第一章 常用半导体器件 1.1 在晶体管放大电路中，测得晶体管的各个电极的电位如图1.1所示，该晶体管的类型是 [ ] NPN型硅管 PNP型硅管 NPN型锗管 图1.1 2V 6V PNP型锗管 1.3V 1.2 某三极管各个电极的对地电位如图1-2所示，可判断其工作状态是[ ] 饱和 放大 截止 图1.2 已损坏 1.3 在如图1.3所示电路中，当电源V=5V时，测得I=1mA。若把电源电压调整到V=10V，则电流的大小将是 [ ] A.I=2mA B.I<2mA C.I>2mA D.不能确定 图1.3 1.4 在如图1-7所示电路中电源V=5V不变。当温度为20OC时测得二极管的电压UD=0.7V。当温度上生到为40OC时,则UD的大小将是 [ ] A.仍等于0.7V B.大于0.7V C. 小于0.7V D.不能确定 图1.4 1.5 在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于 [ ] A.温度 B.掺杂工艺 C.杂质浓度 D.晶体缺陷 1.6 对于同一个晶体管而言，反向电流最小的是 [ ] A.ICBO B.ICES C.ICER D.ICEO 1.7二极管的主要特性是 [ ] A.放大特性 B.恒温特性 C.单向导电特性 D.恒流特性 1.8 温度升高时，晶体管的反向饱和电流ICBO将 [ ] A.增大 B.减少 C.不变 D.不能确定 1.9 下列选项中，不属三极管的参数是 [ ] A.电流放大系数β B.最大整流电流IF C.集电极最大允许电流ICM D.集电极最大允许耗散功率PCM 1.10 温度升高时，三极管的β值将 A.增大 B.减少 C.不变 D.不能确定 1.11 在N型半导体中，多数载流子是 [ ] A. 电子 B. 空穴 C.离子 D. 杂质 1.12 下面哪一种情况二极管的单向导电性好 [ ] A.正向电阻小反向电阻大 B. 正向电阻大反向电阻小 C.正向电阻反向电阻都小 D. 正向电阻反向电阻都大 1.13 在如图1.13所示电路中，设二极管的正向压降可以忽略不计，反向饱和电流为0.1 mA, 反向击穿电压为25V且击穿后基本不随电流而变化，这时电路中的电流I等于 [ ] A. 0.1 mA B. 2.5mA C. 5mA D. 15 mA 图 1.13 1.14 在P型半导体中，多数载流子是 [ ] A. 电子 B. 空穴 C.离子 D. 杂质 1.15 下列对场效应管的描述中，不正确的是 [ ] A 场效应管具有输入电阻高，热稳定性好等优点； B 场效应管的两种主要类型是MOSFET和JFET； C 场效应管工作时多子、少子均参与导电； D 场效应管可以构成共源、共栅、共漏这几种基本类型的放大器。 1.16 在放大电路中，场效应管应工作在漏极特性的 [ ] A.可变电阻区 B.截止区 C.饱和区 D.击穿区 1.17 表征场效应管放大作用的重要参数是 [ ] A.电流放大系数β B.跨导gm=ΔID/ΔUGS C.开启电压UT D.直流输入电阻RGS 1.18 下列选项中，不属场效应管直流参数的是 [ ] A.饱和漏极电流IDSS B.低频跨导gm C.开启电压UT D.夹断电压UP 1.19 双极型晶体三极管工作时参与导电的是 [ ] A 多子 B 少子 C 多子和少子 D 多子或少子 1.20 双极型晶体三极管在放大状态工作时的外部条件是 [ ] A 发射结正偏，集电结正偏 B 发射结正偏，集电结反偏 C 发射结反偏，集电结反偏 D 发射结反偏，集电结正偏 1.21 选择括号中的答案填空（只填答案a、b、c、……）。 1、在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于 ，而少数载流子的浓度则与 有很大关系，（a.温度，b.掺杂工艺，c.杂质浓度，d.晶体缺陷） 2、当PN结外加正向电压时，扩散电流 漂移电流，耗尽层 。当PN结外加反向电压时，扩散电流 漂移电流，耗尽层 。(a.大于，b.小于，c.等于，d.变宽，e.变宽f.不变) 3、温度升高时，晶体管的电流放大系数β ，反向饱和电流ICBO ，正向结电压UBE 。(a.变大，d.变小，c.不变) 4、温度升高时，晶体管的共射输入特性曲线将 ，输出特性曲线将 ，而且输出特性曲线之间的间隔将 。(a.上移，b.下移，c.左移，d.右移，e.增大，f.减小，g.不变) 1.22 用大于号(>)、小于号(<)或等号(=)填空： 1、在本征半导体中，电子浓度 空穴浓度； 2、在P型半导体中，电子浓度 空穴浓度； 3、在N型半导体中，电子浓度 空穴浓度。 1.23 判断下列说法是否正确，并在相应的括号内画√或×。 1、P型半导体可通过在纯净半导体中掺入五价磷元素而获得。（ ） 2、在N型半导体中，掺入高浓度的三价杂质可以发型为P型半导体。（ ） 3、P型半导体带正电，N型半导体带负电。（ ） 4、PN结构的扩散电流是载流子在电场作用下形成的。（ ） 5、漂移电流是少数载流子在内电场作用下形成的。（ ） 6、由于PN结交界面两边存在电位差，所以，当把PN结两端短路时就有电流流过。（ ） 7、PN结方程可以描述PN结在的正向特性和反向特性，也可以描述PN结的反向击穿特性。（ ） 8、通常的BJT管在集电极和发射极互换使用时，仍有较大的电流放大作用。（ ） 9、通常的JFET管在漏极和源极互换使用时，仍有正常的放大作用。（ ） 10、有人测得某晶体管的UBE=0.7V，IB=20μA，因此推算出rbe=UBE/IB=0.7V/20μA=35kΩ。 （ ） 11、有人测得晶体管在UBE=0.6V，IB=5μA，因此认为在此工作点上的rbe大约为26mV/IB=5.2kΩ。 （ ） 12、有人测得当UBE=0.6V，IB=10μA。考虑到当UBE=0V时IB=0因此推算得到  （ ） 1.24 选择正确的答案填空： 1、用万用表判别放大电路中处于正常工作的某个晶体管的类型（指NPN型还是PNP型）与三个电极时以测出 最为方便。 a.中极间电阻 b.各极对地电位 c.各极电流 2、一个硅二极管在正向电压UD=0.6V时，正向电流ID=10mA。若UD增大到0.66V（即增加10%），则电流ID 。 a.约为11mA（也增加10%）； b.约为20mA（增大1倍）； c.约为100mA（增大到原先的10倍）； d.仍为10mA（基本不变）。 3、设电路中保持V=5V不变，当温度为20℃时测得二极管的电压UD=0.7V。当温度上升到40℃时，则UD的大小将是 。 a. I=2mA b. I<2mA c. I>2mA 1.25 填空： 1、半导体中载流子的基本运动形式有： 和 。 2、二极管的最主要特性是 ，它的两个主要参数是反映正向特性的 和反映反向的特性的 。 3、在常温下，硅二极管的开启电压约 V，导通后在较大电流下的正向压降约 V；锗二极管的开启电压约 V，导通后在较大电流下的正向压降约 V。 4、场效应管从结构上分成 和 两大类型。它们的导电过程仅仅取决于 载流子。 5、场效应管属于 控制型器件。 6、双极型晶体管从结构上看可以分成 和 两种类型，它们工作时有 和 两种载流子参于导电。 7、双极型晶体管从结构上看可以分成 和 两种类型，它们工作时有 和 两种载流子参与导电。场效应管从结构上分成 和 两大类型，它们的导电过程仅仅取决于 载流子的流动。 8、场效应管属于 控制型器件，而晶体管若用简化的h参数等效电路来分析则可以认为是 控制型器件。 9、晶体三极管用来放大时，应使发射结处于 偏置，集电结处于 偏置。 10、晶体管穿透电流ICEO是集-基反向饱和电流ICBO的 倍。在选用管子时，一般希望ICEO尽量 。 11、某晶体管的极限参数PCM=150mW，ICM=100mA，U(BR)CED=30V。若它的工作电压UCE=10V，则工作电流IC不得超过 mA；若工作电压UCE=1V，则工作电流不得超过 mA；若工作电流IC=1mA，则工作电压不得超过 V。 12、已知某晶体管的fT=150MHz，，则当其工作频率为50MHz时  。 1.26 对于硅二极管： 1、在室温下，当反向电流达到其反向饱和电流Is的95%时，反向电压是多少？ 2、计算偏压为+0.1V和-0.1V时，相应的正向电源和反向电流的比的绝对值。 3、设反向饱和电流为10mA，计算电压为0.6V时的电流，并说明此结果与实际不符的原因。 1.27 指出以下几种半导体器件中，哪些是普通硅二极管，哪些是普通锗二极管，哪些是硅稳压管：3AX22，2CZ11，3DG4。2AP6，3DJ13，2CP10，3DO1，2CW11。 1.28 甲、乙、丙三个二极管的正、反向特性如表1.28所示，你认为哪一个二极管的性能最好？请在相应的括号内画√（只允许画一个）。 表1.28 管号 加0.5V正向电压时的电流 加反向电压时的电流 哪个性能最好？  甲 0.5mA 1μA ( )  乙 5mA 0.1μA ( )  丙 2mA 5μA ( )  1.29 在表1.29中，比较晶体管和场效应管两种器件的性能，在你认为正确的栏中画√： 表1.29 性能 晶体管 场效应管  静态输入电流哪个小些？    放大作用哪个大些（静态电流相同时）？    受温度影响哪个小些？    1.30 在某放大电路中，晶体管三个电极的电流如图1.30所示。已量出I1=-1.2mA，I2=-0.03mA，I3=1.23mA。由此可知： 1、电极①是 极，电级②是 极，电极③是 极。 2、此晶体管的电流放大系数约为 。 3、此晶体管的类型是 型（PNP或NPN）。 1.31 测得工作在放大电路中两个晶体管的三个电极电流如下图所示 （1）判断它们各是NPN管还是PNP管，在图中标出e，b，c极； （2）估算(b)图晶体管的 和  值。 1.32判断各图1.32中二极管导通状态，并标出的值。各二极管导通电压0.7V。 33已知晶体管工作在放大区，并测得各电极对地电位如图1.33所示。试在图中画出各晶体管的电路符号，并说明是锗管还是硅管。 1.34 写出晶体管在共基接法下的电流分配关系式ic=f(iE)： 。写出晶体管在共射接法下的电流分配关系 式ic=f(iB)： 。 1.35 NPN型晶体管在什么情况下IB=-Ic？设电流正方向为流向电极。 1.36 下列四组晶体三极管的关系式分别代表三极管的什么特性曲线？ 1、 (共 极输 特性)； 2、 (共 极输 特性)； 3、 (共 极输 特性)； 4、 (共 极输 特性)； 1.37 写出晶体三极管α与β之间的关系式。 1.38 扼要回答PN结、双极型晶体管和场效应管的主要特性及其相对应的主要用途。 1.39 计算： 1.已知晶体管的电流放大系数a=0.98，Ic=1mA，求IB。设忽略ICBO。 2. 已知场效应管的IDSS=5mA，UGS(off)=-4V，求当UGS=-2V时的gm。 两个2CW15型稳压管，其稳定电压分别是8V和7.5V，正向压降为0.7V。如果把这两个稳压管串联，试问可能得到几种不同的稳压值（画出电路加以表示）？ 1.41 电路如图1.41所示，若UI=10V，R=100(，稳压管DZ的稳定电压UZ=6V，允许电流的变动范围是Izmin=5mA, Izmax=30mA,求负载电阻RL的可变范围。 图1.41 1.42 二极管电路如图1.42（a）所示，设二极管为理想的。 试求电路的传输特性（vo～vi特性），画出vo～vi波形； 假定输入电压如图1.42（b）所示，试画出相应的vo波形。 1.43 稳压管稳压电路如图1.43所示。已知稳压管稳压值为5伏，稳定电流范围为10mA~50mA， 限流电阻R=500。试求： 当 当