下一页总目录 章目录 返回 上一页第 15章 半导体二极管和三极管
15.3 半导体二极管
15.4 稳压二极管
15.5 半导体三极管
15.2 PN结
15.1 半导体的导电特性下一页总目录 章目录 返回 上一页第 15章 半导体二极管和三极管本章要求：
一、理解 PN结的单向导电性，三极管的电流分配和电流放大作用；
二、了解二极管、稳压管和三极管的基本构造、工作原理和特性曲线，理解主要参数的意义；
三、会分析含有二极管的电路。
下一页总目录 章目录 返回 上一页学会用工程观点分析问题，就是根据实际情况，
对器件的数学模型和电路的工作条件进行合理的近似，以便用简便的分析方法获得具有实际意义的结果。
对电路进行分析计算时，只要能满足技术指标，
就不要过分追究精确的数值。
器件是非线性的、特性有分散性,RC 的值有误差、工程上允许一定的误差、采用合理估算的方法。
对于元器件，重点放在特性、参数、技术指标和正确使用方法，不要过分追究其内部机理。讨论器件的目的在于应用。
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15.1 半导体的导电特性半导体的导电特性：
(可做成温度敏感元件，如热敏电阻 )。
掺杂性,往纯净的半导体中掺入某些杂质，导电能力明显改变 (可做成各种不同用途的半导体器件，如二极管、三极管和晶闸管等）。
光敏性,当受到光照时，导电能力明显变化 (可做成各种光敏元件，如光敏电阻、光敏二极管、光敏三极管等 )。
热敏性,当环境温度升高时，导电能力显著增强下一页总目录 章目录 返回 上一页
15.1.1 本征半导体完全纯净的、具有晶体结构的半导体，称为本征半导体。
晶体中原子的排列方式 硅单晶中的共价健结构共价健共价键中的两个电子，称为 价电子 。
Si Si
SiSi
价电子下一页总目录 章目录 返回 上一页
Si Si
SiSi
价电子价电子在获得一定能量
（温度升高或受光照）后，
即可挣脱原子核的束缚，
成为 自由电子 （带负电），
同时共价键中留下一个空位，称为 空穴 （带正电） 。
本征半导体的导电机理这一现象称为本征激发。
空穴 温度愈高，晶体中产生的自由电子便愈多。
自由电子在外电场的作用下，空穴吸引相邻原子的价电子来填补，而在该原子中出现一个空穴，其结果相当于空穴的运动（相当于正电荷的移动）。
下一页总目录 章目录 返回 上一页本征半导体的导电机理当半导体两端加上外电压时，在半导体中将出现两部分电流
(1)自由电子作定向运动?电子电流
(2)价电子递补空穴?空穴电流注意：
(1) 本征半导体中载流子数目极少,其导电性能很差；
(2) 温度愈高,载流子的数目愈多,半导体的导电性能也就愈好。 所以，温度对半导体器件性能影响很大。
自由电子和 空穴都称为载流子。
自由电子和 空穴成对地产生的同时，又不断复合。在一定温度下，载流子的产生和复合达到动态平衡，半导体中载流子便维持一定的数目。
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15.1.2 N型半导体和 P 型半导体掺杂后自由电子数目大量增加，自由电子导电成为这种半导体的主要导电方式，称为电子半导体或 N型半导体。
掺入五价元素
Si Si
SiSip+
多余电子磷原子在常温下即可变为自由电子失去一个电子变为正离子在本征半导体中掺入微量的杂质（某种元素）,
形成杂质半导体。
在 N 型半导体中 自由电子是多数载流子，空穴是少数载流子。
动画下一页总目录 章目录 返回 上一页
15.1.2 N型半导体和 P 型半导体掺杂后空穴数目大量增加，空穴导电成为这种半导体的主要导电方式，称为空穴半导体或
P型半导体。
掺入三价元素
Si Si
SiSi
在 P 型半导体中 空穴是多数载流子，自由电子是少数载流子。
B–
硼原子接受一个电子变为负离子空穴动画无论 N型或 P型半导体都是中性的，对外不显电性。
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1,在杂质半导体中多子的数量与
（ a,掺杂浓度,b.温度）有关。
2,在杂质半导体中少子的数量与
（ a,掺杂浓度,b.温度）有关。
3,当温度升高时，少子的数量
（ a,减少,b,不变,c,增多）。
a
b
c
4,在外加电压的作用下,P 型半导体中的电流主要是,N 型半导体中的电流主要是 。
（ a,电子电流,b.空穴电流）
b a
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15.2 PN结
15.2.1 PN结的形成多子的扩散运动内电场少子的漂移运动浓度差
P 型半导体 N 型半导体内电场越强，漂移运动越强，而漂移使空间电荷区变薄。
扩散的结果使空间电荷区变宽。
空间电荷区也称 PN 结扩散和漂移这一对相反的运动最终达到动态平衡，空间电荷区的厚度固定不变。
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+
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－动画形成空间电荷区下一页总目录 章目录 返回 上一页
15.2.2 PN结的单向导电性
1,PN 结加正向电压 （正向偏置）
PN 结变窄
P接正,N接负外电场IF
内电场被削弱，多子的扩散加强，
形成较大的扩散电流。
PN 结加正向电压时,PN结变窄，正向电流较大，正向电阻较小,PN结处于导通状态。
内电场P N
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+
+
+
+
+
动画
+ –
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2,PN 结加反向电压 （反向偏置）
外电场
P接负,N接正内电场P N
+
+
+
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+
+
+
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动画
– +
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PN 结变宽
2,PN 结加反向电压 （反向偏置）
外电场内电场被加强，少子的漂移加强，由于少子数量很少，
形成很小的反向电流。IR
P接负,N接正温度越高少子的数目越多，反向电流将随温度增加。
动画
– +
PN 结加反向电压时,PN结变宽，反向电流较小，
反向电阻较大,PN结处于截止状态。
内电场P N
+
+
+
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+
+
+
+
+
+
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－
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15.3 半导体二极管
15.3.1 基本结构
(a) 点接触型 (b)面接触型结面积小、
结电容小、正向电流小。用于检波和变频等高频电路。
结面积大、
正向电流大、
结电容大，用于工频大电流整流电路。
(c) 平面型用于集成电路制作工艺中。 PN结结面积可大可小，用于高频整流和开关电路中。
下一页总目录 章目录 返回 上一页阴极引线阳极引线二氧化硅保护层
P型硅
N型硅
(c ) 平面型金属触丝阳极引线
N型锗片阴极引线外壳(a) 点接触型铝合金小球
N型硅阳极引线
PN结金锑合金底座阴极引线
(b) 面接触型图 1 – 12 半导体二极管的结构和符号
15.3 半导体二极管二极管的结构示意图阴极阳极
(d) 符号
D
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15.3.2 伏安特性硅管 0.5V,
锗管 0.1V。
反向击穿电压 U(BR) 导通压降外加电压大于死区电压二极管才能导通。外加电压大于反向击穿电压二极管被击穿，
失去单向导电性。
正向特性反向特性特点：非线性硅 0.6~0.8V
锗 0.2~0.3V
U
I
死区电压P N
+–
P N–+
反向电流在一定电压范围内保持常数。
下一页总目录 章目录 返回 上一页
15.3.3 主要参数
1,最大整流电流 IOM
二极管长期使用时，允许流过二极管的最大正向平均电流。
2,反向工作峰值电压 URWM
是保证二极管不被击穿而给出的反向峰值电压，
一般是二极管反向击穿电压 UBR的一半或三分之二。
二极管击穿后单向导电性被破坏，甚至过热而烧坏。
3,反向峰值电流 IRM
指二极管加最高反向工作电压时的反向电流。反向电流大，说明管子的单向导电性差,IRM受温度的影响，温度越高反向电流越大。硅管的反向电流较小,
锗管的反向电流较大，为硅管的几十到几百倍。
下一页总目录 章目录 返回 上一页二极管 的单向导电性
1,二极管加正向电压（正向偏置，阳极接正、阴极接负 ）时,二极管处于正向导通状态，二极管正向电阻较小，正向电流较大。
2,二极管加反向电压（反向偏置，阳极接负、阴极接正 ）时,二极管处于反向截止状态，二极管反向电阻较大，反向电流很小。
3,外加电压大于反向击穿电压二极管被击穿，失去单向导电性。
4,二极管的反向电流受温度的影响，温度愈高反向电流愈大。
下一页总目录 章目录 返回 上一页二极管电路分析举例定性分析,判断二极管的工作状态 导通截止否则，正向管压降 硅 0.6~0.7V锗 0.2~0.3V
分析方法,将二极管断开，分析二极管两端电位的高低或所加电压 UD的正负。
若 V阳 >V阴 或 UD为正 ( 正向偏置 )，二极管导通若 V阳 <V阴 或 UD为负 ( 反向偏置 )，二极管截止若二极管是理想的,正向导通时正向管压降为零，
反向截止时二极管相当于断开。
下一页总目录 章目录 返回 上一页电路如图，求,UAB
V阳 =－ 6 V V阴 =－ 12 V
V阳 >V阴 二极管导通若忽略管压降，二极管可看作短路,UAB =－ 6V
否则,UAB低于－ 6V一个管压降，为－ 6.3Ｖ或－ 6.7V
例 1：
取 B 点作参考点，
断开二极管，分析二极管阳极和阴极的电位。
在这里，二极管起钳位作用。
D
6V
12V
3k?
B
A
UAB
+
–
下一页总目录 章目录 返回 上一页两个二极管的阴极接在一起取 B 点作参考点，断开二极管，分析二极管阳极和阴极的电位。
V1阳 =－ 6 V,V2阳 =0 V,V1阴 = V2阴 = － 12 V
UD1 = 6V,UD2 =12V
∵ UD2 >UD1 ∴ D2 优先导通,D1截止。
若忽略管压降，二极管可看作短路,UAB = 0 V
例 2:
D1承受反向电压为 － 6 V
流过 D2 的电流为
mA43122DI
求,UAB
在这里,D2 起钳位作用,D1起隔离作用。
B
D1
6V
12V
3k?
A
D2
UAB
+
–
下一页总目录 章目录 返回 上一页
ui > 8V，二极管导通，可看作短路 uo = 8V
ui < 8V，二极管截止，可看作开路 uo = ui
已知：
二极管是理想的，试画出 uo 波形。
V s i n18i tu
8V
例 3：
二极管的用途：
整流、检波、
限幅、钳位、开关、元件保护、
温度补偿等。
ui
t?
18V
参考点二极管阴极电位为 8 V
D
8V
R
uoui
+ +
– –
动画下一页总目录 章目录 返回 上一页
15.4 稳压二极管
1,符号
UZ
IZ
IZM? UZ
IZ
2,伏安特性稳压管正常工作时加反向电压使用时要加限流电阻稳压管反向击穿后，电流变化很大，
但其两端电压变化很小，利用此特性，
稳压管在电路中可起稳压作用。
_ +
U
I
O
下一页总目录 章目录 返回 上一页
3,主要参数
(1) 稳定电压 UZ
稳压管正常工作 (反向击穿 )时管子两端的电压。
(2) 电压温度系数?ｕ
环境温度每变化 1?C引起 稳压值变化的 百分数 。
(3) 动态电阻
Z
Z
Z I
Ur
(4) 稳定电流 IZ,最大稳定电流 IZM
(5) 最大允许耗散功率 PZM = UZ IZM
rZ愈小，曲线愈陡，稳压性能愈好。
下一页总目录 章目录 返回 上一页光电二极管反向电流随光照强度的增加而上升。
I
U
照度增加符号发光二极管有正向电流流过时，发出一定波长范围的光，目前的发光管可以发出从红外到可见波段的光，它的电特性与一般二极管类似，正向电压较一般二极管高，电流为几 ~ 几十 mA
光电二极管 发光二极管下一页总目录 章目录 返回 上一页
15.5 半导体三极管
15.5.1 基本结构
N NP
基极发射极集电极
NPN型
B
EC
B
EC
PNP型
P PN
基极发射极集电极符号：
B
E
C
IB I
E
IC
B
E
C
IB I
E
IC
NPN型三极管 PNP型三极管下一页总目录 章目录 返回 上一页基区：最薄，
掺杂浓度最低发射区：掺杂浓度最高发射结集电结
B
E
C
N
N
P基极发射极集电极结构特点：
集电区：
面积最大下一页总目录 章目录 返回 上一页
15,5,2 电流分配和放大原理
1,三极管放大的外部条件
B
E
C
N
N
P
EB
RB
EC
RC
发射结正偏、集电结反偏
PNP
发射结正偏 VB<VE
集电结反偏 VC<VB
从电位的角度看：
NPN
发射结正偏 VB>VE
集电结反偏 VC>VB
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2,各电极电流关系及电流放大作用
IB(mA)
IC(mA)
IE(mA)
0 0.02 0.04 0.06 0.08 0.10
<0.001 0.70 1.50 2.30 3.10 3.95
<0.001 0.72 1.54 2.36 3.18 4.05
结论,1）三电极电流关系 IE = IB + IC
2） IC IB,IC? IE
3）? IC IB
把基极电流的微小变化能够引起集电极电流较大变化的特性称为晶体管的电流放大作用。
实质,用一个微小电流的变化去控制一个较大电流的变化，是 CCCS器件 。
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3.三极管内部载流子的运动规律
B
E
C
N
N
P
EB
RB
EC
IE
IBE
ICEICBO
基区空穴向发射区的扩散可忽略。
发射结正偏，
发射区电子不断向基区扩散，形成发射极电流 IE。
进入 P 区的电子少部分与基区的空穴复合，形成电流 IBE,多数扩散到集电结。
从基区扩散来的电子作为集电结的少子，漂移进入集电结而被收集，形成 ICE。
集电结反偏，
有少子形成的反向电流 ICBO。
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3,三极管内部载流子的运动规律
IC = ICE+ICBO? ICE IC
IB
B
E
C
N
N
P
EB
RB
EC
IE
IBE
ICEICBOIB = IBE- ICBO? IBE
ICE 与 IBE 之比称为共发射极电流放大倍数
B
C
C B OB
C B OC
BE
CE
I
I
II
II
I
I?
C E OBC B OBC )(1 IIIII
BC C E O III，有忽略集－射极穿透电流,温度ICEO?
(常用公式 )
若 IB =0,则 IC? ICE0
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15.5.3 特性曲线即管子各电极电压与电流的关系曲线，是管子内部载流子运动的外部表现，反映了晶体管的性能，
是分析放大电路的依据。
为什么要研究特性曲线：
1）直观地分析管子的工作状态
2）合理地选择偏置电路的参数，设计性能良好的电路重点讨论应用最广泛的共发射极接法的特性曲线下一页总目录 章目录 返回 上一页发射极是输入回路、输出回路的公共端共发射极电路输入回路 输出回路测量晶体管特性的实验线路 IC
EB
mA
A
V
UCE
UBERB
IB
ECV
+
+
– ––
–
+
+
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1,输入特性常数 CE)( BEB UUfI
特点,非线性死区电压：
硅管 0.5V，
锗管 0.1V。
正常工作时发射结电压：
NPN型硅管
UBE? 0.6~0.7V
PNP型锗管
UBE0.2 ~? 0.3V
IB(?A)
UBE(V)
20
40
60
80
0.4 0.8
UCE?1V
O
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2,输出特性
IB=0
20?A
40?A
60?A
80?A
100?A
常数 B)( CEC IUfI
3 6
IC(mA )
1
2
3
4
UCE(V)9 12O
放大区输出特性曲线通常分三个工作区：
(1) 放大区在放大区有 IC=? IB,
也 称为线性区，具有恒流特性。
在放大区,发射结处于正向偏置、集电结处于反向偏置，晶体管工作于放大状态。
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IB=0
20?A
40?A
60?A
80?A
100?A
3 6
IC(mA )
1
2
3
4
UCE(V)9 12O
（ 2）截止区
IB < 0 以下区域为 截止区，有 IC? 0 。
在截止区发射结处于反向偏置，集电结处于反向偏置，晶体管工作于截止状态。
饱和区截止区
（ 3）饱和区当 UCE? UBE时,晶体管工作于饱和状态。
在饱和区,?IB?IC，
发射结处于正向偏置，
集电结也处于正 偏。
深度饱和时，
硅管 UCES? 0.3V，
锗管 UCES? 0.1V。
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15.5.4 主要参数
1,电流放大系数
直流电流放大系数
B
C
I
I_ _ _
B
CIIΔΔ
交流电流放大系数当晶体管接成发射极电路时，
表示晶体管特性的数据称为晶体管的参数，晶体管的参数也是设计电路、选用晶体管的依据。
注意：
和?的含义不同，但在特性曲线近于平行等距并且 ICE0 较小的情况下，两者数值接近。
常用晶体管的? 值在 20 ~ 200之间。
下一页总目录 章目录 返回 上一页例：在 UCE= 6 V时,在 Q1 点 IB=40?A,IC=1.5mA；
在 Q2 点 IB=60?A,IC=2.3mA。
537040 51
B
C,.,II
40040060 5132
B
C?
..
..
I
I
Δ
Δ?
在以后的计算中，一般作近似处理,? = 。
IB=0
20?A
40?A
60?A
80?A
100?A
3 6
IC(mA )
1
2
3
4
UCE(V)9 120
Q1
Q2
在 Q1 点，有由 Q1 和 Q2点，得下一页总目录 章目录 返回 上一页
2.集 -基极反向截止电流 ICBO
ICBO是由少数载流子的漂移运动所形成的电流，
受温度的影响大。
温度ICBO?
ICBO
A +– EC
3.集 -射极反向截止电流 (穿透电流 )ICEO
A
ICEO
IB=0
+– I
CEO受温度的影响大。
温度ICEO?,所以 IC
也相应增加。 三极管的温度特性较差。
下一页总目录 章目录 返回 上一页
4,集电极最大允许电流 ICM
5,集 -射极反向击穿电压 U(BR)CEO
集电极电流 IC上升会导致三极管的?值的下降，
当?值下降到正常值的三分之二时的集电极电流即为 ICM。
当集 —射极之间的电压 UCE 超过一定的数值时，
三极管就会被击穿。手册上给出的数值是 25?C、
基极开路时的击穿电压 U(BR) CEO。
6,集电极最大允许耗散功耗 PCM
PCM取决于三极管允许的温升，消耗功率过大，
温升过高会烧坏三极管。
PC? PCM =IC UCE
硅 管允许结温约为 150?C,锗 管约为 70?90?C。
下一页总目录 章目录 返回 上一页
ICUCE=PCM
ICM
U(BR)CEO
安全工作区由三个极限参数可画出三极管的安全工作区
IC
UCEO
下一页总目录 章目录 返回 上一页晶体管参数与温度的关系
1、温度每增加 10?C,ICBO增大一倍。硅管优于锗管。
2、温度每升高 1?C,UBE将减小 –(2~2.5)mV，
即晶体管具有负温度系数。
3、温度每升高 1?C,?增加 0.5%~1.0%。
15.3 半导体二极管
15.4 稳压二极管
15.5 半导体三极管
15.2 PN结
15.1 半导体的导电特性下一页总目录 章目录 返回 上一页第 15章 半导体二极管和三极管本章要求：
一、理解 PN结的单向导电性，三极管的电流分配和电流放大作用；
二、了解二极管、稳压管和三极管的基本构造、工作原理和特性曲线，理解主要参数的意义；
三、会分析含有二极管的电路。
下一页总目录 章目录 返回 上一页学会用工程观点分析问题，就是根据实际情况，
对器件的数学模型和电路的工作条件进行合理的近似，以便用简便的分析方法获得具有实际意义的结果。
对电路进行分析计算时，只要能满足技术指标，
就不要过分追究精确的数值。
器件是非线性的、特性有分散性,RC 的值有误差、工程上允许一定的误差、采用合理估算的方法。
对于元器件，重点放在特性、参数、技术指标和正确使用方法，不要过分追究其内部机理。讨论器件的目的在于应用。
下一页总目录 章目录 返回 上一页
15.1 半导体的导电特性半导体的导电特性：
(可做成温度敏感元件，如热敏电阻 )。
掺杂性,往纯净的半导体中掺入某些杂质，导电能力明显改变 (可做成各种不同用途的半导体器件，如二极管、三极管和晶闸管等）。
光敏性,当受到光照时，导电能力明显变化 (可做成各种光敏元件，如光敏电阻、光敏二极管、光敏三极管等 )。
热敏性,当环境温度升高时，导电能力显著增强下一页总目录 章目录 返回 上一页
15.1.1 本征半导体完全纯净的、具有晶体结构的半导体，称为本征半导体。
晶体中原子的排列方式 硅单晶中的共价健结构共价健共价键中的两个电子，称为 价电子 。
Si Si
SiSi
价电子下一页总目录 章目录 返回 上一页
Si Si
SiSi
价电子价电子在获得一定能量
（温度升高或受光照）后，
即可挣脱原子核的束缚，
成为 自由电子 （带负电），
同时共价键中留下一个空位，称为 空穴 （带正电） 。
本征半导体的导电机理这一现象称为本征激发。
空穴 温度愈高，晶体中产生的自由电子便愈多。
自由电子在外电场的作用下，空穴吸引相邻原子的价电子来填补，而在该原子中出现一个空穴，其结果相当于空穴的运动（相当于正电荷的移动）。
下一页总目录 章目录 返回 上一页本征半导体的导电机理当半导体两端加上外电压时，在半导体中将出现两部分电流
(1)自由电子作定向运动?电子电流
(2)价电子递补空穴?空穴电流注意：
(1) 本征半导体中载流子数目极少,其导电性能很差；
(2) 温度愈高,载流子的数目愈多,半导体的导电性能也就愈好。 所以，温度对半导体器件性能影响很大。
自由电子和 空穴都称为载流子。
自由电子和 空穴成对地产生的同时，又不断复合。在一定温度下，载流子的产生和复合达到动态平衡，半导体中载流子便维持一定的数目。
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15.1.2 N型半导体和 P 型半导体掺杂后自由电子数目大量增加，自由电子导电成为这种半导体的主要导电方式，称为电子半导体或 N型半导体。
掺入五价元素
Si Si
SiSip+
多余电子磷原子在常温下即可变为自由电子失去一个电子变为正离子在本征半导体中掺入微量的杂质（某种元素）,
形成杂质半导体。
在 N 型半导体中 自由电子是多数载流子，空穴是少数载流子。
动画下一页总目录 章目录 返回 上一页
15.1.2 N型半导体和 P 型半导体掺杂后空穴数目大量增加，空穴导电成为这种半导体的主要导电方式，称为空穴半导体或
P型半导体。
掺入三价元素
Si Si
SiSi
在 P 型半导体中 空穴是多数载流子，自由电子是少数载流子。
B–
硼原子接受一个电子变为负离子空穴动画无论 N型或 P型半导体都是中性的，对外不显电性。
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1,在杂质半导体中多子的数量与
（ a,掺杂浓度,b.温度）有关。
2,在杂质半导体中少子的数量与
（ a,掺杂浓度,b.温度）有关。
3,当温度升高时，少子的数量
（ a,减少,b,不变,c,增多）。
a
b
c
4,在外加电压的作用下,P 型半导体中的电流主要是,N 型半导体中的电流主要是 。
（ a,电子电流,b.空穴电流）
b a
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15.2 PN结
15.2.1 PN结的形成多子的扩散运动内电场少子的漂移运动浓度差
P 型半导体 N 型半导体内电场越强，漂移运动越强，而漂移使空间电荷区变薄。
扩散的结果使空间电荷区变宽。
空间电荷区也称 PN 结扩散和漂移这一对相反的运动最终达到动态平衡，空间电荷区的厚度固定不变。
－
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－
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－动画形成空间电荷区下一页总目录 章目录 返回 上一页
15.2.2 PN结的单向导电性
1,PN 结加正向电压 （正向偏置）
PN 结变窄
P接正,N接负外电场IF
内电场被削弱，多子的扩散加强，
形成较大的扩散电流。
PN 结加正向电压时,PN结变窄，正向电流较大，正向电阻较小,PN结处于导通状态。
内电场P N
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－
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+
+
+
+
+
+
动画
+ –
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2,PN 结加反向电压 （反向偏置）
外电场
P接负,N接正内电场P N
+
+
+
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+
+
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动画
– +
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PN 结变宽
2,PN 结加反向电压 （反向偏置）
外电场内电场被加强，少子的漂移加强，由于少子数量很少，
形成很小的反向电流。IR
P接负,N接正温度越高少子的数目越多，反向电流将随温度增加。
动画
– +
PN 结加反向电压时,PN结变宽，反向电流较小，
反向电阻较大,PN结处于截止状态。
内电场P N
+
+
+
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+
+
+
+
+
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15.3 半导体二极管
15.3.1 基本结构
(a) 点接触型 (b)面接触型结面积小、
结电容小、正向电流小。用于检波和变频等高频电路。
结面积大、
正向电流大、
结电容大，用于工频大电流整流电路。
(c) 平面型用于集成电路制作工艺中。 PN结结面积可大可小，用于高频整流和开关电路中。
下一页总目录 章目录 返回 上一页阴极引线阳极引线二氧化硅保护层
P型硅
N型硅
(c ) 平面型金属触丝阳极引线
N型锗片阴极引线外壳(a) 点接触型铝合金小球
N型硅阳极引线
PN结金锑合金底座阴极引线
(b) 面接触型图 1 – 12 半导体二极管的结构和符号
15.3 半导体二极管二极管的结构示意图阴极阳极
(d) 符号
D
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15.3.2 伏安特性硅管 0.5V,
锗管 0.1V。
反向击穿电压 U(BR) 导通压降外加电压大于死区电压二极管才能导通。外加电压大于反向击穿电压二极管被击穿，
失去单向导电性。
正向特性反向特性特点：非线性硅 0.6~0.8V
锗 0.2~0.3V
U
I
死区电压P N
+–
P N–+
反向电流在一定电压范围内保持常数。
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15.3.3 主要参数
1,最大整流电流 IOM
二极管长期使用时，允许流过二极管的最大正向平均电流。
2,反向工作峰值电压 URWM
是保证二极管不被击穿而给出的反向峰值电压，
一般是二极管反向击穿电压 UBR的一半或三分之二。
二极管击穿后单向导电性被破坏，甚至过热而烧坏。
3,反向峰值电流 IRM
指二极管加最高反向工作电压时的反向电流。反向电流大，说明管子的单向导电性差,IRM受温度的影响，温度越高反向电流越大。硅管的反向电流较小,
锗管的反向电流较大，为硅管的几十到几百倍。
下一页总目录 章目录 返回 上一页二极管 的单向导电性
1,二极管加正向电压（正向偏置，阳极接正、阴极接负 ）时,二极管处于正向导通状态，二极管正向电阻较小，正向电流较大。
2,二极管加反向电压（反向偏置，阳极接负、阴极接正 ）时,二极管处于反向截止状态，二极管反向电阻较大，反向电流很小。
3,外加电压大于反向击穿电压二极管被击穿，失去单向导电性。
4,二极管的反向电流受温度的影响，温度愈高反向电流愈大。
下一页总目录 章目录 返回 上一页二极管电路分析举例定性分析,判断二极管的工作状态 导通截止否则，正向管压降 硅 0.6~0.7V锗 0.2~0.3V
分析方法,将二极管断开，分析二极管两端电位的高低或所加电压 UD的正负。
若 V阳 >V阴 或 UD为正 ( 正向偏置 )，二极管导通若 V阳 <V阴 或 UD为负 ( 反向偏置 )，二极管截止若二极管是理想的,正向导通时正向管压降为零，
反向截止时二极管相当于断开。
下一页总目录 章目录 返回 上一页电路如图，求,UAB
V阳 =－ 6 V V阴 =－ 12 V
V阳 >V阴 二极管导通若忽略管压降，二极管可看作短路,UAB =－ 6V
否则,UAB低于－ 6V一个管压降，为－ 6.3Ｖ或－ 6.7V
例 1：
取 B 点作参考点，
断开二极管，分析二极管阳极和阴极的电位。
在这里，二极管起钳位作用。
D
6V
12V
3k?
B
A
UAB
+
–
下一页总目录 章目录 返回 上一页两个二极管的阴极接在一起取 B 点作参考点，断开二极管，分析二极管阳极和阴极的电位。
V1阳 =－ 6 V,V2阳 =0 V,V1阴 = V2阴 = － 12 V
UD1 = 6V,UD2 =12V
∵ UD2 >UD1 ∴ D2 优先导通,D1截止。
若忽略管压降，二极管可看作短路,UAB = 0 V
例 2:
D1承受反向电压为 － 6 V
流过 D2 的电流为
mA43122DI
求,UAB
在这里,D2 起钳位作用,D1起隔离作用。
B
D1
6V
12V
3k?
A
D2
UAB
+
–
下一页总目录 章目录 返回 上一页
ui > 8V，二极管导通，可看作短路 uo = 8V
ui < 8V，二极管截止，可看作开路 uo = ui
已知：
二极管是理想的，试画出 uo 波形。
V s i n18i tu
8V
例 3：
二极管的用途：
整流、检波、
限幅、钳位、开关、元件保护、
温度补偿等。
ui
t?
18V
参考点二极管阴极电位为 8 V
D
8V
R
uoui
+ +
– –
动画下一页总目录 章目录 返回 上一页
15.4 稳压二极管
1,符号
UZ
IZ
IZM? UZ
IZ
2,伏安特性稳压管正常工作时加反向电压使用时要加限流电阻稳压管反向击穿后，电流变化很大，
但其两端电压变化很小，利用此特性，
稳压管在电路中可起稳压作用。
_ +
U
I
O
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3,主要参数
(1) 稳定电压 UZ
稳压管正常工作 (反向击穿 )时管子两端的电压。
(2) 电压温度系数?ｕ
环境温度每变化 1?C引起 稳压值变化的 百分数 。
(3) 动态电阻
Z
Z
Z I
Ur
(4) 稳定电流 IZ,最大稳定电流 IZM
(5) 最大允许耗散功率 PZM = UZ IZM
rZ愈小，曲线愈陡，稳压性能愈好。
下一页总目录 章目录 返回 上一页光电二极管反向电流随光照强度的增加而上升。
I
U
照度增加符号发光二极管有正向电流流过时，发出一定波长范围的光，目前的发光管可以发出从红外到可见波段的光，它的电特性与一般二极管类似，正向电压较一般二极管高，电流为几 ~ 几十 mA
光电二极管 发光二极管下一页总目录 章目录 返回 上一页
15.5 半导体三极管
15.5.1 基本结构
N NP
基极发射极集电极
NPN型
B
EC
B
EC
PNP型
P PN
基极发射极集电极符号：
B
E
C
IB I
E
IC
B
E
C
IB I
E
IC
NPN型三极管 PNP型三极管下一页总目录 章目录 返回 上一页基区：最薄，
掺杂浓度最低发射区：掺杂浓度最高发射结集电结
B
E
C
N
N
P基极发射极集电极结构特点：
集电区：
面积最大下一页总目录 章目录 返回 上一页
15,5,2 电流分配和放大原理
1,三极管放大的外部条件
B
E
C
N
N
P
EB
RB
EC
RC
发射结正偏、集电结反偏
PNP
发射结正偏 VB<VE
集电结反偏 VC<VB
从电位的角度看：
NPN
发射结正偏 VB>VE
集电结反偏 VC>VB
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2,各电极电流关系及电流放大作用
IB(mA)
IC(mA)
IE(mA)
0 0.02 0.04 0.06 0.08 0.10
<0.001 0.70 1.50 2.30 3.10 3.95
<0.001 0.72 1.54 2.36 3.18 4.05
结论,1）三电极电流关系 IE = IB + IC
2） IC IB,IC? IE
3）? IC IB
把基极电流的微小变化能够引起集电极电流较大变化的特性称为晶体管的电流放大作用。
实质,用一个微小电流的变化去控制一个较大电流的变化，是 CCCS器件 。
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3.三极管内部载流子的运动规律
B
E
C
N
N
P
EB
RB
EC
IE
IBE
ICEICBO
基区空穴向发射区的扩散可忽略。
发射结正偏，
发射区电子不断向基区扩散，形成发射极电流 IE。
进入 P 区的电子少部分与基区的空穴复合，形成电流 IBE,多数扩散到集电结。
从基区扩散来的电子作为集电结的少子，漂移进入集电结而被收集，形成 ICE。
集电结反偏，
有少子形成的反向电流 ICBO。
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3,三极管内部载流子的运动规律
IC = ICE+ICBO? ICE IC
IB
B
E
C
N
N
P
EB
RB
EC
IE
IBE
ICEICBOIB = IBE- ICBO? IBE
ICE 与 IBE 之比称为共发射极电流放大倍数
B
C
C B OB
C B OC
BE
CE
I
I
II
II
I
I?
C E OBC B OBC )(1 IIIII
BC C E O III，有忽略集－射极穿透电流,温度ICEO?
(常用公式 )
若 IB =0,则 IC? ICE0
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15.5.3 特性曲线即管子各电极电压与电流的关系曲线，是管子内部载流子运动的外部表现，反映了晶体管的性能，
是分析放大电路的依据。
为什么要研究特性曲线：
1）直观地分析管子的工作状态
2）合理地选择偏置电路的参数，设计性能良好的电路重点讨论应用最广泛的共发射极接法的特性曲线下一页总目录 章目录 返回 上一页发射极是输入回路、输出回路的公共端共发射极电路输入回路 输出回路测量晶体管特性的实验线路 IC
EB
mA
A
V
UCE
UBERB
IB
ECV
+
+
– ––
–
+
+
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1,输入特性常数 CE)( BEB UUfI
特点,非线性死区电压：
硅管 0.5V，
锗管 0.1V。
正常工作时发射结电压：
NPN型硅管
UBE? 0.6~0.7V
PNP型锗管
UBE0.2 ~? 0.3V
IB(?A)
UBE(V)
20
40
60
80
0.4 0.8
UCE?1V
O
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2,输出特性
IB=0
20?A
40?A
60?A
80?A
100?A
常数 B)( CEC IUfI
3 6
IC(mA )
1
2
3
4
UCE(V)9 12O
放大区输出特性曲线通常分三个工作区：
(1) 放大区在放大区有 IC=? IB,
也 称为线性区，具有恒流特性。
在放大区,发射结处于正向偏置、集电结处于反向偏置，晶体管工作于放大状态。
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IB=0
20?A
40?A
60?A
80?A
100?A
3 6
IC(mA )
1
2
3
4
UCE(V)9 12O
（ 2）截止区
IB < 0 以下区域为 截止区，有 IC? 0 。
在截止区发射结处于反向偏置，集电结处于反向偏置，晶体管工作于截止状态。
饱和区截止区
（ 3）饱和区当 UCE? UBE时,晶体管工作于饱和状态。
在饱和区,?IB?IC，
发射结处于正向偏置，
集电结也处于正 偏。
深度饱和时，
硅管 UCES? 0.3V，
锗管 UCES? 0.1V。
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15.5.4 主要参数
1,电流放大系数
直流电流放大系数
B
C
I
I_ _ _
B
CIIΔΔ
交流电流放大系数当晶体管接成发射极电路时，
表示晶体管特性的数据称为晶体管的参数，晶体管的参数也是设计电路、选用晶体管的依据。
注意：
和?的含义不同，但在特性曲线近于平行等距并且 ICE0 较小的情况下，两者数值接近。
常用晶体管的? 值在 20 ~ 200之间。
下一页总目录 章目录 返回 上一页例：在 UCE= 6 V时,在 Q1 点 IB=40?A,IC=1.5mA；
在 Q2 点 IB=60?A,IC=2.3mA。
537040 51
B
C,.,II
40040060 5132
B
C?
..
..
I
I
Δ
Δ?
在以后的计算中，一般作近似处理,? = 。
IB=0
20?A
40?A
60?A
80?A
100?A
3 6
IC(mA )
1
2
3
4
UCE(V)9 120
Q1
Q2
在 Q1 点，有由 Q1 和 Q2点，得下一页总目录 章目录 返回 上一页
2.集 -基极反向截止电流 ICBO
ICBO是由少数载流子的漂移运动所形成的电流，
受温度的影响大。
温度ICBO?
ICBO
A +– EC
3.集 -射极反向截止电流 (穿透电流 )ICEO
A
ICEO
IB=0
+– I
CEO受温度的影响大。
温度ICEO?,所以 IC
也相应增加。 三极管的温度特性较差。
下一页总目录 章目录 返回 上一页
4,集电极最大允许电流 ICM
5,集 -射极反向击穿电压 U(BR)CEO
集电极电流 IC上升会导致三极管的?值的下降，
当?值下降到正常值的三分之二时的集电极电流即为 ICM。
当集 —射极之间的电压 UCE 超过一定的数值时，
三极管就会被击穿。手册上给出的数值是 25?C、
基极开路时的击穿电压 U(BR) CEO。
6,集电极最大允许耗散功耗 PCM
PCM取决于三极管允许的温升，消耗功率过大，
温升过高会烧坏三极管。
PC? PCM =IC UCE
硅 管允许结温约为 150?C,锗 管约为 70?90?C。
下一页总目录 章目录 返回 上一页
ICUCE=PCM
ICM
U(BR)CEO
安全工作区由三个极限参数可画出三极管的安全工作区
IC
UCEO
下一页总目录 章目录 返回 上一页晶体管参数与温度的关系
1、温度每增加 10?C,ICBO增大一倍。硅管优于锗管。
2、温度每升高 1?C,UBE将减小 –(2~2.5)mV，
即晶体管具有负温度系数。
3、温度每升高 1?C,?增加 0.5%~1.0%。
