第三章 基本放大电路
§ 3.1 放大电路的组成与技术指标
§ 3.4 放大电路的通频带
§ 3.2 放大电路的稳定偏置
§ 3.3 各种基本放大电路的分析与比较
§ 3.1放大电路的组成与技术指标电子学中放大的目的是将微弱的 变化信号(电压和电流等) 不失真地放大成较大的信号。
一、放大电路的组成输入信号源输入耦合电路有源器件输出负载直流电源和相应的偏置电路输出耦合电路给放大电路提供输入信号,常为某物理量的电气模拟变换。
信号源经输入耦合电路把信号加到放大电路,经输出耦合电路把放大后的信号加到负载上。耦合电路可是电容和变压器等,也可直接是导线,既直接耦合。
有源器件是放大电路的核心,通常为三极管、场效应管或集成运放等。
为不失真地放大信号,必须给有源器件提供适当的静态(直流)工作点
( Q点)。直流电源和偏置电路就是提供合适的 Q点,
使有源器件在放大交流信号时,工作在线性区域。
接受放大电路输出的元件。可以是电阻、电容或电感等;也可是下一级放大电路的等效输入阻抗。把放大电路中的公共点,称为“地”。常为输入电压、输出电压和直流电源的公共参考点。
(1-3)
§ 3.1放大电路的组成与技术指标
[例 ] 下图所示的共发射极放大电路。
有源元件信号源电压和内阻 给三极管提供直流工作点 Q
负载电阻耦合电容,其作用是隔断直流、耦合交流三极管构成的共发射极放大电路
+VC
CR
C
C1
C2
VT
RB
rs R
Lu
s
+
-
+
-
ui
+
-
uo
(1-4)
§ 3.1放大电路的组成与技术指标直流通路
+VC
CR
C
VT
RB
+
-
+
-
UBEQ
UCE
Q
IBQ
ICQ
静态工作点 Q的分析:
将上图中的电容认为开路,可得放大电路的直流通路。
B
B E QCC
BQ R
UV
I
BQCQ II
CCQCCC E Q RIVU
UBEQ=0.7V(VT为硅管 )
(1-5)
§ 3.1放大电路的组成与技术指标二、放大电路的技术指标
A~
iI?
iU?
RS
US
oU?
RL
oI?
放大电路可以用有输入口和输出口的四端网络表示,如图:
1,放大倍数
(1)电压放大倍数 Au
i
o
u U
UA
(2)源 电压放大倍数 Aus
s
o
us U
UA
(1-6)
§ 3.1放大电路的组成与技术指标
(3)电流放大倍数 Ai
(4)源 电流放大倍数 Ais
i
o
i I
I
A?
is
o
is I
I
A?
2,输入阻抗 Ri
i
i
i I
U
R?
A~US
iI?
iU?
RS
(1-7)
§ 3.1放大电路的组成与技术指标
3,输出阻抗 Ro
RO是负载开路时,从输出端向放大器看进去的等效交流阻抗。
(1)计算法
* 输入信号源置零 (将独立源置零,保留受控源 ),
内阻保留。
* 加压求流法。
I
UR
o?
U?
I?
(1-8)
§ 3.1放大电路的组成与技术指标
(2)实验法
Uo
1,测量开路电压。
~
ro
Us'
2,测量接入负载后的输出电压。
L
o
o
o R)1U
U(R?
~
ro
Us' RL Uo'
3,计算。
(1-9)
§ 3.1放大电路的组成与技术指标
4,通频带
f
Au
Aum
0.7Aum
fL 下限截止频率
fH上限截止频率通频带,fbw=fH–fL
放大倍数随频率变化曲线 ——幅频特性曲线
(1-10)
§ 3.1放大电路的组成与技术指标
5,非线性失真系数有源器件都具有非线性特性,输出信号不可避免地产生非线性失真。因而常用非线性失真系数来表示失真度。
非线性失真系数,放大电路在某一频率的正弦输入信号作用下,输出信号的谐波成分总量和基波分量之比,用D表示。
%100
...
2
1
2
3
2
2
U
UU
D
6,最大输出幅度指放大电路输出信号非 线性失真系数不超过额定值时的输出信号最大值,用U OM (或I OM )来表示。
(1-11)
§ 3.1放大电路的组成与技术指标
7,放大电路的分析共发射极放大电路
+VCC
RC
C1
C2
VT
RB
rs R
L
us+
-
+
-
ui
+
-
uo
(1) 利用直流通路求 Q点
b
BECC
B R
VVI
BC IβI
cCCCCE RIVV
一般硅管 VBE=0.7V,锗管 VBE=0.2V,?已知 。
(1-12)
§ 3.1放大电路的组成与技术指标
(2) 画出小信号等效电路
① 先画交流通路
A,将 C1和 C2视为交流短路;
B,直流电 源 VCC内阻为零,视为交流短路;
交流通路
RC
VT
RB
rs
RL
us
+
-
+
-
ui
+
-
uo
(1-13)
§ 3.1放大电路的组成与技术指标
② 再画出微变等效电路将三极管 VT用微变等效电路代替即得:
根据
bebi rIV )//( LccO RRIV
则电压增益为
be
Lc
beb
Lcb
beb
Lcc
i
O
)//()//(
)//(
r
RR
rI
RRI
rI
RRI
V
V
A V






RCRB
rs
RL
us
+
-
+
-
ui
+
-
uo
Ri
rbe βibib
Ro R’L
(1-14)
§ 3.1放大电路的组成与技术指标输入阻抗 Ri为
beb
i
i
i // rRI
VR
源电压增益为
si
i
si
iO
s
O
rR
RA
VV
VV
V
VA
is




输出阻抗 Ro为令
0s?V?
0b?I? 0b I
Ro = Rc 所以根据定义,用“计算法”

(1-15)
§ 3.1放大电路的组成与技术指标解,( 1)
4Vk4mA212cCCCCE RIVV
mA2uA4050BC IβI
uA40k300 V12
b
CC
b
BECC
B

R
V
R
VVI
( 2)



863
)mA(
)mV(26
)1(200
)mA(
)mV(26
)1(200
C
E
be
I
I
r
87.1 1 5)//(
be
Lc
i
o
V

r
RR
V
VA?

863// bebebi rrRR
k4co RR
36.73
)87.1 1 5(
5 0 08 6 3
8 6 3
V
si
i
VS


A
RR
R
A
i
o
V V
VA

s
o
VS V
VA
【 例题 】 如图放大电路。求:( 1) Q点;( 2),
oi RR,

。 已知?=50。
(1-16)
Vi=0 Vi=Vsin?t
§ 3.1放大电路的组成与技术指标
(1-17)
§ 3.2放大电路的稳定偏置一、温度对半导体器件及静态工作点的影响
Q
v CE /V
i C / mA
i B =0
I B
Q 1
1,温度变化对 ICBO的影响
2,温度变化对输入特性曲线的影响温度 T 输出特性曲线上移
)()C25C B O (C B O 0
0
TTkT eII
V102.2)( 30)C25B E (BE 0 TTVV T
温度 T 输入特性曲线左移
3,温度变化对?的影响温度每升高 1 ° C,? 要增加 0.5%?1.0%
温度 T 输出特性曲线族间距增大总之:
ICBO IC O?
T VBE IB IC?

Q
v CE /V
i C / mA
i B =0
I B
Q 1
(1-18)
1,稳定工作点原理目标:温度变化时,使 IC维持恒定。
如果温度变化时,b点电位能基本不变,则可实现静态工作点的稳定。
T?
稳定原理:
IC IE?
IC?
VE?,VB不变?VBE IB?
(反馈控制)
b点电位基本不变的条件,I1 >>IB,
CC
b2b1
b2
B VRR
RV?

此时,不随温度变化而变化。
VB >>VBE
且 Re可取大些,反馈控制作用更强。 一般取 I1 =(5~10)IB,VB =3V~5V
§ 3.2放大电路的稳定偏置二、分压式偏置电路
(1-19)
2,放大电路指标分析
① 静态工作点
CC
b2b1
b2
B VRR
RV?

e
BEB
EC R
VVII
)( ecCCCeEcCCCCE RRIVRIRIVV
C
B
II?
§ 3.2放大电路的稳定偏置
(1-20)
② 电压增益输出回路,)//(
Lcbo RRIV
输入回路:
ebbebeebebi )1( RIrIRIrIV
电压增益:
ebe
Lc
ebeb
Lcb
i
o
V )1(
)//(
])1([
)//(
Rr
RR
RrI
RRI
V
VA





<A>画小信号等效电路
<B>确定模型参数
已知,求 rbe
)mA(
)mV(26)1(2 0 0
EQ
be Ir
<C>增益
§ 3.2放大电路的稳定偏置
(1-21)
③ 输入电阻
])1(/ / [// ebeb2b1
T
T
i RrRRI
VR
bRT b III
ebbebeebebT )1( RIrIRIrIV
)//( b2b1RT b RRIV
根据定义由电路列出方程则输入电阻放大电路的输入电阻不包含信号源的内阻
T
T
i I
VR

§ 3.2放大电路的稳定偏置
(1-22)
④ 输出电阻输出电阻
oco // RRR
求输出电阻的等效电路
网络内独立源置零
负载开路
输出端口加测试电压
rce对分析过程影响很大,此处不能忽略
0)()( ecbsbeb RIIRrI
0)()( ebccebcT RIIrIIV
其中
b2b1ss //// RRRR

)1(
esbe
e
ce
c
T
o RRr
Rr
I
VR



co RR
时,
co RR?
一般
cceo RrR
( )
§ 3.2放大电路的稳定偏置对回路 1和 2列 KVL方程
(1-23)
§ 3.2放大电路的稳定偏置三、电流源偏置电路直流电流源的输出阻抗很高,能提供恒定的直流电流,故常用它给三极管特别是集成运放中的三极管提供直流偏置。
1,简单的直流电流源当三极管工作在放大区时,
IO可表示为:
+VCC
RB2
UBE
RB1 RL
+
-
RO
IO
RE
E
BEB
O R
)UU(I
其中
2BB1
B2
CCB RR
R.VU

故当 VCC,RB1,RB2和 RE确定后,IO就基本确定,在一定范围内与负载 RL的大小无关,呈现恒流特性。且输出电阻 RO很大。
)RR//Rr R1(rR
E2B1Bbe
E
ceO

(1-24)
恒流特性
B E 1B E 2 V=V
BR E F I2I
E1E2 I=I
C1C2 I=I

C2
R E F
I2I=
2
1
1
II R E F2C
无论 Rc的值如何,IC2的电流值将保持不变 。
2,镜像电流源
§ 3.2放大电路的稳定偏置若
R
UVII2 1BECC
R E F2C

(1-25)
交流电阻
T
T
o = I
VR
由于 T2的集电极电流基本不变 。 所以交流量
0T?I?
T
T
o = I
VR

一般 Ro在几百千欧以上
§ 3.2放大电路的稳定偏置
(1-26)
精度更高的镜像电流源由于增加了 T3,使
IC2更加接近 IREF
§ 3.2放大电路的稳定偏置设三个三极管的特性一样,可推得:

2
R E F2C 2
1
1
II

R
U2VII2)( 1BECC
R E F2C
2
(1-27)
3,比例电流源
§ 3.2放大电路的稳定偏置


B E3
B E2B E1BE
V
VVV
忽略基极电流
R E F
3e
e
3C
R E F
2e
e
2CR E F
1e
e
E
1e
e
1E1C
I
R
R
I
I
R
R
II
R
R
I
R
R
II




2e2E
1e1EeE
RI
RIRI

(1-28)
e2
B E 2B E 1
R
VVE2C2 II?
e2
BE
R
V
由于 很小,
BEV?
所以 IC2也很小
4,微电流源
§ 3.2放大电路的稳定偏置又由于
e
e
T
BE
T
BE
V
V
S
V
V
SEC
I
)1(III


可得
)
I
Iln
I
I( l nVVV
2S
2C
1S
1C
T2BE1BE

2S1S II?
2C
1C
2e
T
2C I
Iln
R
VI
(1-29)
i
o
V = V
VA

共射电路的电压增益为:
be
Lc )//(
r
RR
对于此电路 Rc就是镜像电流源的交流电阻,
因此增益为
be
L
V = r
RA 比用电阻 Rc就作负载时提高了 。
5,直流电流源的应用
§ 3.2放大电路的稳定偏置镜像电流源放大管
(1-30)
§ 3.3基本组态放大电路的分析与比较一、共基极放大电路
1,静态工作点直流通路与射极偏置电路相同
CC
b2b1
b2
B VRR
RV?

e
BEB
EC R
VVII
)( ecCCCeEcCCCCE RRIVRIRIVV
C
B
II?
(1-31)
1,静态工作点直流通路与射极偏置电路相同
CC
b2b1
b2
B VRR
RV?

e
BEB
EC R
VVII
)( ecCCCeEcCCCCE RRIVRIRIVV
C
B
II?
§ 3.3基本组态放大电路的分析与比较一、共基极放大电路
(1-32)
2,动态指标
① 电压增益输出回路:
输入回路:
bebi rIV
电压增益:
be
L
beb
Lb
i
o
V r
R
rI
RI
V
VA


LbLco RIRIV LcL // RRR
§ 3.3基本组态放大电路的分析与比较
(1-33)
# 共基极电路的输入电阻很小,最适合用来放大何种信号源的信号?
② 输入电阻
③ 输出电阻



1)(1
be
b
beb
e
i
ebi
r
I
rI
I
V
rR
co RR?
§ 3.3基本组态放大电路的分析与比较
11////
bebe
eebe
i
i
i
rrRrR
I
VR
(1-34)
共集电极电路结构如图示该电路也称为射极输出器
① 求静态工作点
eCCCeECCCE RIVRIVV
BC IIBE )1( II
由得
§ 3.3基本组态放大电路的分析与比较二、共集电极放大电路
eEBEbBCC RIVRIV eb
BECC
B )1( RR
VVI


(1-35)
② 电压增益输出回路:
输入回路,LbbebLbbbebi )1( )( RIrIRIIrIV
电压增益:
1)1( )1(])1([ )1(
Lbe
L
Lbe
L
Lbeb
Lb
i
o
V





Rr
R
Rr
R
RrI
RI
V
VA

<A>画小信号等效电路
<B>确定模型参数
已知,求 rbe
)mA(
)mV(26)1(2 0 0
EQ
be Ir
<C>增益其中
LeL // RRR
LbLbbo )1()( RIRIIV
一般 beL rR,则电压增益接近于 1,1
V?A?
即 同相与
io VV
电压跟随器
§ 3.3基本组态放大电路的分析与比较
(1-36)
③ 输入电阻
])1(//[ Lbeb
T
T
i RrRI
VR
bRT b III
LbbebT )1( RIrIV
bRT b RIV
根据定义由电路列出方程则输入电阻
T
T
i I
VR

LeL // RRR
当 beL rR1,时,Lbi // RRR 输入电阻大
④ 输出电阻由电路列出方程
eRbbT IIII
)( sbebT RrIV
eRT e RIV
其中
bss // RR
则 输出电阻


1//
bes
e
T
T
o
rR
I
VR



1
bes
e
rRR,1 时,
bes
o
rRR 输出电阻小共集电极电路特点:
同相与 io VV◆ 电压增益小于 1但接近于 1,
◆ 输入电阻大,对电压信号源衰减小
◆ 输出电阻小,带负载能力强
# 既然共集电极电路的电压增益小于 1(接近于 1),那么它对电压放大没有任何作用。这种说法是否正确?
§ 3.3基本组态放大电路的分析与比较
(1-37)
三种组态的比较电压增益:
be
Lc )//( r RR
输入电阻:
beb //rR
输出电阻:
cR
)//)(1(
)//()1(
Lebe
Le RRr RR
)//)(1(// Lebeb RRrR
1 )//(// bebse rRRR
be
Lc )//( r RR
1// bee rR
cR
§ 3.3基本组态放大电路的分析与比较
(1-38)
( 1)自 偏压电路 ( 2)分压式自 偏压电路
vGS
vGS = - iDR SVGSV GV
DD
g2g1
g2 V
RR
R

RID?
§ 3.3基本组态放大电路的分析与比较三、场效应管的直流偏置电路
(1-39)
静态工作点
Q点,VGS,ID,VDS
vGS =
2
P
GS
D S SD )1( V
vIi
VDS =
已知 VP,由
VDD - ID (Rd + R )
- iDR
可解出 Q点的 VGS,ID,VDS
§ 3.3基本组态放大电路的分析与比较
(1-40)
( 1)中频电压增益
( 2)输入电阻
( 3)输出电阻忽略 rD
iV? gsV? RVg gsm )1( mgs RgV
oV? dgsm RVg
mVA?
Rg
Rg
m
dm
1
//ii RR
由输入输出回路得则
g
i
i I
VR

)]//([ g2g1g3 RRR? )]//([)1( g2g1g3mgsgs RRRRgrr通常则 )//(
g2g1g3i RRRR
do RR?
Rgrr )1( mgsgs
gs
gs
gsm
gs
gs
gs )(
r
V
RVgr
V
V

§ 3.3基本组态放大电路的分析与比较四、共源极放大电路
(1-41)
( 2)中频电压增益
( 3)输入电阻
iV? gsV? )//( Lgsm RRVg
)//(1 Lmgs RRgV
oV? )//( Lgsm RRVg?
mVA?
)//(1
)//(
Lm
Lm
RRg
RRg


)//( g2g1g3i RRRR
( 1)中频小信号模型由
i
o
V
V
1?
§ 3.3基本组态放大电路的分析与比较五、共漏极放大电路
(1-42)
( 4)输出电阻
TI? RI? gsmVg
R
VT
gsV? TV
oR
m
1
1
g
R
所以由图有
T
T
I
V
gsmVg
m
1//
gR?
§ 3.3基本组态放大电路的分析与比较
(1-43)
基本放大电路的性能比较组态对应关系:
CE
BJT FET
CS
CC CD
CB CG
BJT FET
电压增益:
be
Lc )//(
r
RR
)//)(1(
)//()1(
Lebe
Le
RRr
RR


be
Lc )//(
r
RR
CE:
CC:
CB:
)//( Ldm RRg?
)//(1
)//(
Lm
Lm
RRg
RRg
)//( Ldm RRg
CS:
CD:
CG:
§ 3.3基本组态放大电路的分析与比较
(1-44)
beb // rR
输出电阻:
cR
)//)(1(// Lebeb RRrR

1
)//(// bebs
e
rRRR
1//
be
e
rR
cR
BJT FET
输入电阻:
CE:
CC:
CB:
CS:
CD:
CG:
)//( g2g1g3 RRR?
m
1//
gR
)//( g2g1g3 RRR?
CE:
CC:
CB:
CS:
CD:
CG,dR
m
1//
gR
dR
§ 3.3基本组态放大电路的分析与比较
(1-45)
§ 3.4放大电路的通频带当放大电路的工作频率较低时,耦合电容、旁路电容的容抗很大,不能忽略,结果使放大电路的性能下降,
下限频率用 fL表示。
当放大电路的工作频率较高时,三极管或场效应管结电容的容抗很小,不能忽略,结果使放大电路的性能下降,上限频率用 fH表示。
放大电路的通频带定义为 BW=fH-fL。
(1-46)
§ 3.4放大电路的通频带一、三极管的高频参数用于描述三极管频率特性的特征参数。常用的有共射截止频率 fβ、特征频率 fT和共基截止频率 fα等。
1,三极管的频率参数
① 共射截止频率 fβ
中频段时,β可认为是个常数。当频率升高时,由于三极管结电容的影响,三极管的放大作用会下降。 β可表示为如下频率函数:

f
fj
1
0
式中 β0是中频时共射电流放大倍数;
fβ为三极管的 时的频率。
2|| 0

(1-47)
§ 3.4放大电路的通频带

f
fj
1
0
2
0
)/(1?

ff?



ffar ct an
对模取对数,可得:
2
0 1lg20lg20lg20


ff?
φβ 0.1f
β 10fβfβ
f
-450
-900
根据上式可画出对数幅频特性和相频特性的渐近波特图。
(1-48)
§ 3.4放大电路的通频带
② 特征频率 fT
fT为三极管的 时的频率。1||
2
0
)/(1?

ff?

将 代入右式1||
得:
2
0
)/(1
1
ff T?
又因为
1
f
fT ff T 0
实际上当 时,三极管已失去电流放大作用。
Tff?
(1-49)
§ 3.4放大电路的通频带
③ 共基截止频率 fα

1
将 代入

f
fj
1
0
得:

f
f
j

0
0
0
1
1
1 令:
可得:

f
fj
1
0
当 f=fα为时,,fα 称为共基截止频率。
2|| 0

ff 01
则:
fff T
(1-50)
§ 3.4放大电路的通频带
2,三极管的混合 π型等效电路
① 高频简化模型忽略 rb’c和 rce
(1-51)
又因为 所以
② 模型参数的获得 (与 H参数的关系)
低频时,混合?模型与 H参数模型等效
ebbbbe rrr
ebbeb rIV
bebm IVg
所以又 rbe= rb + (1+? ) re
E
T
b )1( I
Vr
E
T
eb )1( I
Vr
ebbebb rrr
T
m
eb 2 f
gC

从手册中查出
Tcb fC 和?
T
E
eb
m V
I
rg
§ 3.4放大电路的通频带
(1-52)
§ 3.4放大电路的通频带二、共发射极放大电路的高频特性其中 RC为电路中集电极电阻和负载电阻并联后的等效电阻
(1-53)
①?型高频等效电路的简化对节点 c 列 KCL得
0j)( cbebo
c
o
ebm CVVR
VVg
cb?C
忽略 的分流得
ebcmo VRgV
cboeb j)( cb CVVI C又因为称为 密勒电容
MC
cbcm
eb
M j)1(
1
cb?
CRgI
VZ
C?
则表示若用个电容之间存在一和相当于
,,
e b
MC
cbcmM )1( CRgC
§ 3.4放大电路的通频带

eb
ccb'
ccb'm
o VRj wc1
Rj wcgV


cb?C
通常 很小,
R s
b
eb?
r
C M R c
c
+
-
+
-
V 0
+
-
g m
V be
V be
V be
V be
V be
s
V?
eb?
V?
bb?
r
e
b?
eb?
V?
eb?
C
CM’
(1-54)
)Rg(1j ω C
Rg
I
VZ
cmcb'
cm
C
o
M1
cb

cbM1 CC
等效后断开了输入输出之间的联系
§ 3.4放大电路的通频带
R s
b
eb?
r
C M R c
c
+
-
+
-
V 0
+
-
g m
V be
V be
V be
V be
V be
s
V?
eb?
V?
bb?
r
e
b?
eb?
V?
eb?
C
CM’
ZM1
ebcmo VRgV
cboeb j)( cb CVVI C又因为得:
cb'j ω C
1?
相当于在 c和 e之间也存在一密勒电容 CM1,则
(1-55)
R s
b
eb?
r R
c
c
+
-
+
-
V 0
+
-
g m
V be
V be
V be
V be
V be
s
V?
eb?
V?
bb?
r
e
b?
eb?
V?
C
最终电路简化
R s
b
eb?
r
C M R c
c
+
-
+
-
V 0
+
-
g m
V be
V be
V be
V be
V be
s
V?
eb?
V?
bb?
r
e
b?
eb?
V?
eb?
C
s
R?
s
I?
s
R?
R
c
c
0
+
-
be
be
be
be
be
s
V
eb?
e
eb?
V?
R
+
-

Meb CCC
ebbbs //)( rrRR
s
ebbbs
eb
s VrrR
rV

§ 3.4放大电路的通频带又因为 CM>>CM1
所以电路的频率响应主要由 CM决定,故 CM1可忽略。
(1-56)
② 共射电路的 高频响应
R c
c
+
-
V 0
+
-
g m
V be
V be
V be
V be
V be
s
V
eb?
V?
e
b?
eb?
V?
C
R
+
-
Meb CCC ebbbs //)( rrRR
seb j1
1 V
RCV

ebcmo VRgV
s
ebbbs
eb
s VrrR
rV

由电路得
)/j(1 H
0
s
o
H ff
A
V
VA V
V

电压增益频响又其中
ebbbs
eb
cm0

rrR
rRgA
V?
RCf?2
1
H?
低频增益上限频率
§ 3.4放大电路的通频带
(1-57)
③ 增益 -带宽积
0VA? cmRg
ebbbs
eb

rrR
r Hf
RC?2
1
ebbbs
ebcm

rrR
rRg
)]1()[(2 cmcbebbbs
cm
RgCCrR
Rg

1
])1([ cbcmeb CRgC?2
]//)[( ebbbs rrR
BJT 一旦确定,带宽增益积基本为常数
# 如何提高带宽?
§ 3.4放大电路的通频带
(1-58)
解,模型参数为设共射放大电路在室温下运行,其参数为:, 1ksR
,,,,,,pF5.00 0 M H z41 0 01 m A1 0 01k cbT0Cbbs CfIrR?
。? k5cR 试计算它的低频电压增益和上限频率。
ebr
mg
T
E
V
I
mV26
mA1? S 038.0?
m
0
g
S 038.0
001 k 6.2
ebC
cb
T
m
2 Cf
g
pF 8.14?
MC cbcm )1( CRg pF 7.96?
0VA? cmRg?
ebbbs
eb

rrR
r 51.1 3 3
C
R )( bbs rR eb//?r k 77.0
eb?C MC? pF 5.111?
Hf
低频电压增益为又因为所以上限频率为
RC?2
1 M H z 85.10lg20 VA? 51.133lg20? dB 5.42?
§ 3.4放大电路的通频带
▲ 例题电子技术第三章结束模拟电路部分