第二章 半导体中的杂质和缺陷能级 例题: 第二章 半导体中的杂质与缺陷能级 例1. 半导体硅单晶的介电常数=11.8,电子和空穴的有效质量各为=0.97, =0.19和=0.16,=0.53,利用类氢模型估计: (1)施主和受主电离能; (2)基态电子轨道半径。 思路与解:(1)利用下式求得和。   因此,施主和受主杂质电离能各为:   (2)基态电子轨道半径各为:   式中, 是波尔半径。 评析:本题须注意的是硅的导带为多能谷结构,价带有两个,所以在计算杂质电离能和电子轨道半径时,需考虑电子横向有效质量和纵向有效质量,重空穴和轻空穴有效质量。 习题: 1.什么叫浅能级杂质?它们电离后有何特点? 2.什么叫施主?什么叫施主电离?施主电离前后有何特征?试举例说明之,并用能带图表征出n型半导体。 3.什么叫受主?什么叫受主电离?受主电离前后有何特征?试举例说明之,并用能带图表征出p型半导体。 4.掺杂半导体与本征半导体之间有何差异?试举例说明掺杂对半导体的导电性能的影响。 5.两性杂质和其它杂质有何异同? 6.深能级杂质和浅能级杂质对半导体有何影响? 7.何谓杂质补偿?杂质补偿的意义何在?