第七章 半导体存储器存储器 —— 用以存储二进制信息的器件 。
半导体存储器的分类：
根据使用功能的不同,半导体存储器可分为两大类：
（ 1） 随机存取存储器 （ RAM） 也叫做读 /写存储器 。 既能方便地读出所存数据,又能随时写入新的数据 。 RAM的缺点是数据易失,即一旦掉电,所存的数据全部丢失 。
（ 2） 只读存储器 （ ROM） 。 其内容只能读出不能写入 。
存储的数据不会因断电而消失,即具有非易失性 。
存储器的容量：存储器的容量 =字长 （ n） × 字数 （ m）
一,RAM的基本结构由存储矩阵,地址译码器,读写控制器,输入 /输出控制,
片选控制等几部分组成 。
7.1 随机存取存储器 （ RAM）
存 储矩 阵读 / 写控 制器地址译码器地址码输片选读 / 写 控制输 入/ 输 出入
1,存储矩阵图中,1024个字排列成 32× 32的矩阵 。
为了存取方便,给它们编上号 。
32 行编号为 X0,
X1,…,X31，
32 列编号为 Y0,
Y1,…,Y31。
这样每一个存储单元都有了一个固定的编号,称为地址 。
2,地址译码器 —— 将寄存器地址所对应的二进制数译成有效的行选信号和列选信号,从而选中该存储单元 。
采用双译码结构 。
行地址译码器,5输入 32输出,
输入为 A0,A1,…,A4，
输出为 X0,X1,…,X31；
列地址译码器,5输入 32输出,
输入为 A5,A6,…,A9，
输出为 Y0,Y1,…,Y31，
这样共有 10条地址线。
例如,输入地址码 A9A8A7A6A5A4A3A2A1A0=0000000001,则行选线
X1＝ 1、列选线 Y0＝ 1，选中第 X1行第 Y0列的那个存储单元。
3,RAM的存储单元例,六管 NMOS静态存储单元
4,片选及输入 /输出控制电路当选片信号 CS＝ 1时,G5,G4输出为 0,三态门 G1,G2,G3均处于高阻状态,输入 /输出 （ I/O） 端与存储器内部完全隔离,存储器禁止读 /写操作,
即不工作； &
&
G
G
G
CS
R / W
3
4
5
1
G
D
D
I / O
G
2
当 CS＝ 0时,芯片被选通：当 ＝ 1时,G5输出高电平,G3被打开,于是被选中的单元所存储的数据出现在 I/O端,存储器执行读操作；
当 ＝ 0时,G4输出高电平,G1,G2被打开,此时加在 I/O端的数据以互补的形式出现在内部数据线上,存储器执行写操作 。
二,RAM的工作时序（以写入过程为例）
读出操作过程如下：
（ 1） 欲写入单元的地址加到存储器的地址输入端；
（ 2） 加入有效的选片信号 CS；
（ 3） 将待写入的数据加到数据输入端 。
（ 3） 在 线上加低电平,进入写工作状态；
（ 4） 让选片信号 CS无效,I/O端呈高阻态 。
t
WC
写入单元的地址ADD
t
WP
CS
R/ W
I / O 写入数据
AS
t
WR
t
DW
t
DH
t
三,RAM的容量扩展
1,位扩展用 8片 1024（ 1K） × 1位 RAM构成的 1024× 8位 RAM系统 。1 0 2 4 × 1 R A M
A A A R / W CS0 1
..,
I / O
I / O
..
.
1 0 2 4 × 1 R A M
A A A R / W CS0 1
..,
I / O
I / O
1 0 2 4 × 1 R A M
A A A R / W CS0 1 9
..,
I / O
I / O
..,
A
A
0
1
R / W
CS
0 1 7
99
9
A
2,字扩展用 8片 1K× 8位 RAM构成的 8K× 8位 RAM。
0
1
.
G
2A
12
74L S 138
A
Y
+ 5V
.
G
C
7
Y
.
G 2B
A
Y
A
.
11A
1
10
.
B
.
A
..,
A
I / O
1 0 2 4 × 8 R A M
1
00
0
R / W
7
R / W
1
R / W
..,
9 A
1 0 2 4 × 8 R A M
9 0
..,
A
0
I / O
R / WA
1 0 2 4 × 8 R A M
CS
9
A ACS
I / O
91 AA
..
.
A
1
CS
1
A
A
0I / O 0I / O
I / O 0I / O 1
I / O 1
I / O 17I / O 7I / O 7I / O
..,
..,,.,,.,
..
.
四,RAM的芯片简介 (6116)
6116为 2K× 8位静态 CMOSRAM
芯片引脚排列图：
A0～ A10是地址码输入端,D0～ D7是数据输出端,是选片端,
是输出使能端,是写入控制端 。
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12 13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
6116
7
6
5
4
3
2
1
1
2
A
A
A
A
A
A
A
D
D
0
0
A
D
V
A
A
WE
OE
CS
D
D
D
D
D
A
DD
8
9
10
7
6
5
4
3GND
（ 2） 一次性可编程 ROM（ PROM） 。 出厂时,存储内容全为 1（ 或全为 0）,用户可根据自己的需要编程,但只能编程一次 。
7.2 只读存储器 (ROM)
一,ROM的分类按照数据写入方式特点不同,ROM可分为以下几种：
（ 1） 固定 ROM。 厂家把数据写入存储器中,用户无法进行任何修改 。
（ 3） 光可擦除可编程 ROM（ EPROM） 。 采用浮栅技术生产的可编程存储器 。 其内容可通过紫外线照射而被擦除,可多次编程 。
（ 5） 快闪存储器 （ Flash Memory） 。 也是采用浮栅型 MOS管,存储器中数据的擦除和写入是分开进行的,数据写入方式与 EPROM相同,
一般一只芯片可以擦除 /写入 100次以上 。
（ 4） 电可擦除可编程 ROM（ E2PROM） 。 也是采用浮栅技术生产的可编程 ROM,但是构成其存储单元的是隧道 MOS管,是用电擦除,并且擦除的速度要快的多 （ 一般为毫秒数量级 ） 。 E2PROM的电擦除过程就是改写过程,它具有 ROM的非易失性,又具备类似 RAM的功能,可以随时改写 （ 可重复擦写 1万次以上 ） 。
二,ROM的结构及工作原理
1,ROM的内部结构由地址译码器和存储矩阵组成 。
0单 元
1单 元
i单 元单元2 － 1
n
W
W
W
W
D D D
0
1
i
n
2 － 1
0
1
b － 1
位线存储单元存储单元
...
...
...
...
...
字线输出数据输
1
A
A
器
...
地入址译
0
n － 1
地码址
A
...
2,ROM的基本工作原理：
由地址译码器和或门存储矩阵组成 。
例：存储容量为
4× 4的 ROM
0A
A
≥1
≥1
≥1
≥1
W
0
3W
W
2
1W
D
3
D
2
1
D
D
0
1
地址译码器二极管固定 ROM举例
（ 1） 电路组成：
由二极管与门和或门构成 。
与门阵列组成译码器,或门阵列构成存储阵列 。
A
1
0
1
1
A
1
1
.
..
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.,
..
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
EN
D
EN
EN
D
D
D
EN
.
D
D
D
D
0
0
11
2
2
3
3
输出缓冲器位线
W W W W
0 1
2 3
字 线
...
与门阵列
（译码器）
（编码器）
门阵列或
EN
V
CC
（ 2） 输出信号表达式与门阵列输出表达式：
（ 3） ROM存储内容的真值表或门阵列输出表达式：
010 AAW? 011 AAW? 012 AAW? 013 AAW?
200 WWD 3211 WWWD
3202 WWWD 313 WWD
1.作函数运算表电路
【 例 7.2— 1】 试用 ROM构成能实现函数 y=x2的运算表电路,x的取值范围为 0～ 15的正整数 。
三,ROM的应用
【 解 】 （ 1） 分析要求,设定变量自变量 x的取值范围为 0～ 15的正整数,对应的 4位二进制正整数,用
B=B3B2B1B0表示 。 根据 y=x2的运算关系,可求出 y的最大值是 152＝
225,可以用 8位二进制数 Y=Y7Y6Y5Y4Y3Y2Y1Y0表示 。
（ 2） 列真值表 — 函数运算表
Y7=m12+m13+m14+m15
（ 3） 写标准与或表达式
Y4=m4+m5+m7+m9+m11+m12
Y6=m8+m9+m10+m11+m14+m15
Y5=m6+m7+m10+m11+m13+m15
Y3=m3+m5+m11+m13
Y1=0
Y2=m2+m6+m10+m14
(4)画 ROM存储矩阵结点连接图为做图方便,我们将 ROM矩阵中的二极管用节点表示 。
Y0=m1+m3+m5+m7+m9+m11+m13+m15
【 解 】
（ 1） 写出各函数的标准与或表达式：
按 A,B,C,D顺序排列变量,将 Y1,Y2,Y4扩展成为四变量逻辑函数 。
2.实现任意组合逻辑函数
【 例 7.2— 2】 试用 ROM实现下列函数：
A B CCBACBACBAY1
CABCY2
A B C DDCABDCBADBCACDBADCBAY3
B C DA C DA B DA B CY4
），，，，（
），，，，，（
），，，，，（
），，，，，，，（
151413117
15129630
1514111076
1514985432
4
3
2
1
m
m
m
m
Y
Y
Y
Y
（ 2） 选用 16× 4位 ROM,画存储矩阵连线图：
四,EPROM举例 —— 2764
V Vpp cc
CS
P G M
A A
D D
12 0
07
~
~
地
2764
A A
12 0
~
D D
7 ~
CS
0
P G M
V pp ccV
引脚 功能地址输入芯片使能编程脉冲电压输入数 据
A
A
A
A
A
A
A
A
A
A
A
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
A
A
11
12
O
O
O
O
O
0
O
1
2O
3
4
5O
6
7
2
23
21
24
25
3
4
5
6
7
8
9
8k B × 8
2764
10
1
27
P G M
( P G M )
V IH
20
CS
OE
CS
OE
22
11
12
13
15
16
17
18
19
地址输入数据输出
V CC
V P P
28
GND
14
五,ROM容量的扩展
（ 1） 字长的扩展 （ 位扩展 ）
现有型号的 EPROM,输出多为 8位 。
下图是将两片 2764扩展成 8k× 16位 EPROM的连线图 。
.
.
.,
.
.
.
.
.
.
.
.
A
A
O
OCS
OE
0
0
12
7
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
A
A
O
OCS
OE
0
0
12
7
CS
OE
A
0 A 12~
7 0
DD 8
15 ~D~D
13
13
13
8 8
地址总线数据总线
8k B × 8 8k B × 8
2764 2764
U U
1 2
用 8片 2764扩展成 64k× 8位的 EPROM：
（ 2） 字数扩展 （ 地址码扩展 ）
.
.
.,
.
.
.
.
.
.
.
.
A
A
O
OCS
OE
0
0
12
7
OE
0
A A
12~
D D~
7 0
O
.
.
0
..
.
.
.
.
.
.
.
.
12
0
A
7
OE
A
CS
O
O
.
.
0
..
.
.
.
.
.
.
.
.
12
0
A
7
OE
A
CS
O
..,
.
.
A
A
Y
Y
G
G
0
0A
1
2
G
1
7
.
.
.
.
Y 1
2764 2764 2764
74L S 138
U1
U2 U8
+ 5V
A
A
A
13
14
15
2A
2B
13
13
13
13
8
8
8
8
地址总线数据总线本章小节
2,RAM是一种时序逻辑电路,具有记忆功能 。 其存储的数据随电源断电而消失,因此是一种易失性的读写存储器 。 它包含有 SRAM和 DRAM两种类型,前者用触发器记忆数据,后者靠 MOS管栅极电容存储数据 。
因此,在不停电的情况下,SRAM的数据可以长久保持,而 DRAM则必需定期刷新 。
1,半导体存储器是现代数字系统特别是计算机系统中的重要组成部件,
它可分为 RAM和 ROM两大类 。
3,ROM是一种非易失性的存储器,它存储的是固定数据,一般只能被读出 。 根据数据写入方式的不同,ROM又可分成固定 ROM和可编程 ROM。
后者又可细分为 PROM,EPROM,E2PROM和快闪存储器等,特别是 E2ROM
和快闪存储器可以进行电擦写,已兼有了 RAM的特性 。
4,从逻辑电路构成的角度看,ROM是由与门阵列 （ 地址译码器 ） 和或门阵列 （ 存储矩阵 ） 构成的组合逻辑电路 。 ROM的输出是输入最小项的组合 。 因此采用 ROM构成各种逻辑函数不需化简,这给逻辑设计带来很大方便 。 随着大规模集成电路成本的不断下降,利用 ROM构成各种组合,时序电路,愈来愈具有吸引力 。
半导体存储器的分类：
根据使用功能的不同,半导体存储器可分为两大类：
（ 1） 随机存取存储器 （ RAM） 也叫做读 /写存储器 。 既能方便地读出所存数据,又能随时写入新的数据 。 RAM的缺点是数据易失,即一旦掉电,所存的数据全部丢失 。
（ 2） 只读存储器 （ ROM） 。 其内容只能读出不能写入 。
存储的数据不会因断电而消失,即具有非易失性 。
存储器的容量：存储器的容量 =字长 （ n） × 字数 （ m）
一,RAM的基本结构由存储矩阵,地址译码器,读写控制器,输入 /输出控制,
片选控制等几部分组成 。
7.1 随机存取存储器 （ RAM）
存 储矩 阵读 / 写控 制器地址译码器地址码输片选读 / 写 控制输 入/ 输 出入
1,存储矩阵图中,1024个字排列成 32× 32的矩阵 。
为了存取方便,给它们编上号 。
32 行编号为 X0,
X1,…,X31，
32 列编号为 Y0,
Y1,…,Y31。
这样每一个存储单元都有了一个固定的编号,称为地址 。
2,地址译码器 —— 将寄存器地址所对应的二进制数译成有效的行选信号和列选信号,从而选中该存储单元 。
采用双译码结构 。
行地址译码器,5输入 32输出,
输入为 A0,A1,…,A4，
输出为 X0,X1,…,X31；
列地址译码器,5输入 32输出,
输入为 A5,A6,…,A9，
输出为 Y0,Y1,…,Y31，
这样共有 10条地址线。
例如,输入地址码 A9A8A7A6A5A4A3A2A1A0=0000000001,则行选线
X1＝ 1、列选线 Y0＝ 1，选中第 X1行第 Y0列的那个存储单元。
3,RAM的存储单元例,六管 NMOS静态存储单元
4,片选及输入 /输出控制电路当选片信号 CS＝ 1时,G5,G4输出为 0,三态门 G1,G2,G3均处于高阻状态,输入 /输出 （ I/O） 端与存储器内部完全隔离,存储器禁止读 /写操作,
即不工作； &
&
G
G
G
CS
R / W
3
4
5
1
G
D
D
I / O
G
2
当 CS＝ 0时,芯片被选通：当 ＝ 1时,G5输出高电平,G3被打开,于是被选中的单元所存储的数据出现在 I/O端,存储器执行读操作；
当 ＝ 0时,G4输出高电平,G1,G2被打开,此时加在 I/O端的数据以互补的形式出现在内部数据线上,存储器执行写操作 。
二,RAM的工作时序（以写入过程为例）
读出操作过程如下：
（ 1） 欲写入单元的地址加到存储器的地址输入端；
（ 2） 加入有效的选片信号 CS；
（ 3） 将待写入的数据加到数据输入端 。
（ 3） 在 线上加低电平,进入写工作状态；
（ 4） 让选片信号 CS无效,I/O端呈高阻态 。
t
WC
写入单元的地址ADD
t
WP
CS
R/ W
I / O 写入数据
AS
t
WR
t
DW
t
DH
t
三,RAM的容量扩展
1,位扩展用 8片 1024（ 1K） × 1位 RAM构成的 1024× 8位 RAM系统 。1 0 2 4 × 1 R A M
A A A R / W CS0 1
..,
I / O
I / O
..
.
1 0 2 4 × 1 R A M
A A A R / W CS0 1
..,
I / O
I / O
1 0 2 4 × 1 R A M
A A A R / W CS0 1 9
..,
I / O
I / O
..,
A
A
0
1
R / W
CS
0 1 7
99
9
A
2,字扩展用 8片 1K× 8位 RAM构成的 8K× 8位 RAM。
0
1
.
G
2A
12
74L S 138
A
Y
+ 5V
.
G
C
7
Y
.
G 2B
A
Y
A
.
11A
1
10
.
B
.
A
..,
A
I / O
1 0 2 4 × 8 R A M
1
00
0
R / W
7
R / W
1
R / W
..,
9 A
1 0 2 4 × 8 R A M
9 0
..,
A
0
I / O
R / WA
1 0 2 4 × 8 R A M
CS
9
A ACS
I / O
91 AA
..
.
A
1
CS
1
A
A
0I / O 0I / O
I / O 0I / O 1
I / O 1
I / O 17I / O 7I / O 7I / O
..,
..,,.,,.,
..
.
四,RAM的芯片简介 (6116)
6116为 2K× 8位静态 CMOSRAM
芯片引脚排列图：
A0～ A10是地址码输入端,D0～ D7是数据输出端,是选片端,
是输出使能端,是写入控制端 。
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19
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22
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6
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1
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A
A
A
A
A
A
A
D
D
0
0
A
D
V
A
A
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CS
D
D
D
D
D
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8
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7
6
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3GND
（ 2） 一次性可编程 ROM（ PROM） 。 出厂时,存储内容全为 1（ 或全为 0）,用户可根据自己的需要编程,但只能编程一次 。
7.2 只读存储器 (ROM)
一,ROM的分类按照数据写入方式特点不同,ROM可分为以下几种：
（ 1） 固定 ROM。 厂家把数据写入存储器中,用户无法进行任何修改 。
（ 3） 光可擦除可编程 ROM（ EPROM） 。 采用浮栅技术生产的可编程存储器 。 其内容可通过紫外线照射而被擦除,可多次编程 。
（ 5） 快闪存储器 （ Flash Memory） 。 也是采用浮栅型 MOS管,存储器中数据的擦除和写入是分开进行的,数据写入方式与 EPROM相同,
一般一只芯片可以擦除 /写入 100次以上 。
（ 4） 电可擦除可编程 ROM（ E2PROM） 。 也是采用浮栅技术生产的可编程 ROM,但是构成其存储单元的是隧道 MOS管,是用电擦除,并且擦除的速度要快的多 （ 一般为毫秒数量级 ） 。 E2PROM的电擦除过程就是改写过程,它具有 ROM的非易失性,又具备类似 RAM的功能,可以随时改写 （ 可重复擦写 1万次以上 ） 。
二,ROM的结构及工作原理
1,ROM的内部结构由地址译码器和存储矩阵组成 。
0单 元
1单 元
i单 元单元2 － 1
n
W
W
W
W
D D D
0
1
i
n
2 － 1
0
1
b － 1
位线存储单元存储单元
...
...
...
...
...
字线输出数据输
1
A
A
器
...
地入址译
0
n － 1
地码址
A
...
2,ROM的基本工作原理：
由地址译码器和或门存储矩阵组成 。
例：存储容量为
4× 4的 ROM
0A
A
≥1
≥1
≥1
≥1
W
0
3W
W
2
1W
D
3
D
2
1
D
D
0
1
地址译码器二极管固定 ROM举例
（ 1） 电路组成：
由二极管与门和或门构成 。
与门阵列组成译码器,或门阵列构成存储阵列 。
A
1
0
1
1
A
1
1
.
..
.
.
.
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.
.
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.
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.
.,
..
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
EN
D
EN
EN
D
D
D
EN
.
D
D
D
D
0
0
11
2
2
3
3
输出缓冲器位线
W W W W
0 1
2 3
字 线
...
与门阵列
（译码器）
（编码器）
门阵列或
EN
V
CC
（ 2） 输出信号表达式与门阵列输出表达式：
（ 3） ROM存储内容的真值表或门阵列输出表达式：
010 AAW? 011 AAW? 012 AAW? 013 AAW?
200 WWD 3211 WWWD
3202 WWWD 313 WWD
1.作函数运算表电路
【 例 7.2— 1】 试用 ROM构成能实现函数 y=x2的运算表电路,x的取值范围为 0～ 15的正整数 。
三,ROM的应用
【 解 】 （ 1） 分析要求,设定变量自变量 x的取值范围为 0～ 15的正整数,对应的 4位二进制正整数,用
B=B3B2B1B0表示 。 根据 y=x2的运算关系,可求出 y的最大值是 152＝
225,可以用 8位二进制数 Y=Y7Y6Y5Y4Y3Y2Y1Y0表示 。
（ 2） 列真值表 — 函数运算表
Y7=m12+m13+m14+m15
（ 3） 写标准与或表达式
Y4=m4+m5+m7+m9+m11+m12
Y6=m8+m9+m10+m11+m14+m15
Y5=m6+m7+m10+m11+m13+m15
Y3=m3+m5+m11+m13
Y1=0
Y2=m2+m6+m10+m14
(4)画 ROM存储矩阵结点连接图为做图方便,我们将 ROM矩阵中的二极管用节点表示 。
Y0=m1+m3+m5+m7+m9+m11+m13+m15
【 解 】
（ 1） 写出各函数的标准与或表达式：
按 A,B,C,D顺序排列变量,将 Y1,Y2,Y4扩展成为四变量逻辑函数 。
2.实现任意组合逻辑函数
【 例 7.2— 2】 试用 ROM实现下列函数：
A B CCBACBACBAY1
CABCY2
A B C DDCABDCBADBCACDBADCBAY3
B C DA C DA B DA B CY4
），，，，（
），，，，，（
），，，，，（
），，，，，，，（
151413117
15129630
1514111076
1514985432
4
3
2
1
m
m
m
m
Y
Y
Y
Y
（ 2） 选用 16× 4位 ROM,画存储矩阵连线图：
四,EPROM举例 —— 2764
V Vpp cc
CS
P G M
A A
D D
12 0
07
~
~
地
2764
A A
12 0
~
D D
7 ~
CS
0
P G M
V pp ccV
引脚 功能地址输入芯片使能编程脉冲电压输入数 据
A
A
A
A
A
A
A
A
A
A
A
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
A
A
11
12
O
O
O
O
O
0
O
1
2O
3
4
5O
6
7
2
23
21
24
25
3
4
5
6
7
8
9
8k B × 8
2764
10
1
27
P G M
( P G M )
V IH
20
CS
OE
CS
OE
22
11
12
13
15
16
17
18
19
地址输入数据输出
V CC
V P P
28
GND
14
五,ROM容量的扩展
（ 1） 字长的扩展 （ 位扩展 ）
现有型号的 EPROM,输出多为 8位 。
下图是将两片 2764扩展成 8k× 16位 EPROM的连线图 。
.
.
.,
.
.
.
.
.
.
.
.
A
A
O
OCS
OE
0
0
12
7
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
A
A
O
OCS
OE
0
0
12
7
CS
OE
A
0 A 12~
7 0
DD 8
15 ~D~D
13
13
13
8 8
地址总线数据总线
8k B × 8 8k B × 8
2764 2764
U U
1 2
用 8片 2764扩展成 64k× 8位的 EPROM：
（ 2） 字数扩展 （ 地址码扩展 ）
.
.
.,
.
.
.
.
.
.
.
.
A
A
O
OCS
OE
0
0
12
7
OE
0
A A
12~
D D~
7 0
O
.
.
0
..
.
.
.
.
.
.
.
.
12
0
A
7
OE
A
CS
O
O
.
.
0
..
.
.
.
.
.
.
.
.
12
0
A
7
OE
A
CS
O
..,
.
.
A
A
Y
Y
G
G
0
0A
1
2
G
1
7
.
.
.
.
Y 1
2764 2764 2764
74L S 138
U1
U2 U8
+ 5V
A
A
A
13
14
15
2A
2B
13
13
13
13
8
8
8
8
地址总线数据总线本章小节
2,RAM是一种时序逻辑电路,具有记忆功能 。 其存储的数据随电源断电而消失,因此是一种易失性的读写存储器 。 它包含有 SRAM和 DRAM两种类型,前者用触发器记忆数据,后者靠 MOS管栅极电容存储数据 。
因此,在不停电的情况下,SRAM的数据可以长久保持,而 DRAM则必需定期刷新 。
1,半导体存储器是现代数字系统特别是计算机系统中的重要组成部件,
它可分为 RAM和 ROM两大类 。
3,ROM是一种非易失性的存储器,它存储的是固定数据,一般只能被读出 。 根据数据写入方式的不同,ROM又可分成固定 ROM和可编程 ROM。
后者又可细分为 PROM,EPROM,E2PROM和快闪存储器等,特别是 E2ROM
和快闪存储器可以进行电擦写,已兼有了 RAM的特性 。
4,从逻辑电路构成的角度看,ROM是由与门阵列 （ 地址译码器 ） 和或门阵列 （ 存储矩阵 ） 构成的组合逻辑电路 。 ROM的输出是输入最小项的组合 。 因此采用 ROM构成各种逻辑函数不需化简,这给逻辑设计带来很大方便 。 随着大规模集成电路成本的不断下降,利用 ROM构成各种组合,时序电路,愈来愈具有吸引力 。
