第 14章 脉冲的基础知识和反相器
14.1 脉冲基础知识
14.2 晶体管开关特性
数字电路的基本概念
5
V(V)
0
t(ms)
10 20 30 40 50
数字信号在电路中常表现为突变的电压或电流。
一、模拟信号与数字信号
模拟信号 —— 时间连续数值也连续的信号。如速度、压
力、温度等。
数字信号 —— 在时间上和数值上均是离散的。如电子表
的秒信号，生产线上记录零件个数的记数信号等。
有两种逻辑体制：
正逻辑体制 规定：高电平为逻辑 1,低电平为逻辑 0。
负逻辑体制 规定：低电平为逻辑 1,高电平为逻辑 0。
下图为采用正逻辑体制所表的示逻辑信号：
二、正逻辑与负逻辑
数字信号是一种二值信号，用两个电平（高电平和低电
平）分别来表示两个逻辑值（逻辑 1和逻辑 0）。
逻辑 0 逻辑 0 逻辑 0
逻辑 1 逻辑 1
脉冲是一种 跃变 信号,并且 持续时间短暂
矩形波
尖顶波
14.1 脉冲基础知识
14.1.1 脉冲的概念及其波形
常见的脉冲波形
14.1.2 矩形脉冲波
Um
脉冲幅度
信号变化的最大值
0.9Um
0.1 Um
tf
脉冲上升沿
tr
0.5 Um t
w
脉冲下降沿
脉冲宽度
图中所示为
三个周期相同
（ T=20ms），但
幅度、脉冲宽度
及占空比各不相
同的数字信号。
V
t
( V )
( m s )
5
0
10 20 30 40 50
V
t
( V )
( m s )0
10 20 30 40 50
V
t
( V )
( m s )0
10 20 30 40 50
3.6
10
( a )
( b)
( c )
占空比 D,脉冲
宽度与脉冲周期
之比称为占空比，
即 。
T
tD w?
14.1.3 RC微分电路和积分电路
1,RC电路的过渡过程
（ 1） RC电路的充电过程
电容的充放电电路
电容器充电波形
t/? 0 0.7 1 2 3 5
uC/V 0 0.5 0.63 0.87 0.95 0.993
电容充电时间表
（ 2）电容的放电过程：
电容器放电波形
2,RC微分电路
微分电路及其波形
微分电路的作用,是一种能够将输入矩形脉冲变
换为正、负尖脉冲的波形变换电路。
构成微风电路的条件,（ 1） 电路应满足时间常
数 ?远小于输入矩形脉冲宽度 tw的条件，即 ? =RC
＜＜ tw。 （ 2）波形从电阻两端输出
?的取值,微分电路是利用电容的快速充、放
电将矩形脉冲变为正、负尖脉冲的，因此必
须满足 ? ? tw的条件。但 ? 的取值也不能过小，
分析表明 ? 的取值一般要求为
≤?≤
10
wt
3
wt
3,RC积分电路
积分电路及输入、输出波形
积分电路是一种常用的波形变换电路，它可以把矩形脉
冲变换成三角波 。
积分电路的组成条件 （ 1） 电路的时间常数 ?远
远大于输入脉冲宽度 tw，即 ?=RC? tw。
（ 2）信号从电容两端输出
?的取值,积分电路是利用电容的充、放电将矩形脉冲变为
三角波的的，因此必须满足 ??tw的条件。但 ? 的取值也不能
过大，分析表明 ?的取值一般要求为 ? ≥（ 3－ 5） tw
14.1.4 脉冲分压器
脉冲分压器
在脉冲电路中，经常要把
脉冲信号经过电阻分压送到
下一级，由于电路中存在各
种形式的电容，有的是下级
电路中所固有的，有的是接
线电容或寄生电容。这样，
在负载上好像并联了一个电
容 Co，如图 14.9所示。
为了克服 Co对脉冲分压器
输出波形的影响，常在 R1两
端并联 C1，要使输出电压不
失真，必须使 R1C1＝ R2Co
补偿电容 C1对输出
脉冲波形的影响
14.2 晶体管开关特性
(1)加正向电压 UF时，二极管导通，管压降 UD可忽略。二极
管相当于一个闭合的开关。
14.2.1 晶体二极管的开关特性及其应用
1,二极管的开关特性
V
RLF FU I
F
K
F RU L
I
可见, 二极管在电路中表现为一个 受外加电压 ui控制的开关 。
当外加电压 ui为一脉冲信号时, 二极管将随着脉冲电压
的变化在, 开, 态与, 关, 态之间转换 。 这个转换过程
就是二极管开关的 动态特性 。
(2)加反向电压 VR时，二极管截止，反向电流 IS可忽略。二
极管相当于一个断开的开关。
D
LRUR S
I
L
K
UR R
二极管在状态转换时需要一定的时间，即开
关时间。二极管的开关时间主要决定于二极管从
导通到截止的时间，即反向恢复时间。测试表明，
一般二极管的反向恢复时间在纳秒（ ns）数量级
（ 1ns=10?9s）。例如,2CK系列硅开关二极管的
开关时间为 5ns,2AK系列锗开关二极管的开关时
间是 150ns。
2,二极管限幅器
（ 1）串联限幅器
（ 2）并联限幅器
14.2.2 晶体三极管的开关特性及其应用
1,晶体三极管的开关特性
（ 1）截止状态,当 uI小于三极管发射结死区电压时,IB＝ ICBO≈0,
IC＝ ICEO≈0, uCE≈ VCC，三极管工作在截止区，对应图中的 A点。
三极管工作在截止状态的条件为：发射结反偏或小于死区电压
+
￡
+V
+
-
T1
2
3
B
i
R
e
b
iu
CC
R
I
C
b
C
c
CEV
V
Ci
CS
B1I
0.7V
B5
C/R
C
I
B2
B
I
B3
D
=0
I
I
B
I
=I BS
CC EV
CE
A
u
I
CC
B4
此时, 若调节 Rb↓, 则 IB↑, IC↑, uCE↓, 工作点沿着负载线由 A点
→ B点 → C点 → D点向上移动 。 在此期间, 三极管工作在放大区,
其特点为 IC＝ β IB。
三极管工作在放大状态的条件为,发射结正偏, 集电结反偏
（ 2） 放大状态,当 uI为正值且大于死区电压时, 三极管导通 。 有
b
I
b
BEI
B R
u
R
VuI ???
+
￡
+V
+
-
T1
2
3
B
i
R
e
b
iu
I
CC
R
C
b
C
c
CEu
V
Ci
CS
B1I
0.7V
B5
C/R
C
I
B2
B
I
B3
D
=0
I
I
B
I
=I BS
CC EV
A
uCE
I
CC
B4
再减小 Rb,IB会继续增加, 但 IC不会再增加, 三极管进入饱和状态 。
饱和时的 uCE电压称为饱和压降 uCES,其典型值为,UCES≈ 0.3V。
三极管工作在饱和状态的电流条件为,IB＞ IBS
电压条件为：集电结和发射结均正偏
（ 3） 饱和状态,uI不变, 继续减小 Rb,当 uCE ＝ 0.7V时, 集电结变为
零偏, 称为 临界饱和状态, 对应 E点 。 此时的集电极电流用 ICS表示, 基极
电流用 IBS表示, 有,
C
CC
C
0, 7 V-
R
V
R
VI CC
CS ?? C
CCCSBS
R
VII
?? ??
+
￡
+V
+
-
T1
2
3
B
i
R
e
b
iu
I
CC
R
C
b
C
c
CEu
V
Ci
CS
B1I
0.7V
B5
C/R
C
I
B2
B
I
B3
D
=0
I
I
B
I
=I BS
CC EV
CE
A
u
I
CC
B4
工作状态 截 止 放 大 饱 和
条 件
工
作
特
点
偏值情况
集电极电
流
管压降
近似的等
效电路
C,E间等
效电阻
c
b
e
b c
e
0, 7 V
I B
CSI
0B ?I BSB＜0 ＜ II BSB＞ II
0C ?I BC II ?? CCCCSC / RVII ??
CCCE VU ? CCCCCE RIVU ?? V3.0C E SCE ?? UU
三种工作状态比较
发射结电压＜
死区电压
发射结正偏
集电结反偏
发射结正偏
集电结正偏
很大
相当开关断开
可变 很小
相当开关闭合
b c
e
0.7V
IB IC
β IB
解,根据饱和条件 IB＞ IBS解题 。
例 1.4.1 电路及参数如图所示, 设输入电压 UI=3V,三极管的 UBE=0.7V。
（ 1） 若 β＝ 60,试判断 三极管 是否饱和, 并求出 IC和 UO的值 。
（ 2） 将 RC改为 6.8kW,重复以上计算 。
)0, 0 2 3 (1 0 00, 7-3 mAB ??I
)0, 0 2 0 (1060 12 mA
C
CCBS ???? RVI ?
∵ IB＞ IBS ∴ 三极管饱和。
)1, 2 (1012 mA
C
CCCSC ???? RVII
V3.0C E SO ?? UU
IB不变，仍为 0.023mA )0, 0 2 9 (6, 860 12 mA
C
CCBS ???? RVI ?
∵ IB＜ IBS ∴ 三极管处在放大状态。 )1, 4 (0, 0 2 360 mAB ????? II C ?
)2, 4 8 (6, 81, 4-12- VCCCCCEO ?????? RIVVV
+
+
+V
￡
-
T1
2
3
100kΩ
R
CC
R
U
b
I
VCC=+12V
U
C
O
10kΩ
（ 3） 将 RC改为 6.8kW,再将 Rb改为 60kW,重复以上计算 。
由此可见, Rb, RC, β等参数都
能决定三极管是否饱和 。
即 在 VI一定（要保证发射结正偏）和 VCC一定的条件下,Rb越小,β
越大,RC越大，三极管越容易饱和。 在数字电路中总是合理地选择这
几个参数，使三极管在导通时为饱和导通。
)0, 0 3 8 (600, 7-3 mAB ??I
IBS≈0.029 mA
∵ IB＞ IBS ∴ 三极管饱和。
)1, 7 6 (6, 812 mA
C
CCCS ????
R
VII
C
V3.0C E SO ?? UU
C
CC
b
I ＞
R
V
R
U
?
饱和条件可写为：
+
+
+V
￡
-
T1
2
3
100kΩ
R
CC
R
U
b
I
=12V
UO
C
\=
10kΩ
三极管的动态特性
（ 1） 延迟时间 td—— 从 vi正跳变
的瞬间开始，到 iC上升到
0.1ICS所需的时间
（ 2） 上升时间 tr—— iC从 0.1ICS
上升到 0.9ICS所需的时间。
（ 3） 存储时间 ts—— 从 vi下跳变
的瞬间开始，到 iC下降到
0.9ICS所需的时间。
（ 4） 下降时间 tf—— C从 0.9ICS
下降到 0.1ICS所需的时间。 +
－
+V
+
-
T1
2
3
B
i
R
e
b
i
V
CC
R
I
C
b
C
c
CE
V
V
i
0
V
2
I
C
I
CE O
I
CS
t
t
1
v
C
CSI
CSI
t
i
CSI
0,1
0,9
t d
St tr t f
开通时间 ton= td +tr
关断时间 toff= ts +tf
2,利用加速电容减小开关时间
为了提高开关速度，应设法减小开关时间，除选
用开关时间短的三极管开关外，还可以在电路上
采取措施提高开关速度。
加速电容的作用
14.2.3 晶体管反相器
反相器是脉冲电路中一种最基本而又常用的电路，是组成
其他脉冲单元电路的基础 。
反相器电路及波形
反相器的功能是低电平输入，高电平输出；高电平输入，
低电平输出。输出和输入波形的相位相反，所以，电路
称为反相器。
本章小结
（ 1）瞬间突然变化且作用时间极短的电压或电流称为脉冲
信号，简称脉冲。脉冲波有多种形状，最常见的是矩形波。
它的主要参数有幅度、上升沿时间、下降沿时间、脉冲宽度、
脉冲周期和频率。矩形波含有众多的谐波成分，所以又称为
多谐波。
（ 2） RC电路是脉冲电路的基础，利用 RC电路过渡过程的规
律可以对脉冲波进行变形。 RC微分电路（ ? ?tw,uO从 R两端
输出），当输入矩形脉冲时，输出为正、负尖脉冲； RC积
分电路（ ??tw,uO从 C两端输出），当输入矩形脉冲时，输出
近似三角波形。
（ 3）为避免脉冲分压器输出端寄生电容引起脉冲波形的失
真，应在脉冲分压器电路中加入补偿电容器（有时又称为加
速电容）。
（ 4）晶体二极管作为开关器件时，它的开通时间（由
截止状态转为导通状态的时间）比反向恢复时间（由导
通状态转向截止状态的时间）要短得多，因而二极管开
关速度主要取决于反向恢复时间。
（ 5）晶体三极管作为开关器件，有开通时间（由截止
状态转向饱和状态的时间）和关闭时间（由饱和状态转
为截止状态的时间），它们限制了三极管的开关速度。
为了提高三极管和开关速度，可采用连接加速电容的办
法。
（ 6）反相器是脉冲数字电路的基础。它有普通晶体管
反相器和 MOS反相器两大类。
14.1 脉冲基础知识
14.2 晶体管开关特性
数字电路的基本概念
5
V(V)
0
t(ms)
10 20 30 40 50
数字信号在电路中常表现为突变的电压或电流。
一、模拟信号与数字信号
模拟信号 —— 时间连续数值也连续的信号。如速度、压
力、温度等。
数字信号 —— 在时间上和数值上均是离散的。如电子表
的秒信号，生产线上记录零件个数的记数信号等。
有两种逻辑体制：
正逻辑体制 规定：高电平为逻辑 1,低电平为逻辑 0。
负逻辑体制 规定：低电平为逻辑 1,高电平为逻辑 0。
下图为采用正逻辑体制所表的示逻辑信号：
二、正逻辑与负逻辑
数字信号是一种二值信号，用两个电平（高电平和低电
平）分别来表示两个逻辑值（逻辑 1和逻辑 0）。
逻辑 0 逻辑 0 逻辑 0
逻辑 1 逻辑 1
脉冲是一种 跃变 信号,并且 持续时间短暂
矩形波
尖顶波
14.1 脉冲基础知识
14.1.1 脉冲的概念及其波形
常见的脉冲波形
14.1.2 矩形脉冲波
Um
脉冲幅度
信号变化的最大值
0.9Um
0.1 Um
tf
脉冲上升沿
tr
0.5 Um t
w
脉冲下降沿
脉冲宽度
图中所示为
三个周期相同
（ T=20ms），但
幅度、脉冲宽度
及占空比各不相
同的数字信号。
V
t
( V )
( m s )
5
0
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V
t
( V )
( m s )0
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V
t
( V )
( m s )0
10 20 30 40 50
3.6
10
( a )
( b)
( c )
占空比 D,脉冲
宽度与脉冲周期
之比称为占空比，
即 。
T
tD w?
14.1.3 RC微分电路和积分电路
1,RC电路的过渡过程
（ 1） RC电路的充电过程
电容的充放电电路
电容器充电波形
t/? 0 0.7 1 2 3 5
uC/V 0 0.5 0.63 0.87 0.95 0.993
电容充电时间表
（ 2）电容的放电过程：
电容器放电波形
2,RC微分电路
微分电路及其波形
微分电路的作用,是一种能够将输入矩形脉冲变
换为正、负尖脉冲的波形变换电路。
构成微风电路的条件,（ 1） 电路应满足时间常
数 ?远小于输入矩形脉冲宽度 tw的条件，即 ? =RC
＜＜ tw。 （ 2）波形从电阻两端输出
?的取值,微分电路是利用电容的快速充、放
电将矩形脉冲变为正、负尖脉冲的，因此必
须满足 ? ? tw的条件。但 ? 的取值也不能过小，
分析表明 ? 的取值一般要求为
≤?≤
10
wt
3
wt
3,RC积分电路
积分电路及输入、输出波形
积分电路是一种常用的波形变换电路，它可以把矩形脉
冲变换成三角波 。
积分电路的组成条件 （ 1） 电路的时间常数 ?远
远大于输入脉冲宽度 tw，即 ?=RC? tw。
（ 2）信号从电容两端输出
?的取值,积分电路是利用电容的充、放电将矩形脉冲变为
三角波的的，因此必须满足 ??tw的条件。但 ? 的取值也不能
过大，分析表明 ?的取值一般要求为 ? ≥（ 3－ 5） tw
14.1.4 脉冲分压器
脉冲分压器
在脉冲电路中，经常要把
脉冲信号经过电阻分压送到
下一级，由于电路中存在各
种形式的电容，有的是下级
电路中所固有的，有的是接
线电容或寄生电容。这样，
在负载上好像并联了一个电
容 Co，如图 14.9所示。
为了克服 Co对脉冲分压器
输出波形的影响，常在 R1两
端并联 C1，要使输出电压不
失真，必须使 R1C1＝ R2Co
补偿电容 C1对输出
脉冲波形的影响
14.2 晶体管开关特性
(1)加正向电压 UF时，二极管导通，管压降 UD可忽略。二极
管相当于一个闭合的开关。
14.2.1 晶体二极管的开关特性及其应用
1,二极管的开关特性
V
RLF FU I
F
K
F RU L
I
可见, 二极管在电路中表现为一个 受外加电压 ui控制的开关 。
当外加电压 ui为一脉冲信号时, 二极管将随着脉冲电压
的变化在, 开, 态与, 关, 态之间转换 。 这个转换过程
就是二极管开关的 动态特性 。
(2)加反向电压 VR时，二极管截止，反向电流 IS可忽略。二
极管相当于一个断开的开关。
D
LRUR S
I
L
K
UR R
二极管在状态转换时需要一定的时间，即开
关时间。二极管的开关时间主要决定于二极管从
导通到截止的时间，即反向恢复时间。测试表明，
一般二极管的反向恢复时间在纳秒（ ns）数量级
（ 1ns=10?9s）。例如,2CK系列硅开关二极管的
开关时间为 5ns,2AK系列锗开关二极管的开关时
间是 150ns。
2,二极管限幅器
（ 1）串联限幅器
（ 2）并联限幅器
14.2.2 晶体三极管的开关特性及其应用
1,晶体三极管的开关特性
（ 1）截止状态,当 uI小于三极管发射结死区电压时,IB＝ ICBO≈0,
IC＝ ICEO≈0, uCE≈ VCC，三极管工作在截止区，对应图中的 A点。
三极管工作在截止状态的条件为：发射结反偏或小于死区电压
+
￡
+V
+
-
T1
2
3
B
i
R
e
b
iu
CC
R
I
C
b
C
c
CEV
V
Ci
CS
B1I
0.7V
B5
C/R
C
I
B2
B
I
B3
D
=0
I
I
B
I
=I BS
CC EV
CE
A
u
I
CC
B4
此时, 若调节 Rb↓, 则 IB↑, IC↑, uCE↓, 工作点沿着负载线由 A点
→ B点 → C点 → D点向上移动 。 在此期间, 三极管工作在放大区,
其特点为 IC＝ β IB。
三极管工作在放大状态的条件为,发射结正偏, 集电结反偏
（ 2） 放大状态,当 uI为正值且大于死区电压时, 三极管导通 。 有
b
I
b
BEI
B R
u
R
VuI ???
+
￡
+V
+
-
T1
2
3
B
i
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CEu
V
Ci
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B2
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A
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I
CC
B4
再减小 Rb,IB会继续增加, 但 IC不会再增加, 三极管进入饱和状态 。
饱和时的 uCE电压称为饱和压降 uCES,其典型值为,UCES≈ 0.3V。
三极管工作在饱和状态的电流条件为,IB＞ IBS
电压条件为：集电结和发射结均正偏
（ 3） 饱和状态,uI不变, 继续减小 Rb,当 uCE ＝ 0.7V时, 集电结变为
零偏, 称为 临界饱和状态, 对应 E点 。 此时的集电极电流用 ICS表示, 基极
电流用 IBS表示, 有,
C
CC
C
0, 7 V-
R
V
R
VI CC
CS ?? C
CCCSBS
R
VII
?? ??
+
￡
+V
+
-
T1
2
3
B
i
R
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b
iu
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CC
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B2
B
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D
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B
I
=I BS
CC EV
CE
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I
CC
B4
工作状态 截 止 放 大 饱 和
条 件
工
作
特
点
偏值情况
集电极电
流
管压降
近似的等
效电路
C,E间等
效电阻
c
b
e
b c
e
0, 7 V
I B
CSI
0B ?I BSB＜0 ＜ II BSB＞ II
0C ?I BC II ?? CCCCSC / RVII ??
CCCE VU ? CCCCCE RIVU ?? V3.0C E SCE ?? UU
三种工作状态比较
发射结电压＜
死区电压
发射结正偏
集电结反偏
发射结正偏
集电结正偏
很大
相当开关断开
可变 很小
相当开关闭合
b c
e
0.7V
IB IC
β IB
解,根据饱和条件 IB＞ IBS解题 。
例 1.4.1 电路及参数如图所示, 设输入电压 UI=3V,三极管的 UBE=0.7V。
（ 1） 若 β＝ 60,试判断 三极管 是否饱和, 并求出 IC和 UO的值 。
（ 2） 将 RC改为 6.8kW,重复以上计算 。
)0, 0 2 3 (1 0 00, 7-3 mAB ??I
)0, 0 2 0 (1060 12 mA
C
CCBS ???? RVI ?
∵ IB＞ IBS ∴ 三极管饱和。
)1, 2 (1012 mA
C
CCCSC ???? RVII
V3.0C E SO ?? UU
IB不变，仍为 0.023mA )0, 0 2 9 (6, 860 12 mA
C
CCBS ???? RVI ?
∵ IB＜ IBS ∴ 三极管处在放大状态。 )1, 4 (0, 0 2 360 mAB ????? II C ?
)2, 4 8 (6, 81, 4-12- VCCCCCEO ?????? RIVVV
+
+
+V
￡
-
T1
2
3
100kΩ
R
CC
R
U
b
I
VCC=+12V
U
C
O
10kΩ
（ 3） 将 RC改为 6.8kW,再将 Rb改为 60kW,重复以上计算 。
由此可见, Rb, RC, β等参数都
能决定三极管是否饱和 。
即 在 VI一定（要保证发射结正偏）和 VCC一定的条件下,Rb越小,β
越大,RC越大，三极管越容易饱和。 在数字电路中总是合理地选择这
几个参数，使三极管在导通时为饱和导通。
)0, 0 3 8 (600, 7-3 mAB ??I
IBS≈0.029 mA
∵ IB＞ IBS ∴ 三极管饱和。
)1, 7 6 (6, 812 mA
C
CCCS ????
R
VII
C
V3.0C E SO ?? UU
C
CC
b
I ＞
R
V
R
U
?
饱和条件可写为：
+
+
+V
￡
-
T1
2
3
100kΩ
R
CC
R
U
b
I
=12V
UO
C
\=
10kΩ
三极管的动态特性
（ 1） 延迟时间 td—— 从 vi正跳变
的瞬间开始，到 iC上升到
0.1ICS所需的时间
（ 2） 上升时间 tr—— iC从 0.1ICS
上升到 0.9ICS所需的时间。
（ 3） 存储时间 ts—— 从 vi下跳变
的瞬间开始，到 iC下降到
0.9ICS所需的时间。
（ 4） 下降时间 tf—— C从 0.9ICS
下降到 0.1ICS所需的时间。 +
－
+V
+
-
T1
2
3
B
i
R
e
b
i
V
CC
R
I
C
b
C
c
CE
V
V
i
0
V
2
I
C
I
CE O
I
CS
t
t
1
v
C
CSI
CSI
t
i
CSI
0,1
0,9
t d
St tr t f
开通时间 ton= td +tr
关断时间 toff= ts +tf
2,利用加速电容减小开关时间
为了提高开关速度，应设法减小开关时间，除选
用开关时间短的三极管开关外，还可以在电路上
采取措施提高开关速度。
加速电容的作用
14.2.3 晶体管反相器
反相器是脉冲电路中一种最基本而又常用的电路，是组成
其他脉冲单元电路的基础 。
反相器电路及波形
反相器的功能是低电平输入，高电平输出；高电平输入，
低电平输出。输出和输入波形的相位相反，所以，电路
称为反相器。
本章小结
（ 1）瞬间突然变化且作用时间极短的电压或电流称为脉冲
信号，简称脉冲。脉冲波有多种形状，最常见的是矩形波。
它的主要参数有幅度、上升沿时间、下降沿时间、脉冲宽度、
脉冲周期和频率。矩形波含有众多的谐波成分，所以又称为
多谐波。
（ 2） RC电路是脉冲电路的基础，利用 RC电路过渡过程的规
律可以对脉冲波进行变形。 RC微分电路（ ? ?tw,uO从 R两端
输出），当输入矩形脉冲时，输出为正、负尖脉冲； RC积
分电路（ ??tw,uO从 C两端输出），当输入矩形脉冲时，输出
近似三角波形。
（ 3）为避免脉冲分压器输出端寄生电容引起脉冲波形的失
真，应在脉冲分压器电路中加入补偿电容器（有时又称为加
速电容）。
（ 4）晶体二极管作为开关器件时，它的开通时间（由
截止状态转为导通状态的时间）比反向恢复时间（由导
通状态转向截止状态的时间）要短得多，因而二极管开
关速度主要取决于反向恢复时间。
（ 5）晶体三极管作为开关器件，有开通时间（由截止
状态转向饱和状态的时间）和关闭时间（由饱和状态转
为截止状态的时间），它们限制了三极管的开关速度。
为了提高三极管和开关速度，可采用连接加速电容的办
法。
（ 6）反相器是脉冲数字电路的基础。它有普通晶体管
反相器和 MOS反相器两大类。
