1
§ 8.7 半导体的其他特性和应用
热敏电阻 （自学）
光敏电阻（ 自学）
P-N 结的适当组合可以作成具有放大作用的晶体三极管 （ trasistor）,以及其他一些晶体管。
集成电路：
温差电偶 （自学）
2
1947年 12月 23日，美国贝尔实验室的半导体小组做出了世界上第一只具有放大作用的点接触型 晶体三极管 。
固定针 B
探针固定针 A
Ge晶片
1956年小组的三位成员获诺贝尔物理奖。
巴丁 布拉颠 肖克来
3
晶体管的发明
4
pnp
电信号
c
b
Veb Vcb
R
e
~
后来，晶体管又从点接触型发展到 面接触型。
晶体管比真空电子管体积小，重量轻，
成本低，可靠性高，寿命长，很快成为第二代电子器件。
5
集成电路大规模集成电路超大规模集成电路下图为 INMOS T900 微处理器,
每一个集成块（图中一个长方形部分）
约为手指甲大小，
它有 300多万个三极管。
6
7
半导体激光器半导体激光器 是光纤通讯中的重要光源，在创建信息高速公路的工程中起着极重要的作用。
其核心部分是
p型 GaAs 和 n型 GaAs
构成的 P-N 结
（通过掺杂补偿工艺制得）。
下面是最简单的 GaAs 同质结 半导体激光器,
8
典型尺寸：
长 L = 250～ 500?m
宽 ｗ = 5～ 10?m
厚 d = 0.1～ 0.2?m
它的 激励能源是外加电压
(电泵 )．在正向偏压下工作。
解理面
P-N结
P-N结有大量载流子跃迁到较高能量的能级上。
9
当正向电压大到一定程度时，
在某些特定的能级之间造成粒子数反转 的状态，
形成电子与空穴复合发光。
P-Ｎ结本身就形成一个光学谐振腔,它的两个端面就相当于两个反射镜，
形成激光振荡。
适当镀膜后可达到所要求的很高的反射系数，并利于 选频 。,
由 自发辐射 引起 受激辐射 。,
解理面
P-N结
P-N结
10
半导体激光器的特点：
第八章晶体的能带结构结束功率可达 102 mW
效率高制造方便成本低所需电压低 (只需 1.5V )
体积小极易与光纤接合
§ 8.7 半导体的其他特性和应用
热敏电阻 （自学）
光敏电阻（ 自学）
P-N 结的适当组合可以作成具有放大作用的晶体三极管 （ trasistor）,以及其他一些晶体管。
集成电路：
温差电偶 （自学）
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1947年 12月 23日，美国贝尔实验室的半导体小组做出了世界上第一只具有放大作用的点接触型 晶体三极管 。
固定针 B
探针固定针 A
Ge晶片
1956年小组的三位成员获诺贝尔物理奖。
巴丁 布拉颠 肖克来
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晶体管的发明
4
pnp
电信号
c
b
Veb Vcb
R
e
~
后来，晶体管又从点接触型发展到 面接触型。
晶体管比真空电子管体积小，重量轻，
成本低，可靠性高，寿命长，很快成为第二代电子器件。
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集成电路大规模集成电路超大规模集成电路下图为 INMOS T900 微处理器,
每一个集成块（图中一个长方形部分）
约为手指甲大小，
它有 300多万个三极管。
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半导体激光器半导体激光器 是光纤通讯中的重要光源，在创建信息高速公路的工程中起着极重要的作用。
其核心部分是
p型 GaAs 和 n型 GaAs
构成的 P-N 结
（通过掺杂补偿工艺制得）。
下面是最简单的 GaAs 同质结 半导体激光器,
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典型尺寸：
长 L = 250～ 500?m
宽 ｗ = 5～ 10?m
厚 d = 0.1～ 0.2?m
它的 激励能源是外加电压
(电泵 )．在正向偏压下工作。
解理面
P-N结
P-N结有大量载流子跃迁到较高能量的能级上。
9
当正向电压大到一定程度时，
在某些特定的能级之间造成粒子数反转 的状态，
形成电子与空穴复合发光。
P-Ｎ结本身就形成一个光学谐振腔,它的两个端面就相当于两个反射镜，
形成激光振荡。
适当镀膜后可达到所要求的很高的反射系数，并利于 选频 。,
由 自发辐射 引起 受激辐射 。,
解理面
P-N结
P-N结
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半导体激光器的特点：
第八章晶体的能带结构结束功率可达 102 mW
效率高制造方便成本低所需电压低 (只需 1.5V )
体积小极易与光纤接合
