第四章 习 题
4.1 晶体中空位和间隙原子的浓度是否相同？为什么？
4.2 试从能量角度说明滑移方向必定是密排方向。
4.3 如果已知空位形成能为，试问当温度为300K时在金里肖脱基缺陷数与格点数之比是多少？
eV67.0=
u
E
4.4 某间隙原子在晶格的间隙位置间跳跃。该间隙原子在晶格中振动的频率为 2×
10
15
S
-1
,如该间隙原子在跳跃过程中需要克服的势垒高度为0.1eV,求该原子在1秒内跳跃的次数。
4.5 在离子晶体中，由于电中性的要求，肖特基缺陷多成对地产生。令n代表正、
负离子空位的对数，W是产生一对缺陷所需能量，N是原有的正、负离子对的数目。
)2/exp(/ TkWBNn
B
=（1）试证明,
VV /Δ，其中V为原有的体积。 （2）试求有肖脱基缺陷后体积的变化
4.6 已知扩散系数与温度之间的关系为,
TkE
BA
eDD
/
0
=
下列数据是锌在铜晶体中扩散的实验结果,
T（K） 878 1007 1176 1253 1322
D（m
2
·s
-1
） 1.6×10
-20
4.0×10
-18
1.1×10
-18
4.0×10
-17
1.0×10
-16
试确定常数D
0
和激活能E
A
。
4.7 铜和硅的空位形成能E
u
分别为.3eV和2.8eV。试求T =1000K时，铜和硅中的空位浓度。
4.8 碘化钾在不同温度下的钾蒸汽中增色，通过测量F带的光吸收就可得F心的形成能E
B
。当温度从570℃上升到620℃时，吸收常数增加了3.9%左右。假设光吸收的增加是由F心的数目增加引起的，试计算F心形成能E
B
B
B。
]111[4.9 考虑一体心立方晶格：（1）试画出（110）面上原子的分布图；（2）设有一沿方向滑移、位错线和[110]平行的刃位错。试画出在（110）面上原子的投影图。
4.10 求体心立方、面心立方、六方密堆积等晶体结构的最小滑移矢量的长度。
]211[4.11 在FCC晶格中存在一个位错,其位错线的方向用晶向指数表示为,该位错滑移的方向和大小用伯格斯矢量表示为b =
2
1
]011[。试确定该滑移面的晶面指数。
该位错是刃型位错还是螺型位错?
1
2