第四章半导体的导电性 例题： 第四章 半导体的导电性 例1 室温下，本征锗的电阻率为47，试求本征载流子浓度。若掺入锑杂质，使每个锗原子中有一个杂质原子，计算室温下电子浓度和空穴浓度。设杂质全部电离。锗原子的浓度为，试求该掺杂锗材料的电阻率。设， 且认为不随掺杂而变化。。 思路与解：本征半导体的电阻率表达式为：  施主杂质原子的浓度  故   其电阻率   评析：有此题可见，半导体中的浅能级杂质对材料的电导率的影响很大。 例2. 在半导体锗材料中掺入施主杂质浓度，受主杂质浓度；设室温下本征锗材料的电阻率，假设电子和空穴的迁移率分别为，，若流过样品的电流密度为，求所加的电场强度。 思路与解：须先求出本征载流子浓度  又   联立得:    故样品的电导率：    即: E=1.996V/cm 评析：本题的锗中既掺有施主杂质又掺有受主，而且二者浓度相差不大，所以在计算电导率时，须既考虑电子的贡献，也要考虑空穴的贡献。 习题： 1.对于重掺杂半导体和一般掺杂半导体，为何前者的迁移率随温度的变化趋势不同？试加以定性分析。 2.何谓迁移率？影响迁移率的主要因素有哪些？ 3.试定性分析Si的电阻率与温度的变化关系。 4.证明当μn≠μp，且电子浓度，空穴浓度时半导体的电导率有最小值，并推导σmin的表达式。 5.0.12kg的Si单晶掺有3.0×10-9kg的Sb，设杂质全部电离，试求出此材料的电导率。（Si单晶的密度为2.33g/cm3，Sb的原子量为121.8）