基础能力训练 选择填空 1.Ⅱ－Ⅵ族化合物半导体起施主作用的缺陷是（ ）。 A. 正离子填隙 B. 正离子缺位 C.负离子填隙 2.下列哪个参数不能由霍尔效应确定（） A. 迁移率μ B. 载流子浓度 C. 有效质量m* 3.非平衡电子的扩散电流密度扩的方向是（ ）。 A.流密度Sn的方向 B.电子扩散方向 C.电子浓度梯度方向 4. 有效陷阱中心的能级接近（）能级。 A.禁带中心能级 B.施主或受主能级 C.费米能级 5.在强电离区，N型半导体的费米能级位于（） A. 高于施主能级 B.低于施主能级 C.等于施主能级 6.在强电场下，随电场的增加，GaAs中载流子的平均漂移速率是（） A. 增加 B.减少 C.不变 7.直接复合时，小注入的N型半导体的非平衡载流子寿命τd主要决定于（ ）。 A.  B.  C.  8.N型半导体的霍尔系数随温度的变化 A. 从正变到负 B. 从负到正 C. 始终为负 9. 有效复合中心的能级接近（）能级。 A. 禁带中心能级Ei B. 施主或受主能级 C. 费米能级EF 10. 对于某n型半导体构成的金－半阻挡层接触，加上正向电压时，随着电压增加，阻挡层的厚度将逐渐（）。 A. 变宽 B. 不变 C. 变窄