4.1.3 一个JFET的转移特性曲线如图题4.1.3所示，试问：
它是N沟道还是P沟道FET？
它的夹断电压VP和饱和漏极电流IDSS各是多少？
解 由图题4．1．3可见，它是N沟道JFET，其VP＝–4 V，IDSS＝3 mA。
4.3.3一个MOSFET的转移特性如图题4．3．3所示（其中漏极电流iD的方向是它的实际方向）。试问：
（1）该管是耗尽型还是增强型？
（2）是N沟道还是P沟道FET？
（3）从这个转移特性上可求出该FET的夹断电压VP，还是开启电压VT？其值等于多少？
解 由图题 4.3.3可见，它是 P沟道增强型 MOSFET，其 VT＝－4 V。
4.4.l增强型FET能否用自偏压的方法来设置静态工作点？试说明理由。
解 由于增强型MOS管在vGS=0时，vD=0（无导电沟道），必须在|vGS|＞|VT| （VT为开启电压）时才有iD，因此，增强型的MOS管不能用自偏压的方法来设置静态工作点。
4.4.4已知电路参数如图题4．4．4所示，FET工作点上的互导gm＝1ms，设 rd>>Rd。（1）
画出小信号等效电路；（2）求电压增益Av；（3）求放大电路的输人电阻Ri。
解 （1）画小信号等效电路
忽略rd，可画出图题4.4.4的小信号等效电路，如图解4.4.4所示。
（2）求 Av
（3）求Ri
4.5.1电路参数如图题4.5.1所示。设FET的参数为gm＝0.8ms，rd＝200kΩ；3AG29（T2）的β＝40，rbe＝1kΩ。试求放大电路的电压增益Av和输入电阻Ri。
解（1）求
由于 rd＞＞Rd，故rd可忽略，图题 4.5.1的小信号等效电路如图解 4 .5.1所示。由图有
（2）求Ri
4.5.4 电路如图题 4 .5.4所示，设FET的互导为gm，rd很大；BJT的电流放大系数为β，
输人电阻力rbe。试说明T1 、T2各属什么组态，求电路的电压增益Av、输人电阻Ri；及输出电阻Ro的表达式。
解（1）T1 、T2的组态
T1为源极输出器，T2为共射极电路。
（2）求Av
求Ri和Ro
