2010-5-21 作者:清华大学电子工程系 罗嵘 第 338页
5.3.3其它可编程逻辑器件
?通用阵列逻辑( General Array Logic)
工艺,E2CMOS
擦除方式:加电
基本结构:与或阵列(可编与、固定或)
输出电路结构,OLMC(可编程)
特点:通用性较强
低密度 PLD,FPLA,PAL,GAL
高密度 PLD,FPGA,EPLD
2010-5-21 作者:清华大学电子工程系 罗嵘 第 339页
?可擦除的可编程逻辑器件 ( Erasable Programmable
Logic Device)
工艺,UVCMOS
擦除方式:加电
基本结构:与或阵列 ( 可编与, 可编或 )
输出电路结构,OLMC( 可编程 )
特点:功耗低, 集成度高 ( 几千门 /片 ), 信号传输时间短, 可
预知
?现场可编程门阵列 ( Field Programmable Gate Array)
工艺,CMOS-SRAM
擦除方式:与 SRAM相同
基本结构:逻辑单元阵列结构 ( 可编程 )
特点:功耗低, 集成度高 ( 3万门 /片 ), 信号传输时间不可预
知
5.3.3其它可编程逻辑器件
?通用阵列逻辑( General Array Logic)
工艺,E2CMOS
擦除方式:加电
基本结构:与或阵列(可编与、固定或)
输出电路结构,OLMC(可编程)
特点:通用性较强
低密度 PLD,FPLA,PAL,GAL
高密度 PLD,FPGA,EPLD
2010-5-21 作者:清华大学电子工程系 罗嵘 第 339页
?可擦除的可编程逻辑器件 ( Erasable Programmable
Logic Device)
工艺,UVCMOS
擦除方式:加电
基本结构:与或阵列 ( 可编与, 可编或 )
输出电路结构,OLMC( 可编程 )
特点:功耗低, 集成度高 ( 几千门 /片 ), 信号传输时间短, 可
预知
?现场可编程门阵列 ( Field Programmable Gate Array)
工艺,CMOS-SRAM
擦除方式:与 SRAM相同
基本结构:逻辑单元阵列结构 ( 可编程 )
特点:功耗低, 集成度高 ( 3万门 /片 ), 信号传输时间不可预
知