§9.4 Zeeman效应
1.带有自旋的电子在电磁场中的Hamiltonian
实验证明,在外磁场中,原子的能级会发生分裂,结果是原子的特征谱线也发生分裂,这称为Zeeman效应。理论的解释是:电子的磁矩和外磁场产生了附加的相互作用能。
我们在§6.1中已经介绍过:在外磁场中运动的电荷的Hamiltonian是(先不考虑电场)
其中已经代入了电子的。在原子的范围内,外磁场可以认为是均匀的,所以,如果,那么,代入得(参见§6.2)
考虑了电子带自旋以后,Hamiltonian应该修改为
回忆公式(见§9.1)
所以
注意到以及上面展开的结果,它又可以写为
所以与无自旋电子的Hamiltonian的不同之处只是用代替了。再把电场对电荷的作用以及自旋-轨道耦合加上去,最后得到
在这里,的线性项可以做这样的物理解释:我们在§5.4中证明了是电子的轨道磁矩,在§9.1中又说明了是电子的自旋磁矩,所以实际上
这正是磁矩与磁场的相互作用能量的经典表达式。
2.正常Zeeman效应
现在我们来估计一下中增加的那些项的大小。设原子的尺度为(Bohr半径的量级),那么
其中是磁通量子(见§6.2)。由于,且通常来说,所以。这样一来在中的项就可以略去。再进一步,如果磁场比较强,那么自旋-轨道耦合项相对于磁矩-磁场相互作用项又可以略去,所以我们有
因而Schr?dinger方程成为:
当然,现在的应该是二分量波函数。
先考虑磁场的情形。这时候守恒量的完备集可以选为,对应的能量本征态用四个量子数来表征,记为,能量本征值和都有关,所以我们有以下的4个同时本征方程:
其中。我们发现,即使把磁矩-磁场相互作用项添加进来,仍然可以使上面的Schr?dinger方程得到满足,其中的能量本征值现在变成
所以能级发生了分裂和移动。注意到和的取值范围,能级的改变是(以为单位):
等等,直到 ,
单态, 单态, 双态, 双态, 单态。
但是谱线的分裂没有这么多。应用选择定则(见后)
原来频率为的一条谱线现在变成了三条,其频率分别为:
这就是实验观察到的正常Zeeman效应。
*3.反常Zeeman效应
假如磁场不是很强,那么自旋-轨道耦合就不可忽略,所以Hamiltonian成为
在这种情况下,不再是守恒量完备集,也同样不是。但是如果我们把重写为
那么对于除最后一项以外的部分构成守恒量完备集。所以我们可以这样来分析:当我们完全忽略磁场的时候,这就是带自旋-轨道耦合的Hamiltonian,所以它的能谱是带有精细结构的能谱,能级是(见§9.3),简并度是。加上这一项以后,能量本征态还是原来的,只不过能量变成了
所以原来的能级现在分裂成条,简并度完全被去除。再加上这一项,注意到
所以能级又成为
分裂的条数并没有改变,只是位置又稍微移动了一下。这就是实验上看到的反常Zeeman效应。
4.自旋电子学
现在我们知道了,电子是既带有电荷又带有自旋的,服从Fermi-Dirac统计的微观粒子。这是量子力学诞生以后人们对电子的不同于经典物理学的新认识。但是到目前为止,传统的电子学仍然只利用了电子带有电荷这个性质,而没有利用电子还带有自旋这个性质。
传统的电子学以超大规模集成电路为主要的支持硬件。如果我们想继续提高芯片的集成度,在原则上将面临两大困难。第一,当芯片上的线宽小到可以和电子的de Broglie波长相比的时候,电子的量子力学效应(波动效应)就不可以忽略了。这时候,集成电路已经不再能够简单地等效为分立(可隔离)元件构成的网络,而应当看作是一个量子力学系统。这样一来,对它进行分析的方法就要复杂多了。第二,芯片集成度的提高必然伴随着芯片单位面积上功耗的增加,也就是说芯片散热的问题会变得非常严重。在利用电子带有电荷这个特点对它进行操控的情况下,这个问题是无法避免的,因为电场力推动电荷运动的时候一定会做功,而这个功最后就会变成热量。
理论分析和工程实践的结果都表明,在目前的芯片制造的工艺水平上(线宽),前一个问题还不会产生明显的影响,而后一个问题倒是需要认真对待的。为了解决这个问题,必须有一个基本上不消耗能量就可以对电子进行操控的办法,而这就是控制电子的自旋。通过控制电子的自旋状态使之携带、加工和传输信号的方法称为自旋电子学 (Spintronics)。在自旋电子学里经常出现的术语是“自旋流”,“自旋池”,“自旋输运”,“自旋进动”,“自旋翻转”等等。我们在前面介绍的自旋-轨道耦合效应和Zeeman效应为自旋电子学的实现提供了物理的基础,因为前者通过电场、后者通过磁场影响电子的自旋状态。这些效应的最大特点就是基本上不需要付出能量的代价,而这正是我们要追求的目标。
自旋电子学是一门新兴的学科,目前仍然处于基础研究的阶段,暂时还谈不上付诸工程实践,但是它的发展前景是十分远大的。这里我们还想强调一点:量子力学是研究自旋电子学的基本出发点。
作业:习题8.11.