第九章 和第十章的 复习一、填空
1、使用 PROM实现组合逻辑时，应首先把逻辑函数变换成 ____，而使用 PLA实现组合逻辑时，应首先把逻辑函数变换成 ___。（ A：最小项表达式,B,最大项表达式,C：最简与或式 ）
2、存储器容量的扩展有 __扩展和 __扩展两种方法。
如把 1K字 × 4位容量的 2114RAM扩展为 16K字 × 8位的
RAM，则需 ____片 2114和一个 ______译码器。
3、有一个存储器的容量为 1024字 × 8位，则该存储器共有 ____个基本存储单元，共存有 ____字，每字有 ____位，该存储器共有 ____个 2114。
4、某 RAM存储器矩阵采用 32× 32的形式，行地址译码器采用 5/32线译码器；列地址译码器采用 3/8线译码器，则可知该 RAM有 _____个存储单元。该存储矩阵共有 ____个字，每个字有 _____位，其列地址译码器的每根输出线接存储矩阵的 ____列。
5、存储器的容量用 ___和 ___的乘积表示。构成
16K× 16位的 RAM需要 _____片容量为 1K× 4的 2114，
这时应有 _____条地址线，一次读出操作选中 ____。
6,RAM在工作时，可以按地址对指定单元 ____或
____数据；而 ROM在工作时，只能 _____指定单元的数据。（擦出、读取、存放）
7、一个 RAM的容量为 1024字 × 8位，则该 RAM共有
____个基本存储单元，工作时每次访问 ____个基本存储单元，有 ____个地址端。
8、使用 GAL16V8最多可设置 ____个输入端,最多可设置 ____个输出端。
9、说明下表中所列 5种器件的与、或阵列是固定结构还是可编程结构（在表内对应小格中打,√”）。
10,GAL16V8共有 ____个管脚，其中输入端最多可有 ____个，输出端最多可有 _____个，其 OLMC在结构控制字的作用下可以构成 ____种不同的工作模式。
11,PLD按制造工艺可以分为 _________________，
_________________,______________三类，按集程度可以分为 ________和 ___________两类。
12,PAL和 GAL的相同之处是基本结构都是 _____阵列可编程,_____阵列固定。不同之处是 _____（ PAL，
GAL）的输出结构是固定的，而 _____（ PAL,GAL）
的输出结构可由用户编程确定。
二、用 ROM设计两个一位二进制数 a和 b及进位输入 c
的全加器，设本位和为 S,进位输出为 CO。
三、由 EPROM构成的电路如下，试分析电路，
列出真值表，填写功能。
1,X,Y,Z的真值表为：
2、该电路的逻辑功能是
___________________________________________
四、由 PROM和 DFF构成的电路如图所示，设 Q1Q2Q3的初态为
000。
1）试填写 Q1Q2Q3的状态转移表。
2）试写出序列码 F码型。
3）试说明这是什么功能的电路。
F=11011100,11011100,···
功能,M=8的 11011100序列码发生器。
五、试用 ROM实现下列多输出函数电路。
解：
五、由 PROM和 DFF构成的计数型序列码发生器如下，分析该电路后，试画出该电路的全状态转移图和产生的序列码 F=？
（设初态为 Q3Q2Q1=000）
序列码 F=
序列码 F=0000011
1、使用 PROM实现组合逻辑时，应首先把逻辑函数变换成 ____，而使用 PLA实现组合逻辑时，应首先把逻辑函数变换成 ___。（ A：最小项表达式,B,最大项表达式,C：最简与或式 ）
2、存储器容量的扩展有 __扩展和 __扩展两种方法。
如把 1K字 × 4位容量的 2114RAM扩展为 16K字 × 8位的
RAM，则需 ____片 2114和一个 ______译码器。
3、有一个存储器的容量为 1024字 × 8位，则该存储器共有 ____个基本存储单元，共存有 ____字，每字有 ____位，该存储器共有 ____个 2114。
4、某 RAM存储器矩阵采用 32× 32的形式，行地址译码器采用 5/32线译码器；列地址译码器采用 3/8线译码器，则可知该 RAM有 _____个存储单元。该存储矩阵共有 ____个字，每个字有 _____位，其列地址译码器的每根输出线接存储矩阵的 ____列。
5、存储器的容量用 ___和 ___的乘积表示。构成
16K× 16位的 RAM需要 _____片容量为 1K× 4的 2114，
这时应有 _____条地址线，一次读出操作选中 ____。
6,RAM在工作时，可以按地址对指定单元 ____或
____数据；而 ROM在工作时，只能 _____指定单元的数据。（擦出、读取、存放）
7、一个 RAM的容量为 1024字 × 8位，则该 RAM共有
____个基本存储单元，工作时每次访问 ____个基本存储单元，有 ____个地址端。
8、使用 GAL16V8最多可设置 ____个输入端,最多可设置 ____个输出端。
9、说明下表中所列 5种器件的与、或阵列是固定结构还是可编程结构（在表内对应小格中打,√”）。
10,GAL16V8共有 ____个管脚，其中输入端最多可有 ____个，输出端最多可有 _____个，其 OLMC在结构控制字的作用下可以构成 ____种不同的工作模式。
11,PLD按制造工艺可以分为 _________________，
_________________,______________三类，按集程度可以分为 ________和 ___________两类。
12,PAL和 GAL的相同之处是基本结构都是 _____阵列可编程,_____阵列固定。不同之处是 _____（ PAL，
GAL）的输出结构是固定的，而 _____（ PAL,GAL）
的输出结构可由用户编程确定。
二、用 ROM设计两个一位二进制数 a和 b及进位输入 c
的全加器，设本位和为 S,进位输出为 CO。
三、由 EPROM构成的电路如下，试分析电路，
列出真值表，填写功能。
1,X,Y,Z的真值表为：
2、该电路的逻辑功能是
___________________________________________
四、由 PROM和 DFF构成的电路如图所示，设 Q1Q2Q3的初态为
000。
1）试填写 Q1Q2Q3的状态转移表。
2）试写出序列码 F码型。
3）试说明这是什么功能的电路。
F=11011100,11011100,···
功能,M=8的 11011100序列码发生器。
五、试用 ROM实现下列多输出函数电路。
解：
五、由 PROM和 DFF构成的计数型序列码发生器如下，分析该电路后，试画出该电路的全状态转移图和产生的序列码 F=？
（设初态为 Q3Q2Q1=000）
序列码 F=
序列码 F=0000011
