔离作用 。
环行器除了有多个端口外,其工作原理与隔离器类似 。
如图 3.36所示,典型的环行器一般有三个或四个端口 。 在三端口环行器中,端口 1输入的光信号在端口 2输出,端口 2输入的光信号在端口 3输出,端口 3输入的光信号由端口 1输出 。 光环行器主要用于光分插复用器中 。
图 3.36
(a) 三端口； (b) 四端口
1
3
2
( a ) ( b )
1 3
2
4
3.3.4光调制器为提高光纤通信系统的质量,避免直接调制激光器时产生线性调频的限制,要采用外调制方式,把激光的产生和调制分开 。 所以在高速率系统,波分复用系统和相干光系统中都要用调制器 。 调制器可以用电光效应,磁光效应或声光效应来实现 。 最有用的调制器是利用具有强电光效应的铌酸锂
(LiNbO3)晶体制成的 。 这种晶体的折射率 n和外加电场 E的关
n=n0+αE+βE2
式中,n0为 E=0时晶体的折射率 。 α和 β是张量,称为电光系数,其值和偏振面与晶体轴线的取向有关 。
根据不同取向,当 β=0时,n随 E按比例变化,称为线性电光效应或普克尔 (Pockel)效应 。 当 α=0时,n随 E2按比例变化,
称为二次电光效应或克尔 (Kerr)效应 。 调制器是利用线性电光效应实现的,因为折射率 n随外加电场 E(电压 U)而变化,改变了入射光的相位和输出光功率 。 图 3.37是马赫 - 曾德尔
(MZ)干涉型调制器的简图 。 在 LiNbO3晶体衬底上,制作两条光程相同的单模光波导,其中一条波导的两侧施加可变电压 。
设输入调制信号按余弦变化,则输出信号的光功率
P=1+cos
U UU bS
图 3.37 马赫 - 曾德尔干涉仪型调制器信号电压电极输出光电光晶体光波导输入光式中 Us和 Ub分别为信号电压和偏置电压,Uπ为光功率变化半个周期 (相位为 0~π)所需的外加电压,并称为半波电压 。
由式 (3.35) 可 以 看 到,当 Us+Ub=0 时,P=2 为 最 大 ； 当
Us+Ub=Uπ时,P=0。 图 3.38给出这种调制器的工作原理 。
用于幅度调制 (AM)的 MZ型调制器可以达到如下性能：外加电压 11 V,带宽为 3 GHz时插入损耗约 6 dB,消光比 (最小输出和最大输出的比值 )为 0.006。
图 3.38 马赫 - 曾德尔干涉仪型调制器特性
2
1
0
2
π
输出 波形输入 波形相位 差?
输出光功率 P
3.3.5光开关光开关的功能是转换光路,实现光交换,它是光网络的重要器件 。
光开关可分为两大类,一类是机械光开关,利用电磁铁或步进电机驱动光纤,棱镜或反射镜等光学元件实现光路转换； 另一类是固体光开关,利用磁光效应,电光效应或声光效应实现光路转换 。 机械光开关的优点是插入损耗小,串扰,
适合各种光纤,技术成熟； 缺点是开关速度慢 。 固体光开关正相反,优点是开关速度快；缺点是插入损耗大,串扰大,
只适合单模光纤 。 两类光开关的一般性能如表 3.8所示 。
