7.3 磁性材料的物理效应
物质的物理性质随外界因素，例如磁场、电场、
光及热等的变化而发生变化的现象为物理效应。
1,磁光效应：透明的铁磁性材料中的光透射、光
反射时，光与自发磁化相互作用，会发生特异的
光学现象，称此为磁光效应。
光属于电磁波，为横波，电场和磁场分别在各自
的固定面上振动，称此面为偏光面。
磁光效应包括：
（ 1）塞曼效应
对发光物质施加磁场，光谱发生分裂的现象为塞曼效应。
从应用的角度来看，还属于有待开发的领域。
（ 2）法拉第效应
光和原子磁矩相互作用而产生的现象。
当 Y3Fe5O12一些透明物质透过直线偏光时，若同时施
加与入射光平行的磁场，透射光将在其偏振面上旋转一
定的角度射出，该现象为法拉第效应。
若施加与入射光垂直的磁场，入射光将分裂为沿原方向
的正常光束和偏离原方向的异常光束，为科顿 —— 莫顿
效应。
法拉第效应
偏振光
发生旋转
的偏振光
磁场 H
入射光 透射光
入射光
磁场 H
正常光线
异常光线
科顿 —— 莫顿效应。
（ 3）克尔效应
当光入射到被磁化的物质，或入射到外磁
场作用下的物质表面时，其发射光的偏振
面发生旋转的现象。
记录位
非记录位 记录位
光盘利用磁克尔效应进行光磁记录的原理
直线
偏振
光
记录层磁化
反平行磁化
这种为非接触式、大容量记录介质
非晶态磁光记录介质的优点是：不存在晶界等
相对于磁畴的障碍物，不产生反转磁畴的变形
等。多晶体的 MnBi的克尔旋转角大，是很有吸
引力的材料，但由于多晶体再生时，造成较大
的噪音，作为第一代光磁记录介质未被采用，
最近又重新引起人们的兴趣。
为了保存大量信息，需要高密度、高速度、高
效率、低价格的记录与存储。因此目前 磁光盘
正与磁记录、相变型可重写光盘 处于激烈的竞
争中。于是人们正在开发进行磁光盘用新型记
录介质的开发（例如：金属超晶格多层膜、磁
性石榴石等）
2,电流磁气效应
物质中流过电流的同时，施加磁场时所显示出
的物理现象。这种效应表现为电动势 E的变化。
一般说来，该电动势表现为下述 3项之和：
与磁场 H无关系的项：为电阻 R所产生的电动
势，符合欧姆定律（ E0=RI)。
霍尔电动势项：一般情况下，与磁场强度成正
比，称为霍尔效应 (与 I?H成正比 )。
磁致电阻电动势项：与 H(I?H)成正比，称为磁
致电阻效应,
霍尔效应：在于电流垂直的方向施加磁场，则在垂直于
电流轴和磁场轴所组成的平面的方向上产生电位差。这
种电位差为霍尔电压。霍尔元件（磁传感器），
InSb,GaAs半导体元件已实用化。
磁致电阻效应：施加磁场使物质电阻发生变化的现象称
为磁致电阻效应。包含两项：与磁场强度 H有关（正常
磁致电阻效应）和与磁化强度相关（异常磁致电阻效
应），其中第二项贡献最大。
各向异性磁致电阻效应：电阻率变化与磁化方向相关。
高灵敏度读取用的 MR磁头，就是利用这种效应。
利用该效应的材料有：巨磁致电阻效应材料、超巨磁致
电阻效应材料。
Ettinghausen效应：沿着霍尔电压方向产生温度
梯度的现象。
Nerst效应：在与电流垂直方向施加磁场，沿电
流方向产生温度梯度的现象。
磁各向异性：一般情况下，在铁磁体中存在着取
决于自发磁化方向的自由能，自发磁化向着该能
量取最小值的方向是最稳定的。而要向其他方向
旋转，能量会增加。
磁致伸缩效应：
（利用这一效应可以使磁能转变为机械能，而逆
效应可以使机械能转变为磁能。可以制作能量转
换器件，电气音响转换器件。
7.4 磁光效应材料与记录原理
磁盘由在圆盘状基表面附着磁记录介质
层构成。
由于其高存储容量、随机存取容易、迅
速等优点，已成为数字式记录、存储媒
体的主要形式。
记录密度与激光波长的关系：
激光光斑直径与波长的关系：
D约与波长成正比。
各种磁盘的结构示意图
基板
铝合金
（ Mg_Al)（ 1-
2mm)
磁性层（磁性粉、
粘结剂、添加剂）
润滑剂
硬盘
碳保护膜
磁性膜
（ CoCr(Ta)）
基板
铝合金
Ti电镀 NiFe膜
垂直磁性膜硬盘
通常采用各种溅射法，一般
情况下还夹有一层 Cr基地
层
基板
铝合金
SiO2保护膜
电镀磁性层 (CoNiP)NiP
电镀磁性膜硬盘
基板
(如 PET)
基板 (可挠性）
(如 PET)
基板
(如 PET)
磁性层（磁性粉、
粘结剂、添加剂）
软盘（涂
布型软盘）
磁性层 (CoNi(O)) 磁性层 (CoNi(O))
Ti膜
倾斜蒸镀可挠性软
盘（薄膜性磁盘）
准二层膜垂直记录可挠
性软盘（薄膜性磁盘）
磁记录介质：涂布型 —— 薄膜型 —— 垂
直记录型顺序发展。
采用电镀、蒸镀、溅射等方法。
磁性材料需要有大的磁各向异性微结构，
需要 Co合金膜沿特定方位生长，为此需
要 Cr打底层。
磁光效应材料 —— 光盘
磁光盘以光热磁原理进行记录、再生、属于可擦除重写型
光存储器，即可通过光热磁，将不必要的信息擦除，并改
写为必要的信息，目前所用的材料主要为锝 (Tb),铁、钴
等构成的非晶态合金膜。（向多层膜方向发展）
光磁记录具有下述特征：
（ 1）记录密度高（ 107-1010bit/cm2)
（ 2） 可擦除重写
（ 3）非接触式，从而可靠性高
（ 4）随机寸取
（ 5）光盘可自动装卸；
（ 6）可用于多道记录及全息照相存储
光磁记录的原理
磁光效应是基于光与物质的磁化（或磁场）相
互作用，而使光学参数发生变化的现象。
光盘
记录膜
气体激光器
半导体激光器
光调制器 透镜
光束分离器
光检出器
随机反射镜
聚焦透镜
记录时，利用激光的高
能量，再生（读取）时，
利用激光反射信号的检
出（克尔效应）
记录与再生的原理：记录介质采用较大的矫
玩力
垂直磁化膜
垂直磁化膜
记录位 bit 记录或写入方式有：
居里温度写入和补偿
温度写入。
弱磁场：使记录
位磁化反转
居里温度写入：磁性膜中需要记录的部分
被激光照射加热，温度上升到 Tc以上，该
部分变为非磁性，在其冷却过程中，受其
周围基体反磁场作用，会发生磁化反转。
如果通过线圈或永磁体外加磁场，则可实
现磁化的完全反转。
补偿温度写入：铁磁体垂直磁化膜的磁补
偿温度应在室温附近。当这种铁磁体被激
光加热到较高温度，该温度下对应的矫玩
力比室温时的矫玩力要低的多，这样，在
较弱的外磁场下即可容易地实现磁化反转。
读出或再生原理：利用克尔效应
或法拉第效应读出。读出时激光
不能使记录介质过热，其加热功
率要比记录时的功率低。
光电二极管
光盘的剖面图
光磁记录介质应具备的特性：
（ 1）满足垂直磁化的的条件
（ 2）作为能稳定的保持微小磁畴结构的条件
（ 3）再生灵敏度高
（ 4）记录灵敏度高
（ 5）低噪音
（ 6）化学、结构等稳定
（ 7）便于大面积均质成膜
TbFeCo磁光材料具有下列优势：
（ 1）在近红外能长期使用
（ 2）可容易垂直磁化
（ 3）非晶态结构，可避免晶界等造成的
再生噪音
（ 4）居里温度 200度，与半导体激光功
率可良好的对应。
采用多层膜用以提高旋转角
基板
保护层 SiO,ZnS
记录层 Tb-Fe-Co
玻璃成分
B2O3BaO +
BaO,Fe2O3
（ Ba铁氧体成分） +
CoO,TiO2
（ 矫玩力调整）
熔融急冷凝
固
Ba铁氧体薄片
结晶化
Ba铁氧体磁性粉
下一代光磁记录材料
为提高高记录密度，采用短波长光，
重点集中在在短波长区具有较大克尔
旋转角的材料，主要为含有 Nd及 Pr的
非晶态稀土 (R)-Fe-Co合金膜,Bi置换
磁性石榴石,Pt/Co多层膜（超晶格膜，
磁性与非磁性界面效应，可以开发出
新的性能和功能）
超高密度信息记录的新技术：
激光技术透镜聚焦
超纳米加工及分析测试技术：扫描隧道显微镜
(STM),原子力显微镜 (AFM),磁力显微镜
(MFM)等
采用可提高写入和读取密度的磁超分辨技术和磁
畴扩大再生技术。
短波长用法拉第旋转器件用材料：含 Tb的顺磁
性玻璃、含 Pb的反磁性玻璃，含 Eu的顺磁性玻
璃,Tb3Ga5O12,Tb3Al5O12,Cd0.55Mn0.45Te,Cd
MnHgTe
光盘存储材料
光存储技术的发展：以光为笔，以感光片为
纸的照片；以光为探头，以胶卷为长卷的电
影、电视等，这些光存储的中大多采用的是
可见光，多用化学物质的感光技术。而光盘
存储是现代的高科技光电子技术，光盘上信
息的写入与读出都是利用半导体激光器、探
测器来完成。
类别 材料 性能 应用
只读光盘：
CD,VCD
基片：有机玻
璃类 (PMMA)
或聚酸碳酯
光学膜：光聚
合物 +染料类
光敏有机材料
可擦写光盘
CD-R、
CD-RAM、
DVD-RAM、
MOD
基片材料同上
光学膜：
（ 1）结晶态
或非结晶态光
学相变材料
（ 2）磁光材
料
除了只读光盘
的应用外，还
可用于高清晰
度电视，特别
适合于计算机
的大容量存储，
不会受病毒干
扰而自动删除，
便利随机保存
信息资料。
光盘存储的密度：光盘存储可以是二维的面存储，也
可以是三维的立体存储，存储密度依赖于写入信息的
激光波长。面存储密度同波长的平方成反比。采用可
见光作写入的光盘信息密度为 107-108b/cm2,因此现
在大力发展蓝光激光器。体存储密度与波长的三次方
成反比。
光盘存储的原理：留声机是以金属唱针为探头，以唱
片为基质，利用唱针在旋转的唱片上刻下不同划痕的
纹路记录下声音，然后放唱片时，唱针在这些刻槽纹
路上同唱片摩擦，提取记录下的信号，经放大后还原
成能听到的声音。光盘与之相似。其所用探针为半导
体激光器发出的一束激光，唱片为对光敏感的光盘。
声像等原始信息 —— 取样编号（编制成,0”，
‘ 1’的数码） —— 半导体激光器 —— 调制激
光信号（光脉冲数码信号，即所谓的光
笔） —— 光盘光敏材料（用光笔写下脉冲数
码文字） —— 刻制光盘
半导体激光器 —— 光盘 —— 半导体探测器 —— 光
电信号放大 —— 解码处理器 —— 复还声像等信息
烧坑写入方式：即将带有调制信号的很强的激光聚
焦在光盘上，将光盘表面烧出一连串长短不同的坑，
制成带有大量信息的母盘。将母盘进行一系列的工
艺处理之后，制成压模，再利用压制工艺技术制成
大量的光盘产品。
利用光敏的相变、光折射、光致偏振等物理效应来
完成录制工作。在许多光抿材料中，光会引起相位、
折射率、偏振状态的变化。将调制好的激光粟照射
到这些材料上，就会留下光强的强弱、有无、长短
和偏振角度旋转等信息，也就是记录下音像等信号。
利用这类方式记录的信息，可以利用一束没有调制
信号的强光将所有信号抹去。
激光束的斑点大小决定了光盘存储密度
功能材料作为信息存储材料的主要条件是
（ 1）当外界微扰 P调节到达一定的临界值
Pc时，体系或分子可以从一种状态到达另一
种状态；（ 2）当外界微扰 P分别处在从小到
大高于 Pc和从大到小低于 Pc时，功能体系的
性质应有不同的数值（即具有滞后效应），
这种与样品状态历史有关的现象就起着记忆
功能；（ 3）功能体系在着两种状态之间的
过度必须很明显，并且被很灵敏的检测。
磁场强度对磁感应强度的磁滞回线显示，在小
的固定的磁场强度 Ho下，用激光进行局部加热，
使其磁性质发生从铁磁性到顺磁性的热相变逆
转，则在光盘中形成一种磁性区域处在相反磁
性的背景中这就达到了写入的目的。然后再利
用克尔磁光效应（在磁化表面两侧，两种偏振
光具有不同的反射率）或法拉第效应（在磁化
表面两侧，两种偏振光具有不同的折射率）达
到光的读出，也可以冷却后将磁场反向逆转到 -
Ho而进行信号的擦除。
材料有：半导体 GaAs,离子导体 NaSiCoN,非
线性光学材料 LiNiO3,铁磁性材料 Fe3O4,光
电转换材料 SrTiO3和热致变色材料 Ag2HgI4。
物质的物理性质随外界因素，例如磁场、电场、
光及热等的变化而发生变化的现象为物理效应。
1,磁光效应：透明的铁磁性材料中的光透射、光
反射时，光与自发磁化相互作用，会发生特异的
光学现象，称此为磁光效应。
光属于电磁波，为横波，电场和磁场分别在各自
的固定面上振动，称此面为偏光面。
磁光效应包括：
（ 1）塞曼效应
对发光物质施加磁场，光谱发生分裂的现象为塞曼效应。
从应用的角度来看，还属于有待开发的领域。
（ 2）法拉第效应
光和原子磁矩相互作用而产生的现象。
当 Y3Fe5O12一些透明物质透过直线偏光时，若同时施
加与入射光平行的磁场，透射光将在其偏振面上旋转一
定的角度射出，该现象为法拉第效应。
若施加与入射光垂直的磁场，入射光将分裂为沿原方向
的正常光束和偏离原方向的异常光束，为科顿 —— 莫顿
效应。
法拉第效应
偏振光
发生旋转
的偏振光
磁场 H
入射光 透射光
入射光
磁场 H
正常光线
异常光线
科顿 —— 莫顿效应。
（ 3）克尔效应
当光入射到被磁化的物质，或入射到外磁
场作用下的物质表面时，其发射光的偏振
面发生旋转的现象。
记录位
非记录位 记录位
光盘利用磁克尔效应进行光磁记录的原理
直线
偏振
光
记录层磁化
反平行磁化
这种为非接触式、大容量记录介质
非晶态磁光记录介质的优点是：不存在晶界等
相对于磁畴的障碍物，不产生反转磁畴的变形
等。多晶体的 MnBi的克尔旋转角大，是很有吸
引力的材料，但由于多晶体再生时，造成较大
的噪音，作为第一代光磁记录介质未被采用，
最近又重新引起人们的兴趣。
为了保存大量信息，需要高密度、高速度、高
效率、低价格的记录与存储。因此目前 磁光盘
正与磁记录、相变型可重写光盘 处于激烈的竞
争中。于是人们正在开发进行磁光盘用新型记
录介质的开发（例如：金属超晶格多层膜、磁
性石榴石等）
2,电流磁气效应
物质中流过电流的同时，施加磁场时所显示出
的物理现象。这种效应表现为电动势 E的变化。
一般说来，该电动势表现为下述 3项之和：
与磁场 H无关系的项：为电阻 R所产生的电动
势，符合欧姆定律（ E0=RI)。
霍尔电动势项：一般情况下，与磁场强度成正
比，称为霍尔效应 (与 I?H成正比 )。
磁致电阻电动势项：与 H(I?H)成正比，称为磁
致电阻效应,
霍尔效应：在于电流垂直的方向施加磁场，则在垂直于
电流轴和磁场轴所组成的平面的方向上产生电位差。这
种电位差为霍尔电压。霍尔元件（磁传感器），
InSb,GaAs半导体元件已实用化。
磁致电阻效应：施加磁场使物质电阻发生变化的现象称
为磁致电阻效应。包含两项：与磁场强度 H有关（正常
磁致电阻效应）和与磁化强度相关（异常磁致电阻效
应），其中第二项贡献最大。
各向异性磁致电阻效应：电阻率变化与磁化方向相关。
高灵敏度读取用的 MR磁头，就是利用这种效应。
利用该效应的材料有：巨磁致电阻效应材料、超巨磁致
电阻效应材料。
Ettinghausen效应：沿着霍尔电压方向产生温度
梯度的现象。
Nerst效应：在与电流垂直方向施加磁场，沿电
流方向产生温度梯度的现象。
磁各向异性：一般情况下，在铁磁体中存在着取
决于自发磁化方向的自由能，自发磁化向着该能
量取最小值的方向是最稳定的。而要向其他方向
旋转，能量会增加。
磁致伸缩效应：
（利用这一效应可以使磁能转变为机械能，而逆
效应可以使机械能转变为磁能。可以制作能量转
换器件，电气音响转换器件。
7.4 磁光效应材料与记录原理
磁盘由在圆盘状基表面附着磁记录介质
层构成。
由于其高存储容量、随机存取容易、迅
速等优点，已成为数字式记录、存储媒
体的主要形式。
记录密度与激光波长的关系：
激光光斑直径与波长的关系：
D约与波长成正比。
各种磁盘的结构示意图
基板
铝合金
（ Mg_Al)（ 1-
2mm)
磁性层（磁性粉、
粘结剂、添加剂）
润滑剂
硬盘
碳保护膜
磁性膜
（ CoCr(Ta)）
基板
铝合金
Ti电镀 NiFe膜
垂直磁性膜硬盘
通常采用各种溅射法，一般
情况下还夹有一层 Cr基地
层
基板
铝合金
SiO2保护膜
电镀磁性层 (CoNiP)NiP
电镀磁性膜硬盘
基板
(如 PET)
基板 (可挠性）
(如 PET)
基板
(如 PET)
磁性层（磁性粉、
粘结剂、添加剂）
软盘（涂
布型软盘）
磁性层 (CoNi(O)) 磁性层 (CoNi(O))
Ti膜
倾斜蒸镀可挠性软
盘（薄膜性磁盘）
准二层膜垂直记录可挠
性软盘（薄膜性磁盘）
磁记录介质：涂布型 —— 薄膜型 —— 垂
直记录型顺序发展。
采用电镀、蒸镀、溅射等方法。
磁性材料需要有大的磁各向异性微结构，
需要 Co合金膜沿特定方位生长，为此需
要 Cr打底层。
磁光效应材料 —— 光盘
磁光盘以光热磁原理进行记录、再生、属于可擦除重写型
光存储器，即可通过光热磁，将不必要的信息擦除，并改
写为必要的信息，目前所用的材料主要为锝 (Tb),铁、钴
等构成的非晶态合金膜。（向多层膜方向发展）
光磁记录具有下述特征：
（ 1）记录密度高（ 107-1010bit/cm2)
（ 2） 可擦除重写
（ 3）非接触式，从而可靠性高
（ 4）随机寸取
（ 5）光盘可自动装卸；
（ 6）可用于多道记录及全息照相存储
光磁记录的原理
磁光效应是基于光与物质的磁化（或磁场）相
互作用，而使光学参数发生变化的现象。
光盘
记录膜
气体激光器
半导体激光器
光调制器 透镜
光束分离器
光检出器
随机反射镜
聚焦透镜
记录时，利用激光的高
能量，再生（读取）时，
利用激光反射信号的检
出（克尔效应）
记录与再生的原理：记录介质采用较大的矫
玩力
垂直磁化膜
垂直磁化膜
记录位 bit 记录或写入方式有：
居里温度写入和补偿
温度写入。
弱磁场：使记录
位磁化反转
居里温度写入：磁性膜中需要记录的部分
被激光照射加热，温度上升到 Tc以上，该
部分变为非磁性，在其冷却过程中，受其
周围基体反磁场作用，会发生磁化反转。
如果通过线圈或永磁体外加磁场，则可实
现磁化的完全反转。
补偿温度写入：铁磁体垂直磁化膜的磁补
偿温度应在室温附近。当这种铁磁体被激
光加热到较高温度，该温度下对应的矫玩
力比室温时的矫玩力要低的多，这样，在
较弱的外磁场下即可容易地实现磁化反转。
读出或再生原理：利用克尔效应
或法拉第效应读出。读出时激光
不能使记录介质过热，其加热功
率要比记录时的功率低。
光电二极管
光盘的剖面图
光磁记录介质应具备的特性：
（ 1）满足垂直磁化的的条件
（ 2）作为能稳定的保持微小磁畴结构的条件
（ 3）再生灵敏度高
（ 4）记录灵敏度高
（ 5）低噪音
（ 6）化学、结构等稳定
（ 7）便于大面积均质成膜
TbFeCo磁光材料具有下列优势：
（ 1）在近红外能长期使用
（ 2）可容易垂直磁化
（ 3）非晶态结构，可避免晶界等造成的
再生噪音
（ 4）居里温度 200度，与半导体激光功
率可良好的对应。
采用多层膜用以提高旋转角
基板
保护层 SiO,ZnS
记录层 Tb-Fe-Co
玻璃成分
B2O3BaO +
BaO,Fe2O3
（ Ba铁氧体成分） +
CoO,TiO2
（ 矫玩力调整）
熔融急冷凝
固
Ba铁氧体薄片
结晶化
Ba铁氧体磁性粉
下一代光磁记录材料
为提高高记录密度，采用短波长光，
重点集中在在短波长区具有较大克尔
旋转角的材料，主要为含有 Nd及 Pr的
非晶态稀土 (R)-Fe-Co合金膜,Bi置换
磁性石榴石,Pt/Co多层膜（超晶格膜，
磁性与非磁性界面效应，可以开发出
新的性能和功能）
超高密度信息记录的新技术：
激光技术透镜聚焦
超纳米加工及分析测试技术：扫描隧道显微镜
(STM),原子力显微镜 (AFM),磁力显微镜
(MFM)等
采用可提高写入和读取密度的磁超分辨技术和磁
畴扩大再生技术。
短波长用法拉第旋转器件用材料：含 Tb的顺磁
性玻璃、含 Pb的反磁性玻璃，含 Eu的顺磁性玻
璃,Tb3Ga5O12,Tb3Al5O12,Cd0.55Mn0.45Te,Cd
MnHgTe
光盘存储材料
光存储技术的发展：以光为笔，以感光片为
纸的照片；以光为探头，以胶卷为长卷的电
影、电视等，这些光存储的中大多采用的是
可见光，多用化学物质的感光技术。而光盘
存储是现代的高科技光电子技术，光盘上信
息的写入与读出都是利用半导体激光器、探
测器来完成。
类别 材料 性能 应用
只读光盘：
CD,VCD
基片：有机玻
璃类 (PMMA)
或聚酸碳酯
光学膜：光聚
合物 +染料类
光敏有机材料
可擦写光盘
CD-R、
CD-RAM、
DVD-RAM、
MOD
基片材料同上
光学膜：
（ 1）结晶态
或非结晶态光
学相变材料
（ 2）磁光材
料
除了只读光盘
的应用外，还
可用于高清晰
度电视，特别
适合于计算机
的大容量存储，
不会受病毒干
扰而自动删除，
便利随机保存
信息资料。
光盘存储的密度：光盘存储可以是二维的面存储，也
可以是三维的立体存储，存储密度依赖于写入信息的
激光波长。面存储密度同波长的平方成反比。采用可
见光作写入的光盘信息密度为 107-108b/cm2,因此现
在大力发展蓝光激光器。体存储密度与波长的三次方
成反比。
光盘存储的原理：留声机是以金属唱针为探头，以唱
片为基质，利用唱针在旋转的唱片上刻下不同划痕的
纹路记录下声音，然后放唱片时，唱针在这些刻槽纹
路上同唱片摩擦，提取记录下的信号，经放大后还原
成能听到的声音。光盘与之相似。其所用探针为半导
体激光器发出的一束激光，唱片为对光敏感的光盘。
声像等原始信息 —— 取样编号（编制成,0”，
‘ 1’的数码） —— 半导体激光器 —— 调制激
光信号（光脉冲数码信号，即所谓的光
笔） —— 光盘光敏材料（用光笔写下脉冲数
码文字） —— 刻制光盘
半导体激光器 —— 光盘 —— 半导体探测器 —— 光
电信号放大 —— 解码处理器 —— 复还声像等信息
烧坑写入方式：即将带有调制信号的很强的激光聚
焦在光盘上，将光盘表面烧出一连串长短不同的坑，
制成带有大量信息的母盘。将母盘进行一系列的工
艺处理之后，制成压模，再利用压制工艺技术制成
大量的光盘产品。
利用光敏的相变、光折射、光致偏振等物理效应来
完成录制工作。在许多光抿材料中，光会引起相位、
折射率、偏振状态的变化。将调制好的激光粟照射
到这些材料上，就会留下光强的强弱、有无、长短
和偏振角度旋转等信息，也就是记录下音像等信号。
利用这类方式记录的信息，可以利用一束没有调制
信号的强光将所有信号抹去。
激光束的斑点大小决定了光盘存储密度
功能材料作为信息存储材料的主要条件是
（ 1）当外界微扰 P调节到达一定的临界值
Pc时，体系或分子可以从一种状态到达另一
种状态；（ 2）当外界微扰 P分别处在从小到
大高于 Pc和从大到小低于 Pc时，功能体系的
性质应有不同的数值（即具有滞后效应），
这种与样品状态历史有关的现象就起着记忆
功能；（ 3）功能体系在着两种状态之间的
过度必须很明显，并且被很灵敏的检测。
磁场强度对磁感应强度的磁滞回线显示，在小
的固定的磁场强度 Ho下，用激光进行局部加热，
使其磁性质发生从铁磁性到顺磁性的热相变逆
转，则在光盘中形成一种磁性区域处在相反磁
性的背景中这就达到了写入的目的。然后再利
用克尔磁光效应（在磁化表面两侧，两种偏振
光具有不同的反射率）或法拉第效应（在磁化
表面两侧，两种偏振光具有不同的折射率）达
到光的读出，也可以冷却后将磁场反向逆转到 -
Ho而进行信号的擦除。
材料有：半导体 GaAs,离子导体 NaSiCoN,非
线性光学材料 LiNiO3,铁磁性材料 Fe3O4,光
电转换材料 SrTiO3和热致变色材料 Ag2HgI4。
