第二章 基本放大电路 2.1 在基本放大电路的三种组态中，输入电阻最大的放大电路是 [ ] A.共射放大电路 B.共基放大电路 C.共集放大电路 D.不能确定 2.2在基本共射放大电路中，负载电阻RL减小时，输出电阻RO将 [ ] A.增大 B.减少 C.不变 D.不能确定 2.3 在三种基本放大电路中，输入电阻最小的放大电路是 [ ] A.共射放大电路 B.共基放大电路 C.共集放大电路 D.不能确定 2.4在电路中我们可以利用 [ ] 实现高内阻信号源与低阻负载之间较好的配合。 A 共射电路 B 共基电路 C 共集电路 D 共射-共基电路 2.5 在基本放大电路的三种组态中，输出电阻最小的是 [ ] A.共射放大电路 B.共基放大电路 C.共集放大电路 D.不能确定 2.6 在由NPN晶体管组成的基本共射放大电路中，当输入信号为1kHz,5mV的正弦电压时，输出电压波形出现了底部削平的失真，这种失真是 [ ] 饱和失真 B.截止失真 C.交越失真 D.频率失真 2.7以下电路中，可用作电压跟随器的是 [ ] A．差分放大电路 B．共基电路 C．共射电路 D．共集电路 2.8 晶体三极管的关系式iE=f(uEB)|uCB代表三极管的 A.共射极输入特性 B.共射极输出特性 C.共基极输入特性 D.共基极输出特性 2.9 对于图2.9所示的复合管，穿透电流为 （设ICEO1、ICEO2分别表示T1、T2管的穿透电流） ICEO= ICEO2 (ICEO ICEO=ICEO1+ICEO2 ICEO=（1+(2）ICEO1+ICEO2 ICEO=ICEO1 图2.9 [ ] 2.10 在由PNP晶体管组成的基本共射放大电路中，当输入信号为1kHz,5mV的正弦电压时，输出电压波形出现了顶部削平的失真，这种失真是 [ ] 饱和失真 B.截止失真 C.交越失真 D.频率失真 2.11对于基本共射放大电路， Rb减小时，输入电阻Ri将 [ ] A.增大 B.减少 C.不变 D.不能确定 2.12在基本共射放大电路中，信号源内阻RS减小时，输入电阻Ri将 [ ] A.增大 B.减少 C.不变 D.不能确定 2.13 在三种基本放大电路中，电压增益最小的放大电路是 [ ] A.共射放大电路 B.共基放大电路 C.共集放大电路 D.不能确定 2.14 在三种基本放大电路中，电流增益最小的放大电路是 [ ] A.共射放大电路 B.共基放大电路 C.共集放大电路 D.不能确定 2.15 某放大电路的负载开路时的输出电压为4V，接入3K(的负载电阻后输出电压降为3V，这说明放大电路的输出电阻为 。 2.16 双极型晶体管工作在放大区的偏置条件是发射结 、集电结 。 2.17 对于基本共射放大电路，试判断某一参数变化时放大电路动态性能的变化情况(a.增大，b.减小，c.不变)，选择正确的答案填入空格。 1、Rb减小时，输入电阻Ri 。 2、Rb增大时，输出电阻Ro 。 3、信号源内阻Rs增大时，输入电阻Ri 。 4、信号源内阻Rs减小时，电压放大倍数 。 5、负载电阻RL增大时，电压放大倍数 。 6、负载电阻RL减小时，输出电阻Ro 。 2.18 选择正确的答案填空。 1、复合管的额定功耗是 。(a.各晶体管额定功耗之和；b.前面管子的额定功耗；c.后面管子的额定功耗；d.各晶体管额定功耗的平均值) 2、复合管的反向击穿电压等于 。(a.各晶体管反向击穿电压之和；b.前面管子的反向击穿电压；c.后面管子的反向击穿电压；d.各晶体管反向击穿电压值中的较小者) 3、复合管的集电极最大允许电流等于 。(a.各晶体管集电极最大允许电流之和；b.前面管子的集电极最大允许电流；c.后面管子的集电极最大允许电流；d.各晶体管集电极最大允许电流值中的较小者) 4、有两个放大倍数相同、输入和输出电阻不同的放大电路A和B，对同一个具有内阻的信号源电压进行放大。在负载开路的条件下测得A的输出电压小。这说明A的 。 a.输入电阻大 b.输入电阻小 c.输出电阻大 d.输出电阻小 2.19 在实验桌上放有下列仪器： A、WQ-2-A型直流稳压电源：输出电压在0~30V范围内可调； B、FG-163型函数发生器：可产生正弦波、三角波、方波等信号，频率范围为0.0001Hz~20MHz，输出电阻约为50Ω； C、DA-16型晶体管毫伏表：频率范围为20Hz~1MHz，输入电阻在频率为1kHz时大于1MQ，输入电容为50~70pF； D、DT-830型数字万用表：交、直流挡的输入电阻均为10MΩ ，交流电压挡的频率范围45~500Hz，输入电容为100pF； E、CS-1830型示波器：频率范围为0~30MHz，输入电阻为1MΩ ，输入电容为23pF。 问测量放大电路的下列性能指标需用哪些仪器设备？（只需写出上述仪器设备的标号，如A、B等） 1、静态工作点： 2、电压放大倍数： 3、输入电阻： 4、输出电阻： 5、上限截止频率（预计约1MHz）： 2.20 为了测量交流放大电路的电压放大倍数，需要在放大电路的输入端加进10mV的正弦信号。问下列几种获取信号的方法是否正确？为什么？ 1、调整信号发生器的电压幅度，利用信号发生器上的表头指示和衰减倍数产生10mV的正弦电压，然后将它加到放大电路的输入端。 2、调整信号发生器的电压幅度，利用晶体管毫伏表测量其输出端电压，从而得到10mV信号。然后将它接到放大电路的输入端。 3、先将尚无输出电压的信号发生器连接到放大电路的输入端，然后由小到大地调节信号源的电压幅度，用晶体管毫伏表测量其大小，使之达到10mV。 2.21 某同学为验证基本共射放大电路电压放大倍数与静态工作点的关系，在线性放大条件下对同一个电路测了四级数据。试找出其中错误的一组。 a.Ic=0.5mA，Ui=10mV，Uo=0.37V b.Ic=1.0mA，Ui=10mV，Uo=0.62V c.Ic=1.5mA，Ui=10mV，Uo=0.96V d.Ic=2mA，Ui=10mV，Uo=0.45V 2.22 判断下列说法是否正确，对的画√，错的画×。 1、晶体管的输入电阻rbe是一个动态电阻，故它与静态工作点无关。（ ） 2、在基本共射放大电路中，若晶体管的β增大一倍，则电压放大倍数也相应地增大一倍。 （ ） 3、共集放大电路的电压放大倍数总是小于1，故不能用来实现功率放大。（ ） 4、只有当两个晶体管的类型相同（都为NPN管或都为PNP管）时才能组成复合管。 （ ） 5、复合管的类型（NPN或PNP）与组成它的最前面的管子类型相同。（ ） 6、只要把两个晶体管的复合管，一定可以提高管子的输入电阻。 （ ） 7、复合管的β值近似等于组成它的各晶体管β值的乘积。 （ ） 8、复合管的空透电流等于组成它的各晶体管的空透电流之和。 （ ） 9、两个同类晶体管（例如都是NPN管）复合，由于两管的UBE叠加，受温度的影响增大，所以它产生的漂移电压比单管大。 （ ） 10、由于场效应管的栅极几乎不取电流，所以两个场效应管不能组成复合管。（ ） 11、由于场效应管的栅极几乎不取电流，所以场效应管与双极型晶体管也不能级成复合管。 （ ） 2.23 用两个晶体管分别组成下面的两种复合管： 1、输入电阻与单管相同的NPN型复合管； 2、输入电阻明显增大的PNP型复合管。 3、用一个NPN和一PNP型晶体管，分别组成一个NPN和一个PNP型的复合管； 4、用两个NPN型晶体管组成一个NPN型的复合管。 2.24 通常功率管的电流放大系数β较小，而小功率管的β较大，现需要一个β较大而基-射极电压UBE温漂较小的NPN型大功率管，拟采用复合管的结构来实现。试画出该复合管的接线图。 2.25 设图2.25所示电路中各电容对交流信号可视为短路，晶体管的(=50，rbb’=200(,UBEQ=0.6V,求： 静态工作点ICQ、UCEQ 各为多少？ 输入电阻Ri ,输出电阻Ro各为多少？ 电压放大倍数Au为多少？ 2.26 在图2.26的电路中，T1、T2特性相同，且(很大，求IC2和UCE2 的值。设UBE=0.6V。 2.27 判断如图2.27a、b所示电路是否可能对正弦信号实现放大，不能放大的说明原因。 2．28设图2.28所示电路中各电容对交流信号可视为短路，晶体管的β=50,rbb’=200Ω,UBEQ=0.6,求: ①.求静态工作点ICQ=? ②.该电路的输入电阻Ri输出电阻Ro各为多少? ③.该电路的电压放大倍数Au为多少? 2.29在右图2.29所示电路中，设Vcc=12V，Rc=5.1KΩ，R1=R2=150KΩ，Rs=300Ω，RL=∞，晶体管的(=49，rbb’=300Ω，UBE=0.7v，设各电容对交流信号均可视为短路。 1．估算静态工作点ICQ和UCEQ； 2．画出该电路的简化h参数微变等效电路； 3．计算出AU=UO/Ui、AUS=UO/US、Ri和RO的值； 4．若将C3开路，试问对该电路的Q点、(AUS (、Ri和Ro有何影响？ 2.30指出并改正图2.30电路中的错误使电路能够正常放大信号。