4.1.3 一个JFET的转移特性曲线如图题4.1.3所示,试问: 它是N沟道还是P沟道FET? 它的夹断电压VP和饱和漏极电流IDSS各是多少? 解 由图题4.1.3可见,它是N沟道JFET,其VP=–4 V,IDSS=3 mA。 4.3.3一个MOSFET的转移特性如图题4.3.3所示(其中漏极电流iD的方向是它的实际方向)。试问: (1)该管是耗尽型还是增强型? (2)是N沟道还是P沟道FET? (3)从这个转移特性上可求出该FET的夹断电压VP,还是开启电压VT?其值等于多少? 解 由图题 4.3.3可见,它是 P沟道增强型 MOSFET,其 VT=-4 V。 4.4.l增强型FET能否用自偏压的方法来设置静态工作点?试说明理由。 解 由于增强型MOS管在vGS=0时,vD=0(无导电沟道),必须在|vGS|>|VT| (VT为开启电压)时才有iD,因此,增强型的MOS管不能用自偏压的方法来设置静态工作点。 4.4.4已知电路参数如图题4.4.4所示,FET工作点上的互导gm=1ms,设 rd>>Rd。(1) 画出小信号等效电路;(2)求电压增益Av;(3)求放大电路的输人电阻Ri。 解 (1)画小信号等效电路 忽略rd,可画出图题4.4.4的小信号等效电路,如图解4.4.4所示。 (2)求 Av  (3)求Ri  4.5.1电路参数如图题4.5.1所示。设FET的参数为gm=0.8ms,rd=200kΩ;3AG29(T2)的β=40,rbe=1kΩ。试求放大电路的电压增益Av和输入电阻Ri。  解(1)求 由于 rd>>Rd,故rd可忽略,图题 4.5.1的小信号等效电路如图解 4 .5.1所示。由图有        (2)求Ri  4.5.4 电路如图题 4 .5.4所示,设FET的互导为gm,rd很大;BJT的电流放大系数为β, 输人电阻力rbe