固体物理学_黄昆 _第四章 能带理论 _20040920
§4 .7 能态密度和费密面
1. 能态密度函数
原子中的电子的能量是一系列分立的能级,在固体中电子的能量由一些准连 续的能级形成的能带。
能量在 EEE ?+~ 之间的能态数目 Z?
能态密度函数:
0
( ) lim
E
Z
NE
E
?→
?
=
?
在 k
K
空间, 根据 构成的面为等 能面,如图
XCH004_036 所示。 由
ConskE =)(
K
EEandE ?+ 围成的体积为 V? ,状 态
在 k
K
空间是均匀分布的
其密度:
3
)2( π
V
——动量标度下的能态密度
则可以将 EEE ?+~ 之间的能态数目表示为:
∫
= dSdk
V
Z
3
)2( π
?
dk 表示两个等能面间的垂直距离,显然有: EEdk
k
?=?
将
E
E
dk
k
?
=
?
代入
∫
= dSdk
V
Z
3
)2( π
? 得到: E
E
dSV
Z
k
?
π
?
?
?
?
?
?
?
?
?
?
=
∫3
)2(
能态密度:
∫
?
=
E
dSV
EN
k
3
)2(
)(
π
如果考虑到电子的自旋,能态密度:
∫
?
=
E
dSV
EN
k
3
4
)(
π
1) 自由电子的能态密度
电子的能量:
m
k
kE
2
)(
22
=
K
= ,在 k
K
空间等能面是半径
2mE
k =
=
的球面,如图 XCH004_044_01
在球面上
dk
dE
E
k
=? ,
m
k
E
k
2
=
=? ,在球面上为一常数。
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能态密度:
∫
?
=
E
dSV
EN
k
3
4
)(
π
∫
?
= dS
E
V
EN
k
3
4
)(
π
2
23
4
4
)( k
k
mV
EN π
π
?=
=
将
2mE
k =
=
代入得到:
2
1
2
3
22
)
2
(
)2(
2
)( E
mV
EN
=π
= ——能量标度下的能态密度
2) 近自由电子的能态密度
晶体的周期性势场对能量的影响表现在布里渊区附近。
等能面的变化
考虑第一布里渊区的等能面的情况, 对于二维正方格子, 波矢在接近布里渊区的 A 点时, 能量受到
周期性的微扰而下降, 等能面将向边界凸现。 在 A 点到 C 点之间, 等能面不再是完整的闭合面, 而
是分割在各个顶点附近的曲面,如图 XCH004_038。
能态密度的变化
随着 k 接近布里渊区,等能面不断向边界凸现,两个等能面之间的体积不断增大,能态密度较自由
电子的将显著增大。 在 A 点到 C 点之间, 等能面发生残缺, 达到 C 点时, 等能面缩成一个点, 因此
能态密度将不断减小直到为零。如图 XCH004_037。
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第二布里渊区能态密度
在 E 越 过第一 布里 渊区的 A 点,从 B 点开 始能 态密 度由零 迅速 增大。图 XCH004_039_01 和图
XCH004_039_02 表示了能带重叠和不重叠两种情况下,能态密度的变化。
3) 紧束缚模型的电子能态密度
对于简单立方格子的 s 带
)coscos(cos2)(
10
akakakJEkE
zyx
s
++?=
附近,0=k )(
2
)(
222
*
2
min zyx
kkk
m
EkE +++=
=
——等能面为球面,与自由电子相似
0=
z
k 截面的等能面如图 XCH004_040 所示。
随着 E 的增大,等能面与近自由电子的情况类似。
)sinsin(sin2
1
akakakaJE
zyxk
++=?
能态密度 (函数曲线如图 XCH004_041 所示 ):
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3
1
()
8 (sin sin sin )
xy
VdS
NE
aJ ka ka kaπ
=
++
∫
等能面z
带底 和
10
6JEE ?=
10
2JEE ?= 出现微商不连续的奇点 —— 等能面与布里渊区相交。
X 点 )0,0,(
a
K
π
= 的能量: ,其所在的等能面如图 XCH004_042 所示
10
2JEE
X
?=
0
EE= 的等能面如图 XCH_004_043 所示。
2. 费米面
1) 如果固体中有 N 个自由电子, 按照泡利原理它们基态是由 N 个电子由低到高填充的 N 个量子态。
电子的能级:
m
k
kE
2
)(
22
=
K
=
则 N 个电子在 k
K
空间填充一个半径为 的球,球内包
含 N 个状态数:
F
k
3
3
3
4
)2(
2
F
k
V
N π
π
×=
球的半径:
3/13/1
)()
8
3
(2
V
N
k
F
π
π= ,
3/1
)
8
3
(2
π
π
n
k
F
=
费米波矢、费米动量、费米速度和费米温度
费米球:在波矢空间以
2
F
F
mE
k =
=
为半径做出的球
面,如图 XHC004_044 所示。
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费米能量:
22
2
F
F
k
E
m
=
=
费米球半径:
2
F
F
mE
k =
=
费米动量: ,
FF
kp
K
=
K
= 2
FF
p mE=
费米速度:
m
p
v
F
F
K
K
=
费米温度: ,
FBF
TkE =
B
F
F
k
E
T =
自由电子球半径 :
s
r
3
3
41
s
r
nN
V
π== ,
3/1
)
4
3
(
n
r
s
π
=
简单计算可以得到:
3/1
)
8
3
(2
π
π
n
k
F
= ,
s
F
r
k
92.1
=
sm
arm
p
v
s
F
F
/10
/
20.4
6
0
×== —— 氢原子基态玻尔半径: ma
-10
0
10529.0 ×=
22
2
F
F
k
E
m
=
=
,
2
0
)/(
1.51
ar
eV
E
s
F
= —— 1.5 ~ 10eV eV
2) 晶体中的电子
满带:电子占据了一个能带中所有的状态,称该能带为满带。
空带:没有任何电子占据(填充)的能带,称为空带;
导带:一个能带中所有的状态没有被电子占满,即不满带,或说最下面的一个空带;
价带:导带以下的第一个满带,或者最上面的一个满带;
禁带:两个能带之间,不允许存在的能级宽度,称为禁带,或带隙。
单电子的能级由于周期性势场的影响而形成一系列的准连续的能带, N 个电子填充这些能带中最低
的 N 个状态。
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对于半导体和绝缘体
电子刚好填满最低的一系列能带, 形成满带 (价带) , 导 带 (最下面的空带) 中没有电子。 对于半导
体禁带(带隙)的宽度较小 : ~1 eV。如图 XCH005_011 所示。
—— 对于绝缘体禁带(带隙)的宽度较宽 : ~10 eV。
对于金属
电子除了填满一系列的能带形成满带,还部分填充了其它能带形成导带。
在这种情况 下,电子填 充的最高能 级为费密能 级,位于一 个或几个能 带范围内, 因此在不同 的能带
中,在 k 空间形成不同的费密面。
对于碱金属, 具有体心立方格子, 每个原胞内有一个原子, 由 N 个原子构成的晶体, 各满层电子的
能级相应地分成 2N 个量子态的能带,内层电子刚好填满了相应的能带。
—— 例如 的能级,原子的量子态数为 8,电子填充数为 8 个。形成晶体后相应的能带 2s( 1
个) 、 2p( 3 个) ,共 4 个能带,每个能带所容许的量子态 2N,共有 8N 个量子态。因此刚好可以填
充 8N 个电子。
2n =
对于 ns 态所对应的能带可以填充 2N 电子, N 个原子只有 N
个自由电子。 因此只填充了半个能带而形成导带。 所以碱金属
为典型的金属导体,对应的费米面没有与布里渊区界面相交,
因而费米面接近球面。
对于二价碱土金属, 最外层有 2 个 s 态电子, 似乎刚好填充满
和 s 相应的能带。 但由于与 s 对应的能带和上面的能带发生重
叠, 2N 个尚未填充满与 s 态对应的能带,就开始填充上面的
能带, 形成两个能带都是部分填充, 因此碱土金属为金属导体。
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如图 XHC004_045 所示。第一布里渊区中的状态尚未填满,第二布里渊区已填充电子,此时的费米
面由两部分构成。
具有金刚石结构的 IVB 族元素 C、 Si 和 Ge 电子的填充
IVB 原子外层有 4 个电子, 形成晶体后成键态
对应 4 个能带在下面, 反 键态对应 4 个能带在
上面。 每个能带可容纳 2N 个电子, 成键态的
4 个能带刚好可以容纳 8N 电子。在金刚石结
构晶体中, 每个原胞有两个原子, 共 8 个电子。
所以晶体中的 8N 个电子全部填充在成键态的
4个能带中形成满带, 反键 态则是导带 ( 空带) 。
Si 和 Ge 为半 导体 ,金刚 石为 绝缘体 。如 图
XHC004_030 所示。
—— 能态密度的实验结果
用 X 射线可以将原子内层的电子激发, 因而产生空的内层能级, 当外层电子 (导带中的电子) 跃 迁
填充内层能级时发射出 X 射线光子。
如图 XCH004_052 所示, 用 X 射线将 Na 原子的内层电
子激发产生诸如 1s、 2s 和 3p 等空的内层能级。
—— K表示导带中的电子到 1s 能级的跃迁
—— L
I
表示导带中的电子到 2s能级的跃迁
—— L
II
表示导带中的电子到 2p能级的跃迁
—— L
III
表示导带中的电子到 3s能级的跃迁
因为导带中电子能量从带底能量到最高能量 , 各种能
量的电子均可发生跃迁产生不同能量的 X 光子, 所以发射出 X 光子能量形成一个连续能量谱。 发射
的 X 光子能量可以通过实验测得。
0
E
X 光子发射强度决定于: (能态密度)×(发射几率)
—— 根据不同固体的 X 光子发射谱可以获知能态密度的信息
—— 图 XCH004_053_01~05 是金属 Na、 Mg、 Al 和非金属金刚石、硅的实验结果。
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—— 在低能量区域
金属 Na、 Mg、 Al 和非金属金刚石、 硅的 X 光子发射能量逐渐上升的 —— 反映了电子的能量从带
底逐渐增大,其能态密度逐渐增大的规律。
—— 在高能量的一端
金属 Na、 Mg、 Al 的 X 光子发射谱陡然下降 —— 反映了导带未被电子填充满, 最高能量的电子对
应的能态密度最大。
非金属金刚石、硅的 X 光子发射谱逐渐下降 —— 反映了电子填充了导带中所有的状态,即满带。
而在满带顶对应的布里渊区附近,电子的能态密度逐渐降为零。
REVISED TIME: 05-4-21 - 8 - CREATED BY XCH