第 3章 宽带放大器
3.1 引 言
3.2 晶体管的高频小信号等效电路和参数
3.3 高频小信号宽带放大器
3.4 放大器的噪声
3.5 宽带功率放大器 ( * )
2
3.1 引言
3.1,1 高频（小信号）放大器分类和在通信系统中的位置
? 发射机中间各级的宽带功率放大器。工作于甲类或甲乙类
状态。（ * ） 。 （大信号，负载是传输线变压器。）
? 用于发射机末级，工作于丙类状态 。 （大信号非线性电路）
缓冲级倍频器 放大级 调制器
功率
放大器
振荡器
低频
功放
低频
放大
3
? 射频前端电路（ RF Front-End IC）：输入回路；高频放大；
本地振荡器；混频器。输出中频信号。（这是重点）
高频
放大
混频器
中频
放大
解调器
低频
放大
输入
回路
自动
增益
控制
本地
振荡器
? 高频放大和中频放大是高频小信号放大器 。
? 具有低通传输特性的负反馈控制系统（自动增益控制 AGC）。
4
3.1,2 对高频小信号放大器的要求
? 工作频率高。目前广泛使用的 GSM数字移动通信系统的手
机中，为 900MHz和 1800MHz（ 1900MHz ）。
? 增益够大，多级级联时工作稳定性好。
? 通频带够宽。因此，引出增益带宽乘积 GBP作为衡量宽带
放大器的质量指标。
? 放大器的噪声低。
实现途径：
? 选用好器件。选用特征频率 高和 小 的晶体管。
Tf cbC'
? 采用频带较宽的电路。例如共基极放大电路，共发一共基
放大电路。
? 在线路上可以采用负反馈的方法。
? 负载是谐振回路和 声表面波 滤波器等。 附录 3.1.1
? 输出信号幅度保持稳定。用自动增益控制（ AGC）电路。
附录 3.1.2
5
3.2 晶体管的高频小信号等效电路和参数
3.2.1 晶体管的混合 ?等效电路
? 基极体电阻 。在共基电路，会引起高频负反馈。
'bbr
ebr' ebC'
cbr'
cbC'
cer?
ebmVg '
?
ceV
?
beV
?
ebV'
b 'b
e
c
?
cI
?
bI
'bbr
? 集电结势垒电容,约为几 PF。 可以忽略。
cbC'
? 发射结扩散电容,约为 10～ 500PF。
ebC'
cbr'
Eeb Ir /26 0' ??
? 所以希望 和 尽量小 。
cbC' 'bbr
6
3.2.2 晶体管的高频参数
（ 1）截止频率,?f
? 共发电路的电流放大系数 ?值下降至低频值 的 时的
频率称为 ?截止频率，用 表示。
0? 21
?f
（ 2）特征频率,指 =1时的频率。Tf ?
? 特征频率 是晶体管在共发射极运用时能得到电流增益
的最高频率极限。
Tf
? 特征频率 是高于截止频率,约等于 的 倍。Tf ?f
?f 0?
? 特征频率 与阻容乘积 成反比，后者又决
定于晶体管的静态工作点，因此,也是静态工作点的
函数。
Tf )( '' cbebe CCr ?
Tf
eb
m
T C
gf
'2 ?
?? 当 时，存在近似关系 。
?ff ?
f
fT??
? 特征频率 是可查手册的，也可由仪器测量得到。Tf
7
（ 3）最高振荡频率,
maxf
? 晶体管的功率增益 =1时的工作频率称为最高振
荡频率 。
maxf
PG
cbebbb
m
CCr
gf
'''
m a x 42
1
??
maxf Tf ?f
（ 4） 截止频率, 和 的关系：?
?f ?f Tf
? 晶体管的共基极电流放大系数是,
其中 是低频时共基极短路电流放大系数，
是 下降到 时的频率。可推出：
?
?
?
?
f
f
j?
?
1
0
0?
??f 2/0?
?? ffT 0?
?f?f Tf0?
?? fff T ??
? 因为 <1，由上可得出三个频率参数, 和
的近似关系：
最高,次之,最低。
8
3.3 高频小信号宽带放大器
3.3.1 双极型晶体管共发射放大电路的高频特性
'bbr
ebr' ebC'
cbC'
cer
?
oV
?
sV
?
ebV'
b 'b
e
c
?
ebmVg 'sR
LRcR
'bbr
ebr' ebC'
?
oV
?
sV
?
ebV'
b 'b
e
c
?
ebmVg '
sR
'LR
1C 2C
cbC'
1C 2C
?
sV
s R B R
1C
C R
CCV
BBV
LR
ceCLL rRRR ////' ?
? 根据 密勒定理,可将
跨接电容 用并接在
输入和输出端的两个
电容 和 代替。
9
'LmRg
cbLm CRgC '
'1 ?
cbCC '2 ?
? 通 常 >>1，它们为：
? 由于 很小，其容抗
与 相比较，可忽略不计。
cbCC '2 ?
'LR
)1( '
'
'
''1 Lm
eb
cb
ebebin RgC
CCCCC ????? 等效输入电容为：
? 应用式,得到：
eb
m
T C
gf
'2 ?
?
ebcbLTebin DCCRCC '''' )1( ??? ?
式中 D称为密勒效应 D因子。
)1( '' cbLT CRD ???
? 可求得共发放大器源电压增益
的高频边界角频率为,'''
11
SebSin
h RDCRC ???
?
o
V
c
?
ebm
Vg '
'
L
R
'
b
in
C
'
s
R
'
sV
?
10
? 共发放大器的增益带宽积 GBP：
)( '
'
0
bbSin
Lm
h rRC
RgAG B P
?
?? ?
bbS
LT
rR
R
D
G B P
'
'
?
? ?
由上式可以得出如下结论：
（ 1）, 为获得较大的 GBP和高频边界角频率 值,应选用
小,小而 高的晶体管。
（ 2）, 增大,可以增大中频源电压增益,但由于 D因子
增大,将减小，因而 的选择应兼顾 和 的要求。
（ 3）, 管子选完后，为提高 值，信号源内阻 应尽可能
小,即放大器的输入信号尽量接近恒压源。
)1( '' cbLT CRD ???
h? cbC'
'bbr
Tf
'LR 0A
h?
'LR 0A
h?
sRh?
例,CAD1-04
11
3.3.2 双极型晶体管共基放大电路的高频特性
?
sV
s R
B R
1C
C R
BBV
?
oV
b
'be c
'LR
LC
CCV
2CE R
?
oV
bbr'
ebC'
er
cbC'
'sR
'sV?
?
ebmVg '
? 在图中，考虑到
的值较小，为了分析
简单，突出重点，暂时
把 忽略之。
bbr'
bbr'
cbC' LC
'LC
cbC' LC
?
oV
'b
e c
'
LR
'
sR
'
sV
?
er eb
C '
?
eb
V '
?
ebm
Vg '
'
LC
? 和 并联，设 = +,得简化后的等效电路图。
12
由以上分析可知,
（ 1） 集电结电容 是作为输出电容跨接在输出端，因而不存
在密勒倍增效应，其输入电容 就是 。可见，共基放大电
路输入电容要比共射放大电路输入电容小很多。
cbC'
inC ebC'
（ 2） 共基电路的输入电阻为,它比共射电路输入电阻小很
多。可见,输入电阻小、输入电容小是共基放大电路具有很好
的高频响应特性的主要原因 。
er
（ 3） 共基极短路电流放大系数 ?的截止频率 比较高（比截
止频率 大 ?倍），因此，共基极放大器的频率特性比共发
射极放大器好。
?f
?f
（ 4） 由于共基放大器不存在密勒效应，在多级级联时可以大
大减小晶体管内部反馈的作用，组成多级放大器时比较稳定。
（ 5） 共基极放大器虽然具有上述这些优点，但是，由于集电极
电流总是小于发射极电流，即它的电流放大倍数恒小于 1。
在多级级联时，常采用共发一共基组合电路的。
13
3.3.3 共发 ──共基级联电路的高频特性
?
sV
'LR ?
oV
1Q 2
Q
? 共发一共基组合放大电路的交流通
路如左图所示。晶体管, 分别
构成共发、共基组态电路。
1Q 2Q
? 共发 ──共基组合放大单元电路最
突出的特点是高频响应特性好，
频带宽。
? 一般情况下组合放大电路的上限截止频率主要取决于共发电
路。现在利用共基电路输入阻抗低的特点，将它作为共发电
路的 负载阻抗,从下式可知：
ebcbLTebin DCCRCC '''' )1( ??? ?
? 使得共发电路的密勒效应因子 D减小，从而可以有效地提高
共发电路的高频边界频率，也就是提高了组合电路的高频边
界频率。 例,CAD1-06
14
3.3.5 自动增益控制（ AGC）电路
ivO VAV ?可控增益
放大器
iV
CV
RV
控制电
压产生 低通
电平检
测电路比较器
vA
参考电压
? 上图为自动增益控制电路组成框图。
? 自动增益控制电路是一种在输入信号幅度变化很大的情况
下，使输出信号幅度保持恒定或仅在较小范围内变化的一种
自动控制电路。
? 自动增益控制是通过图中所示 非线性 闭合环路实现的。
15
1、对 AGC控制特性的要求
0
1V 2V
0V?
OV
iV
? 当输入信号小于门限电压 时，
系统无控制作用。此时，输出电
压 为输入电压的线性函数。
1V
? 当输入信号较强而其幅度超
过 时,AGC作用才反映出来。
此时，随着 的增强，输出电压
基本保持不变，或仅有极小的变化 。
1V
iV
? 当输入信号很强时,AGC的作用消失，其目的在于防止由于
AGC环路的作用，系统工作产生不稳定现象。
? 上述 AGC由于输入电压必须大于某一门限 才起作用，
因此又称为延迟 AGC。。 1V
16
2、增益控制电路
? 采用变跨导晶体管构成的可控增益放大电路。这种放大
器，当控制电压使其静态工作点移动时，放大器的增益也
随之改变，达到增益可控的目的。
? 改变放大器的集电极电压，或改变放大器的交变负载，
均可实现对放大器增益的控制。
? 下面两种分别适用于集成电路和较高工作频率的增益控
制电路。
（ 1）差分放大器增益控制电路
（ 2）电控衰减器增益控制电路
17
举例：
1R
2 R
3 R
4 R
5 R
6 R
1 C 2 C
3 C
4 C
5 C
6 C
D
VCC ?
AGC电压
至下级
中放
至低放
18
习题五,3-1,3-2，
CAD1-04 CAD1-06
19
附录 3.1.1 高频小信号放大器电路 返回
?
s
V
s
R
0
C
CC
V
L
R
C
e
R
e
C
0
C
1b
R
2b
R
C
M
20
?
sV
s R
bC
CCV
eR
1C
1bR
2bR
cR 主
中
放2C
cL
声表面波 滤波器（ SAW）
匹配网络
含有 声表面波 滤波器放大电路
返回附录 3.1.2
21
CAD1-04
题图 CAD1_04所示为单管共发射极放大电路的原理图。设
晶体管的参数为：,,,
400MHz,。调节偏置电压 使 。
返回
100?F? ?? 80'BBR PFC JC 5.20 ?
?Tf ??AV BBV mAICQ 1?
题图 CAD1_04 共发射极放大电路原理图
s R
1C
bR
cR
CCV?(+12V)
2k?
20k?F?10
1Q
sv
ov
BBV
22
（ 1）计算电路的上限频率和增益 -带宽积 G*BW；
（ 2）将 改为 200?，其它参数不变，重复（ 1）的计算；
（ 3）将 改为 1k?，其它参数不变，重复（ 1）的计算；
（ 4）将 改为 9PF，其它参数不变，重复（ 1）的计算；
（ 5）将 从 400MHz改为 800MHz，其它参数不变，
重复（ 1）的计算。
根据上述结果讨论,,, 对高频特性
的影响。 'BBR SR 0JCC Tf
返回
'BBR
SR
0JCC
Tf
23
CAD1-06
题图 CAD1_06所示是某集成电路的一个 CE-CB组合
放大单元。假设各管参数相同：
,=60?，,,
=400MHz。
返回
150?F? 'BBR AI S 16101 ??? pFC cb 1' ?
Tf
1Q
2R
1R
3R
4R
5R
6R
7R
8R
9R
sR
2Q
3Q
4Q
5Q
11k?
8.2k?
3.8k?
1.8k?
1k?
6k? 3k?
5.6k?
500?
200?
1C
F?10
CCV?
(+12V)
1ov
sv
ov
题图 CAD1_06 CE-CB
组合放大电路
24
返回
（ 1）作直流分析，求电路的静态工作点。
（ 2） 作交流分析, 求, 的幅频
特性曲线, 确定其中频 增益及上限截止频率 。
（ 3） 若在 两端并入一只 47?F的电容, 求 的
幅频特性曲线, 确定其中频增益和上限截止频率 。
（ 4） 若将晶体管 去掉, 直接接在 的集电极 （ 即将
由, 组成的 CE-CB组合放大单元变成由 组成的
单管 CE放大电路 ）, 分别求并入 和不并入 两种
情况下的 幅频特性曲线, 确定其中频增益及上
限截止频率, 并与上面的计算结果相比较, 说明为什么不同,
产生的原因是什么？
SvS vvA /011 ? SvS vvA /0?
8R 2
C SvS vvA /0?
SvS vvA /0?
2C 2C
3Q 7R
4Q
4Q 4Q3Q
25
CAD1_04的 参考网单文件
s R
1C
bR
cR
(+12V)
2k?
20k?F?10200?
1Q
sv
ov
BBV
返回
26
CAD1_06的 参考网单文件
1Q
2R
1R
3R
4R
5R
6R
7R
8R
9R
10R
2Q
3Q
4Q
5Q
11k?
8.2k?
3.8k?
1.8k?
1k?
6k? 3k?
5.6k?
500?
200?
1C
F?10
CCV?
(+12V)
1ov
ov
返回
3.1 引 言
3.2 晶体管的高频小信号等效电路和参数
3.3 高频小信号宽带放大器
3.4 放大器的噪声
3.5 宽带功率放大器 ( * )
2
3.1 引言
3.1,1 高频（小信号）放大器分类和在通信系统中的位置
? 发射机中间各级的宽带功率放大器。工作于甲类或甲乙类
状态。（ * ） 。 （大信号，负载是传输线变压器。）
? 用于发射机末级，工作于丙类状态 。 （大信号非线性电路）
缓冲级倍频器 放大级 调制器
功率
放大器
振荡器
低频
功放
低频
放大
3
? 射频前端电路（ RF Front-End IC）：输入回路；高频放大；
本地振荡器；混频器。输出中频信号。（这是重点）
高频
放大
混频器
中频
放大
解调器
低频
放大
输入
回路
自动
增益
控制
本地
振荡器
? 高频放大和中频放大是高频小信号放大器 。
? 具有低通传输特性的负反馈控制系统（自动增益控制 AGC）。
4
3.1,2 对高频小信号放大器的要求
? 工作频率高。目前广泛使用的 GSM数字移动通信系统的手
机中，为 900MHz和 1800MHz（ 1900MHz ）。
? 增益够大，多级级联时工作稳定性好。
? 通频带够宽。因此，引出增益带宽乘积 GBP作为衡量宽带
放大器的质量指标。
? 放大器的噪声低。
实现途径：
? 选用好器件。选用特征频率 高和 小 的晶体管。
Tf cbC'
? 采用频带较宽的电路。例如共基极放大电路，共发一共基
放大电路。
? 在线路上可以采用负反馈的方法。
? 负载是谐振回路和 声表面波 滤波器等。 附录 3.1.1
? 输出信号幅度保持稳定。用自动增益控制（ AGC）电路。
附录 3.1.2
5
3.2 晶体管的高频小信号等效电路和参数
3.2.1 晶体管的混合 ?等效电路
? 基极体电阻 。在共基电路，会引起高频负反馈。
'bbr
ebr' ebC'
cbr'
cbC'
cer?
ebmVg '
?
ceV
?
beV
?
ebV'
b 'b
e
c
?
cI
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bI
'bbr
? 集电结势垒电容,约为几 PF。 可以忽略。
cbC'
? 发射结扩散电容,约为 10～ 500PF。
ebC'
cbr'
Eeb Ir /26 0' ??
? 所以希望 和 尽量小 。
cbC' 'bbr
6
3.2.2 晶体管的高频参数
（ 1）截止频率,?f
? 共发电路的电流放大系数 ?值下降至低频值 的 时的
频率称为 ?截止频率，用 表示。
0? 21
?f
（ 2）特征频率,指 =1时的频率。Tf ?
? 特征频率 是晶体管在共发射极运用时能得到电流增益
的最高频率极限。
Tf
? 特征频率 是高于截止频率,约等于 的 倍。Tf ?f
?f 0?
? 特征频率 与阻容乘积 成反比，后者又决
定于晶体管的静态工作点，因此,也是静态工作点的
函数。
Tf )( '' cbebe CCr ?
Tf
eb
m
T C
gf
'2 ?
?? 当 时，存在近似关系 。
?ff ?
f
fT??
? 特征频率 是可查手册的，也可由仪器测量得到。Tf
7
（ 3）最高振荡频率,
maxf
? 晶体管的功率增益 =1时的工作频率称为最高振
荡频率 。
maxf
PG
cbebbb
m
CCr
gf
'''
m a x 42
1
??
maxf Tf ?f
（ 4） 截止频率, 和 的关系：?
?f ?f Tf
? 晶体管的共基极电流放大系数是,
其中 是低频时共基极短路电流放大系数，
是 下降到 时的频率。可推出：
?
?
?
?
f
f
j?
?
1
0
0?
??f 2/0?
?? ffT 0?
?f?f Tf0?
?? fff T ??
? 因为 <1，由上可得出三个频率参数, 和
的近似关系：
最高,次之,最低。
8
3.3 高频小信号宽带放大器
3.3.1 双极型晶体管共发射放大电路的高频特性
'bbr
ebr' ebC'
cbC'
cer
?
oV
?
sV
?
ebV'
b 'b
e
c
?
ebmVg 'sR
LRcR
'bbr
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cbC'
1C 2C
?
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s R B R
1C
C R
CCV
BBV
LR
ceCLL rRRR ////' ?
? 根据 密勒定理,可将
跨接电容 用并接在
输入和输出端的两个
电容 和 代替。
9
'LmRg
cbLm CRgC '
'1 ?
cbCC '2 ?
? 通 常 >>1，它们为：
? 由于 很小，其容抗
与 相比较，可忽略不计。
cbCC '2 ?
'LR
)1( '
'
'
''1 Lm
eb
cb
ebebin RgC
CCCCC ????? 等效输入电容为：
? 应用式,得到：
eb
m
T C
gf
'2 ?
?
ebcbLTebin DCCRCC '''' )1( ??? ?
式中 D称为密勒效应 D因子。
)1( '' cbLT CRD ???
? 可求得共发放大器源电压增益
的高频边界角频率为,'''
11
SebSin
h RDCRC ???
?
o
V
c
?
ebm
Vg '
'
L
R
'
b
in
C
'
s
R
'
sV
?
10
? 共发放大器的增益带宽积 GBP：
)( '
'
0
bbSin
Lm
h rRC
RgAG B P
?
?? ?
bbS
LT
rR
R
D
G B P
'
'
?
? ?
由上式可以得出如下结论：
（ 1）, 为获得较大的 GBP和高频边界角频率 值,应选用
小,小而 高的晶体管。
（ 2）, 增大,可以增大中频源电压增益,但由于 D因子
增大,将减小，因而 的选择应兼顾 和 的要求。
（ 3）, 管子选完后，为提高 值，信号源内阻 应尽可能
小,即放大器的输入信号尽量接近恒压源。
)1( '' cbLT CRD ???
h? cbC'
'bbr
Tf
'LR 0A
h?
'LR 0A
h?
sRh?
例,CAD1-04
11
3.3.2 双极型晶体管共基放大电路的高频特性
?
sV
s R
B R
1C
C R
BBV
?
oV
b
'be c
'LR
LC
CCV
2CE R
?
oV
bbr'
ebC'
er
cbC'
'sR
'sV?
?
ebmVg '
? 在图中，考虑到
的值较小，为了分析
简单，突出重点，暂时
把 忽略之。
bbr'
bbr'
cbC' LC
'LC
cbC' LC
?
oV
'b
e c
'
LR
'
sR
'
sV
?
er eb
C '
?
eb
V '
?
ebm
Vg '
'
LC
? 和 并联，设 = +,得简化后的等效电路图。
12
由以上分析可知,
（ 1） 集电结电容 是作为输出电容跨接在输出端，因而不存
在密勒倍增效应，其输入电容 就是 。可见，共基放大电
路输入电容要比共射放大电路输入电容小很多。
cbC'
inC ebC'
（ 2） 共基电路的输入电阻为,它比共射电路输入电阻小很
多。可见,输入电阻小、输入电容小是共基放大电路具有很好
的高频响应特性的主要原因 。
er
（ 3） 共基极短路电流放大系数 ?的截止频率 比较高（比截
止频率 大 ?倍），因此，共基极放大器的频率特性比共发
射极放大器好。
?f
?f
（ 4） 由于共基放大器不存在密勒效应，在多级级联时可以大
大减小晶体管内部反馈的作用，组成多级放大器时比较稳定。
（ 5） 共基极放大器虽然具有上述这些优点，但是，由于集电极
电流总是小于发射极电流，即它的电流放大倍数恒小于 1。
在多级级联时，常采用共发一共基组合电路的。
13
3.3.3 共发 ──共基级联电路的高频特性
?
sV
'LR ?
oV
1Q 2
Q
? 共发一共基组合放大电路的交流通
路如左图所示。晶体管, 分别
构成共发、共基组态电路。
1Q 2Q
? 共发 ──共基组合放大单元电路最
突出的特点是高频响应特性好，
频带宽。
? 一般情况下组合放大电路的上限截止频率主要取决于共发电
路。现在利用共基电路输入阻抗低的特点，将它作为共发电
路的 负载阻抗,从下式可知：
ebcbLTebin DCCRCC '''' )1( ??? ?
? 使得共发电路的密勒效应因子 D减小，从而可以有效地提高
共发电路的高频边界频率，也就是提高了组合电路的高频边
界频率。 例,CAD1-06
14
3.3.5 自动增益控制（ AGC）电路
ivO VAV ?可控增益
放大器
iV
CV
RV
控制电
压产生 低通
电平检
测电路比较器
vA
参考电压
? 上图为自动增益控制电路组成框图。
? 自动增益控制电路是一种在输入信号幅度变化很大的情况
下，使输出信号幅度保持恒定或仅在较小范围内变化的一种
自动控制电路。
? 自动增益控制是通过图中所示 非线性 闭合环路实现的。
15
1、对 AGC控制特性的要求
0
1V 2V
0V?
OV
iV
? 当输入信号小于门限电压 时，
系统无控制作用。此时，输出电
压 为输入电压的线性函数。
1V
? 当输入信号较强而其幅度超
过 时,AGC作用才反映出来。
此时，随着 的增强，输出电压
基本保持不变，或仅有极小的变化 。
1V
iV
? 当输入信号很强时,AGC的作用消失，其目的在于防止由于
AGC环路的作用，系统工作产生不稳定现象。
? 上述 AGC由于输入电压必须大于某一门限 才起作用，
因此又称为延迟 AGC。。 1V
16
2、增益控制电路
? 采用变跨导晶体管构成的可控增益放大电路。这种放大
器，当控制电压使其静态工作点移动时，放大器的增益也
随之改变，达到增益可控的目的。
? 改变放大器的集电极电压，或改变放大器的交变负载，
均可实现对放大器增益的控制。
? 下面两种分别适用于集成电路和较高工作频率的增益控
制电路。
（ 1）差分放大器增益控制电路
（ 2）电控衰减器增益控制电路
17
举例：
1R
2 R
3 R
4 R
5 R
6 R
1 C 2 C
3 C
4 C
5 C
6 C
D
VCC ?
AGC电压
至下级
中放
至低放
18
习题五,3-1,3-2，
CAD1-04 CAD1-06
19
附录 3.1.1 高频小信号放大器电路 返回
?
s
V
s
R
0
C
CC
V
L
R
C
e
R
e
C
0
C
1b
R
2b
R
C
M
20
?
sV
s R
bC
CCV
eR
1C
1bR
2bR
cR 主
中
放2C
cL
声表面波 滤波器（ SAW）
匹配网络
含有 声表面波 滤波器放大电路
返回附录 3.1.2
21
CAD1-04
题图 CAD1_04所示为单管共发射极放大电路的原理图。设
晶体管的参数为：,,,
400MHz,。调节偏置电压 使 。
返回
100?F? ?? 80'BBR PFC JC 5.20 ?
?Tf ??AV BBV mAICQ 1?
题图 CAD1_04 共发射极放大电路原理图
s R
1C
bR
cR
CCV?(+12V)
2k?
20k?F?10
1Q
sv
ov
BBV
22
（ 1）计算电路的上限频率和增益 -带宽积 G*BW；
（ 2）将 改为 200?，其它参数不变，重复（ 1）的计算；
（ 3）将 改为 1k?，其它参数不变，重复（ 1）的计算；
（ 4）将 改为 9PF，其它参数不变，重复（ 1）的计算；
（ 5）将 从 400MHz改为 800MHz，其它参数不变，
重复（ 1）的计算。
根据上述结果讨论,,, 对高频特性
的影响。 'BBR SR 0JCC Tf
返回
'BBR
SR
0JCC
Tf
23
CAD1-06
题图 CAD1_06所示是某集成电路的一个 CE-CB组合
放大单元。假设各管参数相同：
,=60?，,,
=400MHz。
返回
150?F? 'BBR AI S 16101 ??? pFC cb 1' ?
Tf
1Q
2R
1R
3R
4R
5R
6R
7R
8R
9R
sR
2Q
3Q
4Q
5Q
11k?
8.2k?
3.8k?
1.8k?
1k?
6k? 3k?
5.6k?
500?
200?
1C
F?10
CCV?
(+12V)
1ov
sv
ov
题图 CAD1_06 CE-CB
组合放大电路
24
返回
（ 1）作直流分析，求电路的静态工作点。
（ 2） 作交流分析, 求, 的幅频
特性曲线, 确定其中频 增益及上限截止频率 。
（ 3） 若在 两端并入一只 47?F的电容, 求 的
幅频特性曲线, 确定其中频增益和上限截止频率 。
（ 4） 若将晶体管 去掉, 直接接在 的集电极 （ 即将
由, 组成的 CE-CB组合放大单元变成由 组成的
单管 CE放大电路 ）, 分别求并入 和不并入 两种
情况下的 幅频特性曲线, 确定其中频增益及上
限截止频率, 并与上面的计算结果相比较, 说明为什么不同,
产生的原因是什么？
SvS vvA /011 ? SvS vvA /0?
8R 2
C SvS vvA /0?
SvS vvA /0?
2C 2C
3Q 7R
4Q
4Q 4Q3Q
25
CAD1_04的 参考网单文件
s R
1C
bR
cR
(+12V)
2k?
20k?F?10200?
1Q
sv
ov
BBV
返回
26
CAD1_06的 参考网单文件
1Q
2R
1R
3R
4R
5R
6R
7R
8R
9R
10R
2Q
3Q
4Q
5Q
11k?
8.2k?
3.8k?
1.8k?
1k?
6k? 3k?
5.6k?
500?
200?
1C
F?10
CCV?
(+12V)
1ov
ov
返回
