半导体二极管及基本电路半导体的基本知识
PN结的形成及特性半导体二极管特殊二极管
★ 二极管基本电路分析半导体的基本知识本征半导体,空穴及其导电作用杂质半导体根据物体导电能力 (电阻率 )的不同，划分为导体、绝缘体和半导体。
半导体的电阻率为 10-3～ 109cm。典型的半导体有 硅
Si和 锗 Ge以及 砷化镓 GaAs等。
半导体的特点,1）导电能力不同于导体、绝缘体；
2）受外界光和热刺激时电导率发生很大变化 —— 光敏元件、
热敏元件；
3）掺进微量杂质，导电能力显著增加 —— 半导体。
半导体的基本知识半导体的共价键结构硅 和 锗 是四价元素,在原子最外层轨道上的四个电子称为 价电子 。 它们分别与周围的四个原子的价电子形成 共价键 。
原子按一定规律整齐排列,形成晶体点阵后,
结构图为：
+4 +4 +4 +4
+4 +4 +4 +4
+4 +4 +4 +4
返回本征半导体、空穴及其导电作用本征半导体 —— 完全纯净的,结构完整的半导体晶体 。
载流子 —— 可以自由移动的带电粒子。
电导率 —— 与材料单位体积中所含载流子数有关，载流子浓度越高，电导率越高。
返回电子空穴对当 T=0K和无外界激发时,导体中没有栽流子,不导电 。 当温度升高或受到光的照射时,价电子能量增高,有的价电子可以挣脱原子核的束缚,而参与导电,成为 自由电子 —— 本证激发 。
自由电子产生的同时，在其原来的共价键中就出现了一个空位，
这个空位为 空穴 。
+4 +4 +4 +4
+4 +4 +4 +4
+4 +4 +4 +4
自由电子因热激发而出现的自由电子和空穴是同时成对出现的，称为 电子空穴对 。
本征激发动画 1-1
空穴返回杂质半导体
+4 +4 +4 +4
+4 +4 +4 +4
+4 +4 +4 +4
N型半导体 （ 电子型半导体 ）
在本征半导体中掺入五价的元素 (磷、砷、锑 ) 多余电子，成为自由电子
+5
自由电子在本征半导体中掺入某些微量元素作为杂质，可使半导体的导电性发生显著变化。掺入的杂质主要是三价或五价元素 。 掺入杂质的本征半导体称为 杂质半导体 。
返回
+5
+4 +4 +4 +4
+4 +4 +4 +4
+4 +4 +4 +4
+3
P型半导体 （空穴型半导体）
在本征半导体中掺入三价的元素（硼）
+3
空穴 空穴返回
N型半导体 的多数载流子为电子,少数载流子是空穴；
P型半导体 的多数载流子为空穴,少数载流子是电子 。
例：纯净硅晶体中硅原子数为 1022/cm3数量级，
在室稳下，载流子浓度为 ni=pi=1010数量级，
掺入百万分之一的杂质（ 1/10-6），即杂质浓度为 1022*（ 1/106） =1016数量级，
则掺杂后载流子浓度为 1016+1010，约为 1016数量级，
比掺杂前载流子增加 106，即一百万倍。
返回
10
PN结的形成及特性PN结的形成及特性
PN结的单向导电性
PN结的形成
PN结的形成在一块本征半导体两侧通过扩散不同的杂质,分别形成 N型半导体和 P型半导体。
内电场促使少子漂移 内电场阻止多子扩散因浓度差多子的扩散运动 由 杂质离子 形成空间电荷区空间电荷区形成内电场动画
+ 五价的元素+ 三价的元素产生多余电子产生多余空穴
PN结的单向导电性
(1) PN结加正向电压外加的正向电压，方向与 PN结内电场方向相反，
削弱了内电场。于是,内电场对多子扩散运动的阻碍减弱，扩散电流加大。
扩散电流远大于漂移电流，
可忽略漂移电流的影响，
PN结呈现低阻性。 P区的电位高于 N区的电位，称为加 正向电压,简称 正偏 。 动画外加反向电压,方向与 PN结内电场方向相同，加强了内电场。内电场对多子扩散运动的阻碍增强，扩散电流大大减小。此时 PN结区的少子在内电场的作用下形成的漂移电流大于扩散电流，可忽略扩散电流,PN
结呈现高阻性。 P区的电位低于 N区的电位，称为加 反向电压,简称 反偏 。
在一定的温度条件下，由本征激发决定的少子浓度是一定的，故少子形成的漂移电流是恒定的，基本上与所加反向电压的大小无关,这个电流也称为 反向饱和电流 。 动画
（ 2） PN结加反向电压总之,PN结正向电阻小，反向电阻大 —— 单向导电性。
返回半导体二极管 半导体二极管二极管,一个 PN结就是一个二极管。
单向导电,二极管正极接电源正极，负极接电源负极时电流可以通过。反之电流不能通过。
符号：
半导体二极管的伏安特性曲线式中 IS 为反向饱和电流,VD 为二极管两端的电压降,VT =kT/q 称为温度的电压当量,k为玻耳兹曼常数,q 为电子电荷量,T 为热力学温度。对于室温（相当 T=300 K），则有 VT=26 mV。
)1(e TS V
V D
II
第一象限的是正向伏安特性曲线，
第三象限的是反向伏安特性曲线。
(1) 正向特性硅 二极管的死区电压 Vth=0.5~0.8V左右，
锗 二极管的死区电压 Vth=0.2~0.3 V左右。
当 0＜ V＜ Vth时，正向电流为零,Vth称死区电压或开启电压。
正向区分为两段：
当 V ＞ Vth时，开始出现正向电流，并按指数规律增长。
反向区也分两个区域：
当 VBR＜ V＜ 0时，
反向电流很小，且基本不随反向电压的变化而变化，此时的反向电流也称 反向饱和电流 IS 。
当 V≥VBR时，反向电流急剧增加,VBR称为 反向击穿电压 。
(2) 反向特性硅二极管 的反向击穿特性比较硬、比较陡，反向饱和电流也很小； 锗二极管 的反向击穿特性比较软，过渡比较圆滑，反向饱和电流较大。
若 |VBR|≥7V时,
主要是雪崩击穿；若
|VBR|≤4V时,则主要是齐纳击穿。
(3) 反向击穿特性半导体二极管的参数
(1) 最大整流电流 IF
(2) 反向击穿电压 VBR
(3) 反向电流 IR
(4) 正向压降 VF
在室温，规定的反向电压下，最大反向工作电压下的反向电流值。硅二极管的反向电流一般在纳安 (nA)级；锗二极管在微安 (?A)级。
在规定的正向电流下，二极管的正向电压降。硅二极管约
0.6～ 0.8V；锗二极管约 0.2～ 0.3V。
二极管连续工作时，允许流过的最大整流电流的平均值。
二极管反向电流急剧增加时对应的反向电压值称为反向击穿电压 VBR。为安全计，在实际工作时，最大反向工作电压 VRM一般只按反向击穿电压 VBR的一半计算。
二极管基本电路分析 二极管基本电路分析二极管模型正向偏置时：
管压降为 0，电阻也为 0。
反向偏置时：
电流为 0，电阻为 ∞。
当 iD≥1 mA时，
vD=0.7V。
1,理想模型
2,恒压降模型
3,折线模型 （实际模型）
4,小信号模型
2 0 01 5.07.0 mA VVi VVr
D
thD
D
)(
)(26
mAI
mV
i
vr
DQD
D
D
DDthD riVV
二极管电路分析
1.静态分析例 1,求 VDD=10V时，二极管的 电流 ID、电压 VD 值 。
解,1,理想模型 正向偏置时：
管压降为 0，电阻也为 0。
反向偏置时：
电流为 0，电阻为 ∞。2,恒压降模型
mAK VVR VVI DDDD 93.010 7.010
3,实际模型
2 0 01 5.07.0 mA VVi VVr
D
thD
D
mAKK VVrR VVI
D
thDD
D 931.02.010
5.010?
VKmAVrIVV DDD 69.02.0931.05.05.0
VV D 0?
mAKVRVI DDD 110 10
当 iD≥1 mA时，
vD=0.7V。
VV D 7.0?
2.限幅电路
VR
Vm
vi
t0
Vi> VR时，二极管导通,vo=vi。
Vi< VR时，二极管截止,vo=VR。
例 2,理想二极管电路中 vi= Vm sinωt V，求输出波形 v0。
解：
3.开关电路利用二极管的单向导电性可作为电子开关
vI1 vI2 二极管工作状态 D
1 D2
v0
0V 0V 导通 导通导通 截止截止 导通截止 截止
0V 5V
5V 0V
5V 5V
0V
0V
0V
5V
例 11,求 vI1和
vI2不同值组合时的 v0值 （二极管为理想模型） 。
解：
例 9,判别二极管是导通还是截止。
+
9V
-
+
1V
- +
2.5V
-
+
12.5V
-
+
14V
-
+
1V
-
截止
-
9V
+
-
1V
+ +
2.5V
-
+
12.5V
-
+
14V
-
+
1V
-
截止解：
+
18V
-
+
2V
- +
2.5V
-
+
12.5V
-
+
14V
-
+
1V
-
导通例 4：
正半周：
D1,D3 导通
D2,D4 截止负半周
D2,D4导通
D1,D3截止求整流电路的输出波形。
解：
例 5：
实际模型求 (1).vI=0V,vI=4V,
vI=6V 时，输出 v0的 值 。
(2),Vi=6sinωt V 时，
输出 v0的 波形。
解,(1),
vI=4V时,D导通。
vI=0V时,D截止。 v0 = vI
vI=6V时,D导通。
)()( Rr
rVVvVVv
D
D
thREFIthREFo 2.1
2.0)5.34(5.3 V583.3?
2.1
2.0)5.36(5.3
ov
V917.3?
(2),Vi=6sinωt V （理想模型）
3V
vi
t0
6V
ioi vvDVV 截止，时，3
VvDVV oi 33 导通，时，
折线模型例 6,理想二极管电路中 vi=V m sinωt V，求输出波形 v0。
V1
vi
t0
Vm
V2
Vi>V1时,D1导通,D2截止,Vo=V1。
Vi<V2时,D2导通,D1截止,Vo=V2。
V2<Vi<V1时,D1,D2均 截止,Vo=Vi。
例 7,画出理想二极管电路的传输特性 （ Vo~VI）。
解：① VI<25V,D1,D2均截止。
② VI >25V,D1导通,D2截止。
3
25
3
2
IO VV
③ VI>137.5V,D1,D2
均导通。
VO=25V
25300 200)25( IO VV
VO=100V
VI
25V
75V
100V
25V 50V 100V 125V
VO
50V
75V 150V0 137.5
例 8,画出理想二极管电路的传输特性 （ Vo~VI）。
当 VI<0时
D1导通
D2截止 IO VV 2
1?
当 VI>0时
D1截止
D2导通 IO VV 21?
0 VI
VO
- 5V +5V
+5V
- 5V
+2.5V
-2.5V
已知二极管 D的正向导通管压降 VD=0.6V,C为隔直电容,vi(t)为小信号交流信号源。
1,试求二极管的静态工作电流 IDQ,以及二极管的直流导通电阻 R直 。
2,求在室温 300K时,D的小信号交流等效电阻 r交 。
C
R 1K
E
1.5V
+
VD
－
+
vi(t)
－
mAK VI DDQ 9.015.1
)(89.289.026
Q
T
I
Vr
交
)(67.09.0 6.0 kR 直解：
例 10：
例 3,二极管限幅电路,已知电路的输入波形为 v i,二极管的 VD 为 0.6伏，试画出其输出波形。
解：
Vi> 3.6V时，二极管导通,vo=3.6V。
Vi< 3.6V时，二极管截止,vo=Vi。
特殊二极管特殊二极管稳压二极管稳压二极管是应用在反向击穿区的特殊硅二极管。稳压二极管的伏安特性曲线与硅二极管的伏安特性曲线完全一样。
稳压二极管在工作时应反接，
并串入一只电阻。
电阻起限流作用，保护稳压管；
其次是当输入电压或负载电流变化时，通过该电阻上电压降的变化，
取出误差信号以调节稳压管的工作电流，从而起到稳压作用。
(2) 动态电阻 rZ
在规定的稳压管反向工作电流 IZ下，
所对应的反向工作电压。
rZ =?VZ /?IZ,rZ愈小，反映稳压管的击穿特性愈陡。
(3) 最大耗散功率 PZM
最大功率损耗取决于 PN结的面积和散热等条件。反向工作时 PN结的功率损耗为 PZ= VZ IZ，由 PZM和 VZ可以决定 IZmax。
(4) 最大稳定工作电流 IZmax 和最小稳定工作电流 IZmin
最大稳定工作电流取决于最大耗散功率，即 PZmax =VZIZmax 。
而 Izmin对应 VZmin。 若 IZ＜ IZmin则不能稳压。
(1) 稳定电压 VZ
例 12：
IR IZ Io
稳压管的稳压过程。
RL Io IR Vo IZ IR Vo
PN结的形成及特性半导体二极管特殊二极管
★ 二极管基本电路分析半导体的基本知识本征半导体,空穴及其导电作用杂质半导体根据物体导电能力 (电阻率 )的不同，划分为导体、绝缘体和半导体。
半导体的电阻率为 10-3～ 109cm。典型的半导体有 硅
Si和 锗 Ge以及 砷化镓 GaAs等。
半导体的特点,1）导电能力不同于导体、绝缘体；
2）受外界光和热刺激时电导率发生很大变化 —— 光敏元件、
热敏元件；
3）掺进微量杂质，导电能力显著增加 —— 半导体。
半导体的基本知识半导体的共价键结构硅 和 锗 是四价元素,在原子最外层轨道上的四个电子称为 价电子 。 它们分别与周围的四个原子的价电子形成 共价键 。
原子按一定规律整齐排列,形成晶体点阵后,
结构图为：
+4 +4 +4 +4
+4 +4 +4 +4
+4 +4 +4 +4
返回本征半导体、空穴及其导电作用本征半导体 —— 完全纯净的,结构完整的半导体晶体 。
载流子 —— 可以自由移动的带电粒子。
电导率 —— 与材料单位体积中所含载流子数有关，载流子浓度越高，电导率越高。
返回电子空穴对当 T=0K和无外界激发时,导体中没有栽流子,不导电 。 当温度升高或受到光的照射时,价电子能量增高,有的价电子可以挣脱原子核的束缚,而参与导电,成为 自由电子 —— 本证激发 。
自由电子产生的同时，在其原来的共价键中就出现了一个空位，
这个空位为 空穴 。
+4 +4 +4 +4
+4 +4 +4 +4
+4 +4 +4 +4
自由电子因热激发而出现的自由电子和空穴是同时成对出现的，称为 电子空穴对 。
本征激发动画 1-1
空穴返回杂质半导体
+4 +4 +4 +4
+4 +4 +4 +4
+4 +4 +4 +4
N型半导体 （ 电子型半导体 ）
在本征半导体中掺入五价的元素 (磷、砷、锑 ) 多余电子，成为自由电子
+5
自由电子在本征半导体中掺入某些微量元素作为杂质，可使半导体的导电性发生显著变化。掺入的杂质主要是三价或五价元素 。 掺入杂质的本征半导体称为 杂质半导体 。
返回
+5
+4 +4 +4 +4
+4 +4 +4 +4
+4 +4 +4 +4
+3
P型半导体 （空穴型半导体）
在本征半导体中掺入三价的元素（硼）
+3
空穴 空穴返回
N型半导体 的多数载流子为电子,少数载流子是空穴；
P型半导体 的多数载流子为空穴,少数载流子是电子 。
例：纯净硅晶体中硅原子数为 1022/cm3数量级，
在室稳下，载流子浓度为 ni=pi=1010数量级，
掺入百万分之一的杂质（ 1/10-6），即杂质浓度为 1022*（ 1/106） =1016数量级，
则掺杂后载流子浓度为 1016+1010，约为 1016数量级，
比掺杂前载流子增加 106，即一百万倍。
返回
10
PN结的形成及特性PN结的形成及特性
PN结的单向导电性
PN结的形成
PN结的形成在一块本征半导体两侧通过扩散不同的杂质,分别形成 N型半导体和 P型半导体。
内电场促使少子漂移 内电场阻止多子扩散因浓度差多子的扩散运动 由 杂质离子 形成空间电荷区空间电荷区形成内电场动画
+ 五价的元素+ 三价的元素产生多余电子产生多余空穴
PN结的单向导电性
(1) PN结加正向电压外加的正向电压，方向与 PN结内电场方向相反，
削弱了内电场。于是,内电场对多子扩散运动的阻碍减弱，扩散电流加大。
扩散电流远大于漂移电流，
可忽略漂移电流的影响，
PN结呈现低阻性。 P区的电位高于 N区的电位，称为加 正向电压,简称 正偏 。 动画外加反向电压,方向与 PN结内电场方向相同，加强了内电场。内电场对多子扩散运动的阻碍增强，扩散电流大大减小。此时 PN结区的少子在内电场的作用下形成的漂移电流大于扩散电流，可忽略扩散电流,PN
结呈现高阻性。 P区的电位低于 N区的电位，称为加 反向电压,简称 反偏 。
在一定的温度条件下，由本征激发决定的少子浓度是一定的，故少子形成的漂移电流是恒定的，基本上与所加反向电压的大小无关,这个电流也称为 反向饱和电流 。 动画
（ 2） PN结加反向电压总之,PN结正向电阻小，反向电阻大 —— 单向导电性。
返回半导体二极管 半导体二极管二极管,一个 PN结就是一个二极管。
单向导电,二极管正极接电源正极，负极接电源负极时电流可以通过。反之电流不能通过。
符号：
半导体二极管的伏安特性曲线式中 IS 为反向饱和电流,VD 为二极管两端的电压降,VT =kT/q 称为温度的电压当量,k为玻耳兹曼常数,q 为电子电荷量,T 为热力学温度。对于室温（相当 T=300 K），则有 VT=26 mV。
)1(e TS V
V D
II
第一象限的是正向伏安特性曲线，
第三象限的是反向伏安特性曲线。
(1) 正向特性硅 二极管的死区电压 Vth=0.5~0.8V左右，
锗 二极管的死区电压 Vth=0.2~0.3 V左右。
当 0＜ V＜ Vth时，正向电流为零,Vth称死区电压或开启电压。
正向区分为两段：
当 V ＞ Vth时，开始出现正向电流，并按指数规律增长。
反向区也分两个区域：
当 VBR＜ V＜ 0时，
反向电流很小，且基本不随反向电压的变化而变化，此时的反向电流也称 反向饱和电流 IS 。
当 V≥VBR时，反向电流急剧增加,VBR称为 反向击穿电压 。
(2) 反向特性硅二极管 的反向击穿特性比较硬、比较陡，反向饱和电流也很小； 锗二极管 的反向击穿特性比较软，过渡比较圆滑，反向饱和电流较大。
若 |VBR|≥7V时,
主要是雪崩击穿；若
|VBR|≤4V时,则主要是齐纳击穿。
(3) 反向击穿特性半导体二极管的参数
(1) 最大整流电流 IF
(2) 反向击穿电压 VBR
(3) 反向电流 IR
(4) 正向压降 VF
在室温，规定的反向电压下，最大反向工作电压下的反向电流值。硅二极管的反向电流一般在纳安 (nA)级；锗二极管在微安 (?A)级。
在规定的正向电流下，二极管的正向电压降。硅二极管约
0.6～ 0.8V；锗二极管约 0.2～ 0.3V。
二极管连续工作时，允许流过的最大整流电流的平均值。
二极管反向电流急剧增加时对应的反向电压值称为反向击穿电压 VBR。为安全计，在实际工作时，最大反向工作电压 VRM一般只按反向击穿电压 VBR的一半计算。
二极管基本电路分析 二极管基本电路分析二极管模型正向偏置时：
管压降为 0，电阻也为 0。
反向偏置时：
电流为 0，电阻为 ∞。
当 iD≥1 mA时，
vD=0.7V。
1,理想模型
2,恒压降模型
3,折线模型 （实际模型）
4,小信号模型
2 0 01 5.07.0 mA VVi VVr
D
thD
D
)(
)(26
mAI
mV
i
vr
DQD
D
D
DDthD riVV
二极管电路分析
1.静态分析例 1,求 VDD=10V时，二极管的 电流 ID、电压 VD 值 。
解,1,理想模型 正向偏置时：
管压降为 0，电阻也为 0。
反向偏置时：
电流为 0，电阻为 ∞。2,恒压降模型
mAK VVR VVI DDDD 93.010 7.010
3,实际模型
2 0 01 5.07.0 mA VVi VVr
D
thD
D
mAKK VVrR VVI
D
thDD
D 931.02.010
5.010?
VKmAVrIVV DDD 69.02.0931.05.05.0
VV D 0?
mAKVRVI DDD 110 10
当 iD≥1 mA时，
vD=0.7V。
VV D 7.0?
2.限幅电路
VR
Vm
vi
t0
Vi> VR时，二极管导通,vo=vi。
Vi< VR时，二极管截止,vo=VR。
例 2,理想二极管电路中 vi= Vm sinωt V，求输出波形 v0。
解：
3.开关电路利用二极管的单向导电性可作为电子开关
vI1 vI2 二极管工作状态 D
1 D2
v0
0V 0V 导通 导通导通 截止截止 导通截止 截止
0V 5V
5V 0V
5V 5V
0V
0V
0V
5V
例 11,求 vI1和
vI2不同值组合时的 v0值 （二极管为理想模型） 。
解：
例 9,判别二极管是导通还是截止。
+
9V
-
+
1V
- +
2.5V
-
+
12.5V
-
+
14V
-
+
1V
-
截止
-
9V
+
-
1V
+ +
2.5V
-
+
12.5V
-
+
14V
-
+
1V
-
截止解：
+
18V
-
+
2V
- +
2.5V
-
+
12.5V
-
+
14V
-
+
1V
-
导通例 4：
正半周：
D1,D3 导通
D2,D4 截止负半周
D2,D4导通
D1,D3截止求整流电路的输出波形。
解：
例 5：
实际模型求 (1).vI=0V,vI=4V,
vI=6V 时，输出 v0的 值 。
(2),Vi=6sinωt V 时，
输出 v0的 波形。
解,(1),
vI=4V时,D导通。
vI=0V时,D截止。 v0 = vI
vI=6V时,D导通。
)()( Rr
rVVvVVv
D
D
thREFIthREFo 2.1
2.0)5.34(5.3 V583.3?
2.1
2.0)5.36(5.3
ov
V917.3?
(2),Vi=6sinωt V （理想模型）
3V
vi
t0
6V
ioi vvDVV 截止，时，3
VvDVV oi 33 导通，时，
折线模型例 6,理想二极管电路中 vi=V m sinωt V，求输出波形 v0。
V1
vi
t0
Vm
V2
Vi>V1时,D1导通,D2截止,Vo=V1。
Vi<V2时,D2导通,D1截止,Vo=V2。
V2<Vi<V1时,D1,D2均 截止,Vo=Vi。
例 7,画出理想二极管电路的传输特性 （ Vo~VI）。
解：① VI<25V,D1,D2均截止。
② VI >25V,D1导通,D2截止。
3
25
3
2
IO VV
③ VI>137.5V,D1,D2
均导通。
VO=25V
25300 200)25( IO VV
VO=100V
VI
25V
75V
100V
25V 50V 100V 125V
VO
50V
75V 150V0 137.5
例 8,画出理想二极管电路的传输特性 （ Vo~VI）。
当 VI<0时
D1导通
D2截止 IO VV 2
1?
当 VI>0时
D1截止
D2导通 IO VV 21?
0 VI
VO
- 5V +5V
+5V
- 5V
+2.5V
-2.5V
已知二极管 D的正向导通管压降 VD=0.6V,C为隔直电容,vi(t)为小信号交流信号源。
1,试求二极管的静态工作电流 IDQ,以及二极管的直流导通电阻 R直 。
2,求在室温 300K时,D的小信号交流等效电阻 r交 。
C
R 1K
E
1.5V
+
VD
－
+
vi(t)
－
mAK VI DDQ 9.015.1
)(89.289.026
Q
T
I
Vr
交
)(67.09.0 6.0 kR 直解：
例 10：
例 3,二极管限幅电路,已知电路的输入波形为 v i,二极管的 VD 为 0.6伏，试画出其输出波形。
解：
Vi> 3.6V时，二极管导通,vo=3.6V。
Vi< 3.6V时，二极管截止,vo=Vi。
特殊二极管特殊二极管稳压二极管稳压二极管是应用在反向击穿区的特殊硅二极管。稳压二极管的伏安特性曲线与硅二极管的伏安特性曲线完全一样。
稳压二极管在工作时应反接，
并串入一只电阻。
电阻起限流作用，保护稳压管；
其次是当输入电压或负载电流变化时，通过该电阻上电压降的变化，
取出误差信号以调节稳压管的工作电流，从而起到稳压作用。
(2) 动态电阻 rZ
在规定的稳压管反向工作电流 IZ下，
所对应的反向工作电压。
rZ =?VZ /?IZ,rZ愈小，反映稳压管的击穿特性愈陡。
(3) 最大耗散功率 PZM
最大功率损耗取决于 PN结的面积和散热等条件。反向工作时 PN结的功率损耗为 PZ= VZ IZ，由 PZM和 VZ可以决定 IZmax。
(4) 最大稳定工作电流 IZmax 和最小稳定工作电流 IZmin
最大稳定工作电流取决于最大耗散功率，即 PZmax =VZIZmax 。
而 Izmin对应 VZmin。 若 IZ＜ IZmin则不能稳压。
(1) 稳定电压 VZ
例 12：
IR IZ Io
稳压管的稳压过程。
RL Io IR Vo IZ IR Vo
