2005年《模拟电子技术基础（1）》期末试题A卷 一、单项选择题（共12小题，每小题2分，共24分） 1、 在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于 [ ] A．温度 B．掺杂工艺的类型 C．杂质浓度 D．晶体中的缺陷 2、 当外加偏置电压不变时，若工作温度升高，二极管的正向导通电流将 [ ] A 增大 B 减小 C 不变 D 不确定 3、当稳压管在正常稳压工作时，其两端施加的外部电压的特点为 。 [ ］ A 反向偏置但不击穿 B 正向偏置但不击穿 C 反向偏置且被击穿 D 正向偏置且被击穿 4、双极型晶体管工作在饱和区的偏置条件是 [ ] A．发射结正偏；集电结正偏 B．发射结正偏；集电结反偏 C．发射结反偏；集电结正偏 D．发射结反偏；集电结反偏 5、下列对场效应管的描述中，不正确的是 [ ] A 场效应管具有输入电阻高，热稳定性好等优点； B 场效应管的两种主要类型是MOSFET和JFET； C 场效应管工作时多子、少子均参与导电； D 场效应管可以构成共源、共栅、共漏这几种基本类型的放大器。 6、在同时比较三种基本放大电路的特点时，下列描述正确是 [ ] A 共射电路的Ri最大 B 共集电路的AV最小 C 共基电路的AV最小 D 共射电路的RO最小 7、在由NPN晶体管组成的基本共射放大电路中，当输入信号为2KHz，20mV的正弦电压时，输出电压波形出现了底部削平的失真，这种失真是 [ ] A．饱和失真 B．截止失真 C．频率失真 D．交越失真 8、集成运放的输入级广泛采用了差分放大电路，它能有效放大的信号应该是 [ ] A 差模信号 B 共模信号 C 既有差模信号，又有共模信号 D 以上三者都正确 9、当我们在电路中引入电压并联负反馈后，与基本放大器的输入、输出电阻相比，反馈放大器的输入、输出电阻的变化是 [ ] A 输入电阻增大，输出电阻增大 B 输出电阻增大，输入电阻减小 C 输入电阻减小，输出电阻减小 D 输入电阻减小，输出电阻增大 10、集成电路中常采用的级间耦合方式是 [ ] A．直接耦合 B．阻容耦合 C．变压器耦合 D．光电耦合 11、放大器的增益是随着输入信号频率的改变而改变的，当输入信号的频率为时，放大器增益的幅值将 [ ] A 降为1 B 降为中频时的1/2 倍 C 降为中频时的倍 D 降为中频时的倍 12、在输入信号从极小到极大的一次变化过程中，窗口电压比较器的输出电压将会发生 次翻转。 [ ] A 0 B 1 C 2 D 3 二、简答（共4小题，每小题5分，共20分） 已知两晶体管的电流放大系数分别为50和100，现测得放大电路中这两只管子两个电极的电流如下图2-1所示。求另一电极的电流，标出方向；判断管型和三个电极。 2、改正下面电路图中的错误使其可以正常地放大交流信号。 3、什么叫温度漂移？它由那些因素引起？试说出任意两种抑制温度漂移的方法。 4、请画出集成运算放大器电路方框图并简述各部分的主要功能。 三、分析计算题（共4小题，共56分） 1.电路如图3-1 。晶体管，。（14分） （1）求静态工作点； （2）分别求出，和时电路的 （3）求＝？ （注意：电容对交流信号呈交流短路） 2、两级放大电路如图3-2所示，晶体管，， 画直流通路，计算各级静态工作点（计算UCE1时忽略IB2） 取UBE=0.6V 画交流通路，计算 （14分） 3、如下图3-3所示电路中,开关S可以任意闭合、断开，集成运放A是理想的，设T1、T2、T3工作在放大区(忽略其直流偏置)，假设Vcc、VEE、rbe1、rbe2、β1、β2、β3和各电阻的值均为已知，请分析： （14分） ⑴ T3管构成什么电路？ ⑵ 当S断开时，电路的增益AV = VO/VI =？ ⑶ 当S闭合时，电路在深度负反馈条件下的闭环增益AVF =？ 4、在图3-4所示电路为光控电路的一部分，它将连续变化的光电信号转换成离散信号（即不是高电平，就是低电平），电流I随光照的强弱而变化。（14分） ⑴ 在A1和A2中，哪个工作在线性区？哪个工作在非线性区？为什么？ ⑵ 试分析uo与I关系的传输特性，并画出其曲线；